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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FR2000045A1 | A1 | 19690829 | claim | claims | 1 | §9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication, à partir d'aciers de construction au carbone et alliés, de tôles, de barres et de profilés présentant une forte épaisseur, une limite d'élasticité élevée et un rapport Re/Rm compris entre les limites de 0,80 à 0,95, et qui, après un laminage à chaud,... | 855 | §9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication, à partir d'aciers de construction au carbone et alliés, de tôles, de barres et de profilés présentant une forte épaisseur, une limite d'élasticité élevée et un rapport Re/Rm compris entre les limites de 0,80 à 0,95, et qui, après un laminage à chaud,... | 855 | §9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcess of manufacture, starting from carbon steel and alloy steels, of sheets, bars and profiles with a high thickness, a high yield strength limit, and a Re/Rm ratio between 0.80 and 0.95, and which, after hot rolling, are subjected to a cold rolling process characterized... | Translate FR->EN:
§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication, à partir d'aciers de construction au carbone et alliés, de tôles, de barres et de profilés présentant une forte épaisseur, une limite d'élasticité élevée et un rapport Re/Rm compris entre les limites de 0,80 à 0,95, et qui, après un... | §9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcess of manufacture, starting from carbon steel and alloy steels, of sheets, bars and profiles with a high thickness, a high yield strength limit, and a Re/Rm ratio between 0.80 and 0.95, and which, after hot rolling, are subjected to a cold rolling process characterized... | <|BOS|>Translate FR->EN:
§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication, à partir d'aciers de construction au carbone et alliés, de tôles, de barres et de profilés présentant une forte épaisseur, une limite d'élasticité élevée et un rapport Re/Rm compris entre les limites de 0,80 à 0,95, et qui, a... |
§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcess of manufacture, starting from carbon steel and alloy steels, of sheets, bars and profiles with a high thickness, a high yield strength limit, and a Re/Rm ratio between 0.80 and 0.95, and which, after hot rolling, are subjected to a cold rolling process characteriz... |
FR2001197A1 | A1 | 19690926 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I 0 N Redresseur à double alternance comprenant en combinaison une série de plaques de phase en nombre égal au nombre de phases de l'alimentation à redresser , deux plaques formant bornes,et une série de diodes interconnectant les plaques formant bornes et les plaques de phase de sorte qutune sortie... | 804 | R E V E N D I C A T I 0 N Redresseur à double alternance comprenant en combinaison une série de plaques de phase en nombre égal au nombre de phases de l'alimentation à redresser , deux plaques formant bornes,et une série de diodes interconnectant les plaques formant bornes et les plaques de phase de sorte qutune sortie... | 804 | Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I 0 N Redresseur à double alternance comprenant en combinaison une série de plaques de phase en nombre égal au nombre de phases de l'alimentation à redresser , deux plaques formant bornes,et une série de diodes interconnectant les plaques formant bornes et les plaques de phase de s... | <|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I 0 N Redresseur à double alternance comprenant en combinaison une série de plaques de phase en nombre égal au nombre de phases de l'alimentation à redresser , deux plaques formant bornes,et une série de diodes interconnectant les plaques formant bornes et les plaques de pha... | |||
FR2001970A1 | A1 | 19691003 | claim | claims | 1 | 69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Unité de oireait électrique comprenant plusieurs couches de conducteurs mutuellement isolés sur un substrat pour interconnecter plusieurs composants de circuit, caractérisée en ce que le substrat est une plaque de métal isolé à. conductibilité 5 électrique et thermique élevée, qui... | 1,479 | 69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Unité de oireait électrique comprenant plusieurs couches de conducteurs mutuellement isolés sur un substrat pour interconnecter plusieurs composants de circuit, caractérisée en ce que le substrat est une plaque de métal isolé à. conductibilité 5 électrique et thermique élevée, qui... | 1,479 | 69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Electrical unit of wire comprising several layers of mutually insulated conductors on a substrate for interconnecting multiple circuit components, characterized in that the substrate is a high electrical and thermal conductivity metal plate, serving as a power supply and cold sour... | Translate FR->EN:
69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Unité de oireait électrique comprenant plusieurs couches de conducteurs mutuellement isolés sur un substrat pour interconnecter plusieurs composants de circuit, caractérisée en ce que le substrat est une plaque de métal isolé à. conductibilité 5 électrique et the... | 69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Electrical unit of wire comprising several layers of mutually insulated conductors on a substrate for interconnecting multiple circuit components, characterized in that the substrate is a high electrical and thermal conductivity metal plate, serving as a power supply and cold sour... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Unité de oireait électrique comprenant plusieurs couches de conducteurs mutuellement isolés sur un substrat pour interconnecter plusieurs composants de circuit, caractérisée en ce que le substrat est une plaque de métal isolé à. conductibilité 5 électrique... |
69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Electrical unit of wire comprising several layers of mutually insulated conductors on a substrate for interconnecting multiple circuit components, characterized in that the substrate is a high electrical and thermal conductivity metal plate, serving as a power supply and cold so... |
FR2002417A1 | A1 | 19691017 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Elément de quartz, par exemple tubulaire, utilisé notamment dans la fabrication à température élevée de composants semi-conducteurs, tels que diodes, diodes à 5 quatre couches, transistors, circuits intégrés, etc., caractérisé en ce qu'il contient, au moins dans sa couche superficielle, en plus du Si... | 1,627 | REVENDICATIONS 1 - Elément de quartz, par exemple tubulaire, utilisé notamment dans la fabrication à température élevée de composants semi-conducteurs, tels que diodes, diodes à 5 quatre couches, transistors, circuits intégrés, etc., caractérisé en ce qu'il contient, au moins dans sa couche superficielle, en plus du Si... | 1,627 | REQUIREMENTS 1 - A quartz element, for example tubular, used in the high-temperature fabrication of semiconductor components such as diodes, 5-layer diodes, transistors, integrated circuits, etc., characterized in that it contains, at least in its surface layer, in addition to SiO2, at least one other material with a c... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Elément de quartz, par exemple tubulaire, utilisé notamment dans la fabrication à température élevée de composants semi-conducteurs, tels que diodes, diodes à 5 quatre couches, transistors, circuits intégrés, etc., caractérisé en ce qu'il contient, au moins dans sa couche superficie... | REQUIREMENTS 1 - A quartz element, for example tubular, used in the high-temperature fabrication of semiconductor components such as diodes, 5-layer diodes, transistors, integrated circuits, etc., characterized in that it contains, at least in its surface layer, in addition to SiO2, at least one other material with a c... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Elément de quartz, par exemple tubulaire, utilisé notamment dans la fabrication à température élevée de composants semi-conducteurs, tels que diodes, diodes à 5 quatre couches, transistors, circuits intégrés, etc., caractérisé en ce qu'il contient, au moins dans sa couche sup... |
REQUIREMENTS 1 - A quartz element, for example tubular, used in the high-temperature fabrication of semiconductor components such as diodes, 5-layer diodes, transistors, integrated circuits, etc., characterized in that it contains, at least in its surface layer, in addition to SiO2, at least one other material with a... |
FR2002924A1 | A1 | 19691031 | claim | claims | 1 | 69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Dispositif semiconducteur renfermant un bloc semiconducteur composé d'un substrat et d'au moims une couche épitaxiale sur ce substrat, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de cette couche épitaxiale incorpore des particules de dimensions in-5 férieures au micron d'un matér... | 1,241 | 69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Dispositif semiconducteur renfermant un bloc semiconducteur composé d'un substrat et d'au moims une couche épitaxiale sur ce substrat, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de cette couche épitaxiale incorpore des particules de dimensions in-5 férieures au micron d'un matér... | 1,241 | 69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Semiconductor device comprising a semiconductor block comprising a substrate and at least one epitaxial layer on the substrate, characterized in that at least one region of this epitaxial layer comprises particles of dimensions less than a micron of a material belonging to the gro... | Translate FR->EN:
69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Dispositif semiconducteur renfermant un bloc semiconducteur composé d'un substrat et d'au moims une couche épitaxiale sur ce substrat, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de cette couche épitaxiale incorpore des particules de dimensions in-5 férieures au... | 69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Semiconductor device comprising a semiconductor block comprising a substrate and at least one epitaxial layer on the substrate, characterized in that at least one region of this epitaxial layer comprises particles of dimensions less than a micron of a material belonging to the gro... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Dispositif semiconducteur renfermant un bloc semiconducteur composé d'un substrat et d'au moims une couche épitaxiale sur ce substrat, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de cette couche épitaxiale incorpore des particules de dimensions in-5 férie... |
69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Semiconductor device comprising a semiconductor block comprising a substrate and at least one epitaxial layer on the substrate, characterized in that at least one region of this epitaxial layer comprises particles of dimensions less than a micron of a material belonging to the g... |
FR2002938A1 | A1 | 19691031 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1° - Dispositif redresseur pour alternateur d'éclairage de véhicules automobilesp caractérisé par des éléments redresseurs semi-conducteurs disposés sur des plaques-support, 5 agencées sous forme de tôle de refroidissement» et se composant respectivement d'une bande de tôle qui est pourvue à intervalles ... | 608 | REVENDICATIONS 1° - Dispositif redresseur pour alternateur d'éclairage de véhicules automobilesp caractérisé par des éléments redresseurs semi-conducteurs disposés sur des plaques-support, 5 agencées sous forme de tôle de refroidissement» et se composant respectivement d'une bande de tôle qui est pourvue à intervalles ... | 608 | REVENDICATIONS 1° - A device for reversing the alternator of a vehicle's lighting system characterized by semiconductor elements arranged on support plates, five arranged in the form of a cooling plate, and composed respectively of a strip of sheet metal provided with equal intervals of notches oriented perpendicularly... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1° - Dispositif redresseur pour alternateur d'éclairage de véhicules automobilesp caractérisé par des éléments redresseurs semi-conducteurs disposés sur des plaques-support, 5 agencées sous forme de tôle de refroidissement» et se composant respectivement d'une bande de tôle qui est pour... | REVENDICATIONS 1° - A device for reversing the alternator of a vehicle's lighting system characterized by semiconductor elements arranged on support plates, five arranged in the form of a cooling plate, and composed respectively of a strip of sheet metal provided with equal intervals of notches oriented perpendicularly... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1° - Dispositif redresseur pour alternateur d'éclairage de véhicules automobilesp caractérisé par des éléments redresseurs semi-conducteurs disposés sur des plaques-support, 5 agencées sous forme de tôle de refroidissement» et se composant respectivement d'une bande de tôle qui e... |
REVENDICATIONS 1° - A device for reversing the alternator of a vehicle's lighting system characterized by semiconductor elements arranged on support plates, five arranged in the form of a cooling plate, and composed respectively of a strip of sheet metal provided with equal intervals of notches oriented perpendicula... |
FR2003051A1 | A1 | 19691107 | claim | claims | 1 | revendications 1.- Procédé de préparation de matières cellulaires de polyuréthanes à partir de polyesters, de polyisocyanates, d'agents d'allongement de chaîne, d'activateurs et de stabilisants 5 de mousse non ioniques, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : e - ... | 1,542 | revendications 1.- Procédé de préparation de matières cellulaires de polyuréthanes à partir de polyesters, de polyisocyanates, d'agents d'allongement de chaîne, d'activateurs et de stabilisants 5 de mousse non ioniques, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : e - ... | 1,542 | claims 1.- Preparation method of cellular polyurethane materials from polyester, polyisocyanates, chain extenders, initiators and stabilizers of non-ionic foam, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 in which E represents an alkoxy, alkenyloxy, cycloal... | Translate FR->EN:
revendications 1.- Procédé de préparation de matières cellulaires de polyuréthanes à partir de polyesters, de polyisocyanates, d'agents d'allongement de chaîne, d'activateurs et de stabilisants 5 de mousse non ioniques, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formu... | claims 1.- Preparation method of cellular polyurethane materials from polyester, polyisocyanates, chain extenders, initiators and stabilizers of non-ionic foam, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 in which E represents an alkoxy, alkenyloxy, cycloal... | <|BOS|>Translate FR->EN:
revendications 1.- Procédé de préparation de matières cellulaires de polyuréthanes à partir de polyesters, de polyisocyanates, d'agents d'allongement de chaîne, d'activateurs et de stabilisants 5 de mousse non ioniques, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés d... |
claims 1.- Preparation method of cellular polyurethane materials from polyester, polyisocyanates, chain extenders, initiators and stabilizers of non-ionic foam, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 in which E represents an alkoxy, alkenyloxy, cyclo... |
FR2003087A1 | A1 | 19691107 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif pour le renvidage ae produits filicrimes sans Ln, venant d'outre filés ou coulés et/ou étirés, l'aide de têtes de bobinage à régulatIon de vitesse, disposées en plusieurs étages les unes en dessous des autres et aliment 2 en fl depuis le haut, avec des bras pivotants oui... | 1,554 | R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif pour le renvidage ae produits filicrimes sans Ln, venant d'outre filés ou coulés et/ou étirés, l'aide de têtes de bobinage à régulatIon de vitesse, disposées en plusieurs étages les unes en dessous des autres et aliment 2 en fl depuis le haut, avec des bras pivotants oui... | 1,554 | Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif pour le renvidage ae produits filicrimes sans Ln, venant d'outre filés ou coulés et/ou étirés, l'aide de têtes de bobinage à régulatIon de vitesse, disposées en plusieurs étages les unes en dessous des autres et aliment 2 en fl depuis le haut, avec des ... | <|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif pour le renvidage ae produits filicrimes sans Ln, venant d'outre filés ou coulés et/ou étirés, l'aide de têtes de bobinage à régulatIon de vitesse, disposées en plusieurs étages les unes en dessous des autres et aliment 2 en fl depuis le haut, av... | |||
FR2003872A1 | A1 | 19691114 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I 0 N S R E V E N D I C A T I O 10- Un procédé pour former des contacts saillants sur une face d'uné structure micro-électronique, caractérisé par l'éta- blissement d'une première couche diélectrique sur la surface sélectionnée avec des ouvertures aux emplacements devant porter les contactes, la for... | 1,778 | R E V E N D I C A T I 0 N S R E V E N D I C A T I O 10- Un procédé pour former des contacts saillants sur une face d'uné structure micro-électronique, caractérisé par l'éta- blissement d'une première couche diélectrique sur la surface sélectionnée avec des ouvertures aux emplacements devant porter les contactes, la for... | 1,778 | Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I 0 N S R E V E N D I C A T I O 10- Un procédé pour former des contacts saillants sur une face d'uné structure micro-électronique, caractérisé par l'éta- blissement d'une première couche diélectrique sur la surface sélectionnée avec des ouvertures aux emplacements devant porter les... | <|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I 0 N S R E V E N D I C A T I O 10- Un procédé pour former des contacts saillants sur une face d'uné structure micro-électronique, caractérisé par l'éta- blissement d'une première couche diélectrique sur la surface sélectionnée avec des ouvertures aux emplacements devant por... | |||
FR2003877A1 | A1 | 19691114 | claim | claims | 1 | REVENDICATION Broyeur à impact à rotor et tôles ou plaques d'impact fixées dans le carter du broyeur, utilisable notamment pour le broyage de pierres jusqu'à la finesse du sable, comportant une barre oscillan- te montée de manière réglable immédiatement sous la dernière plaque d'impact, cette barre étant équipée, dans ... | 1,146 | REVENDICATION Broyeur à impact à rotor et tôles ou plaques d'impact fixées dans le carter du broyeur, utilisable notamment pour le broyage de pierres jusqu'à la finesse du sable, comportant une barre oscillan- te montée de manière réglable immédiatement sous la dernière plaque d'impact, cette barre étant équipée, dans ... | 1,146 | REQUIREMENT: Impact crusher with rotor and impact plates fixed in the crusher housing, usable for crushing rocks down to the fineness of sand, comprising a oscillating bar mounted immediately below the last impact plate, this bar being equipped, at the entrance of the materials, with a crushing plate preferably symmetr... | Translate FR->EN:
REVENDICATION Broyeur à impact à rotor et tôles ou plaques d'impact fixées dans le carter du broyeur, utilisable notamment pour le broyage de pierres jusqu'à la finesse du sable, comportant une barre oscillan- te montée de manière réglable immédiatement sous la dernière plaque d'impact, cette barre ét... | REQUIREMENT: Impact crusher with rotor and impact plates fixed in the crusher housing, usable for crushing rocks down to the fineness of sand, comprising a oscillating bar mounted immediately below the last impact plate, this bar being equipped, at the entrance of the materials, with a crushing plate preferably symmetr... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATION Broyeur à impact à rotor et tôles ou plaques d'impact fixées dans le carter du broyeur, utilisable notamment pour le broyage de pierres jusqu'à la finesse du sable, comportant une barre oscillan- te montée de manière réglable immédiatement sous la dernière plaque d'impact, cette b... |
REQUIREMENT: Impact crusher with rotor and impact plates fixed in the crusher housing, usable for crushing rocks down to the fineness of sand, comprising a oscillating bar mounted immediately below the last impact plate, this bar being equipped, at the entrance of the materials, with a crushing plate preferably symme... |
FR2004192A1 | A1 | 19691121 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur disposé entre au moins deux électrodes de bornes dont l'une au moins est maintenue en bon contact thermique et eliac- trique avec cet élément semiconducteur au moyen d'un dispositif exerçant une pression, dispositif caractéri... | 1,442 | R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur disposé entre au moins deux électrodes de bornes dont l'une au moins est maintenue en bon contact thermique et eliac- trique avec cet élément semiconducteur au moyen d'un dispositif exerçant une pression, dispositif caractéri... | 1,442 | REVENDESSIONS 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor element disposed between at least two electrode terminals, at least one of which is maintained in good thermal and electrical contact with the semiconductor element by a device applying pressure, the device characterized by a flexible sheet comprising a ... | Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur disposé entre au moins deux électrodes de bornes dont l'une au moins est maintenue en bon contact thermique et eliac- trique avec cet élément semiconducteur au moyen d'un dispositif exerçant une pression, di... | REVENDESSIONS 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor element disposed between at least two electrode terminals, at least one of which is maintained in good thermal and electrical contact with the semiconductor element by a device applying pressure, the device characterized by a flexible sheet comprising a ... | <|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur disposé entre au moins deux électrodes de bornes dont l'une au moins est maintenue en bon contact thermique et eliac- trique avec cet élément semiconducteur au moyen d'un dispositif exerçant une press... |
REVENDESSIONS 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor element disposed between at least two electrode terminals, at least one of which is maintained in good thermal and electrical contact with the semiconductor element by a device applying pressure, the device characterized by a flexible sheet comprising... |
FR2004346A1 | A1 | 19691121 | claim | claims | 1 | 69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Procédé de production de chlorure de cyanogène en même temps que du chlorure de cyanuryle et du chlorure de cyanogène tétramère, caractérisé en ce qu'on fait réagir des quantités au 5 moins équimolaires de chlore sous pression avec de l'acide cyanhydrique en phase liquide à des tem... | 838 | 69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Procédé de production de chlorure de cyanogène en même temps que du chlorure de cyanuryle et du chlorure de cyanogène tétramère, caractérisé en ce qu'on fait réagir des quantités au 5 moins équimolaires de chlore sous pression avec de l'acide cyanhydrique en phase liquide à des tem... | 838 | 69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Production method of cyanogen chloride in the same time as cyanuric chloride and tetrameric cyanogen chloride, characterized in that one reacts in a liquid phase, under pressure, quantities of chlorine (5 less equivalent) with aqueous hydrocyanic acid, at temperatures of about -20°... | Translate FR->EN:
69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Procédé de production de chlorure de cyanogène en même temps que du chlorure de cyanuryle et du chlorure de cyanogène tétramère, caractérisé en ce qu'on fait réagir des quantités au 5 moins équimolaires de chlore sous pression avec de l'acide cyanhydrique en phase... | 69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Production method of cyanogen chloride in the same time as cyanuric chloride and tetrameric cyanogen chloride, characterized in that one reacts in a liquid phase, under pressure, quantities of chlorine (5 less equivalent) with aqueous hydrocyanic acid, at temperatures of about -20°... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Procédé de production de chlorure de cyanogène en même temps que du chlorure de cyanuryle et du chlorure de cyanogène tétramère, caractérisé en ce qu'on fait réagir des quantités au 5 moins équimolaires de chlore sous pression avec de l'acide cyanhydrique e... |
69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Production method of cyanogen chloride in the same time as cyanuric chloride and tetrameric cyanogen chloride, characterized in that one reacts in a liquid phase, under pressure, quantities of chlorine (5 less equivalent) with aqueous hydrocyanic acid, at temperatures of about -2... |
FR2005454A1 | A1 | 19691212 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant la dissipation de la chale... | 1,232 | REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant la dissipation de la chale... | 1,232 | REVENDICATIONS 1°) A semiconductor device comprising: - a dielectric support, - a glass layer disposed on this support. - a dielectric material cooled encapsulated in this glass layer, 5 - a semiconductor element disposed on the dielectric material ensuring the dissipation of heat. 2e) A semiconductor device as describ... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant la dissi... | REVENDICATIONS 1°) A semiconductor device comprising: - a dielectric support, - a glass layer disposed on this support. - a dielectric material cooled encapsulated in this glass layer, 5 - a semiconductor element disposed on the dielectric material ensuring the dissipation of heat. 2e) A semiconductor device as describ... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant l... |
REVENDICATIONS 1°) A semiconductor device comprising: - a dielectric support, - a glass layer disposed on this support. - a dielectric material cooled encapsulated in this glass layer, 5 - a semiconductor element disposed on the dielectric material ensuring the dissipation of heat. 2e) A semiconductor device as descr... |
FR2005553A1 | A1 | 19691212 | claim | claims | 1 | revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le support... | 1,877 | revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le support... | 1,877 | 2005553 | Translate FR->EN:
revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caractérisé en... | 2005553 | <|BOS|>Translate FR->EN:
revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caracté... |
2005553
<CLM>1
Process for the non-electric plating of a support, characterized in that the surface of the support is bombarded with ions, prior to the plating treatment of this surface by a non-electric plating solution. 5 2, Process according to claim 1, characterized in that the support is electrically insulating.... |
FR2006001A1 | A1 | 19691219 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les zones de base, d'émetteur ... | 1,395 | REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les zones de base, d'émetteur ... | 1,395 | REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising a semiconductor block having a first type of conductivity region placed between two regions of opposite or second type of conductivity defining therebetween p-n junctions and providing respectively the base, emitter and collector regions of a transistor, and a housin... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les zones de... | REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising a semiconductor block having a first type of conductivity region placed between two regions of opposite or second type of conductivity defining therebetween p-n junctions and providing respectively the base, emitter and collector regions of a transistor, and a housin... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les z... |
REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising a semiconductor block having a first type of conductivity region placed between two regions of opposite or second type of conductivity defining therebetween p-n junctions and providing respectively the base, emitter and collector regions of a transistor, and a hous... |
FR2006538A1 | A1 | 19691226 | claim | claims | 1 | 69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Classification périodique des... | 1,586 | 69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Classification périodique des... | 1,586 | 69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Application procedure of a hardening composition on a substrate having a surface adherent metallic phosphate coating, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 2°- Procedure in accordance with claim 1, in which t... | Translate FR->EN:
69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Classificat... | 69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Application procedure of a hardening composition on a substrate having a surface adherent metallic phosphate coating, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 2°- Procedure in accordance with claim 1, in which t... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Clas... |
69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Application procedure of a hardening composition on a substrate having a surface adherent metallic phosphate coating, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 2°- Procedure in accordance with claim 1, in which... |
FR2006708A1 | A1 | 19700102 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur à contact redresseur formé sur un substrat en silicium, caractérisé par une couche de tungstène appliquée sur une partie d'une surface du substrat en silicium, cette couche de tungstène établissant le contact redresseur avec ladite surface.\n<CLM>\1\tDisp... | 1,842 | R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur à contact redresseur formé sur un substrat en silicium, caractérisé par une couche de tungstène appliquée sur une partie d'une surface du substrat en silicium, cette couche de tungstène établissant le contact redresseur avec ladite surface.\n<CLM>\1\tDisp... | 1,842 | Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur à contact redresseur formé sur un substrat en silicium, caractérisé par une couche de tungstène appliquée sur une partie d'une surface du substrat en silicium, cette couche de tungstène établissant le contact redresseur avec ladite surfa... | <|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur à contact redresseur formé sur un substrat en silicium, caractérisé par une couche de tungstène appliquée sur une partie d'une surface du substrat en silicium, cette couche de tungstène établissant le contact redresseur avec ladit... | |||
FR2007542A1 | A1 | 19700109 | claim | claims | 1 | 13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ... | 1,193 | 13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ... | 1,193 | 13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ... | Translate FR->EN:
13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooé... | 13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ... | <|BOS|>Translate FR->EN:
13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit... |
13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé e... |
FR2008236A1 | A1 | 19700116 | claim | claims | 1 | Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à découvert des parties de c... | 1,792 | Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à découvert des parties de c... | 1,792 | Claims 1 - Electrical connection device for semiconductor devices or integrated circuits comprising a series of circuit elements formed near a surface of a substrate and an insulating layer on the surface comprising a series of holes exposing parts of the circuits, characterized by multiple-layer interconnections dispo... | Translate FR->EN:
Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à découver... | Claims 1 - Electrical connection device for semiconductor devices or integrated circuits comprising a series of circuit elements formed near a surface of a substrate and an insulating layer on the surface comprising a series of holes exposing parts of the circuits, characterized by multiple-layer interconnections dispo... | <|BOS|>Translate FR->EN:
Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à d... |
Claims 1 - Electrical connection device for semiconductor devices or integrated circuits comprising a series of circuit elements formed near a surface of a substrate and an insulating layer on the surface comprising a series of holes exposing parts of the circuits, characterized by multiple-layer interconnections dis... |
FR2008771A1 | A1 | 19700123 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à la corrosion plus grande ... | 858 | REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à la corrosion plus grande ... | 858 | REQUIREMENTS 1 - A semiconductor device comprising a metallic layer providing a resistive connection to a part of the semiconductor device's surface, characterized in that the metallic layer comprises a mixture of tungsten and a modified metal having a corrosion resistance higher than that of tungsten. 2 - A semiconduc... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à la corr... | REQUIREMENTS 1 - A semiconductor device comprising a metallic layer providing a resistive connection to a part of the semiconductor device's surface, characterized in that the metallic layer comprises a mixture of tungsten and a modified metal having a corrosion resistance higher than that of tungsten. 2 - A semiconduc... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à ... |
REQUIREMENTS 1 - A semiconductor device comprising a metallic layer providing a resistive connection to a part of the semiconductor device's surface, characterized in that the metallic layer comprises a mixture of tungsten and a modified metal having a corrosion resistance higher than that of tungsten. 2 - A semicond... |
FR2010439A1 | A1 | 19700213 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1°/ Procédé pour graver , par attaque chimique et de fajon géométriquement limitée, une plaque semi-conductrice comportant une couche d'oxyde, du type dans lequel on enduit la plaque 5 semi-conductrice d'une laque photographique, on l^expose à la lumière à travers une plaque photographique, on la dévelop... | 1,586 | REVENDICATIONS 1°/ Procédé pour graver , par attaque chimique et de fajon géométriquement limitée, une plaque semi-conductrice comportant une couche d'oxyde, du type dans lequel on enduit la plaque 5 semi-conductrice d'une laque photographique, on l^expose à la lumière à travers une plaque photographique, on la dévelop... | 1,586 | REQUIREMENTS 1°/ Procedure for etching a semiconductor plate with a oxide layer of the type in which the semiconductor plate is coated with a photographic lacquer, the plate is exposed to light through a photographic plate, the plate is developed and then chemically attacked in the regions of the surfaces released duri... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1°/ Procédé pour graver , par attaque chimique et de fajon géométriquement limitée, une plaque semi-conductrice comportant une couche d'oxyde, du type dans lequel on enduit la plaque 5 semi-conductrice d'une laque photographique, on l^expose à la lumière à travers une plaque photographi... | REQUIREMENTS 1°/ Procedure for etching a semiconductor plate with a oxide layer of the type in which the semiconductor plate is coated with a photographic lacquer, the plate is exposed to light through a photographic plate, the plate is developed and then chemically attacked in the regions of the surfaces released duri... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1°/ Procédé pour graver , par attaque chimique et de fajon géométriquement limitée, une plaque semi-conductrice comportant une couche d'oxyde, du type dans lequel on enduit la plaque 5 semi-conductrice d'une laque photographique, on l^expose à la lumière à travers une plaque phot... |
REQUIREMENTS 1°/ Procedure for etching a semiconductor plate with a oxide layer of the type in which the semiconductor plate is coated with a photographic lacquer, the plate is exposed to light through a photographic plate, the plate is developed and then chemically attacked in the regions of the surfaces released du... |
FR2011079A1 | A1 | 19700227 | claim | claims | 1 | 69 19976 13 2011079 RCTEKDIOAIIOIIB 1 - Dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semi-conducteur ayant un nombre nécessaire de composants de circuit, des parties conductrices adhérant à la 5 surface du substrat et une partie isolante entourant ces parties conductrices, une des parties ét... | 1,314 | 69 19976 13 2011079 RCTEKDIOAIIOIIB 1 - Dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semi-conducteur ayant un nombre nécessaire de composants de circuit, des parties conductrices adhérant à la 5 surface du substrat et une partie isolante entourant ces parties conductrices, une des parties ét... | 1,314 | 69 19976 13 2011079 RCTEKDIOAIIOIIB 1 - Semiconductor device comprising a semiconductor substrate having a necessary number of circuit components, conductive parts adhering to the 5 surface of the substrate, and an insulating part surrounding these conductive parts, one of which is chemically modified compared to the o... | Translate FR->EN:
69 19976 13 2011079 RCTEKDIOAIIOIIB 1 - Dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semi-conducteur ayant un nombre nécessaire de composants de circuit, des parties conductrices adhérant à la 5 surface du substrat et une partie isolante entourant ces parties conductrices, ... | 69 19976 13 2011079 RCTEKDIOAIIOIIB 1 - Semiconductor device comprising a semiconductor substrate having a necessary number of circuit components, conductive parts adhering to the 5 surface of the substrate, and an insulating part surrounding these conductive parts, one of which is chemically modified compared to the o... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 19976 13 2011079 RCTEKDIOAIIOIIB 1 - Dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semi-conducteur ayant un nombre nécessaire de composants de circuit, des parties conductrices adhérant à la 5 surface du substrat et une partie isolante entourant ces parties conduct... |
69 19976 13 2011079 RCTEKDIOAIIOIIB 1 - Semiconductor device comprising a semiconductor substrate having a necessary number of circuit components, conductive parts adhering to the 5 surface of the substrate, and an insulating part surrounding these conductive parts, one of which is chemically modified compared to the... |
FR2011292A1 | A1 | 19700227 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un produit intermédiaire pour circuits intégrés, suivant lequel on produit une couche de silicium polycristalline par dépôt de silicium sur ion support, ensem- 5 ble avec de minimes quantités d'impuretés qui influencent la structure cristalline du silicium déposé, carac... | 1,559 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un produit intermédiaire pour circuits intégrés, suivant lequel on produit une couche de silicium polycristalline par dépôt de silicium sur ion support, ensem- 5 ble avec de minimes quantités d'impuretés qui influencent la structure cristalline du silicium déposé, carac... | 1,559 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un produit intermédiaire pour circuits intégrés, suivant lequel on produit une couche de silicium polycristalline par dépôt de silicium sur ion support, ensem- 5 ble avec de minimes quantités d'impuretés qui influencent la structure cristalline du sili... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un produit intermédiaire pour circuits intégrés, suivant lequel on produit une couche de silicium polycristalline par dépôt de silicium sur ion support, ensem- 5 ble avec de minimes quantités d'impuretés qui influencent la structure cristalline ... |
REVENDICATIONS
<CLM>1 Process of manufacturing an intermediate product for integrated circuits, in which a layer of polycrystalline silicon is deposited on an ion support, comprising minor amounts of impurities that influence the crystalline structure of the deposited silicon, characterized in that the impurities use... |
FR2011590A1 | A1 | 19700306 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour former une couche métallique sur un substrat par production de vapeurgfaétalliques et condensation desdites vapeurs métalliques sur ledit substrat, caractérisé en ce qu'il 5 consiste à déposer à une vitesse suffisamment rapide une couche de métal d'épaisseur suffisante pour ensemen... | 1,997 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour former une couche métallique sur un substrat par production de vapeurgfaétalliques et condensation desdites vapeurs métalliques sur ledit substrat, caractérisé en ce qu'il 5 consiste à déposer à une vitesse suffisamment rapide une couche de métal d'épaisseur suffisante pour ensemen... | 1,997 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour former une couche métallique sur un substrat par production de vapeurgfaétalliques et condensation desdites vapeurs métalliques sur ledit substrat, caractérisé en ce qu'il 5 consiste à déposer à une vitesse suffisamment rapide une couche de métal d'épaisseur suffi... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour former une couche métallique sur un substrat par production de vapeurgfaétalliques et condensation desdites vapeurs métalliques sur ledit substrat, caractérisé en ce qu'il 5 consiste à déposer à une vitesse suffisamment rapide une couche de métal d'épaisseu... |
REVENDICATIONS
<CLM>1 Process for forming a metallic layer on a substrate by producing a metal vapor and condensing the said metal vapors on the said substrate, characterized in that it consists in depositing a layer of metal at a sufficiently fast speed to cover the substrate surface uniformly and continuing the dep... |
FR2011844A1 | A1 | 19700313 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1-Dispositif semiconducteur dans lequel des contacts et/ou des couches métalliques conductrices sont mis en contact avec la surface du dispositif semiconducteur où sont formés sur un matériau Isolant disposé à la surface, caractérisé en ce que des contacts connectés ohmiquement à la surface semiconductri... | 1,001 | REVENDICATIONS 1-Dispositif semiconducteur dans lequel des contacts et/ou des couches métalliques conductrices sont mis en contact avec la surface du dispositif semiconducteur où sont formés sur un matériau Isolant disposé à la surface, caractérisé en ce que des contacts connectés ohmiquement à la surface semiconductri... | 1,001 | REQUIREMENTS 1- A semiconductor device in which contacts and/or conductive metal layers are brought into contact with the surface of the semiconductor device where conductive layers are formed on an insulating material disposed on the surface, characterized in that contacts connected ohmically to the semiconductor surf... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1-Dispositif semiconducteur dans lequel des contacts et/ou des couches métalliques conductrices sont mis en contact avec la surface du dispositif semiconducteur où sont formés sur un matériau Isolant disposé à la surface, caractérisé en ce que des contacts connectés ohmiquement à la sur... | REQUIREMENTS 1- A semiconductor device in which contacts and/or conductive metal layers are brought into contact with the surface of the semiconductor device where conductive layers are formed on an insulating material disposed on the surface, characterized in that contacts connected ohmically to the semiconductor surf... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1-Dispositif semiconducteur dans lequel des contacts et/ou des couches métalliques conductrices sont mis en contact avec la surface du dispositif semiconducteur où sont formés sur un matériau Isolant disposé à la surface, caractérisé en ce que des contacts connectés ohmiquement à... |
REQUIREMENTS 1- A semiconductor device in which contacts and/or conductive metal layers are brought into contact with the surface of the semiconductor device where conductive layers are formed on an insulating material disposed on the surface, characterized in that contacts connected ohmically to the semiconductor su... |
FR2011945A1 | A1 | 19700313 | claim | claims | 1 | 69 19*77 6 2011945 HEYENDICATIOffS 1 - Dispositif à jonction P-N, caractérisé en ce qu'il comprend une base ayant un type de matière semi-conductrice et une couche mince ayant un autre type de matière semi-conductrice, une 5 matière d'impureté, déterminant le type de semi-conductibilité de la couche mince, ayant une co... | 1,583 | 69 19*77 6 2011945 HEYENDICATIOffS 1 - Dispositif à jonction P-N, caractérisé en ce qu'il comprend une base ayant un type de matière semi-conductrice et une couche mince ayant un autre type de matière semi-conductrice, une 5 matière d'impureté, déterminant le type de semi-conductibilité de la couche mince, ayant une co... | 1,583 | 69 19*77 6 2011945 HEYENDICATIOFFS 1 - Junction P-N device comprising a base comprising a semiconductor material and a thin layer comprising a different semiconductor material, a doping material, determining the type of semiconductor conductivity of the thin layer, having a concentration lower than that of the base and... | Translate FR->EN:
69 19*77 6 2011945 HEYENDICATIOffS 1 - Dispositif à jonction P-N, caractérisé en ce qu'il comprend une base ayant un type de matière semi-conductrice et une couche mince ayant un autre type de matière semi-conductrice, une 5 matière d'impureté, déterminant le type de semi-conductibilité de la couche m... | 69 19*77 6 2011945 HEYENDICATIOFFS 1 - Junction P-N device comprising a base comprising a semiconductor material and a thin layer comprising a different semiconductor material, a doping material, determining the type of semiconductor conductivity of the thin layer, having a concentration lower than that of the base and... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 19*77 6 2011945 HEYENDICATIOffS 1 - Dispositif à jonction P-N, caractérisé en ce qu'il comprend une base ayant un type de matière semi-conductrice et une couche mince ayant un autre type de matière semi-conductrice, une 5 matière d'impureté, déterminant le type de semi-conductibilité de la c... |
69 19*77 6 2011945 HEYENDICATIOFFS 1 - Junction P-N device comprising a base comprising a semiconductor material and a thin layer comprising a different semiconductor material, a doping material, determining the type of semiconductor conductivity of the thin layer, having a concentration lower than that of the base a... |
FR2012003A1 | A1 | 19700313 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Procédé pour revêtir une surface semiconductrice limitée caractérisé en ce qu'elle comprend les étapes d'appliquer une substance de revêtement sur une partie de cette surface et de distribuer cette substance par une diffusion de surface. 2.- Procédé suivant la revendication 1 caractérisé en ce qu'on ... | 769 | REVENDICATIONS 1.- Procédé pour revêtir une surface semiconductrice limitée caractérisé en ce qu'elle comprend les étapes d'appliquer une substance de revêtement sur une partie de cette surface et de distribuer cette substance par une diffusion de surface. 2.- Procédé suivant la revendication 1 caractérisé en ce qu'on ... | 769 | REVENDICATIONS 1.- Procedure for coating a semiconductor surface with a coating material comprising the steps of applying the coating material to a portion of this surface and distributing the coating material by surface diffusion. 2.- Procedure according to claim 1 characterized in that the coating material is applied... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Procédé pour revêtir une surface semiconductrice limitée caractérisé en ce qu'elle comprend les étapes d'appliquer une substance de revêtement sur une partie de cette surface et de distribuer cette substance par une diffusion de surface. 2.- Procédé suivant la revendication 1 caract... | REVENDICATIONS 1.- Procedure for coating a semiconductor surface with a coating material comprising the steps of applying the coating material to a portion of this surface and distributing the coating material by surface diffusion. 2.- Procedure according to claim 1 characterized in that the coating material is applied... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Procédé pour revêtir une surface semiconductrice limitée caractérisé en ce qu'elle comprend les étapes d'appliquer une substance de revêtement sur une partie de cette surface et de distribuer cette substance par une diffusion de surface. 2.- Procédé suivant la revendication 1... |
REVENDICATIONS 1.- Procedure for coating a semiconductor surface with a coating material comprising the steps of applying the coating material to a portion of this surface and distributing the coating material by surface diffusion. 2.- Procedure according to claim 1 characterized in that the coating material is appli... |
FR2012968A1 | A1 | 19700327 | claim | claims | 1 | 69 23588 * 2012968 HTiimcmon lo Redresseur à semiconducteurs dans lequel une pile de pastilles redresseuses et de tôles de contact munies de cosses» surmontée d'un ressort à lame pour obtenir la pres-5 sion de contact» est disposée à l'intérieur d'un godet, ouvert d'ua côté et scellée par surmoulage, caractérisé par le... | 1,027 | 69 23588 * 2012968 HTiimcmon lo Redresseur à semiconducteurs dans lequel une pile de pastilles redresseuses et de tôles de contact munies de cosses» surmontée d'un ressort à lame pour obtenir la pres-5 sion de contact» est disposée à l'intérieur d'un godet, ouvert d'ua côté et scellée par surmoulage, caractérisé par le... | 1,027 | 69 23588 * 2012968 HTiimcmon lo Redresseur à semiconducteurs dans lequel une pile de pastilles redresseurs et de tôles de contact munies de cosses» surmontée d'un ressort à lame pour obtenir la pres-5 sion de contact» est disposée à l'intérieur d'un godet, ouvert d'ua côté et scellée par surmoulage, caractérisé par le ... | Translate FR->EN:
69 23588 * 2012968 HTiimcmon lo Redresseur à semiconducteurs dans lequel une pile de pastilles redresseuses et de tôles de contact munies de cosses» surmontée d'un ressort à lame pour obtenir la pres-5 sion de contact» est disposée à l'intérieur d'un godet, ouvert d'ua côté et scellée par surmoulage, ... | 69 23588 * 2012968 HTiimcmon lo Redresseur à semiconducteurs dans lequel une pile de pastilles redresseurs et de tôles de contact munies de cosses» surmontée d'un ressort à lame pour obtenir la pres-5 sion de contact» est disposée à l'intérieur d'un godet, ouvert d'ua côté et scellée par surmoulage, caractérisé par le ... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 23588 * 2012968 HTiimcmon lo Redresseur à semiconducteurs dans lequel une pile de pastilles redresseuses et de tôles de contact munies de cosses» surmontée d'un ressort à lame pour obtenir la pres-5 sion de contact» est disposée à l'intérieur d'un godet, ouvert d'ua côté et scellée par surmo... |
69 23588 * 2012968 HTiimcmon lo Redresseur à semiconducteurs dans lequel une pile de pastilles redresseurs et de tôles de contact munies de cosses» surmontée d'un ressort à lame pour obtenir la pres-5 sion de contact» est disposée à l'intérieur d'un godet, ouvert d'ua côté et scellée par surmoulage, caractérisé par l... |
FR2014180A1 | A1 | 19700417 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tEnsemble de redressement gui comprend tin réceptacle tubulaire, un certain nombre de diodes de redressement montées dans ce réceptacle et une matière diélectrique entourant lesdites diodes, caractérisé par le fait que les diodes sont montées élec— 5 triquement en série et sont disposées de faço... | 1,965 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tEnsemble de redressement gui comprend tin réceptacle tubulaire, un certain nombre de diodes de redressement montées dans ce réceptacle et une matière diélectrique entourant lesdites diodes, caractérisé par le fait que les diodes sont montées élec— 5 triquement en série et sont disposées de faço... | 1,965 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tEnsemble de redressement gui comprend tin réceptacle tubulaire, un certain nombre de diodes de redressement montées dans ce réceptacle et une matière diélectrique entourant lesdites diodes, caractérisé par le fait que les diodes sont montées élec— 5 triquement en série et sont... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tEnsemble de redressement gui comprend tin réceptacle tubulaire, un certain nombre de diodes de redressement montées dans ce réceptacle et une matière diélectrique entourant lesdites diodes, caractérisé par le fait que les diodes sont montées élec— 5 triquement en série ... | |||
FR2014621A1 | A1 | 19700417 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Procédé de décapage du nitrure de silicium caractérisé essentiellement en ce que: 5 - on met en contact le nitrure de silicium avec un hydrophosphate d'ammonium fondu - on maintient le nitrure de silicium en contact avec 1'hydrophosphate d'ammonium fondu suffisamment de temps pour décaper le nitrure ... | 1,035 | REVENDICATIONS 1.- Procédé de décapage du nitrure de silicium caractérisé essentiellement en ce que: 5 - on met en contact le nitrure de silicium avec un hydrophosphate d'ammonium fondu - on maintient le nitrure de silicium en contact avec 1'hydrophosphate d'ammonium fondu suffisamment de temps pour décaper le nitrure ... | 1,035 | REQUIREMENTS 1.- Process of silicon nitride etching characterized essentially in that: 5 - the silicon nitride is contacted with a molten ammonium hydrophosphate - the silicon nitride is kept in contact with the molten ammonium hydrophosphate for a sufficient time to etch the silicon nitride - and the silicon nitride i... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Procédé de décapage du nitrure de silicium caractérisé essentiellement en ce que: 5 - on met en contact le nitrure de silicium avec un hydrophosphate d'ammonium fondu - on maintient le nitrure de silicium en contact avec 1'hydrophosphate d'ammonium fondu suffisamment de temps pour d... | REQUIREMENTS 1.- Process of silicon nitride etching characterized essentially in that: 5 - the silicon nitride is contacted with a molten ammonium hydrophosphate - the silicon nitride is kept in contact with the molten ammonium hydrophosphate for a sufficient time to etch the silicon nitride - and the silicon nitride i... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Procédé de décapage du nitrure de silicium caractérisé essentiellement en ce que: 5 - on met en contact le nitrure de silicium avec un hydrophosphate d'ammonium fondu - on maintient le nitrure de silicium en contact avec 1'hydrophosphate d'ammonium fondu suffisamment de temps... |
REQUIREMENTS 1.- Process of silicon nitride etching characterized essentially in that: 5 - the silicon nitride is contacted with a molten ammonium hydrophosphate - the silicon nitride is kept in contact with the molten ammonium hydrophosphate for a sufficient time to etch the silicon nitride - and the silicon nitride... |
FR2014727A1 | A1 | 19700417 | claim | claims | 1 | 69 24961 20147 27\n<CLM>\1\tProcédé pour fabriquer un tube d'enregistrement d'images, du type dans lequel l'élément d'enregistrement comprend un cristal semi-conducteur dont la masse est d'un premier type de conduc 5 tivité et dont une surface comprend un réseau d'îlots distincts de type de conductivité opposé, cette s... | 1,279 | 69 24961 20147 27\n<CLM>\1\tProcédé pour fabriquer un tube d'enregistrement d'images, du type dans lequel l'élément d'enregistrement comprend un cristal semi-conducteur dont la masse est d'un premier type de conduc 5 tivité et dont une surface comprend un réseau d'îlots distincts de type de conductivité opposé, cette s... | 1,279 | 69 24961 20147 27 | Translate FR->EN:
69 24961 20147 27\n<CLM>\1\tProcédé pour fabriquer un tube d'enregistrement d'images, du type dans lequel l'élément d'enregistrement comprend un cristal semi-conducteur dont la masse est d'un premier type de conduc 5 tivité et dont une surface comprend un réseau d'îlots distincts de type de conductivi... | 69 24961 20147 27 | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 24961 20147 27\n<CLM>\1\tProcédé pour fabriquer un tube d'enregistrement d'images, du type dans lequel l'élément d'enregistrement comprend un cristal semi-conducteur dont la masse est d'un premier type de conduc 5 tivité et dont une surface comprend un réseau d'îlots distincts de type de con... |
69 24961 20147 27
<CLM>1\tProcess for manufacturing an image recording tube of the type in which the recording element comprises a semiconductor crystal of the first conductivity type, and a surface of the crystal comprises a plurality of distinct islands of the opposite conductivity type, the surface being covered b... |
FR2014851A1 | A1 | 19700424 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS. 1.- Dispositif à semi-conducteur comprenant une plaquette de semi-conducteur et une couche conductrice formant avec la plaquette un contact à couche diarrét de Schottky, caractérisé en ce que la couche comprend au moins deux métaux différents dans des proportions choisies en sorte de procurer à la couch... | 1,024 | REVENDICATIONS. 1.- Dispositif à semi-conducteur comprenant une plaquette de semi-conducteur et une couche conductrice formant avec la plaquette un contact à couche diarrét de Schottky, caractérisé en ce que la couche comprend au moins deux métaux différents dans des proportions choisies en sorte de procurer à la couch... | 1,024 | REQUIREMENTS. 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor substrate and a conductive layer forming a Schottky contact with the semiconductor substrate, characterized in that the conductive layer comprises at least two different metals in selected proportions in order to provide the Schottky contact with a desir... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS. 1.- Dispositif à semi-conducteur comprenant une plaquette de semi-conducteur et une couche conductrice formant avec la plaquette un contact à couche diarrét de Schottky, caractérisé en ce que la couche comprend au moins deux métaux différents dans des proportions choisies en sorte de p... | REQUIREMENTS. 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor substrate and a conductive layer forming a Schottky contact with the semiconductor substrate, characterized in that the conductive layer comprises at least two different metals in selected proportions in order to provide the Schottky contact with a desir... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS. 1.- Dispositif à semi-conducteur comprenant une plaquette de semi-conducteur et une couche conductrice formant avec la plaquette un contact à couche diarrét de Schottky, caractérisé en ce que la couche comprend au moins deux métaux différents dans des proportions choisies en sor... |
REQUIREMENTS. 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor substrate and a conductive layer forming a Schottky contact with the semiconductor substrate, characterized in that the conductive layer comprises at least two different metals in selected proportions in order to provide the Schottky contact with a des... |
FR2015334A1 | A1 | 19700424 | claim | claims | 1 | REVENDICATION Procédé pour réaliser une connexion électrique avec un dispositif semi-conducteur, du genre dans lequel on dispose la tête d'une 5 pièce de liaison conductrice au contact de la face du dispositif avec laquelle on désire établir la connexion, puis on soude la tête de cette pièce à ladite face, caractérisé ... | 712 | REVENDICATION Procédé pour réaliser une connexion électrique avec un dispositif semi-conducteur, du genre dans lequel on dispose la tête d'une 5 pièce de liaison conductrice au contact de la face du dispositif avec laquelle on désire établir la connexion, puis on soude la tête de cette pièce à ladite face, caractérisé ... | 712 | Translate FR->EN:
REVENDICATION Procédé pour réaliser une connexion électrique avec un dispositif semi-conducteur, du genre dans lequel on dispose la tête d'une 5 pièce de liaison conductrice au contact de la face du dispositif avec laquelle on désire établir la connexion, puis on soude la tête de cette pièce à ladite ... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATION Procédé pour réaliser une connexion électrique avec un dispositif semi-conducteur, du genre dans lequel on dispose la tête d'une 5 pièce de liaison conductrice au contact de la face du dispositif avec laquelle on désire établir la connexion, puis on soude la tête de cette pièce à ... | |||
FR2015355A1 | A1 | 19700424 | claim | claims | 1 | 69 27002 2015355 REVEND ICA ï I Q S S lo Procédé pour l'inversion du sens d'écoulement de l'énergie dans les couplages de réseaux triphasés asynchrones, en particulier dans les couplages courts équipés de soupapes à 5 semi-conducteurs pour transmission de l'énergie en courant continu à haute tension, caractérisé en ce ... | 1,622 | 69 27002 2015355 REVEND ICA ï I Q S S lo Procédé pour l'inversion du sens d'écoulement de l'énergie dans les couplages de réseaux triphasés asynchrones, en particulier dans les couplages courts équipés de soupapes à 5 semi-conducteurs pour transmission de l'énergie en courant continu à haute tension, caractérisé en ce ... | 1,622 | 69 27002 2015355 REVEND ICA ï I Q S S lo Procédé pour l'inversion du sens d'écoulement de l'énergie dans les couplages de réseaux triphasés asynchrones, en particulier dans les couplages courts équipés de soupapes à 5 semi-conducteurs pour transmission de l'énergie en courant continu à haute tension, caractérisé en ce ... | Translate FR->EN:
69 27002 2015355 REVEND ICA ï I Q S S lo Procédé pour l'inversion du sens d'écoulement de l'énergie dans les couplages de réseaux triphasés asynchrones, en particulier dans les couplages courts équipés de soupapes à 5 semi-conducteurs pour transmission de l'énergie en courant continu à haute tension, ... | 69 27002 2015355 REVEND ICA ï I Q S S lo Procédé pour l'inversion du sens d'écoulement de l'énergie dans les couplages de réseaux triphasés asynchrones, en particulier dans les couplages courts équipés de soupapes à 5 semi-conducteurs pour transmission de l'énergie en courant continu à haute tension, caractérisé en ce ... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 27002 2015355 REVEND ICA ï I Q S S lo Procédé pour l'inversion du sens d'écoulement de l'énergie dans les couplages de réseaux triphasés asynchrones, en particulier dans les couplages courts équipés de soupapes à 5 semi-conducteurs pour transmission de l'énergie en courant continu à haute te... |
69 27002 2015355 REVEND ICA ï I Q S S lo Procédé pour l'inversion du sens d'écoulement de l'énergie dans les couplages de réseaux triphasés asynchrones, en particulier dans les couplages courts équipés de soupapes à 5 semi-conducteurs pour transmission de l'énergie en courant continu à haute tension, caractérisé en c... |
FR2015615A1 | A1 | 19700430 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication de circuits imprimés comprenant des bandes conductrices à plusieurs couches isolées les unes des autres par des couches de verre, caractérisé en ce que, afin d'empêcher que les conducteurs de cuivre, ne 5 soient décapés ou ne soient dissous dans le verre, les conducteurs, avant... | 893 | REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication de circuits imprimés comprenant des bandes conductrices à plusieurs couches isolées les unes des autres par des couches de verre, caractérisé en ce que, afin d'empêcher que les conducteurs de cuivre, ne 5 soient décapés ou ne soient dissous dans le verre, les conducteurs, avant... | 893 | REQUIREMENTS 1.- Method of manufacturing printed circuit boards comprising conductive bands with multiple isolated layers separated by glass layers, characterized in that, in order to prevent the copper conductors from being etched or dissolved in the glass, the conductors, before the application of the glass layer, ar... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication de circuits imprimés comprenant des bandes conductrices à plusieurs couches isolées les unes des autres par des couches de verre, caractérisé en ce que, afin d'empêcher que les conducteurs de cuivre, ne 5 soient décapés ou ne soient dissous dans le verre, les ... | REQUIREMENTS 1.- Method of manufacturing printed circuit boards comprising conductive bands with multiple isolated layers separated by glass layers, characterized in that, in order to prevent the copper conductors from being etched or dissolved in the glass, the conductors, before the application of the glass layer, ar... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication de circuits imprimés comprenant des bandes conductrices à plusieurs couches isolées les unes des autres par des couches de verre, caractérisé en ce que, afin d'empêcher que les conducteurs de cuivre, ne 5 soient décapés ou ne soient dissous dans le verr... |
REQUIREMENTS 1.- Method of manufacturing printed circuit boards comprising conductive bands with multiple isolated layers separated by glass layers, characterized in that, in order to prevent the copper conductors from being etched or dissolved in the glass, the conductors, before the application of the glass layer, ... |
FR2016207A1 | A1 | 19700508 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour doper une région d'une matière semi-conductrice, caractérisé en ce qu'il consiste à bombarder la région,dans une mesure prédéterminée,avec des ions de la matière 5 de dopage, et de plus à bombarder la région avec des ions non dopants, le bombardement étant accompagné ou suivi par u... | 1,422 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour doper une région d'une matière semi-conductrice, caractérisé en ce qu'il consiste à bombarder la région,dans une mesure prédéterminée,avec des ions de la matière 5 de dopage, et de plus à bombarder la région avec des ions non dopants, le bombardement étant accompagné ou suivi par u... | 1,422 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour doper une région d'une matière semi-conductrice, caractérisé en ce qu'il consiste à bombarder la région,dans une mesure prédéterminée,avec des ions de la matière 5 de dopage, et de plus à bombarder la région avec des ions non dopants, le bombardement étant accompa... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour doper une région d'une matière semi-conductrice, caractérisé en ce qu'il consiste à bombarder la région,dans une mesure prédéterminée,avec des ions de la matière 5 de dopage, et de plus à bombarder la région avec des ions non dopants, le bombardement étant ... | |||
FR2016299A1 | A1 | 19700508 | claim | claims | 1 | ch 28918 -9- 7016299 ë_5„ï_5_iL2_ï_2_è_ï I 0 1-- Dispositif résonant comprenait un bloc solide limité par des faces parallèles planes et sur lequel est placé au moins un élément électronique et un résonateur piézoélectrique composé 5 d'une couche d'un matériau piézoélectrique placée entre deux électrodes parallèles sup... | 1,978 | ch 28918 -9- 7016299 ë_5„ï_5_iL2_ï_2_è_ï I 0 1-- Dispositif résonant comprenait un bloc solide limité par des faces parallèles planes et sur lequel est placé au moins un élément électronique et un résonateur piézoélectrique composé 5 d'une couche d'un matériau piézoélectrique placée entre deux électrodes parallèles sup... | 1,978 | 28918-9-7016299_5„ï_5_iL2_ï_2_è_ï I 0 1-- Resonant device comprising a solid block limited by parallel plane faces on which at least one electronic element and a piezoelectric resonator composed of a piezoelectric layer placed between two parallel electrodes supported by a face of the block, in which the acoustic thick... | Translate FR->EN:
ch 28918 -9- 7016299 ë_5„ï_5_iL2_ï_2_è_ï I 0 1-- Dispositif résonant comprenait un bloc solide limité par des faces parallèles planes et sur lequel est placé au moins un élément électronique et un résonateur piézoélectrique composé 5 d'une couche d'un matériau piézoélectrique placée entre deux électro... | 28918-9-7016299_5„ï_5_iL2_ï_2_è_ï I 0 1-- Resonant device comprising a solid block limited by parallel plane faces on which at least one electronic element and a piezoelectric resonator composed of a piezoelectric layer placed between two parallel electrodes supported by a face of the block, in which the acoustic thick... | <|BOS|>Translate FR->EN:
ch 28918 -9- 7016299 ë_5„ï_5_iL2_ï_2_è_ï I 0 1-- Dispositif résonant comprenait un bloc solide limité par des faces parallèles planes et sur lequel est placé au moins un élément électronique et un résonateur piézoélectrique composé 5 d'une couche d'un matériau piézoélectrique placée entre deux ... |
28918-9-7016299_5„ï_5_iL2_ï_2_è_ï I 0 1-- Resonant device comprising a solid block limited by parallel plane faces on which at least one electronic element and a piezoelectric resonator composed of a piezoelectric layer placed between two parallel electrodes supported by a face of the block, in which the acoustic thi... |
FR2016436A1 | A1 | 19700508 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Procédé pour réduire la résistance de contact entre deux couches conductrices, superposées, d'un micro-circu.it électronique à plusieurs couches, caractérisé en ce que l'on 5 transmet aux deux couches conductrices, de l'énergie électrique.\n<CLM>\1\t- Procédé suivant la revendication 1, carac... | 613 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Procédé pour réduire la résistance de contact entre deux couches conductrices, superposées, d'un micro-circu.it électronique à plusieurs couches, caractérisé en ce que l'on 5 transmet aux deux couches conductrices, de l'énergie électrique.\n<CLM>\1\t- Procédé suivant la revendication 1, carac... | 613 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Procédé pour réduire la résistance de contact entre deux couches conductrices, superposées, d'un micro-circu.it électronique à plusieurs couches, caractérisé en ce que l'on 5 transmet aux deux couches conductrices, de l'énergie électrique.\n<CLM>\1\t- Procédé suivant la reve... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Procédé pour réduire la résistance de contact entre deux couches conductrices, superposées, d'un micro-circu.it électronique à plusieurs couches, caractérisé en ce que l'on 5 transmet aux deux couches conductrices, de l'énergie électrique.\n<CLM>\1\t- Procédé suivant ... |
REVENDICATIONS
<CLM>1
- Procedure for reducing the contact resistance between two conductive layers, superimposed, of a multi-layered electronic circuit, characterized in that the electrical energy is transmitted to the two conductive layers.
<CLM>1
- Procedure according to claim 1, characterized in that the... |
FR2016792A1 | A1 | 19700515 | claim | claims | 1 | 69 23503 s 2016792 BEVEHDICATIOITS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositff soni-conductcur caractérisé on oe qu'il oonsiste : - A foraor une région électriquoraont active dans une plaquotto de matériau soni-conductour nionosriatr._lin ayant une épaisseur supérieure à environ cinquante 5 nierons - A réduir... | 1,690 | 69 23503 s 2016792 BEVEHDICATIOITS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositff soni-conductcur caractérisé on oe qu'il oonsiste : - A foraor une région électriquoraont active dans une plaquotto de matériau soni-conductour nionosriatr._lin ayant une épaisseur supérieure à environ cinquante 5 nierons - A réduir... | 1,690 | 69 23503 s 2016792 BEVEHDICATIOITS | Translate FR->EN:
69 23503 s 2016792 BEVEHDICATIOITS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositff soni-conductcur caractérisé on oe qu'il oonsiste : - A foraor une région électriquoraont active dans une plaquotto de matériau soni-conductour nionosriatr._lin ayant une épaisseur supérieure à environ cinquante 5 ... | 69 23503 s 2016792 BEVEHDICATIOITS | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 23503 s 2016792 BEVEHDICATIOITS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositff soni-conductcur caractérisé on oe qu'il oonsiste : - A foraor une région électriquoraont active dans une plaquotto de matériau soni-conductour nionosriatr._lin ayant une épaisseur supérieure à environ cinqu... |
69 23503 s 2016792 BEVEHDICATIOITS
<CLM>
1 Process for the manufacture of a sonically conductive device characterized in that it comprises: - To form a region electrically active in a sheet of sonically conductive material having a thickness greater than about 55 microns - To reduce the thickness of the sheet to less... |
FR2017194A1 | A1 | 19700522 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS.\n<CLM>\1\tDispositif à effet de Hall, intégré, dans lequel une partie d'un corps semi—conducteur remplit la fonction d elément de Hall, alors que dans la partie restante de ce corps serai-conducteur est 5 intégré un circuit auxiliaire associé à l'élément de Hall, ce dispositif étant caractérisé en ce qu... | 1,350 | REVENDICATIONS.\n<CLM>\1\tDispositif à effet de Hall, intégré, dans lequel une partie d'un corps semi—conducteur remplit la fonction d elément de Hall, alors que dans la partie restante de ce corps serai-conducteur est 5 intégré un circuit auxiliaire associé à l'élément de Hall, ce dispositif étant caractérisé en ce qu... | 1,350 | REVENDICATIONS. | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS.\n<CLM>\1\tDispositif à effet de Hall, intégré, dans lequel une partie d'un corps semi—conducteur remplit la fonction d elément de Hall, alors que dans la partie restante de ce corps serai-conducteur est 5 intégré un circuit auxiliaire associé à l'élément de Hall, ce dispositif étant ca... | REVENDICATIONS. | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS.\n<CLM>\1\tDispositif à effet de Hall, intégré, dans lequel une partie d'un corps semi—conducteur remplit la fonction d elément de Hall, alors que dans la partie restante de ce corps serai-conducteur est 5 intégré un circuit auxiliaire associé à l'élément de Hall, ce dispositif é... |
REVENDICATIONS.
<CLM>
1 Device having a Hall effect, integrated, in which a part of a semiconductor body performs the function of a Hall element, while in the remaining part of this semiconductor body, a auxiliary circuit associated with the Hall element is integrated, the device being characterized in that the semic... |
FR2017329A1 | A1 | 19700522 | claim | claims | 1 | REVENDICATONS I Un procédé pour la fabrication d'un revêtement imperméable à l'humidité sur un composant électronique, caractérisé en ce qubn plonge sous vide-, dans de la paraffine ou de la cire fondue, le composant éleetroni-que miuli de raccords électriques. 2 - Un recédé selon la revendication 1, pour la fabricatio... | 962 | REVENDICATONS I Un procédé pour la fabrication d'un revêtement imperméable à l'humidité sur un composant électronique, caractérisé en ce qubn plonge sous vide-, dans de la paraffine ou de la cire fondue, le composant éleetroni-que miuli de raccords électriques. 2 - Un recédé selon la revendication 1, pour la fabricatio... | 962 | REQUIREMENTS I A process for the fabrication of an impermeable coating on an electronic component, characterized in that the component is plunged into a vacuum, in paraffin or melted wax, the electronic component of the electrical connections. 2 - A coating according to claim 1 for the fabrication of an impermeable coa... | Translate FR->EN:
REVENDICATONS I Un procédé pour la fabrication d'un revêtement imperméable à l'humidité sur un composant électronique, caractérisé en ce qubn plonge sous vide-, dans de la paraffine ou de la cire fondue, le composant éleetroni-que miuli de raccords électriques. 2 - Un recédé selon la revendication 1, ... | REQUIREMENTS I A process for the fabrication of an impermeable coating on an electronic component, characterized in that the component is plunged into a vacuum, in paraffin or melted wax, the electronic component of the electrical connections. 2 - A coating according to claim 1 for the fabrication of an impermeable coa... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATONS I Un procédé pour la fabrication d'un revêtement imperméable à l'humidité sur un composant électronique, caractérisé en ce qubn plonge sous vide-, dans de la paraffine ou de la cire fondue, le composant éleetroni-que miuli de raccords électriques. 2 - Un recédé selon la revendicat... |
REQUIREMENTS I A process for the fabrication of an impermeable coating on an electronic component, characterized in that the component is plunged into a vacuum, in paraffin or melted wax, the electronic component of the electrical connections. 2 - A coating according to claim 1 for the fabrication of an impermeable c... |
FR2017709A1 | A1 | 19700522 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Procédé pour le traitement d'un élément à semi-con-ducteur constitué par plusieurs couches ayant des conductivirés de types alternés , dans lequel l'une des couches située sous la couche cathode traverse cette dernière jusqu'à sa sur-face ext4 -5 rieure par des pcats ponctuels, et le coté anode de l ... | 699 | REVENDICATIONS 1 - Procédé pour le traitement d'un élément à semi-con-ducteur constitué par plusieurs couches ayant des conductivirés de types alternés , dans lequel l'une des couches située sous la couche cathode traverse cette dernière jusqu'à sa sur-face ext4 -5 rieure par des pcats ponctuels, et le coté anode de l ... | 699 | REVENDICATIONS 1 - Procedure for the treatment of a semiconductor element comprising multiple layers with alternating conductivities, in which one of the layers located below the cathode layer traverses this latter layer until its outer surface by means of point contacts, and the anode side of the semiconductor element... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Procédé pour le traitement d'un élément à semi-con-ducteur constitué par plusieurs couches ayant des conductivirés de types alternés , dans lequel l'une des couches située sous la couche cathode traverse cette dernière jusqu'à sa sur-face ext4 -5 rieure par des pcats ponctuels, et l... | REVENDICATIONS 1 - Procedure for the treatment of a semiconductor element comprising multiple layers with alternating conductivities, in which one of the layers located below the cathode layer traverses this latter layer until its outer surface by means of point contacts, and the anode side of the semiconductor element... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Procédé pour le traitement d'un élément à semi-con-ducteur constitué par plusieurs couches ayant des conductivirés de types alternés , dans lequel l'une des couches située sous la couche cathode traverse cette dernière jusqu'à sa sur-face ext4 -5 rieure par des pcats ponctuel... |
REVENDICATIONS 1 - Procedure for the treatment of a semiconductor element comprising multiple layers with alternating conductivities, in which one of the layers located below the cathode layer traverses this latter layer until its outer surface by means of point contacts, and the anode side of the semiconductor eleme... |
FR2017808A1 | A1 | 19700522 | claim | claims | 1 | 30828 n 2017808 E_E_V_EJ2_D_I_C_A_T_I_OJ[ 3\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate, comportant un disque de matériau semiconducteur disposé dans une isolation annulaire électrique, et prévu pour être refroidi de chaque côté au moyen d'électrodes métalliques fixées respective-5 ment de chaque côté... | 1,825 | 30828 n 2017808 E_E_V_EJ2_D_I_C_A_T_I_OJ[ 3\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate, comportant un disque de matériau semiconducteur disposé dans une isolation annulaire électrique, et prévu pour être refroidi de chaque côté au moyen d'électrodes métalliques fixées respective-5 ment de chaque côté... | 1,825 | 30828 n 2017808 E_E_V_EJ2_D_I_C_A_T_I_OJ[ 3\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate, comportant un disque de matériau semiconducteur disposé dans une isolation annulaire électrique, et prévu pour être refroidi de chaque côté au moyen d'électrodes métalliques fixées respective-5 ment de chaque côté... | Translate FR->EN:
30828 n 2017808 E_E_V_EJ2_D_I_C_A_T_I_OJ[ 3\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate, comportant un disque de matériau semiconducteur disposé dans une isolation annulaire électrique, et prévu pour être refroidi de chaque côté au moyen d'électrodes métalliques fixées respective-5 m... | 30828 n 2017808 E_E_V_EJ2_D_I_C_A_T_I_OJ[ 3\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate, comportant un disque de matériau semiconducteur disposé dans une isolation annulaire électrique, et prévu pour être refroidi de chaque côté au moyen d'électrodes métalliques fixées respective-5 ment de chaque côté... | <|BOS|>Translate FR->EN:
30828 n 2017808 E_E_V_EJ2_D_I_C_A_T_I_OJ[ 3\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate, comportant un disque de matériau semiconducteur disposé dans une isolation annulaire électrique, et prévu pour être refroidi de chaque côté au moyen d'électrodes métalliques fixées respect... |
30828 n 2017808 E_E_V_EJ2_D_I_C_A_T_I_OJ[ 3\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate, comportant un disque de matériau semiconducteur disposé dans une isolation annulaire électrique, et prévu pour être refroidi de chaque côté au moyen d'électrodes métalliques fixées respective-5 ment de chaque cô... |
FR2018327A1 | A1 | 19700529 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tAgencement Üe protection pour une génératrice à courant alternatif sans balais ayant un enroulement polyphasé 'excitatriceS un enroulement principal cie champ et une diode pour chaque phase de l'enroulement polyphasé, caractérisé en ce qu'il comprend une résis- tance pour chaque phase de l'enro... | 1,648 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tAgencement Üe protection pour une génératrice à courant alternatif sans balais ayant un enroulement polyphasé 'excitatriceS un enroulement principal cie champ et une diode pour chaque phase de l'enroulement polyphasé, caractérisé en ce qu'il comprend une résis- tance pour chaque phase de l'enro... | 1,648 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tAgencement Üe protection pour une génératrice à courant alternatif sans balais ayant un enroulement polyphasé 'excitatriceS un enroulement principal cie champ et une diode pour chaque phase de l'enroulement polyphasé, caractérisé en ce qu'il comprend une résis- tance pour chaq... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tAgencement Üe protection pour une génératrice à courant alternatif sans balais ayant un enroulement polyphasé 'excitatriceS un enroulement principal cie champ et une diode pour chaque phase de l'enroulement polyphasé, caractérisé en ce qu'il comprend une résis- tance po... |
REVENDICATIONS
<CLM>1 Agencement d'une protection pour une génératrice à courant alternatif sans balais ayant un enroulement polyphasé 'excitatriceS un enroulement principal cie champ et une diode pour chaque phase de l'enroulement polyphasé, caractérisé en ce qu'il comprend une résistance pour chaque phase de l'enro... |
FR2019280A1 | A1 | 19700703 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS lo Procédé pour la réalisation d'une gorge en creux dans la partie de la surface extérieure d'un composant à semiconducteurs qui n'est pas utilisée pour établir les contacts, 5 ce composant comportant plus d'une surface de jonction pn à 1'intérieur "de la pastille de semi-conducteur, caractérisé en ce qu... | 995 | REVENDICATIONS lo Procédé pour la réalisation d'une gorge en creux dans la partie de la surface extérieure d'un composant à semiconducteurs qui n'est pas utilisée pour établir les contacts, 5 ce composant comportant plus d'une surface de jonction pn à 1'intérieur "de la pastille de semi-conducteur, caractérisé en ce qu... | 995 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS lo Procédé pour la réalisation d'une gorge en creux dans la partie de la surface extérieure d'un composant à semiconducteurs qui n'est pas utilisée pour établir les contacts, 5 ce composant comportant plus d'une surface de jonction pn à 1'intérieur "de la pastille de semi-conducteur, ca... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS lo Procédé pour la réalisation d'une gorge en creux dans la partie de la surface extérieure d'un composant à semiconducteurs qui n'est pas utilisée pour établir les contacts, 5 ce composant comportant plus d'une surface de jonction pn à 1'intérieur "de la pastille de semi-conduct... |
<<<ENDTR>>>
REQUIREMENTS: The procedure for the formation of a groove in the outer surface of a semiconductor component that is not used for establishing contacts, 5 this component comprising more than one junction surface area inside the semiconductor paste, characterized in that the groove (5) is formed by suc... | ||
FR2019397A1 | A1 | 19700703 | claim | claims | 1 | 69 29910 14 2019397 - REVENDICATIONS -\n<CLM>\1\tBoutons de soudure convenant pour fixer une galette de semi-conducteur à des conducteurs électriques, chaque bouton de soudure étant placé sur une portion correspondante d'une couche métallique de contact fixée à la galette de matière semi- 5 conductrice, chaque bouton d... | 1,414 | 69 29910 14 2019397 - REVENDICATIONS -\n<CLM>\1\tBoutons de soudure convenant pour fixer une galette de semi-conducteur à des conducteurs électriques, chaque bouton de soudure étant placé sur une portion correspondante d'une couche métallique de contact fixée à la galette de matière semi- 5 conductrice, chaque bouton d... | 1,414 | 69 29910 14 2019397 - CLAIMS -\n<CLM>\1\tWelding buttons suitable for fixing a semiconductor substrate to electrical conductors, each welding button being placed on a corresponding portion of a contact metal layer fixed to the semiconductor substrate, each welding button being characterized by the fact that a conductiv... | Translate FR->EN:
69 29910 14 2019397 - REVENDICATIONS -\n<CLM>\1\tBoutons de soudure convenant pour fixer une galette de semi-conducteur à des conducteurs électriques, chaque bouton de soudure étant placé sur une portion correspondante d'une couche métallique de contact fixée à la galette de matière semi- 5 conductric... | 69 29910 14 2019397 - CLAIMS -\n<CLM>\1\tWelding buttons suitable for fixing a semiconductor substrate to electrical conductors, each welding button being placed on a corresponding portion of a contact metal layer fixed to the semiconductor substrate, each welding button being characterized by the fact that a conductiv... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 29910 14 2019397 - REVENDICATIONS -\n<CLM>\1\tBoutons de soudure convenant pour fixer une galette de semi-conducteur à des conducteurs électriques, chaque bouton de soudure étant placé sur une portion correspondante d'une couche métallique de contact fixée à la galette de matière semi- 5 con... |
69 29910 14 2019397 - CLAIMS -\n<CLM>\1\tWelding buttons suitable for fixing a semiconductor substrate to electrical conductors, each welding button being placed on a corresponding portion of a contact metal layer fixed to the semiconductor substrate, each welding button being characterized by the fact that a conduct... |
FR2019883A1 | A1 | 19700710 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Canal de répartition pour l'air de soufflage des installations à air, plus particulièrement des fours de cuisson ou de séchage et qui est muni d'une ouverture d'expulsion allongée qui est équipée d'aubes de déviation disposées transversalement aux parois longitudinales de la dite ouverture, c... | 1,819 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Canal de répartition pour l'air de soufflage des installations à air, plus particulièrement des fours de cuisson ou de séchage et qui est muni d'une ouverture d'expulsion allongée qui est équipée d'aubes de déviation disposées transversalement aux parois longitudinales de la dite ouverture, c... | 1,819 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Canal de répartition pour l'air de soufflage des installations à air, plus particulièrement des fours de cuisson ou de séchage et qui est muni d'une ouverture d'expulsion allongée qui est équipée d'aubes de déviation disposées transversalement aux parois longitudinales de la... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Canal de répartition pour l'air de soufflage des installations à air, plus particulièrement des fours de cuisson ou de séchage et qui est muni d'une ouverture d'expulsion allongée qui est équipée d'aubes de déviation disposées transversalement aux parois longitudinale... |
REVENDICATIONS
<CLM>1
- Air distribution channel for the air venting of installations, particularly cooking or drying ovens, equipped with an extended vent opening fitted with deflecting vanes arranged transversely along the longitudinal walls of the said opening, characterized in that the deflecting vanes are formed... |
FR2019963A1 | A1 | 19700710 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement, lors de la formation d'un évidement attaqué sur une surface d'un support 5 semiconducteur au travers d'une fenêtre triangulaire ou hexagonale ménagée dans un masque constitué par une pel... | 1,310 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement, lors de la formation d'un évidement attaqué sur une surface d'un support 5 semiconducteur au travers d'une fenêtre triangulaire ou hexagonale ménagée dans un masque constitué par une pel... | 1,310 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement, lors de la formation d'un évidement attaqué sur une surface d'un support 5 semiconducteur au travers d'une fenêtre triangulaire ou hexagonale ménagée dans un masque con... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement, lors de la formation d'un évidement attaqué sur une surface d'un support 5 semiconducteur au travers d'une fenêtre triangulaire ou hexagonale ménagée dans un mas... |
REVENDICATIONS
<CLM>1 Process for the fabrication of a semiconductor device characterized in that it consists essentially, during the formation of an attack window attacked on a surface of a support 5 semiconductor through a triangular or hexagonal window formed in a mask composed of an insulating film, to form the s... |
FR2020901A1 | A1 | 19700717 | claim | claims | 1 | 69 35218 d 202O9OÎ REVEND I C AT IONS\n<CLM>\1\t- Procédé pour fabriquer un composant à semiconducteurs, comportant une pastille de silicium, sur une face plane de laquelle se trouvent au moins deux zones de types de 5 conductivité différente, et un support métallique, notamment en tungstène ou en molybdène, fixé à lad... | 1,637 | 69 35218 d 202O9OÎ REVEND I C AT IONS\n<CLM>\1\t- Procédé pour fabriquer un composant à semiconducteurs, comportant une pastille de silicium, sur une face plane de laquelle se trouvent au moins deux zones de types de 5 conductivité différente, et un support métallique, notamment en tungstène ou en molybdène, fixé à lad... | 1,637 | 69 35218 d 202O9OÎ REVEND I C AT IONS\n<CLM>\1\t- Procedure for manufacturing a semiconductor component comprising a silicon paste, on a flat face of which at least two regions of different conductivity types are present, and a metallic support, such as tungsten or molybdenum, fixed to said face, characterized in that ... | Translate FR->EN:
69 35218 d 202O9OÎ REVEND I C AT IONS\n<CLM>\1\t- Procédé pour fabriquer un composant à semiconducteurs, comportant une pastille de silicium, sur une face plane de laquelle se trouvent au moins deux zones de types de 5 conductivité différente, et un support métallique, notamment en tungstène ou en mol... | 69 35218 d 202O9OÎ REVEND I C AT IONS\n<CLM>\1\t- Procedure for manufacturing a semiconductor component comprising a silicon paste, on a flat face of which at least two regions of different conductivity types are present, and a metallic support, such as tungsten or molybdenum, fixed to said face, characterized in that ... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 35218 d 202O9OÎ REVEND I C AT IONS\n<CLM>\1\t- Procédé pour fabriquer un composant à semiconducteurs, comportant une pastille de silicium, sur une face plane de laquelle se trouvent au moins deux zones de types de 5 conductivité différente, et un support métallique, notamment en tungstène ou... | 69 35218 d 202O9OÎ REVEND I C AT IONS\n<CLM>\1\t- Procedure for manufacturing a semiconductor component comprising a silicon paste, on a flat face of which at least two regions of different conductivity types are present, and a metallic support, such as tungsten or molybdenum, fixed to said face, characterized in that ... |
FR2021025A1 | A1 | 19700717 | claim | claims | 1 | 69 35707 5 2021025 REVEND ICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur du type comprenant un corps de matière semi-conductrice comportant une zone de contact recouverte d'une couche d'aluminium et une autre zone de contact non recouverte d'une couche d'aluminium, ledit procédé étant caracté... | 1,215 | 69 35707 5 2021025 REVEND ICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur du type comprenant un corps de matière semi-conductrice comportant une zone de contact recouverte d'une couche d'aluminium et une autre zone de contact non recouverte d'une couche d'aluminium, ledit procédé étant caracté... | 1,215 | 69 35707 5 2021025 RESELLING\n<CLM>\1\tManufacturing method of a semiconductor device comprising a semiconductor body comprising a contact area covered with an aluminum layer and another contact area not covered with an aluminum layer, said method being characterized in that it consists in depositing a layered nickel c... | Translate FR->EN:
69 35707 5 2021025 REVEND ICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur du type comprenant un corps de matière semi-conductrice comportant une zone de contact recouverte d'une couche d'aluminium et une autre zone de contact non recouverte d'une couche d'aluminium, ledit pro... | 69 35707 5 2021025 RESELLING\n<CLM>\1\tManufacturing method of a semiconductor device comprising a semiconductor body comprising a contact area covered with an aluminum layer and another contact area not covered with an aluminum layer, said method being characterized in that it consists in depositing a layered nickel c... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 35707 5 2021025 REVEND ICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur du type comprenant un corps de matière semi-conductrice comportant une zone de contact recouverte d'une couche d'aluminium et une autre zone de contact non recouverte d'une couche d'aluminium, le... |
69 35707 5 2021025 RESELLING\n<CLM>\1\tManufacturing method of a semiconductor device comprising a semiconductor body comprising a contact area covered with an aluminum layer and another contact area not covered with an aluminum layer, said method being characterized in that it consists in depositing a layered nickel... |
FR2021351A1 | A1 | 19700724 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I O N S 1.- Module de construction à semi-conducteurs, pour -mon- tage dans des cadres pivotants ou dans des structures d'appareils analogues enfichables, comportant des thyristors et/ou des diodes, des radiateurs et les composants accessoires nécessaires caractérisé en ce que le radiateur (i) a une... | 1,734 | R E V E N D I C A T I O N S 1.- Module de construction à semi-conducteurs, pour -mon- tage dans des cadres pivotants ou dans des structures d'appareils analogues enfichables, comportant des thyristors et/ou des diodes, des radiateurs et les composants accessoires nécessaires caractérisé en ce que le radiateur (i) a une... | 1,734 | Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S 1.- Module de construction à semi-conducteurs, pour -mon- tage dans des cadres pivotants ou dans des structures d'appareils analogues enfichables, comportant des thyristors et/ou des diodes, des radiateurs et les composants accessoires nécessaires caractérisé en ce que le r... | <|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S 1.- Module de construction à semi-conducteurs, pour -mon- tage dans des cadres pivotants ou dans des structures d'appareils analogues enfichables, comportant des thyristors et/ou des diodes, des radiateurs et les composants accessoires nécessaires caractérisé en ce q... | |||
FR2022282A1 | A1 | 19700731 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Diode à avalanche par impact et à temps de tra" comprenant : a) un substrat semi-conducteur à faible résistivité d'un 5 premier type de conductivité b) une couche épitaxiale semi-conductrice de résistivité formée sur ledit substrat et de type de conductivité c à celui dudit substrat c) une première c... | 1,491 | REVENDICATIONS 1.- Diode à avalanche par impact et à temps de tra" comprenant : a) un substrat semi-conducteur à faible résistivité d'un 5 premier type de conductivité b) une couche épitaxiale semi-conductrice de résistivité formée sur ledit substrat et de type de conductivité c à celui dudit substrat c) une première c... | 1,491 | REQUIREMENTS 1.- Avalanche diode by impact and time: including: a) a low resistivity semiconductor substrate of type 5 conductivity b) an epitaxial semiconductor layer of resistivity formed on said substrate and of conductivity type c to that of said substrate c) a first diffused cylindrical layer of type 10 conductivi... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Diode à avalanche par impact et à temps de tra" comprenant : a) un substrat semi-conducteur à faible résistivité d'un 5 premier type de conductivité b) une couche épitaxiale semi-conductrice de résistivité formée sur ledit substrat et de type de conductivité c à celui dudit substrat... | REQUIREMENTS 1.- Avalanche diode by impact and time: including: a) a low resistivity semiconductor substrate of type 5 conductivity b) an epitaxial semiconductor layer of resistivity formed on said substrate and of conductivity type c to that of said substrate c) a first diffused cylindrical layer of type 10 conductivi... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Diode à avalanche par impact et à temps de tra" comprenant : a) un substrat semi-conducteur à faible résistivité d'un 5 premier type de conductivité b) une couche épitaxiale semi-conductrice de résistivité formée sur ledit substrat et de type de conductivité c à celui dudit s... |
REQUIREMENTS 1.- Avalanche diode by impact and time: including: a) a low resistivity semiconductor substrate of type 5 conductivity b) an epitaxial semiconductor layer of resistivity formed on said substrate and of conductivity type c to that of said substrate c) a first diffused cylindrical layer of type 10 conducti... |
FR2022288A1 | A1 | 19700731 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS: 1 , Procédé permettant la fabrication de cristaux de carbure de silicium par recristallisation et/ou par condensation dans une atmosphère de gaz protecteur sur la paroi d'une enceinte entourée de carbure de sili— 5 cium à des températures comprises entre 2300 et 2600°C, caractérisé en ce que pour la for... | 909 | REVENDICATIONS: 1 , Procédé permettant la fabrication de cristaux de carbure de silicium par recristallisation et/ou par condensation dans une atmosphère de gaz protecteur sur la paroi d'une enceinte entourée de carbure de sili— 5 cium à des températures comprises entre 2300 et 2600°C, caractérisé en ce que pour la for... | 909 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS: 1 , Procédé permettant la fabrication de cristaux de carbure de silicium par recristallisation et/ou par condensation dans une atmosphère de gaz protecteur sur la paroi d'une enceinte entourée de carbure de sili— 5 cium à des températures comprises entre 2300 et 2600°C, caractérisé en ... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS: 1 , Procédé permettant la fabrication de cristaux de carbure de silicium par recristallisation et/ou par condensation dans une atmosphère de gaz protecteur sur la paroi d'une enceinte entourée de carbure de sili— 5 cium à des températures comprises entre 2300 et 2600°C, caractér... | |||
FR2023722A1 | A1 | 19700821 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tStructure de semi-conducteur, caractérisée par le fait que trois unités semi-conductrices MESA au moins sont formées à distance régulière les unes des autres sur un substrat unique et 5 qu'un dissipateur thermique est fixé au contact de la surface de chacune des unités MESA.\n<CLM>\1\tStructure... | 880 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tStructure de semi-conducteur, caractérisée par le fait que trois unités semi-conductrices MESA au moins sont formées à distance régulière les unes des autres sur un substrat unique et 5 qu'un dissipateur thermique est fixé au contact de la surface de chacune des unités MESA.\n<CLM>\1\tStructure... | 880 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tStructure de semi-conducteur, caractérisée par le fait que trois unités semi-conductrices MESA au moins sont formées à distance régulière les unes des autres sur un substrat unique et 5 qu'un dissipateur thermique est fixé au contact de la surface de chacune des unités MESA.\n... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tStructure de semi-conducteur, caractérisée par le fait que trois unités semi-conductrices MESA au moins sont formées à distance régulière les unes des autres sur un substrat unique et 5 qu'un dissipateur thermique est fixé au contact de la surface de chacune des unités ... | |||
FR2024110A1 | A1 | 19700828 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDispositif à couche d'arrêt comportant un substrat semiconducteur avec une surface, plane et une barrière redresseuse co-planaire réalisée dans ledit substrat au-dessous de la surface 5 plarie, ce dispositif étant caractérisé par une région isolante formée dans le substrat semi-conducteur de ma... | 1,875 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDispositif à couche d'arrêt comportant un substrat semiconducteur avec une surface, plane et une barrière redresseuse co-planaire réalisée dans ledit substrat au-dessous de la surface 5 plarie, ce dispositif étant caractérisé par une région isolante formée dans le substrat semi-conducteur de ma... | 1,875 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDispositif à couche d'arrêt comportant un substrat semiconducteur avec une surface, plane et une barrière redresseuse co-planaire réalisée dans ledit substrat au-dessous de la surface 5 plarie, ce dispositif étant caractérisé par une région isolante formée dans le substrat sem... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDispositif à couche d'arrêt comportant un substrat semiconducteur avec une surface, plane et une barrière redresseuse co-planaire réalisée dans ledit substrat au-dessous de la surface 5 plarie, ce dispositif étant caractérisé par une région isolante formée dans le subst... |
REVENDICATIONS
<CLM>1 Device comprising a stop layer comprising a semiconductor substrate with a planar surface and a stopper barrier co-planar with the surface, said stopper barrier being formed in the said semiconductor substrate below the surface, said device being characterized by an isolated region formed in the... |
FR2024319A1 | A1 | 19700828 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant au moins deux substrats semiconducteurs dont chacun contient au mo-ins-un élément de circuit discret et/ou un circuit intégré, caractérisé en ce que dans chaque substrat semiconducteur au moins une région semiconductrice ou métallisée d'au moins un élément de circ... | 1,638 | REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant au moins deux substrats semiconducteurs dont chacun contient au mo-ins-un élément de circuit discret et/ou un circuit intégré, caractérisé en ce que dans chaque substrat semiconducteur au moins une région semiconductrice ou métallisée d'au moins un élément de circ... | 1,638 | REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising at least two semiconductor substrates each containing at least one discrete circuit element or a integrated circuit, characterized in that in each semiconductor substrate at least one semiconductor or metallic region of at least one discrete circuit element or at lea... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant au moins deux substrats semiconducteurs dont chacun contient au mo-ins-un élément de circuit discret et/ou un circuit intégré, caractérisé en ce que dans chaque substrat semiconducteur au moins une région semiconductrice ou métallisée d'au moins ... | REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising at least two semiconductor substrates each containing at least one discrete circuit element or a integrated circuit, characterized in that in each semiconductor substrate at least one semiconductor or metallic region of at least one discrete circuit element or at lea... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant au moins deux substrats semiconducteurs dont chacun contient au mo-ins-un élément de circuit discret et/ou un circuit intégré, caractérisé en ce que dans chaque substrat semiconducteur au moins une région semiconductrice ou métallisée d'au... |
REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising at least two semiconductor substrates each containing at least one discrete circuit element or a integrated circuit, characterized in that in each semiconductor substrate at least one semiconductor or metallic region of at least one discrete circuit element or at l... |
FR2025224A1 | A1 | 19700904 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tTransducteur électro-mécanique à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un corps semi-conducteur présentant une région où on exerce une pression et une aiguille, pour exercer une pression sur ladite région du corps semi-conducteur, fixée sur cette région par adhérence de métal.\n<CLM... | 1,200 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tTransducteur électro-mécanique à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un corps semi-conducteur présentant une région où on exerce une pression et une aiguille, pour exercer une pression sur ladite région du corps semi-conducteur, fixée sur cette région par adhérence de métal.\n<CLM... | 1,200 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tTransducteur électro-mécanique à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un corps semi-conducteur présentant une région où on exerce une pression et une aiguille, pour exercer une pression sur ladite région du corps semi-conducteur, fixée sur cette région par adhéren... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tTransducteur électro-mécanique à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un corps semi-conducteur présentant une région où on exerce une pression et une aiguille, pour exercer une pression sur ladite région du corps semi-conducteur, fixée sur cette région par ... |
REVENDICATIONS
<CLM>1
Electromechanical transducer with semiconductor, characterized in that it comprises a semiconductor body having a region where pressure is applied and a needle, for applying pressure to the said region of the semiconductor body, fixed on this region by adhesion of metal.
<CLM>1
Electrom... |
FR2025396A1 | A1 | 19700911 | claim | claims | 1 | 41675 2025396 HEVENDICATTONS 1°/- Procédé d'établissement d'un trajet résistif à l'intérieur d'un corps semiconducteur dans un circuit intégré monolithique, comportant l'opération de diffusion d'une zone de résistance dans le corps, la dite zone de résistance étant du type opposé à celui du corps semiconducteur, caract... | 1,601 | 41675 2025396 HEVENDICATTONS 1°/- Procédé d'établissement d'un trajet résistif à l'intérieur d'un corps semiconducteur dans un circuit intégré monolithique, comportant l'opération de diffusion d'une zone de résistance dans le corps, la dite zone de résistance étant du type opposé à celui du corps semiconducteur, caract... | 1,601 | 41675 2025396 HEVENDICATTONS 1°/- Procedure for establishing a resistive path within a semiconductor body in an integrated circuit monolithic structure, comprising the operation of diffusion of a resistive region within the body, the said resistive region being of the type opposite to that of the semiconductor body, ch... | Translate FR->EN:
41675 2025396 HEVENDICATTONS 1°/- Procédé d'établissement d'un trajet résistif à l'intérieur d'un corps semiconducteur dans un circuit intégré monolithique, comportant l'opération de diffusion d'une zone de résistance dans le corps, la dite zone de résistance étant du type opposé à celui du corps semi... | 41675 2025396 HEVENDICATTONS 1°/- Procedure for establishing a resistive path within a semiconductor body in an integrated circuit monolithic structure, comprising the operation of diffusion of a resistive region within the body, the said resistive region being of the type opposite to that of the semiconductor body, ch... | <|BOS|>Translate FR->EN:
41675 2025396 HEVENDICATTONS 1°/- Procédé d'établissement d'un trajet résistif à l'intérieur d'un corps semiconducteur dans un circuit intégré monolithique, comportant l'opération de diffusion d'une zone de résistance dans le corps, la dite zone de résistance étant du type opposé à celui du cor... | 41675 2025396 HEVENDICATTONS 1°/- Procedure for establishing a resistive path within a semiconductor body in an integrated circuit monolithic structure, comprising the operation of diffusion of a resistive region within the body, the said resistive region being of the type opposite to that of the semiconductor body, c... |
FR2026335A1 | A1 | 19700918 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Diode à semi-conducteur servant de capacité variable en fonction de 3a tension, à structure p n n ou n p p, dans laquelle la concentration du dopape déterminant le type de conduc- • * "T 5 tivitê de la zone moyenne n ou p , décroît, au moins dans une partie de cette zone, suivant une fonction monoton... | 1,180 | REVENDICATIONS 1.- Diode à semi-conducteur servant de capacité variable en fonction de 3a tension, à structure p n n ou n p p, dans laquelle la concentration du dopape déterminant le type de conduc- • * "T 5 tivitê de la zone moyenne n ou p , décroît, au moins dans une partie de cette zone, suivant une fonction monoton... | 1,180 | REVENDICATIONS 1.- Semiconductor diode serving as a variable capacitance in function of 3a voltage, with structure p-n-n or n-p-p, in which the concentration of the dopant determines the type of conductivity • * "T 5 tivitê de la zone moyenne n ou p , décroît, au moins dans une partie de cette zone, suivant une fonctio... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Diode à semi-conducteur servant de capacité variable en fonction de 3a tension, à structure p n n ou n p p, dans laquelle la concentration du dopape déterminant le type de conduc- • * "T 5 tivitê de la zone moyenne n ou p , décroît, au moins dans une partie de cette zone, suivant un... | REVENDICATIONS 1.- Semiconductor diode serving as a variable capacitance in function of 3a voltage, with structure p-n-n or n-p-p, in which the concentration of the dopant determines the type of conductivity • * "T 5 tivitê de la zone moyenne n ou p , décroît, au moins dans une partie de cette zone, suivant une fonctio... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Diode à semi-conducteur servant de capacité variable en fonction de 3a tension, à structure p n n ou n p p, dans laquelle la concentration du dopape déterminant le type de conduc- • * "T 5 tivitê de la zone moyenne n ou p , décroît, au moins dans une partie de cette zone, sui... |
REVENDICATIONS 1.- Semiconductor diode serving as a variable capacitance in function of 3a voltage, with structure p-n-n or n-p-p, in which the concentration of the dopant determines the type of conductivity • * "T 5 tivitê de la zone moyenne n ou p , décroît, au moins dans une partie de cette zone, suivant une fonct... |
FR2027190A1 | A1 | 19700925 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs en germanium, caractérisé en ce qu'il consiste à former sur un substrat de germanium un film de bioxyde de silicium pour recouvrir 5 une ou plusieurs surfaces afin de devenir xme ou plusieurs surfaces mésa, et à attaquer le substrat de germanium ... | 1,860 | REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs en germanium, caractérisé en ce qu'il consiste à former sur un substrat de germanium un film de bioxyde de silicium pour recouvrir 5 une ou plusieurs surfaces afin de devenir xme ou plusieurs surfaces mésa, et à attaquer le substrat de germanium ... | 1,860 | REVENDICATIONS 1 - Method of manufacturing semiconductor devices comprising germanium, characterized in that it consists in forming a silicon dioxide film on a germanium substrate to cover one or more surfaces in order to become a mesa or several mesa surfaces, and in attacking the germanium substrate by using the sili... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs en germanium, caractérisé en ce qu'il consiste à former sur un substrat de germanium un film de bioxyde de silicium pour recouvrir 5 une ou plusieurs surfaces afin de devenir xme ou plusieurs surfaces mésa, et à attaquer le subs... | REVENDICATIONS 1 - Method of manufacturing semiconductor devices comprising germanium, characterized in that it consists in forming a silicon dioxide film on a germanium substrate to cover one or more surfaces in order to become a mesa or several mesa surfaces, and in attacking the germanium substrate by using the sili... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs en germanium, caractérisé en ce qu'il consiste à former sur un substrat de germanium un film de bioxyde de silicium pour recouvrir 5 une ou plusieurs surfaces afin de devenir xme ou plusieurs surfaces mésa, et à attaquer ... |
REVENDICATIONS 1 - Method of manufacturing semiconductor devices comprising germanium, characterized in that it consists in forming a silicon dioxide film on a germanium substrate to cover one or more surfaces in order to become a mesa or several mesa surfaces, and in attacking the germanium substrate by using the si... |
FR2027429A1 | A1 | 19700925 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1-Procédé de fabrication d'un composant dans un fragement de matériau semi-conducteur , caractérisé en ce qu'il consiste à préparer une surface de ce fragment en lui donnant une orientation 5 cristalline (110), à former sur cette surface un masque présentant des ouvertures dont la configuration définit s... | 1,965 | REVENDICATIONS 1-Procédé de fabrication d'un composant dans un fragement de matériau semi-conducteur , caractérisé en ce qu'il consiste à préparer une surface de ce fragment en lui donnant une orientation 5 cristalline (110), à former sur cette surface un masque présentant des ouvertures dont la configuration définit s... | 1,965 | REQUIREMENTS 1-Method of manufacturing a component in a semiconductor material fragment, characterized in that it consists in preparing a surface of said fragment by giving it a 5 crystallographic orientation (110), forming on said surface a mask presenting openings whose configuration defines on said surface (110) par... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1-Procédé de fabrication d'un composant dans un fragement de matériau semi-conducteur , caractérisé en ce qu'il consiste à préparer une surface de ce fragment en lui donnant une orientation 5 cristalline (110), à former sur cette surface un masque présentant des ouvertures dont la confi... | REQUIREMENTS 1-Method of manufacturing a component in a semiconductor material fragment, characterized in that it consists in preparing a surface of said fragment by giving it a 5 crystallographic orientation (110), forming on said surface a mask presenting openings whose configuration defines on said surface (110) par... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1-Procédé de fabrication d'un composant dans un fragement de matériau semi-conducteur , caractérisé en ce qu'il consiste à préparer une surface de ce fragment en lui donnant une orientation 5 cristalline (110), à former sur cette surface un masque présentant des ouvertures dont l... |
REQUIREMENTS 1-Method of manufacturing a component in a semiconductor material fragment, characterized in that it consists in preparing a surface of said fragment by giving it a 5 crystallographic orientation (110), forming on said surface a mask presenting openings whose configuration defines on said surface (110) p... |
FR2028859A1 | A1 | 19701016 | claim | claims | 1 | 70 01505 5 2028859 EEVEHDICATIOHS\n<CLM>\1\tProcédé pour l'application d'un revêtement de polymère sur une surface d'un corps, d'une pièce ou d'un objet, caractérisé en ce qu'on applique une couche d'une solution de matière polymère sur cette surface et on polymérise la couche sous une 5 pression supérieure à la pressi... | 1,752 | 70 01505 5 2028859 EEVEHDICATIOHS\n<CLM>\1\tProcédé pour l'application d'un revêtement de polymère sur une surface d'un corps, d'une pièce ou d'un objet, caractérisé en ce qu'on applique une couche d'une solution de matière polymère sur cette surface et on polymérise la couche sous une 5 pression supérieure à la pressi... | 1,752 | 70 01505 5 2028859 EEVEHDICATIOHS | Translate FR->EN:
70 01505 5 2028859 EEVEHDICATIOHS\n<CLM>\1\tProcédé pour l'application d'un revêtement de polymère sur une surface d'un corps, d'une pièce ou d'un objet, caractérisé en ce qu'on applique une couche d'une solution de matière polymère sur cette surface et on polymérise la couche sous une 5 pression supé... | 70 01505 5 2028859 EEVEHDICATIOHS | <|BOS|>Translate FR->EN:
70 01505 5 2028859 EEVEHDICATIOHS\n<CLM>\1\tProcédé pour l'application d'un revêtement de polymère sur une surface d'un corps, d'une pièce ou d'un objet, caractérisé en ce qu'on applique une couche d'une solution de matière polymère sur cette surface et on polymérise la couche sous une 5 pressi... |
70 01505 5 2028859 EEVEHDICATIOHS
<CLM>1\tProcess for applying a polymer coating to a surface of a body, a piece or an object, characterized in that a layer of a polymer solution is applied to this surface and the layer is polymerized under a pressure higher than atmospheric pressure, at a high temperature, in order ... |
FR2028957A1 | A1 | 19701016 | claim | claims | 1 | r REVENDICATIONS -i 1 - Support de redresseur haute tension, produisant I la tension anodique, avec un corps cylindrique qui contient un contact relié à la ligne haute tensionS ledit support étant carac- térisé en ce que la ligne de branchement est une ligne haute tension ne présentant pas d'effet de couronne et placée... | 935 | r REVENDICATIONS -i 1 - Support de redresseur haute tension, produisant I la tension anodique, avec un corps cylindrique qui contient un contact relié à la ligne haute tensionS ledit support étant carac- térisé en ce que la ligne de branchement est une ligne haute tension ne présentant pas d'effet de couronne et placée... | 935 | r REVENDICATIONS -i 1 - Support de redresseur haute tension, produisant I la tension anodique, avec un corps cylindrique qui contient un contact relié à la ligne haute tensionS ledit support étant carac- térisé en ce que la ligne de branchement est une ligne haute tension ne présentant pas d'effet de couronne et placée... | Translate FR->EN:
r REVENDICATIONS -i 1 - Support de redresseur haute tension, produisant I la tension anodique, avec un corps cylindrique qui contient un contact relié à la ligne haute tensionS ledit support étant carac- térisé en ce que la ligne de branchement est une ligne haute tension ne présentant pas d'effet de ... | r REVENDICATIONS -i 1 - Support de redresseur haute tension, produisant I la tension anodique, avec un corps cylindrique qui contient un contact relié à la ligne haute tensionS ledit support étant carac- térisé en ce que la ligne de branchement est une ligne haute tension ne présentant pas d'effet de couronne et placée... | <|BOS|>Translate FR->EN:
r REVENDICATIONS -i 1 - Support de redresseur haute tension, produisant I la tension anodique, avec un corps cylindrique qui contient un contact relié à la ligne haute tensionS ledit support étant carac- térisé en ce que la ligne de branchement est une ligne haute tension ne présentant pas d'ef... |
r REVENDICATIONS -i 1 - Support de redresseur haute tension, produisant I la tension anodique, avec un corps cylindrique qui contient un contact relié à la ligne haute tensionS ledit support étant carac- térisé en ce que la ligne de branchement est une ligne haute tension ne présentant pas d'effet de couronne et plac... |
FR2029814A1 | A1 | 19701023 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1« Procédé pour accroître l'amplification en courant et la résistance aux radiations de transistors au silicium à une couche superficielle d'oxyde de silicium, caractérisé par le fait qu'on 5 expose les transistors tout d'abord à un rayonnement ionisant constitué par des rayons X, des rayons gamma ou des... | 1,729 | REVENDICATIONS 1« Procédé pour accroître l'amplification en courant et la résistance aux radiations de transistors au silicium à une couche superficielle d'oxyde de silicium, caractérisé par le fait qu'on 5 expose les transistors tout d'abord à un rayonnement ionisant constitué par des rayons X, des rayons gamma ou des... | 1,729 | REVENDICATIONS 1 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1« Procédé pour accroître l'amplification en courant et la résistance aux radiations de transistors au silicium à une couche superficielle d'oxyde de silicium, caractérisé par le fait qu'on 5 expose les transistors tout d'abord à un rayonnement ionisant constitué par des rayons X, des r... | REVENDICATIONS 1 | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1« Procédé pour accroître l'amplification en courant et la résistance aux radiations de transistors au silicium à une couche superficielle d'oxyde de silicium, caractérisé par le fait qu'on 5 expose les transistors tout d'abord à un rayonnement ionisant constitué par des rayons X... |
REVENDICATIONS 1
"Process for increasing the current amplification factor and the radiation resistance of silicon transistors to a surface oxide layer, characterized by the fact that the transistors are first exposed to an ionizing radiation composed of X-rays, gamma rays, or electrons having an energy such that t... |
FR2032470A1 | A1 | 19701127 | claim | claims | 1 | 70 07119 5 2032470 BZTOiPICAEEOBS\n<CLM>\1\tTube à décharge comportant une électrode dont la partie assurant l'émission d'électrons est constituée par un semiconducteur à type de conduction £, formé par des cristaux mixtes 5 d'un composé AIII-BV et activé à l'aide d'une couche extérieure dont le travail de sortie est i... | 2,000 | 70 07119 5 2032470 BZTOiPICAEEOBS\n<CLM>\1\tTube à décharge comportant une électrode dont la partie assurant l'émission d'électrons est constituée par un semiconducteur à type de conduction £, formé par des cristaux mixtes 5 d'un composé AIII-BV et activé à l'aide d'une couche extérieure dont le travail de sortie est i... | 2,000 | 70 07119 5 2032470 BZTOiPICAEEOBS | Translate FR->EN:
70 07119 5 2032470 BZTOiPICAEEOBS\n<CLM>\1\tTube à décharge comportant une électrode dont la partie assurant l'émission d'électrons est constituée par un semiconducteur à type de conduction £, formé par des cristaux mixtes 5 d'un composé AIII-BV et activé à l'aide d'une couche extérieure dont le trava... | 70 07119 5 2032470 BZTOiPICAEEOBS | <|BOS|>Translate FR->EN:
70 07119 5 2032470 BZTOiPICAEEOBS\n<CLM>\1\tTube à décharge comportant une électrode dont la partie assurant l'émission d'électrons est constituée par un semiconducteur à type de conduction £, formé par des cristaux mixtes 5 d'un composé AIII-BV et activé à l'aide d'une couche extérieure dont l... |
70 07119 5 2032470 BZTOiPICAEEOBS
<CLM>1\tTube to discharge comprising an electrode whose part ensuring the emission of electrons is constituted by a semiconductor of type £, formed by mixed crystals 5 of a compound AIII-BV and activated by an outer layer whose output work is inferior or equal to the distance between... |
FR2033320A1 | A1 | 19701204 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I O N S 1- Elément tracteur élastique, comprenant un organe d'arrêt susceptible de limiter la course de Il élongation en transmettant la force partielle qui résulte de la différence entre la force à transmettre et la réaction élastique, caractérisé par un accouplement de plusieurs ressorts (1, 2, 3 ... | 1,004 | R E V E N D I C A T I O N S 1- Elément tracteur élastique, comprenant un organe d'arrêt susceptible de limiter la course de Il élongation en transmettant la force partielle qui résulte de la différence entre la force à transmettre et la réaction élastique, caractérisé par un accouplement de plusieurs ressorts (1, 2, 3 ... | 1,004 | REVENDEMENTS 1- Elément tracteur élastique, comprenant un organe d'arrêt susceptible de limiter la course de Il élongation en transmettant la force partielle qui résulte de la différence entre la force à transmettre et la réaction élastique, caractérisé par un accouplement de plusieurs ressorts (1, 2, 3 ; 9, 33 ; 12, 1... | Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S 1- Elément tracteur élastique, comprenant un organe d'arrêt susceptible de limiter la course de Il élongation en transmettant la force partielle qui résulte de la différence entre la force à transmettre et la réaction élastique, caractérisé par un accouplement de plusieurs ... | REVENDEMENTS 1- Elément tracteur élastique, comprenant un organe d'arrêt susceptible de limiter la course de Il élongation en transmettant la force partielle qui résulte de la différence entre la force à transmettre et la réaction élastique, caractérisé par un accouplement de plusieurs ressorts (1, 2, 3 ; 9, 33 ; 12, 1... | <|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S 1- Elément tracteur élastique, comprenant un organe d'arrêt susceptible de limiter la course de Il élongation en transmettant la force partielle qui résulte de la différence entre la force à transmettre et la réaction élastique, caractérisé par un accouplement de plu... |
REVENDEMENTS 1- Elément tracteur élastique, comprenant un organe d'arrêt susceptible de limiter la course de Il élongation en transmettant la force partielle qui résulte de la différence entre la force à transmettre et la réaction élastique, caractérisé par un accouplement de plusieurs ressorts (1, 2, 3 ; 9, 33 ; 12,... |
FR2034617A1 | A1 | 19701211 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tBoite de montre étanche avec glace en matière dure retenue dans un logement de la lunette, dont la paroi est au moins approximativement parallèle à l'axe de la boite, caractérisée par un anneau en matière tendre qui prend place au fond du logement de la lunette prévu pour la glace et qui est in... | 1,410 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tBoite de montre étanche avec glace en matière dure retenue dans un logement de la lunette, dont la paroi est au moins approximativement parallèle à l'axe de la boite, caractérisée par un anneau en matière tendre qui prend place au fond du logement de la lunette prévu pour la glace et qui est in... | 1,410 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tBoite de montre étanche avec glace en matière dure retenue dans un logement de la lunette, dont la paroi est au moins approximativement parallèle à l'axe de la boite, caractérisée par un anneau en matière tendre qui prend place au fond du logement de la lunette prévu pour la g... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tBoite de montre étanche avec glace en matière dure retenue dans un logement de la lunette, dont la paroi est au moins approximativement parallèle à l'axe de la boite, caractérisée par un anneau en matière tendre qui prend place au fond du logement de la lunette prévu po... |
REVENDICATIONS
<CLM>1 Watch case with hard glass housing in a moon chamber, whose wall is at least approximately parallel to the axis of the case, characterized by a soft material ring that fits into the bottom of the moon chamber intended for the glass and is inserted between it and the wall of the chamber.
<CLM>1 C... |
FR2035028A1 | A1 | 19701218 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tTransistor,planar haute fréquence caractérisé par le fait'que la base, dopée au bore, a une résistance de surface comprise entre 200 et 19 400 îj et une concentration en substance de dopage d'environ 10 atomes 3 d'impureté/cm -, que la largeur de base est au plus égale à 0,5 ^ , que l'émet-5 te... | 1,252 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tTransistor,planar haute fréquence caractérisé par le fait'que la base, dopée au bore, a une résistance de surface comprise entre 200 et 19 400 îj et une concentration en substance de dopage d'environ 10 atomes 3 d'impureté/cm -, que la largeur de base est au plus égale à 0,5 ^ , que l'émet-5 te... | 1,252 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tTransistor,planar haute fréquence caractérisé par le fait'que la base, dopée au bore, a une résistance de surface comprise entre 200 et 19 400 îj et une concentration en substance de dopage d'environ 10 atomes 3 d'impureté/cm -, que la largeur de base est au plus égale à 0,5 ^... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tTransistor,planar haute fréquence caractérisé par le fait'que la base, dopée au bore, a une résistance de surface comprise entre 200 et 19 400 îj et une concentration en substance de dopage d'environ 10 atomes 3 d'impureté/cm -, que la largeur de base est au plus égale ... | |||
FR2036702A1 | A1 | 19701231 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Procédé pour la préparation de jonctions métal/semiconducteur à barrière de potentiel lors de la fabrication de composants à couche mince de structure polycristalline à configuration en sandwich ou à clivage dans lequel ie contact à barrière se compose d'un métal appliqué sur le substrat aval. le sem... | 1,237 | REVENDICATIONS 1 - Procédé pour la préparation de jonctions métal/semiconducteur à barrière de potentiel lors de la fabrication de composants à couche mince de structure polycristalline à configuration en sandwich ou à clivage dans lequel ie contact à barrière se compose d'un métal appliqué sur le substrat aval. le sem... | 1,237 | REQUIREMENTS 1 - Process for the preparation of metal-semiconductor junctions with potential barrier during the fabrication of thin-film integrated circuit components in which the barrier contact consists of a metal applied on the substrate. The semiconductor and the injecting contact are realized in a known manner, ch... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Procédé pour la préparation de jonctions métal/semiconducteur à barrière de potentiel lors de la fabrication de composants à couche mince de structure polycristalline à configuration en sandwich ou à clivage dans lequel ie contact à barrière se compose d'un métal appliqué sur le sub... | REQUIREMENTS 1 - Process for the preparation of metal-semiconductor junctions with potential barrier during the fabrication of thin-film integrated circuit components in which the barrier contact consists of a metal applied on the substrate. The semiconductor and the injecting contact are realized in a known manner, ch... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Procédé pour la préparation de jonctions métal/semiconducteur à barrière de potentiel lors de la fabrication de composants à couche mince de structure polycristalline à configuration en sandwich ou à clivage dans lequel ie contact à barrière se compose d'un métal appliqué sur... |
REQUIREMENTS 1 - Process for the preparation of metal-semiconductor junctions with potential barrier during the fabrication of thin-film integrated circuit components in which the barrier contact consists of a metal applied on the substrate. The semiconductor and the injecting contact are realized in a known manner, ... |
FR2036948A1 | A1 | 19701231 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de production d'un matériau mousse de construction caractérisé en ce qu'il comprend l'aspersion ou l'imprégnation d'une couche constituée par une nappe fibreuse, dans laquelle les fibres ne sont pas liées entre elles, avec un mélange comprenant une résine thermodurcissable et un agent m... | 1,558 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de production d'un matériau mousse de construction caractérisé en ce qu'il comprend l'aspersion ou l'imprégnation d'une couche constituée par une nappe fibreuse, dans laquelle les fibres ne sont pas liées entre elles, avec un mélange comprenant une résine thermodurcissable et un agent m... | 1,558 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de production d'un matériau mousse de construction caractérisé en ce qu'il comprend l'aspersion ou l'imprégnation d'une couche constituée par une nappe fibreuse, dans laquelle les fibres ne sont pas liées entre elles, avec un mélange comprenant une résine thermodurciss... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de production d'un matériau mousse de construction caractérisé en ce qu'il comprend l'aspersion ou l'imprégnation d'une couche constituée par une nappe fibreuse, dans laquelle les fibres ne sont pas liées entre elles, avec un mélange comprenant une résine thermo... |
REVENDICATIONS
<CLM>1 Process of production of a construction foam material characterized in that it comprises the spraying or impregnation of a fibrous layer comprising fibers not bonded to each other, comprising a thermosetting resin and a foaming agent which emits a gas upon heating, the penetration of said mixtur... |
FR2038361A1 | A1 | 19710108 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur à circuit intégré qui comporte : une couche de matériau semiconducteur avec plusieurs jonctions entre des régions de types 5 conductivitê différents, une couche de matériau d'oxyde thermique adjacente à ladite couche de matériau semiconducteur, ledit oxyde thermique ayant un... | 1,829 | REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur à circuit intégré qui comporte : une couche de matériau semiconducteur avec plusieurs jonctions entre des régions de types 5 conductivitê différents, une couche de matériau d'oxyde thermique adjacente à ladite couche de matériau semiconducteur, ledit oxyde thermique ayant un... | 1,829 | REVENDICATIONS 1.- A semiconductor integrated circuit comprising: a semiconductor material layer with multiple junctions between regions of different conductivity types, an adjacent thermal oxide layer to the semiconductor material layer, the said thermal oxide layer having an inherent tendency to transport mobile char... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur à circuit intégré qui comporte : une couche de matériau semiconducteur avec plusieurs jonctions entre des régions de types 5 conductivitê différents, une couche de matériau d'oxyde thermique adjacente à ladite couche de matériau semiconducteur, ledit oxyde ... | REVENDICATIONS 1.- A semiconductor integrated circuit comprising: a semiconductor material layer with multiple junctions between regions of different conductivity types, an adjacent thermal oxide layer to the semiconductor material layer, the said thermal oxide layer having an inherent tendency to transport mobile char... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur à circuit intégré qui comporte : une couche de matériau semiconducteur avec plusieurs jonctions entre des régions de types 5 conductivitê différents, une couche de matériau d'oxyde thermique adjacente à ladite couche de matériau semiconducteur, ledit... |
REVENDICATIONS 1.- A semiconductor integrated circuit comprising: a semiconductor material layer with multiple junctions between regions of different conductivity types, an adjacent thermal oxide layer to the semiconductor material layer, the said thermal oxide layer having an inherent tendency to transport mobile ch... |
FR2039341A1 | A1 | 19710115 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication de transistors à effet de champ dans lequel on produit, dans un substrat semiconducteur d'un premier type de conductivitê, deux zones séparées, fortement 5 dopées d'un second type de conductivitê, destinées à constituer les électrodes de source et de drain et dans lequel on rec... | 1,125 | REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication de transistors à effet de champ dans lequel on produit, dans un substrat semiconducteur d'un premier type de conductivitê, deux zones séparées, fortement 5 dopées d'un second type de conductivitê, destinées à constituer les électrodes de source et de drain et dans lequel on rec... | 1,125 | REQUIREMENTS 1 - Method of manufacturing field-effect transistors in which two separated zones, strongly doped with a second type of conductivity, are produced in a semiconductor substrate of the first type, intended to constitute the source and drain electrodes, and in which the surface of the source, drain, and the r... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication de transistors à effet de champ dans lequel on produit, dans un substrat semiconducteur d'un premier type de conductivitê, deux zones séparées, fortement 5 dopées d'un second type de conductivitê, destinées à constituer les électrodes de source et de drain et ... | REQUIREMENTS 1 - Method of manufacturing field-effect transistors in which two separated zones, strongly doped with a second type of conductivity, are produced in a semiconductor substrate of the first type, intended to constitute the source and drain electrodes, and in which the surface of the source, drain, and the r... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication de transistors à effet de champ dans lequel on produit, dans un substrat semiconducteur d'un premier type de conductivitê, deux zones séparées, fortement 5 dopées d'un second type de conductivitê, destinées à constituer les électrodes de source et de dr... |
REQUIREMENTS 1 - Method of manufacturing field-effect transistors in which two separated zones, strongly doped with a second type of conductivity, are produced in a semiconductor substrate of the first type, intended to constitute the source and drain electrodes, and in which the surface of the source, drain, and the... |
FR2039342A1 | A1 | 19710115 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tComposant à semi-conducteurs, à au moins une jonction pn dans le corps semi-conducteur, du type dans lequel on prévoit sur une surface plusieurs revêtements métalliques, électriquement conducteurs et passant par me fenêtre ménagée 5 dans une première couche isolante, l'un de ces revêtements mét... | 1,072 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tComposant à semi-conducteurs, à au moins une jonction pn dans le corps semi-conducteur, du type dans lequel on prévoit sur une surface plusieurs revêtements métalliques, électriquement conducteurs et passant par me fenêtre ménagée 5 dans une première couche isolante, l'un de ces revêtements mét... | 1,072 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tComposant à semi-conducteurs, à au moins une jonction pn dans le corps semi-conducteur, du type dans lequel on prévoit sur une surface plusieurs revêtements métalliques, électriquement conducteurs et passant par me fenêtre ménagée 5 dans une première couche isolante, l'un de c... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tComposant à semi-conducteurs, à au moins une jonction pn dans le corps semi-conducteur, du type dans lequel on prévoit sur une surface plusieurs revêtements métalliques, électriquement conducteurs et passant par me fenêtre ménagée 5 dans une première couche isolante, l'... | |||
FR2039343A1 | A1 | 19710115 | claim | claims | 1 | 70 13787 3 2039343 R Z V r N I) I C A T I 0 M S 1 - Composant à semi-conducteurs comportant au moins une jonction pn, qui est réalisé par une zone d'un -premier type de conductivité, obtenue par diffusion, dans un corps semi-5 conducteur d'un second type de conductivité, caractérisé par le fait qu'un premier contact mé... | 1,102 | 70 13787 3 2039343 R Z V r N I) I C A T I 0 M S 1 - Composant à semi-conducteurs comportant au moins une jonction pn, qui est réalisé par une zone d'un -premier type de conductivité, obtenue par diffusion, dans un corps semi-5 conducteur d'un second type de conductivité, caractérisé par le fait qu'un premier contact mé... | 1,102 | 70 13787 3 2039343 R Z V r N I) I C A T I 0 M S 1 - Component with semiconductor comprising at least one pn junction, which is realized by a region of a first conductivity type, obtained by diffusion, in a semiconductor of a second conductivity type, characterized by the fact that a first metallic contact of the first ... | Translate FR->EN:
70 13787 3 2039343 R Z V r N I) I C A T I 0 M S 1 - Composant à semi-conducteurs comportant au moins une jonction pn, qui est réalisé par une zone d'un -premier type de conductivité, obtenue par diffusion, dans un corps semi-5 conducteur d'un second type de conductivité, caractérisé par le fait qu'un ... | 70 13787 3 2039343 R Z V r N I) I C A T I 0 M S 1 - Component with semiconductor comprising at least one pn junction, which is realized by a region of a first conductivity type, obtained by diffusion, in a semiconductor of a second conductivity type, characterized by the fact that a first metallic contact of the first ... | <|BOS|>Translate FR->EN:
70 13787 3 2039343 R Z V r N I) I C A T I 0 M S 1 - Composant à semi-conducteurs comportant au moins une jonction pn, qui est réalisé par une zone d'un -premier type de conductivité, obtenue par diffusion, dans un corps semi-5 conducteur d'un second type de conductivité, caractérisé par le fait... |
70 13787 3 2039343 R Z V r N I) I C A T I 0 M S 1 - Component with semiconductor comprising at least one pn junction, which is realized by a region of a first conductivity type, obtained by diffusion, in a semiconductor of a second conductivity type, characterized by the fact that a first metallic contact of the firs... |
FR2041059A1 | A1 | 19710129 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Appareil pour le traitement et la fabrication de circuits-intégrés ou de dispositifs analogues, caractérisé en ce qu'une source laser est suivie par un dispositif de déflection électro-optique ou magnéto-optique qui peut être commandé électroniquement suivant un programme choisi et en ce que ce dispo... | 925 | REVENDICATIONS 1.- Appareil pour le traitement et la fabrication de circuits-intégrés ou de dispositifs analogues, caractérisé en ce qu'une source laser est suivie par un dispositif de déflection électro-optique ou magnéto-optique qui peut être commandé électroniquement suivant un programme choisi et en ce que ce dispo... | 925 | REQUIREMENTS 1.- Device for the treatment and fabrication of integrated circuits or analogous devices, characterized in that a laser source is followed by an electro-optical or magnetooptical deflection device which can be electronically controlled according to a chosen program and in that the deflection device is foll... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Appareil pour le traitement et la fabrication de circuits-intégrés ou de dispositifs analogues, caractérisé en ce qu'une source laser est suivie par un dispositif de déflection électro-optique ou magnéto-optique qui peut être commandé électroniquement suivant un programme choisi et ... | REQUIREMENTS 1.- Device for the treatment and fabrication of integrated circuits or analogous devices, characterized in that a laser source is followed by an electro-optical or magnetooptical deflection device which can be electronically controlled according to a chosen program and in that the deflection device is foll... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Appareil pour le traitement et la fabrication de circuits-intégrés ou de dispositifs analogues, caractérisé en ce qu'une source laser est suivie par un dispositif de déflection électro-optique ou magnéto-optique qui peut être commandé électroniquement suivant un programme cho... |
REQUIREMENTS 1.- Device for the treatment and fabrication of integrated circuits or analogous devices, characterized in that a laser source is followed by an electro-optical or magnetooptical deflection device which can be electronically controlled according to a chosen program and in that the deflection device is fo... |
FR2041080A1 | A1 | 19710129 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour déposer des couches d'une substance semi-conductrice ou isolante à partir d'un courant de gaz réactionnel sur des cristaux serai-conducteurs chauffés, ou pour 5 doper de tels cristaux à partir d'un courant gazeux de dopage, dans lequel on utilise des conditions opératoires constant... | 1,006 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour déposer des couches d'une substance semi-conductrice ou isolante à partir d'un courant de gaz réactionnel sur des cristaux serai-conducteurs chauffés, ou pour 5 doper de tels cristaux à partir d'un courant gazeux de dopage, dans lequel on utilise des conditions opératoires constant... | 1,006 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour déposer des couches d'une substance semi-conductrice ou isolante à partir d'un courant de gaz réactionnel sur des cristaux serai-conducteurs chauffés, ou pour 5 doper de tels cristaux à partir d'un courant gazeux de dopage, dans lequel on utilise des conditions op... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour déposer des couches d'une substance semi-conductrice ou isolante à partir d'un courant de gaz réactionnel sur des cristaux serai-conducteurs chauffés, ou pour 5 doper de tels cristaux à partir d'un courant gazeux de dopage, dans lequel on utilise des condit... |
REVENDICATIONS
<CLM>1 Process for depositing layers of a semiconductor or insulating substance from a reactive gas current on heated semiconductor crystals, or for doping such crystals from a gaseous doping current, in which the operating conditions are constant or are changed only in steps, characterized by the fact... |
FR2041088A1 | A1 | 19710129 | claim | claims | 1 | 70 09865 6 2041088 ■Revendications\n<CLM>\1\tProcédé pour faire diffuser des éléments d'impuretés dans un semiconducteur, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement : à dissoudre, dans un solvant volatil, des composés d'élé-5 ments d'impuretés et une matière organique de revêtement qui sont solubles dans ledit so... | 1,953 | 70 09865 6 2041088 ■Revendications\n<CLM>\1\tProcédé pour faire diffuser des éléments d'impuretés dans un semiconducteur, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement : à dissoudre, dans un solvant volatil, des composés d'élé-5 ments d'impuretés et une matière organique de revêtement qui sont solubles dans ledit so... | 1,953 | 70 09865 6 2041088 ■Claims | Translate FR->EN:
70 09865 6 2041088 ■Revendications\n<CLM>\1\tProcédé pour faire diffuser des éléments d'impuretés dans un semiconducteur, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement : à dissoudre, dans un solvant volatil, des composés d'élé-5 ments d'impuretés et une matière organique de revêtement qui sont solu... | 70 09865 6 2041088 ■Claims | <|BOS|>Translate FR->EN:
70 09865 6 2041088 ■Revendications\n<CLM>\1\tProcédé pour faire diffuser des éléments d'impuretés dans un semiconducteur, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement : à dissoudre, dans un solvant volatil, des composés d'élé-5 ments d'impuretés et une matière organique de revêtement qui so... |
70 09865 6 2041088 ■Claims
<CLM>
1 Process for diffusing impurity elements into a semiconductor, characterized in that it essentially consists of: dissolving, in a volatile solvent, compounds of impurity elements and a organic coating material that are soluble in said solvent; forming a coating on a surface of a subs... |
FR2042590A1 | A1 | 19710212 | claim | claims | 1 | 70 17228 6 2042590 revehdications 1 - Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque, caractérisé en ce qu'il consiste à prévoir une plaque frittée en sulfure de cadmium de type n, à immerger cette plaque frittée dans 5 une solution aqueuse de chlorure cuivreux à une température allant de 10 à 50°C, pendant une pé... | 941 | 70 17228 6 2042590 revehdications 1 - Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque, caractérisé en ce qu'il consiste à prévoir une plaque frittée en sulfure de cadmium de type n, à immerger cette plaque frittée dans 5 une solution aqueuse de chlorure cuivreux à une température allant de 10 à 50°C, pendant une pé... | 941 | 70 17228 6 2042590 revehdications 1 - Manufacturing method of a photovoltaic cell characterized in that it consists in predicting a cadmium sulfide n-type plate, immersing this plate in a aqueous solution of copper chloride at a temperature ranging from 10 to 50°C, for a period of time ranging from 20 to 300 minutes, i... | Translate FR->EN:
70 17228 6 2042590 revehdications 1 - Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque, caractérisé en ce qu'il consiste à prévoir une plaque frittée en sulfure de cadmium de type n, à immerger cette plaque frittée dans 5 une solution aqueuse de chlorure cuivreux à une température allant de 10 à 50... | 70 17228 6 2042590 revehdications 1 - Manufacturing method of a photovoltaic cell characterized in that it consists in predicting a cadmium sulfide n-type plate, immersing this plate in a aqueous solution of copper chloride at a temperature ranging from 10 to 50°C, for a period of time ranging from 20 to 300 minutes, i... | <|BOS|>Translate FR->EN:
70 17228 6 2042590 revehdications 1 - Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque, caractérisé en ce qu'il consiste à prévoir une plaque frittée en sulfure de cadmium de type n, à immerger cette plaque frittée dans 5 une solution aqueuse de chlorure cuivreux à une température allant de ... |
70 17228 6 2042590 revehdications 1 - Manufacturing method of a photovoltaic cell characterized in that it consists in predicting a cadmium sulfide n-type plate, immersing this plate in a aqueous solution of copper chloride at a temperature ranging from 10 to 50°C, for a period of time ranging from 20 to 300 minutes,... |
FR2043813A1 | A1 | 19710219 | claim | claims | 1 | 70 19154 6 2045813 R I V E N B ! C A T I 0 M S î - Transistor 3 sorte d*énett®sr l"t$rale, zone de collecteur latérale et substrat de aise dopage » et â zone de base ...à • dopage opposé jouxtant le-substrats caractérisé en ce que l'une 5 des zones latérales, soit la zone de collecteur, soit la zone d'émetteur recouvre... | 1,218 | 70 19154 6 2045813 R I V E N B ! C A T I 0 M S î - Transistor 3 sorte d*énett®sr l"t$rale, zone de collecteur latérale et substrat de aise dopage » et â zone de base ...à • dopage opposé jouxtant le-substrats caractérisé en ce que l'une 5 des zones latérales, soit la zone de collecteur, soit la zone d'émetteur recouvre... | 1,218 | 70 19154 6 2045813 R I V E N B ! C A T I 0 M S î - Transistor 3 sorte d*énett®sr l"t$rale, zone de collecteur latérale et substrat de aise dopage » et â zone de base ...à • dopage opposé jouxtant le-substrats caractérisé en ce que l'une 5 des zones latérales, soit la zone de collecteur, soit la zone d'émetteur recouvre... | Translate FR->EN:
70 19154 6 2045813 R I V E N B ! C A T I 0 M S î - Transistor 3 sorte d*énett®sr l"t$rale, zone de collecteur latérale et substrat de aise dopage » et â zone de base ...à • dopage opposé jouxtant le-substrats caractérisé en ce que l'une 5 des zones latérales, soit la zone de collecteur, soit la zone d... | 70 19154 6 2045813 R I V E N B ! C A T I 0 M S î - Transistor 3 sorte d*énett®sr l"t$rale, zone de collecteur latérale et substrat de aise dopage » et â zone de base ...à • dopage opposé jouxtant le-substrats caractérisé en ce que l'une 5 des zones latérales, soit la zone de collecteur, soit la zone d'émetteur recouvre... | <|BOS|>Translate FR->EN:
70 19154 6 2045813 R I V E N B ! C A T I 0 M S î - Transistor 3 sorte d*énett®sr l"t$rale, zone de collecteur latérale et substrat de aise dopage » et â zone de base ...à • dopage opposé jouxtant le-substrats caractérisé en ce que l'une 5 des zones latérales, soit la zone de collecteur, soit la... |
70 19154 6 2045813 R I V E N B ! C A T I 0 M S î - Transistor 3 sorte d*énett®sr l"t$rale, zone de collecteur latérale et substrat de aise dopage » et â zone de base ...à • dopage opposé jouxtant le-substrats caractérisé en ce que l'une 5 des zones latérales, soit la zone de collecteur, soit la zone d'émetteur recouv... |
FR2044772A1 | A1 | 19710226 | claim | claims | 1 | Revendications•:\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de dispositifs semiconducteurs à partir d'un même corps semiconducteur en forme de plaque suivant lequel on forme d'un côté d'un substrat en forme de plaque une zone en matériau semiconducteur s'étendant le long de la surface, zone qui au moins à la limite avec le subst... | 1,546 | Revendications•:\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de dispositifs semiconducteurs à partir d'un même corps semiconducteur en forme de plaque suivant lequel on forme d'un côté d'un substrat en forme de plaque une zone en matériau semiconducteur s'étendant le long de la surface, zone qui au moins à la limite avec le subst... | 1,546 | Claims | Translate FR->EN:
Revendications•:\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de dispositifs semiconducteurs à partir d'un même corps semiconducteur en forme de plaque suivant lequel on forme d'un côté d'un substrat en forme de plaque une zone en matériau semiconducteur s'étendant le long de la surface, zone qui au moins à la li... | Claims | <|BOS|>Translate FR->EN:
Revendications•:\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de dispositifs semiconducteurs à partir d'un même corps semiconducteur en forme de plaque suivant lequel on forme d'un côté d'un substrat en forme de plaque une zone en matériau semiconducteur s'étendant le long de la surface, zone qui au moins ... |
Claims
<CLM>
1 Manufacturing method of semiconductor devices from a single semiconductor substrate in the form of a plate, according to which one forms on one side of a substrate in the form of a plate a region of semiconductor material extending along the surface, the region differing from the underlying substrate i... |
FR2046967A1 | A1 | 19710312 | claim | claims | 1 | 70 22770 7 2046967 - REVENDICATIONS -\n<CLM>\1\tProcédé pour détacher une pièce d'un cristal en forme de plaquette, caractérisé par le fait que le cristal en forme de plaquette est appliqué par une de ses surfaces 5 principales sur une grille qui présente, une rainure sur la surface d'application pour le cristal en for... | 1,906 | 70 22770 7 2046967 - REVENDICATIONS -\n<CLM>\1\tProcédé pour détacher une pièce d'un cristal en forme de plaquette, caractérisé par le fait que le cristal en forme de plaquette est appliqué par une de ses surfaces 5 principales sur une grille qui présente, une rainure sur la surface d'application pour le cristal en for... | 1,906 | 70 22770 7 2046967 - CLAIMS -\n<CLM>\1\tProcedure for detaching a piece from a crystal in the form of a sheet, characterized by the fact that the crystal in the form of a sheet is applied on one of its main surfaces to a grid that presents a groove on the application surface of the sheet crystal, the piece being detach... | Translate FR->EN:
70 22770 7 2046967 - REVENDICATIONS -\n<CLM>\1\tProcédé pour détacher une pièce d'un cristal en forme de plaquette, caractérisé par le fait que le cristal en forme de plaquette est appliqué par une de ses surfaces 5 principales sur une grille qui présente, une rainure sur la surface d'application pour... | 70 22770 7 2046967 - CLAIMS -\n<CLM>\1\tProcedure for detaching a piece from a crystal in the form of a sheet, characterized by the fact that the crystal in the form of a sheet is applied on one of its main surfaces to a grid that presents a groove on the application surface of the sheet crystal, the piece being detach... | <|BOS|>Translate FR->EN:
70 22770 7 2046967 - REVENDICATIONS -\n<CLM>\1\tProcédé pour détacher une pièce d'un cristal en forme de plaquette, caractérisé par le fait que le cristal en forme de plaquette est appliqué par une de ses surfaces 5 principales sur une grille qui présente, une rainure sur la surface d'applicati... |
70 22770 7 2046967 - CLAIMS -\n<CLM>\1\tProcedure for detaching a piece from a crystal in the form of a sheet, characterized by the fact that the crystal in the form of a sheet is applied on one of its main surfaces to a grid that presents a groove on the application surface of the sheet crystal, the piece being deta... |
FR2047978A1 | A1 | 19710319 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS ;\n<CLM>\1\tSupport pour un cristal semiconducteur qui est recouvert d'une couclie d'or sur laquelle est fixé le cristal semiconducteur à l'aide d'un matériau de soudure ce support de cris- 5 tal étant caractérisé en ce qu'au moins la surface du support de cristal est en un métal qui cristallise en l'emp... | 834 | REVENDICATIONS ;\n<CLM>\1\tSupport pour un cristal semiconducteur qui est recouvert d'une couclie d'or sur laquelle est fixé le cristal semiconducteur à l'aide d'un matériau de soudure ce support de cris- 5 tal étant caractérisé en ce qu'au moins la surface du support de cristal est en un métal qui cristallise en l'emp... | 834 | REVENDICATIONS ;\n<CLM>\1\tSupport for a semiconductor crystal covered with an gold layer on which the semiconductor crystal is fixed using a solder material, the support of the semiconductor crystal being characterized in that at least the surface of the support of the semiconductor crystal is made of a metal which cr... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS ;\n<CLM>\1\tSupport pour un cristal semiconducteur qui est recouvert d'une couclie d'or sur laquelle est fixé le cristal semiconducteur à l'aide d'un matériau de soudure ce support de cris- 5 tal étant caractérisé en ce qu'au moins la surface du support de cristal est en un métal qui cr... | REVENDICATIONS ;\n<CLM>\1\tSupport for a semiconductor crystal covered with an gold layer on which the semiconductor crystal is fixed using a solder material, the support of the semiconductor crystal being characterized in that at least the surface of the support of the semiconductor crystal is made of a metal which cr... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS ;\n<CLM>\1\tSupport pour un cristal semiconducteur qui est recouvert d'une couclie d'or sur laquelle est fixé le cristal semiconducteur à l'aide d'un matériau de soudure ce support de cris- 5 tal étant caractérisé en ce qu'au moins la surface du support de cristal est en un métal... |
REVENDICATIONS ;\n<CLM>\1\tSupport for a semiconductor crystal covered with an gold layer on which the semiconductor crystal is fixed using a solder material, the support of the semiconductor crystal being characterized in that at least the surface of the support of the semiconductor crystal is made of a metal which ... |
FR2053238A1 | A1 | 19710416 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Structure semi-conductrice comprenant un substrat sur lequel sont formées une série de régions isolées de matériau semi-conducteur monocristallin, chacune de ces régions 5 étant propre à contenir au moins un dispositif semi-conducteur ladite structure étant caractérisée en ce que le substrat contient... | 1,496 | REVENDICATIONS 1.- Structure semi-conductrice comprenant un substrat sur lequel sont formées une série de régions isolées de matériau semi-conducteur monocristallin, chacune de ces régions 5 étant propre à contenir au moins un dispositif semi-conducteur ladite structure étant caractérisée en ce que le substrat contient... | 1,496 | REQUIREMENTS 1.- A semi-conducting structure comprising a substrate on which a series of isolated regions of monocrystalline semiconductor material are formed, each of these regions containing at least one semiconductor device. The said structure is characterized in that the substrate contains, on a selected surface, a... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Structure semi-conductrice comprenant un substrat sur lequel sont formées une série de régions isolées de matériau semi-conducteur monocristallin, chacune de ces régions 5 étant propre à contenir au moins un dispositif semi-conducteur ladite structure étant caractérisée en ce que le... | REQUIREMENTS 1.- A semi-conducting structure comprising a substrate on which a series of isolated regions of monocrystalline semiconductor material are formed, each of these regions containing at least one semiconductor device. The said structure is characterized in that the substrate contains, on a selected surface, a... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Structure semi-conductrice comprenant un substrat sur lequel sont formées une série de régions isolées de matériau semi-conducteur monocristallin, chacune de ces régions 5 étant propre à contenir au moins un dispositif semi-conducteur ladite structure étant caractérisée en ce... |
REQUIREMENTS 1.- A semi-conducting structure comprising a substrate on which a series of isolated regions of monocrystalline semiconductor material are formed, each of these regions containing at least one semiconductor device. The said structure is characterized in that the substrate contains, on a selected surface,... |
FR2053282A1 | A1 | 19710416 | claim | claims | 1 | R E V E i D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tProcédé pour améliorer la ténacité et la soudabilité de plaques en métal ferreux, faiblement allié à haute résistance mécanique, caractérisé en ce qu'on prépare un alliage ferreux contenant, en poids, moins de 0,20% de carbcne, 0,025 à ,065,ö de colombium et la quasi-totalité de la... | 1,585 | R E V E i D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tProcédé pour améliorer la ténacité et la soudabilité de plaques en métal ferreux, faiblement allié à haute résistance mécanique, caractérisé en ce qu'on prépare un alliage ferreux contenant, en poids, moins de 0,20% de carbcne, 0,025 à ,065,ö de colombium et la quasi-totalité de la... | 1,585 | REVISIONS | Translate FR->EN:
R E V E i D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tProcédé pour améliorer la ténacité et la soudabilité de plaques en métal ferreux, faiblement allié à haute résistance mécanique, caractérisé en ce qu'on prépare un alliage ferreux contenant, en poids, moins de 0,20% de carbcne, 0,025 à ,065,ö de colombium et la qu... | REVISIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E i D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tProcédé pour améliorer la ténacité et la soudabilité de plaques en métal ferreux, faiblement allié à haute résistance mécanique, caractérisé en ce qu'on prépare un alliage ferreux contenant, en poids, moins de 0,20% de carbcne, 0,025 à ,065,ö de colombium e... |
REVISIONS
<CLM>
1 Process for improving the tenacity and weldability of iron-based plates, weakly alloyed with high mechanical strength, characterized in that a ferritic alloy containing, by weight, less than 0.20% of carbon, 0.025 to 0.065% of columbium and the majority of the difference in iron, in a form suitable ... |
FR2058238A1 | A1 | 19710528 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1/ Diode de schottky comprenant des moyens formant un substrat en un matériau semiconducteur de type N en arséniure de gallium, des moyens formant une couche métallique adjacente audit 5 substrat semiconducteur afin de définir une barrière de Schottky à la jonction dudit matériau de type N et de ladite c... | 1,743 | REVENDICATIONS 1/ Diode de schottky comprenant des moyens formant un substrat en un matériau semiconducteur de type N en arséniure de gallium, des moyens formant une couche métallique adjacente audit 5 substrat semiconducteur afin de définir une barrière de Schottky à la jonction dudit matériau de type N et de ladite c... | 1,743 | REVENDICATIONS 1/ A Schottky diode comprising means forming a substrate of a semiconductor material of type N in gallium arsenide, means forming a metal layer adjacent to the semiconductor substrate to define a Schottky barrier at the junction of said N-type material and said metal layer, and a pair of terminals for ap... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1/ Diode de schottky comprenant des moyens formant un substrat en un matériau semiconducteur de type N en arséniure de gallium, des moyens formant une couche métallique adjacente audit 5 substrat semiconducteur afin de définir une barrière de Schottky à la jonction dudit matériau de typ... | REVENDICATIONS 1/ A Schottky diode comprising means forming a substrate of a semiconductor material of type N in gallium arsenide, means forming a metal layer adjacent to the semiconductor substrate to define a Schottky barrier at the junction of said N-type material and said metal layer, and a pair of terminals for ap... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1/ Diode de schottky comprenant des moyens formant un substrat en un matériau semiconducteur de type N en arséniure de gallium, des moyens formant une couche métallique adjacente audit 5 substrat semiconducteur afin de définir une barrière de Schottky à la jonction dudit matériau... |
REVENDICATIONS 1/ A Schottky diode comprising means forming a substrate of a semiconductor material of type N in gallium arsenide, means forming a metal layer adjacent to the semiconductor substrate to define a Schottky barrier at the junction of said N-type material and said metal layer, and a pair of terminals for ... |
FR2060067A1 | A1 | 19710611 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Dispositif semi-conducteur comportant une pastille semi-conductrice d'un premier type de conductivité ayant une surface principale, une première région d'un second type de conductivité 5 dans ladite pastille s'étendant jusqu'à cette surface, une seconde région du premier type de conductivité dans lad... | 1,534 | REVENDICATIONS 1 - Dispositif semi-conducteur comportant une pastille semi-conductrice d'un premier type de conductivité ayant une surface principale, une première région d'un second type de conductivité 5 dans ladite pastille s'étendant jusqu'à cette surface, une seconde région du premier type de conductivité dans lad... | 1,534 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Dispositif semi-conducteur comportant une pastille semi-conductrice d'un premier type de conductivité ayant une surface principale, une première région d'un second type de conductivité 5 dans ladite pastille s'étendant jusqu'à cette surface, une seconde région du premier type de con... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Dispositif semi-conducteur comportant une pastille semi-conductrice d'un premier type de conductivité ayant une surface principale, une première région d'un second type de conductivité 5 dans ladite pastille s'étendant jusqu'à cette surface, une seconde région du premier type... | |||
FR2060081A1 | A1 | 19710611 | claim | claims | 1 | 70 23634 2060081 R_E_Y_E_N_D_]I_C_A_T_I_0_E_S\n<CLM>\1\tDispositif à semiconducteur du type comprenant un substrat en un matériau diélectrique, un composant semiconducteur comprenant une couche de -matériau semiconducteur sur ledit substrat,' et un plot de connexion sur ledit substrat, caractérisé 5 en ce que ledit plo... | 1,386 | 70 23634 2060081 R_E_Y_E_N_D_]I_C_A_T_I_0_E_S\n<CLM>\1\tDispositif à semiconducteur du type comprenant un substrat en un matériau diélectrique, un composant semiconducteur comprenant une couche de -matériau semiconducteur sur ledit substrat,' et un plot de connexion sur ledit substrat, caractérisé 5 en ce que ledit plo... | 1,386 | 70 23634 2060081 R_E_Y_E_N_D_]I_C_A_T_I_0_E_S | Translate FR->EN:
70 23634 2060081 R_E_Y_E_N_D_]I_C_A_T_I_0_E_S\n<CLM>\1\tDispositif à semiconducteur du type comprenant un substrat en un matériau diélectrique, un composant semiconducteur comprenant une couche de -matériau semiconducteur sur ledit substrat,' et un plot de connexion sur ledit substrat, caractérisé 5 e... | 70 23634 2060081 R_E_Y_E_N_D_]I_C_A_T_I_0_E_S | <|BOS|>Translate FR->EN:
70 23634 2060081 R_E_Y_E_N_D_]I_C_A_T_I_0_E_S\n<CLM>\1\tDispositif à semiconducteur du type comprenant un substrat en un matériau diélectrique, un composant semiconducteur comprenant une couche de -matériau semiconducteur sur ledit substrat,' et un plot de connexion sur ledit substrat, caractér... |
70 23634 2060081 R_E_Y_E_N_D_]I_C_A_T_I_0_E_S
<CLM>1 Dispositif à semiconducteur du type comprenant un substrat en un matériau diélectrique, un composant semiconducteur comprenant une couche de -matériau semiconducteur sur ledit substrat,' et un plot de connexion sur ledit substrat, caractérisé 5 en ce que ledit plot... |
FR2061669A1 | A1 | 19710625 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tRedresseur à haute tension au sélénium, en particulier pour redresser la tension accélératrice du faisceau d'électrons dans un tube image, comportant plusieurs unités redresseuses connectées en série, caractérisé en ce qu'on utilise des unités redresseuses ayant des courbes caractéristiques inv... | 1,445 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tRedresseur à haute tension au sélénium, en particulier pour redresser la tension accélératrice du faisceau d'électrons dans un tube image, comportant plusieurs unités redresseuses connectées en série, caractérisé en ce qu'on utilise des unités redresseuses ayant des courbes caractéristiques inv... | 1,445 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tRedresseur à haute tension au sélénium, en particulier pour redresser la tension accélératrice du faisceau d'électrons dans un tube image, comportant plusieurs unités redresseuses connectées en série, caractérisé en ce qu'on utilise des unités redresseuses ayant des courbes ca... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tRedresseur à haute tension au sélénium, en particulier pour redresser la tension accélératrice du faisceau d'électrons dans un tube image, comportant plusieurs unités redresseuses connectées en série, caractérisé en ce qu'on utilise des unités redresseuses ayant des cou... | |||
FR2061685A1 | A1 | 19710625 | claim | claims | 1 | 70 32896 8 2061685 BEVENDICATIONS:\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur dont le corps semiconducteur comporte au moins un transistor à effet de champ à électrode-porte isolée alors qu'au moins une surface dudit corps est recouverte au moins par- 5 tiellement d'une couche isolante, une région de substrat, d'un premier ty... | 1,703 | 70 32896 8 2061685 BEVENDICATIONS:\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur dont le corps semiconducteur comporte au moins un transistor à effet de champ à électrode-porte isolée alors qu'au moins une surface dudit corps est recouverte au moins par- 5 tiellement d'une couche isolante, une région de substrat, d'un premier ty... | 1,703 | 70 32896 8 2061685 BEVENDICATIONS:<CLM>1 Dispositif semiconducteur dont le corps semiconducteur comporte au moins un transistor à effet de champ à électrode-porte isolée alors qu'au moins une surface dudit corps est recouverte au moins par-5 tiellement d'une couche isolante, une région de substrat, d'un premier type de... | Translate FR->EN:
70 32896 8 2061685 BEVENDICATIONS:\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur dont le corps semiconducteur comporte au moins un transistor à effet de champ à électrode-porte isolée alors qu'au moins une surface dudit corps est recouverte au moins par- 5 tiellement d'une couche isolante, une région de substra... | 70 32896 8 2061685 BEVENDICATIONS:<CLM>1 Dispositif semiconducteur dont le corps semiconducteur comporte au moins un transistor à effet de champ à électrode-porte isolée alors qu'au moins une surface dudit corps est recouverte au moins par-5 tiellement d'une couche isolante, une région de substrat, d'un premier type de... | <|BOS|>Translate FR->EN:
70 32896 8 2061685 BEVENDICATIONS:\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur dont le corps semiconducteur comporte au moins un transistor à effet de champ à électrode-porte isolée alors qu'au moins une surface dudit corps est recouverte au moins par- 5 tiellement d'une couche isolante, une région de ... | 70 32896 8 2061685 BEVENDICATIONS:<CLM>1 Dispositif semiconducteur dont le corps semiconducteur comporte au moins un transistor à effet de champ à électrode-porte isolée alors qu'au moins une surface dudit corps est recouverte au moins par-5 tiellement d'une couche isolante, une région de substrat, d'un premier type de... |
FR2061757A1 | A1 | 19710625 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tCircuit intégré du type- comprenant au voisinage de la surface d'une pièce de matériau semiconducteur un domaine désolation présentant une conductivité d'un premier type et plusieurs 5 zones séparées présentant la conductivité de l'autre type , chacune desdites zones étant isolée par une joncti... | 1,461 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tCircuit intégré du type- comprenant au voisinage de la surface d'une pièce de matériau semiconducteur un domaine désolation présentant une conductivité d'un premier type et plusieurs 5 zones séparées présentant la conductivité de l'autre type , chacune desdites zones étant isolée par une joncti... | 1,461 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tCircuit intégré du type- comprenant au voisinage de la surface d'une pièce de matériau semiconducteur un domaine désolation présentant une conductivité d'un premier type et plusieurs 5 zones séparées présentant la conductivité de l'autre type , chacune desdites zones étant iso... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tCircuit intégré du type- comprenant au voisinage de la surface d'une pièce de matériau semiconducteur un domaine désolation présentant une conductivité d'un premier type et plusieurs 5 zones séparées présentant la conductivité de l'autre type , chacune desdites zones ét... | |||
FR2064339A1 | A1 | 19710723 | claim | claims | 1 | 70 36892 2064339 H E 7 S I D I C A I I O H S 1.- Agent à tn.se de fluorure d'ammonium et d'acide fluorhydrique pour la réalisation de configurations dans des couches minces d'oxyde de silicium par décapage 5 sélectif, caractérisé en ce qu'il contient au moins l'un des composés choisis dans le groupe formé par le trioxy... | 1,483 | 70 36892 2064339 H E 7 S I D I C A I I O H S 1.- Agent à tn.se de fluorure d'ammonium et d'acide fluorhydrique pour la réalisation de configurations dans des couches minces d'oxyde de silicium par décapage 5 sélectif, caractérisé en ce qu'il contient au moins l'un des composés choisis dans le groupe formé par le trioxy... | 1,483 | 70 36892 2064339 H E 7 S I D I C A I I O H S 1.- Agent à tn.se de fluorure d'ammonium et d'acide fluorhydrique pour la réalisation de configurations dans des couches minces d'oxyde de silicium par décapage 5 sélectif, caractérisé en ce qu'il contient au moins l'un des composés choisis dans le groupe formé par le trioxy... | Translate FR->EN:
70 36892 2064339 H E 7 S I D I C A I I O H S 1.- Agent à tn.se de fluorure d'ammonium et d'acide fluorhydrique pour la réalisation de configurations dans des couches minces d'oxyde de silicium par décapage 5 sélectif, caractérisé en ce qu'il contient au moins l'un des composés choisis dans le groupe f... | 70 36892 2064339 H E 7 S I D I C A I I O H S 1.- Agent à tn.se de fluorure d'ammonium et d'acide fluorhydrique pour la réalisation de configurations dans des couches minces d'oxyde de silicium par décapage 5 sélectif, caractérisé en ce qu'il contient au moins l'un des composés choisis dans le groupe formé par le trioxy... | <|BOS|>Translate FR->EN:
70 36892 2064339 H E 7 S I D I C A I I O H S 1.- Agent à tn.se de fluorure d'ammonium et d'acide fluorhydrique pour la réalisation de configurations dans des couches minces d'oxyde de silicium par décapage 5 sélectif, caractérisé en ce qu'il contient au moins l'un des composés choisis dans le g... |
70 36892 2064339 H E 7 S I D I C A I I O H S 1.- Agent à tn.se de fluorure d'ammonium et d'acide fluorhydrique pour la réalisation de configurations dans des couches minces d'oxyde de silicium par décapage 5 sélectif, caractérisé en ce qu'il contient au moins l'un des composés choisis dans le groupe formé par le trio... |
FR2065563A1 | A1 | 19710730 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour fabriquer des circuits électroniques à semi-conducteurs comportant des voies conductrices, consistant à déposer sur un corps semi-conducteur d'abord une couche adhérente 5 métallique, puis une couche servant de préférence de couche d'arrêt et enfin une couche d'or constituant lesdi... | 1,249 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour fabriquer des circuits électroniques à semi-conducteurs comportant des voies conductrices, consistant à déposer sur un corps semi-conducteur d'abord une couche adhérente 5 métallique, puis une couche servant de préférence de couche d'arrêt et enfin une couche d'or constituant lesdi... | 1,249 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour fabriquer des circuits électroniques à semi-conducteurs comportant des voies conductrices, consistant à déposer sur un corps semi-conducteur d'abord une couche adhérente 5 métallique, puis une couche servant de préférence de couche d'arrêt et enfin une couche d'or... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour fabriquer des circuits électroniques à semi-conducteurs comportant des voies conductrices, consistant à déposer sur un corps semi-conducteur d'abord une couche adhérente 5 métallique, puis une couche servant de préférence de couche d'arrêt et enfin une couc... | |||
FR2067037A1 | A1 | 19710813 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDétecteur pour le comptage de parti cules nucléaires et de rayons X, comportant un corps de base sensible aux rayonnements, caractérisé par le fait que le corps de base est formé au moins partiellement d'oxyde de plomb (PbO)o 2o Détecteur suivant la revendication 19 caractérisé par le fait que ... | 547 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDétecteur pour le comptage de parti cules nucléaires et de rayons X, comportant un corps de base sensible aux rayonnements, caractérisé par le fait que le corps de base est formé au moins partiellement d'oxyde de plomb (PbO)o 2o Détecteur suivant la revendication 19 caractérisé par le fait que ... | 547 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDétecteur pour le comptage de parti cules nucléaires et de rayons X, comportant un corps de base sensible aux rayonnements, caractérisé par le fait que le corps de base est formé au moins partiellement d'oxyde de plomb (PbO)o 2o Détecteur suivant la revendication 19 caractéris... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDétecteur pour le comptage de parti cules nucléaires et de rayons X, comportant un corps de base sensible aux rayonnements, caractérisé par le fait que le corps de base est formé au moins partiellement d'oxyde de plomb (PbO)o 2o Détecteur suivant la revendication 19 car... |
<<<ENDTR>>>
REQUIREMENTS
<CLM>1
Nuclear particle and X-ray counting detector comprising a base body sensitive to radiation, characterized by the fact that the base body is at least partially composed of lead oxide (PbO)2
Detector according to claim 19 characterized by the fact that the base body is monocrystalline... | ||
FR2067069A1 | A1 | 19710813 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un contact ayant une bonne adhérence sur un corps semi-conducteur par formation d'un eutectique à partir d'un métal et du matériau semi-conducteur, une ^ couche de nickel étant déposée sans courant sur 1'eutectique, caractérisé par le fait que l'on utilise comme métal d... | 1,561 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un contact ayant une bonne adhérence sur un corps semi-conducteur par formation d'un eutectique à partir d'un métal et du matériau semi-conducteur, une ^ couche de nickel étant déposée sans courant sur 1'eutectique, caractérisé par le fait que l'on utilise comme métal d... | 1,561 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un contact ayant une bonne adhérence sur un corps semi-conducteur par formation d'un eutectique à partir d'un métal et du matériau semi-conducteur, une ^ couche de nickel étant déposée sans courant sur 1'eutectique, caractérisé par le fait que l'on uti... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un contact ayant une bonne adhérence sur un corps semi-conducteur par formation d'un eutectique à partir d'un métal et du matériau semi-conducteur, une ^ couche de nickel étant déposée sans courant sur 1'eutectique, caractérisé par le fait que l... |
REVENDICATIONS
<CLM>1 Process of manufacturing a contact having good adhesion on a semiconductor body by forming an eutectic from a metal and a semiconductor material, a nickel layer being deposited without current on the eutectic, characterized by the fact that gold is used as the metal, that the gold is deposited w... |
FR2067080A1 | A1 | 19710813 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Circuit intégré de commutation à vitesse élevée, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs transistors de commutation avec une région de collecteur commun mais avec des régions de 5 base et d'émetteur séparées, ce circuit intégré comprenant des moyens pour inhiber ou réduire l'action de transistor p... | 1,905 | REVENDICATIONS 1 - Circuit intégré de commutation à vitesse élevée, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs transistors de commutation avec une région de collecteur commun mais avec des régions de 5 base et d'émetteur séparées, ce circuit intégré comprenant des moyens pour inhiber ou réduire l'action de transistor p... | 1,905 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Circuit intégré de commutation à vitesse élevée, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs transistors de commutation avec une région de collecteur commun mais avec des régions de 5 base et d'émetteur séparées, ce circuit intégré comprenant des moyens pour inhiber ou réduire l'acti... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Circuit intégré de commutation à vitesse élevée, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs transistors de commutation avec une région de collecteur commun mais avec des régions de 5 base et d'émetteur séparées, ce circuit intégré comprenant des moyens pour inhiber ou réduire... | |||
FR2068620A1 | A1 | 19710827 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, caractérisé en ce qu'il consiste à revêtir un élement de support (10) ayant la forme d'une pellicule avec une couche de matériau conducteur (22) pour former un stratifié flexible, à former dans ledit stratifié un réseau de conducteurs compo... | 1,538 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, caractérisé en ce qu'il consiste à revêtir un élement de support (10) ayant la forme d'une pellicule avec une couche de matériau conducteur (22) pour former un stratifié flexible, à former dans ledit stratifié un réseau de conducteurs compo... | 1,538 | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, caractérisé en ce qu'il consiste à revêtir un élement de support (10) ayant la forme d'une pellicule avec une couche de matériau conducteur (22) pour former un stratifié flexible, à former dans ledit stratifié un réseau de... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, caractérisé en ce qu'il consiste à revêtir un élement de support (10) ayant la forme d'une pellicule avec une couche de matériau conducteur (22) pour former un stratifié flexible, à former dans ledit stratifié un ré... | |||
FR2068825A1 | A1 | 19710903 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 10 1 Dispositif formant transistor du type comprenant des régions respectivement d ' émetteur, de "base et de collecteur de. types alternés .de .conductivité et ayant une jonction PN entre les régions respectivement d'émetteur et de base ainsi qu'une autre jonction PN entre les régions respectivement de ... | 1,978 | REVENDICATIONS 10 1 Dispositif formant transistor du type comprenant des régions respectivement d ' émetteur, de "base et de collecteur de. types alternés .de .conductivité et ayant une jonction PN entre les régions respectivement d'émetteur et de base ainsi qu'une autre jonction PN entre les régions respectivement de ... | 1,978 | REVENDICATIONS 10 1 Device forming a transistor of the type comprising respectively emitter, base and collector regions of alternating conductivity types and having a PN junction between the emitter and base regions and another PN junction between the base and collector regions, characterized in that the said emitter r... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 10 1 Dispositif formant transistor du type comprenant des régions respectivement d ' émetteur, de "base et de collecteur de. types alternés .de .conductivité et ayant une jonction PN entre les régions respectivement d'émetteur et de base ainsi qu'une autre jonction PN entre les régions ... | REVENDICATIONS 10 1 Device forming a transistor of the type comprising respectively emitter, base and collector regions of alternating conductivity types and having a PN junction between the emitter and base regions and another PN junction between the base and collector regions, characterized in that the said emitter r... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 10 1 Dispositif formant transistor du type comprenant des régions respectivement d ' émetteur, de "base et de collecteur de. types alternés .de .conductivité et ayant une jonction PN entre les régions respectivement d'émetteur et de base ainsi qu'une autre jonction PN entre les r... |
REVENDICATIONS 10 1 Device forming a transistor of the type comprising respectively emitter, base and collector regions of alternating conductivity types and having a PN junction between the emitter and base regions and another PN junction between the base and collector regions, characterized in that the said emitter... |
FR2070063A1 | A1 | 19710910 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de réduction des pertes embryonnaires chez les animaux domestiques, caractérisé par le fait qu'il consiste à administrer à ces animaux pendant les premiers stades de la gestation une quantité thérapeutiquement efficace dlun composé doué de propriétés hypoglycémiques par voie orale.\n<CL... | 1,855 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de réduction des pertes embryonnaires chez les animaux domestiques, caractérisé par le fait qu'il consiste à administrer à ces animaux pendant les premiers stades de la gestation une quantité thérapeutiquement efficace dlun composé doué de propriétés hypoglycémiques par voie orale.\n<CL... | 1,855 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de réduction des pertes embryonnaires chez les animaux domestiques, caractérisé par le fait qu'il consiste à administrer à ces animaux pendant les premiers stades de la gestation une quantité thérapeutiquement efficace dlun composé doué de propriétés hypoglycémiques pa... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de réduction des pertes embryonnaires chez les animaux domestiques, caractérisé par le fait qu'il consiste à administrer à ces animaux pendant les premiers stades de la gestation une quantité thérapeutiquement efficace dlun composé doué de propriétés hypoglycémi... |
REVENDICATIONS
<CLM>1 Process for reducing embryonic losses in domestic animals, characterized by the fact that it consists in administering to these animals during the early stages of gestation a therapeutically effective amount of a compound possessing hypoglycemic properties by oral administration.
<CLM>1 Process ... |
FR2070856A1 | A1 | 19710917 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDiode à jonction métal-semiconducteur comportant une première couche isolante disposée sur un corps semiconducteur et pourvue d'une première fenêtre de contact, caractérisée en ce qu'une deuxième couche isolante, plus mince par rapport à la pre- 5 mière couche isolante, présente une deuxième fe... | 1,838 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDiode à jonction métal-semiconducteur comportant une première couche isolante disposée sur un corps semiconducteur et pourvue d'une première fenêtre de contact, caractérisée en ce qu'une deuxième couche isolante, plus mince par rapport à la pre- 5 mière couche isolante, présente une deuxième fe... | 1,838 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDiode à jonction métal-semiconducteur comportant une première couche isolante disposée sur un corps semiconducteur et pourvue d'une première fenêtre de contact, caractérisée en ce qu'une deuxième couche isolante, plus mince par rapport à la pre- 5 mière couche isolante, présen... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDiode à jonction métal-semiconducteur comportant une première couche isolante disposée sur un corps semiconducteur et pourvue d'une première fenêtre de contact, caractérisée en ce qu'une deuxième couche isolante, plus mince par rapport à la pre- 5 mière couche isolante,... |
REVENDICATIONS
<CLM>1 An insulated layer comprising a first insulating layer disposed on a semiconductor body and provided with a first contact window, characterized in that a second insulating layer, thinner than the first insulating layer, presents a second contact window smaller than the first contact window, so t... |
FR2074675A1 | A1 | 19711008 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor NOS (métaL-oxyde semiconducteur), caractérisé en ce que l'on prend une plaquette de matériau semiconducteur recouverte d'une couche de silice sauf à l'emplacement de régions de contact prévues notamment en regard de régions de source et de drain, on recouv... | 1,965 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor NOS (métaL-oxyde semiconducteur), caractérisé en ce que l'on prend une plaquette de matériau semiconducteur recouverte d'une couche de silice sauf à l'emplacement de régions de contact prévues notamment en regard de régions de source et de drain, on recouv... | 1,965 | REVENDICATIONS | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor NOS (métaL-oxyde semiconducteur), caractérisé en ce que l'on prend une plaquette de matériau semiconducteur recouverte d'une couche de silice sauf à l'emplacement de régions de contact prévues notamment en regard de régions de source et d... | REVENDICATIONS | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor NOS (métaL-oxyde semiconducteur), caractérisé en ce que l'on prend une plaquette de matériau semiconducteur recouverte d'une couche de silice sauf à l'emplacement de régions de contact prévues notamment en regard de régions de sour... |
REVENDICATIONS
<CLM>1 Process of manufacturing an NOS transistor (metal-oxide semiconductor), characterized in that a semiconductor substrate is covered with a layer of silicon oxide, except at the locations of the contact regions, particularly in view of source and drain regions, a layer of a metal is then applied t... |
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