Split (1)

train · 658k rows

input stringclasses 6 values	output stringlengths 0 10.2k	instruction stringlengths 4 833k
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	이러한 고려상표군 형성 이론이 제시된 이후 다양한 시각에서 연구가 이루어져 왔다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 소비자들은 최종 선택 전 중간 행동으로써 선택 대안을 모색하는 과정으로 소수의 매력적인 대안을 구성하고 소수 대안 중에 최종 대안을 선택하게 된다. 대안의 수가 증가하게 되면 소비자가 많은 대안을 비교 평가하기 위하여 보다 많은 시간과 노력을 투입해야 할 뿐만 아니라 구매의사결정 과정이 복잡하게 된다. 선행연구 중 소비자 구매과정의 단계적 선택 이론에 의하면 소비자는 초기 가능한 많은 대안에서 단계과정을 걸치면서 점진적으로 대안의 수를 줄여 최종적으로는 최적 대안 하나를 선택하게 된다. 단계적 선택 이론에서는 중간과정의 단계 구성에 관해서는 연구마다 다른 이견을 제시하지만, 고려상표군 형성하는 과정이 있다는 접근 이론은 거의 일치를 보이고 있다. 이러한 단계적 선택 이론모형은 기업 실무에서도 활용도가 높다라고 할 수 있다.
	제목: 금산군보건소, '고혈압·당뇨교실' 상설 운영 금산군보건소는 3월부터 하반기까지 매월 4번째 금요일마다 금산군 보건소 2층 다목적실에서 고혈압, 당뇨병, 이상지질혈증에 관심 있는 군민 대상으로 '고혈압·당뇨 건강교실'을 운영해 만성질환에 대한 올바른 정보제공과 건강생활실천을 유도, 심뇌혈관질환과 합병증 예방해 금산군민의 삶의 질을 높이겠다고 전했다.	주어진 문장에 적절한 제목을 생성하고, 내용을 요약해주세요. 문장: 금산군보건소가 군민들을 대상으로 고협압과 당뇨 건강교실을 운영하고 있다. / 금산군 제공 금산군보건소는3월부터 매월 네째주 금요일마다 금산군 보건소 2층 다목적실에서 오후 2시부터 3시까지 고혈압, 당뇨병, 이상지질혈증에 관심 있는 군민들을 대상으로 '고혈압·당뇨 건강교실'을 운영한다. 참여자는 하반기까지 지속적으로 모집한다. 심뇌혈관질환은 우리나라 주요 사망원인을 차지하는 심근경색·뇌졸중 등과 그에 선행하는 고혈압·당뇨병을 지칭하며 사회경제적 부담이 큰 질병으로 예방관리가 중요하다. 이에 고혈압·당뇨병 환자들의 올바른 자가 건강관리 능력 향상을 위해 실시되는 맞춤형 교육으로 매월 공중보건내과의사, 공중보건치과의사, 간호사와 영양사, 운동처방사 등 통합건강증진 전문 요원이 교육이 병행된다. 심뇌혈관질환자의 치아관리, 고혈압 및 당뇨병의 예방과 관리, 올바른 식이요법 및 짠맛예민도 알기, 각 질환별 올바른 운동방법 등 다양한 프로그램을 이뤄진다. 또한 기초건강측정(혈압, 혈당, 고지혈증)을 실시해 고위험자는 의료기관에 정기검진을 받도록 할 계획이다. 보건소 관계자는 "고혈압, 당뇨 건강교실을 통해 만성질환에 대한 올바른 정보제공과 건강생활실천을 유도, 심뇌혈관질환을 예방하고 합병증을 최소화해 지역사회의 삶의 질 향상을 이뤄나가겠다"고 말했다. 자세한 문의는 금산군 보건소 보건의료팀(043-750-4373, 4375)으로 문의하면 된다.
	대한애국당 조원진 의원은 기존의 물관리기술 법이 물산업 관련 전문인력 양성과 관련하여 구체적이고 체계적으로 규정되어 있지 않는 부분을 보완한 '물관리기술 발전 및 물산업 진흥에 관한 법률 일부개정법률안'을 대표발의했으며, 물산업이 발전하기 위해서는 전문인력의 확보와 양성이 필요함을 재차 강조했다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 14일 ‘물관리기술 발전 및 물산업 진흥에 관한 법률 일부개정법률안’대표발의 조원진 의원미래 산업의 핵심 분야로 꼽히는 물산업 기업들의 고충을 해결하기 위한 법안이 발의됐다. 대한애국당 조원진 의원(대구 달서구병)은 14일 물산업 육성을 위한 전문인력 확보를 위한 구체적 근거를 마련하는 ‘물관리기술 발전 및 물산업 진흥에 관한 법률 일부개정법률안’을 대표발의했다. 조 의원에 따르면 ‘물관리기술 발전 및 물산업 진흥에 관한 법률’은 물관리기술의 발전과 물산업 진흥을 위해 지난해 6월 제정한 뒤 12월 시행됐지만 물산업 관련 전문인력 양성과 관련, 구체적이고 체계적으로 규정하고 있지 않아 물산업 기업들이 어려움을 겪어 왔다. 이번 개정안에는 정부가 물산업 관련 전문인력 양성을 위한 시책을 수립·추진할 수 있도록 하고, 전문인력 양성기관을 지정하여 지원할 수 있도록 하며, 물산업 관련 전문인력 양성 등을 위한 사업을 추진할 수 있는 근거를 마련, 물산업 발전의 기반을 조성토록한 것이 특징이다. 조 의원은 “미래산업의 핵심 분야인 물산업이 대한민국의 성장동력으로 발전하기 위해서는 세계적인 전문인력 확보와 양성이 반드시 필요하며 이를 위한 대학 또는 대학원의 연구능력 향상과 전문적인 인력양성 프로그램이 반드시 필요하다”면서 “물산업 전문인력을 안정적으로 확보하여 물산업 기업이 겪고 있는 전문인력 부족과 제품 상용화 등을 적극 지원함으로써 물산업의 중장기적 발전을 이끌어야 한다”고 말했다. 한편 이번 개정안은 조 의원을 비롯 박대출, 박완수, 홍문종, 서청원, 김석기, 함진규, 윤상직, 최교일, 윤상현, 김정재 의원 등이 공동발의했다. 이창재 기자 lcj@idaegu.com
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	이 과정은 이장의 3절에서 자세히 설명 한다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: DVC 인코더는 움직임 보상과 같은 큰 계산량을 필요로 하는 알고리듬을 수행하는 대신 전송하려는 프레임에 대한 패리티 비트를 인코더 내 채널 코더로 생성하여 전송하는 간단한 작업만을 수행한다. 디코더는 보조 정보 ‘Y’를 생성하고 인코더 측에 전송 프레임과 보조 정보 간 비트 에러율 (BER)을 인코더에 보고한다. 인코더는 디코더로부터 보고 받은 비트 에러율에 따라 적절한 양의 패리티 비트를 전송한다. 이 장의 1절은 채널 코더의 성능과 비트율을 제어하 는 방법에 대하여 살펴본다. 이어서 2절에서는 보조 정보 ‘V를 생성하는 방법에 대해 간략하게 설명한다. 패리티 비 트를 수신한 디코더는 디코더 내의 채널 디코더로 양자화 된 정보를 표현하는 비트열 중 인코더에서 송신한 일부 비트들만을 복호 한다. 이 과정을 위해 보조 정보 노는 전송 정보표에 비트 에러가 발생한 것으로 인식되어 수신된 패리티 비트와 함께 채널 디코더에 입력된다. 채널 디코더의 출력이 되는 전송 정보 비트열의 일부 비트들은 또 다시 보조 정보 노를 참조함으로써 전송 정보 비트열 전체를 복 호하는데 이용된다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	만약에, CCF가 발생함과 동시에 원자로가 과도한 동작으로 그 동작을 반드시 멈춰야 하는 상황이 나타나는 경우, 원자로 가동을 정지하는 제어봉 낙하가 제대로 이루어지지 못하므로, 큰 사고가 반드시 발생하게 될 수 있다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 원자력 발전은 핵분열 연쇄반응을 통하여 발생한 에너지로 물을 끓여 발생시킨 수증기로 터빈발전기를 돌려 전기를 생산하는 발전을 말한다. 양성자와 중성자로 구성된 원자핵에서, 핵자들을 완전하게 분리하여 자유로운 입자로 만들 때 필요한 에너지가 방출하면서 거대한 에너지가 생성되므로, 이러한 원자력발전은 아주 적은 양의 연료로도 많은 에너지를 얻을 수 있는 가장 적합한 동력원에 해당하며, 전세계의 대부분 나라에서 원자력 발전을 이용하여 전기를 생산하고 있다.그런데, 원자력 발전의 경우, 원자력의 이용이 매우 큰 위험을 수반하고 있기 때문에, 많은 안전 장치와 고도로 훈련된 전문가의 통제가 반드시 필요하게 된다. 원자력안전계통은 원자로 보호계통 및 관련 공정보호계통, 발전소 제어계통 등으로 구성되며, 특히 원자로 보호계통은 공정제어설비, 노외핵계측설비 및 현장신호를 받아 원자로 보호를 위한 안전정지, 사고완화를 위한 공학적 안전신호 발생 및 관련기기 동작을 수행할 수 있다.이 때, 원자로의 가동시 원자로보호계통 자체에 단일고장에 의한 원자로 정지 유발요소(SPV; Single Point Vulnerability)가 나타날 수 있다. SPV(Single Point Vulnerability)는 단일 고장 취약성을 의미하며, 원자로를 구성하는 부품 등에 고장이 발생함으로써 발전소를 정지할 수 있는 유발 요소를 말한다. 종래의 원자력 발전소 안전 계통 시스템의 경우, 일반적인 SPV에 대하여는 즉각적인 대응이 가능하였으나, Universal Logic Card, Safeguard Driver, Under-Voltage Coil Driver의 3종을 포함하는 단일고장에 의한 원자로 정지 유발요소에는 효율적으로 대응할 수 없는 문제점이 존재하였다. 특히, 3종의 SPV 중에서도 70개 내지 80~90개의 SPV가 존재할 수 있으므로, 종래의 원자력 발전소 안전 계통 시스템은 해당 3종의 SPV의 발생에 대한 보호 설계에 매우 취약하게 된다.한편, 도 1을 참조하면, 원자력 발전소 안전 계통 시스템의 고장은 SPV 뿐만 아니라 CCF(Common Caused Failure; 공통 유형 고장)를 반드시 고려하여야 한다. CCF는 모든 장비에서 공통적으로 가지고 있는 잠재적 고장요소를 말하며, CCF가 발생하게 되는 경우 모든 감지 장치 또는 모든 원자로 안전 시스템이 고장나 제대로 동작하지 못하는 문제가 발생하게 된다. 예를 들어, Y2K 문제의 경우, 모든 장비가 2000년이 되는 순간 급격한 혼란을 일으켜 컴퓨팅 장치들이 죽을 수 있게 된다.종래의 원자력 발전소 안전계통 시스템의 경우, SPV에 대한 방비는 되어 있지만 CCF에 대한 고려가 되어 있지 않아, CCF의 발생시 원자력 발전소 전체가 동작을 제대로 할 수 없는 문제가 될 수 있다.
	본 발명은 화학식 I의 융합된 헤테로사이클릭 유도체에 관한 것이다. 변수 R1 내지 R4, z, A, Q, X 및 Y는 특허청구범위에 정의된 바와 같다. 하기 헤테로사이클들은 화학식 I의 하위-구조들을 예시한 것이다: 화학식 I 화학식 I의 화합물은 S1P 수용체(스핑고신-1-포스페이트 수용체)의 조절제이다. 더욱 구체적으로, 이들은 S1P5의 작용제이다. 상기 화합물은 인지 장애, 노화-관련 인지 저하 및 치매의 치료에서의 치료학적 용도를 갖는다.	주어진 문장을 읽고 간략하게 요약해주세요. 문장: [ 발명의 명칭 ] Ｓ１Ｐ 조절제로서의 융합된 헤테로사이클릭 유도체FUSED HETEROCYCLIC DERIVATIVES AS S1P MODULATORS [ 기술분야 ] 본 발명은 S1P 수용체에 대해 친화성을 갖는 신규한 융합된 헤테로사이클릭 유도체, 상기 화합물을 함유하는 약제학적 조성물, 뿐만 아니라 임의의 S1P 수용체가 관련되어 있거나 임의의 S1P 수용체를 통한 내인성 S1P 신호전달 시스템의 조절이 관련되어 있는 질환 및 상태를 치료하거나 완화시키거나 예방하기 위한 약제를 제조하기 위한 상기 화합물의 용도에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 스핑고신-1-포스페이트(S1P)는 증식, 세포골격 조직화 및 이동, 부착- 및 밀착 연접 조립(adherence- and tight junction assembly), 및 형태 형성(morphogenesis)과 같은 매우 다양한 세포 반응들을 매개하는 생물활성 스핑고지질이다. S1P는 혈장 막-국지화된 G 단백질-커플링된 수용체들의 내피 세포 분화 유전자 부류의 구성원들(EDG 수용체들)과 결합할 수 있다. 최근까지, 상기 부류의 5개의 구성원들인 S1P1(EDG-1), S1P2(EDG-5), S1P3(EDG-3), S1P4(EDG-6) 및 S1P5(EDG-8)가 상이한 세포 유형들에서 S1P 수용체로서 확인되었다. S1P는 다수의 세포 유형들에서 세포골격 재배열을 일으켜 중추 신경계(CNS) 및 말초 기관계에서의 면역 세포 트래픽킹(trafficking), 혈관 항상성 및 세포간신호전달(cell communication)을 조절할 수 있다.S1P는 혈관 내피에 의해 분비되고 혈액 중에 200 내지 900 나노몰의 농도로 존재하고 알부민 및 기타 혈장 단백질들에 의해 결합되는 것으로 공지되어 있다. 이는 세포외 체액 내의 안정한 저장소(reservoir) 및 높은 친화성의 세포-표면 수용체들로의 효율적 전달을 둘 다 제공한다. S1P는 S1P1 내지 S1P5의 다섯 가지 수용체에 대해 낮은 나노몰의 친화성으로 결합한다. 그 밖에, 혈소판이 또한 S1P를 함유하고 국소적으로 방출되어 예를 들면 혈관수축을 유발할 수 있다. 수용체 아형들인 S1P1, S1P2 및 S1P3은 광범위하게 발현되고 심혈관계에서의 우세한 수용체를 나타낸다. 추가로, S1P1은 또한 림프구에 대한 수용체이기도 하다. S1P4 수용체들은 거의 전적으로 조혈계 및 림프계에 존재한다. S1P5는 (전적으로는 아니지만) 주로 중추 신경계에서 발현된다. S1P5의 발현은, 마우스에서는 뇌의 수초 세포인 희돌기교세포에 제한되는 것으로 나타나는 반면, 래트 및 사람에서는 희돌기교세포에서 발견되지 않고 성상세포 및 내피 세포 수준에서의 발현이 발견되었다.S1P 수용체 조절제는 하나 이상의 S1P 수용체에서 길항제 또는 작용제로서 신호를 보내는 화합물이다. 본 발명은 S1P5 수용체의 조절제, 특히 S1P5 수용체의 작용제, 및 바람직하게는, 원치않는 심혈관 효과 및/또는 면역조절 효과의 관점에서 S1P1 및/또는 S1P3 수용체에 대해 선택성을 갖는, S1P5 수용체의 작용제에 관한 것이다. 본 발명에 이르러, S1P5 작용제가 인지 장애, 특히 노화-관련 인지 저하를 치료하는데 사용될 수 있다는 것이 밝혀졌다.노화-관련 인지 저하 및 치매를 치료하는데 사용될 수 있는 치료제를 개발하기 위한 연구가 진행되고 있지만, 아직 다수의 성공적인 후보 물질들을 수득하지 못하고 있다. 따라서, 원하는 특성들을 갖는 신규한 치료제에 대한 요구가 존재한다. [ 발명의 개요 ] 본 발명에 이르러, 화학식 I의 융합된 헤테로사이클릭 유도체 또는 이의 약제학적으로 허용되는 염, 용매화물 또는 수화물 또는 이의 하나 이상의 N-옥사이드가 S1P 수용체들에 대한 친화성을 나타낸다는 것이 밝혀졌다.화학식 I상기 화학식 I에서,R1은, 시아노, (2-4C)알케닐, (2-4C)알키닐, (1-4C)알킬(이들 각각은 CN 또는 하나 이상의 플루오로 원자로 임의로 치환된다), (3-6C)사이클로알킬, (4-6C)사이클로알케닐 또는 (8-10C)바이사이클릭 그룹[이들 각각은 할로겐, 또는 하나 이상의 플루오로 원자로 임의로 치환되는 (1-4C)알킬로 임의로 치환된다], 페닐, 바이페닐, 나프틸[이들 각각은 할로겐, 시아노, 하나 이상의 플루오로 원자로 임의로 치환되는 (1-4C)알킬, 하나 이상의 플루오로 원자로 임의로 치환되는 (1-4C)알콕시, 아미노, 디메틸아미노, 및 (1-4C)알킬 또는 할로겐으로 치환될 수 있는 페닐로 임의로 치환되는 (3-6C)사이클로알킬로부터 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환체로 임의로 치환된다], 및 페녹시, 벤질, 벤질옥시, 페닐에틸 또는 모노사이클릭 헤테로사이클[이들은 각각 (1-4C)알킬로 임의로 치환된다]로 치환된 페닐로부터 선택되고;Z는 연결(linking) 그룹 -W-(Cn-알킬렌)-T-이고, 여기서, W는 R1에 부착되고, W는 결합, -O-, -CO-, -S-, -SO-, -SO2-, -NH-, -CH=CH-, -C(CF3)=CH-, -C≡C-, -CH2-O-, -O-CO-, -CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 및 트랜스-사이클로프로필렌으로부터 선택되고; n은 0 내지 10의 정수이고; T는 상기 페닐렌/피리딜 잔기에 부착되고, T는 결합, -O-, -S-, -SO-, -SO2-, -NH-, -CO-, -C=C-, -C≡C- 및 트랜스-사이클로프로필렌으로부터 선택되고;R2는 H이거나, 시아노, 할로겐, 하나 이상의 할로겐 원자로 임의로 치환되는 (1-4C)알킬, 또는 하나 이상의 할로겐 원자로 임의로 치환되는 (1-4C)알콕시로부터 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환체이고;환 구조 A는 하나의 질소 원자를 함유할 수 있고;X는 C 또는 N으로부터 선택되고; X가 C인 경우, R3은 H 및 (1-4C)알킬로부터 선택되고, 그렇지 않은 경우, R3은 존재하지 않으며;Y는 NH, O 및 S로부터 선택되고;구조 Q는 5원, 6원 또는 7원 사이클릭 아민이고;R4는 (1-4C)알킬렌-R5[여기서, 상기 알킬렌 그룹 내의 하나 이상의 탄소 원자는 독립적으로 하나 이상의 할로겐 원자 또는 (CH2)2로 치환되어 사이클로프로필 잔기를 형성할 수 있다]이거나, R4는 (3-6C)사이클로알킬렌-R5, -CH2-(3-6C)사이클로알킬렌-R5, (3-6C)사이클로알킬렌-CH2-R5 또는 -CO-CH2-R5이고, 여기서, R5는 -OH, -PO3H2, -OPO3H2, -COOH, -COO(1-4C)알킬 또는 테트라졸-5-일이다.특히, 본 발명의 화합물은 S1P1 및/또는 S1P3 수용체(들)에 비해 S1P5 수용체에 대해 선택적 친화성을 나타낸다.WO 제2008/012010호에서, 기재된 화합물들 중 몇몇은 본 발명의 화합물의 구조에 대해 약간의 유사성을 갖지만, 이들은 히스타민 H3-수용체 리간드로서 기술되어 있다.본 발명의 화합물은 S1P 수용체, 특히 S1P5 수용체의 조절제이다. 더욱 구체적으로, 본 발명의 화합물은 S1P5 수용체 작용제이다. 본 발명의 화합물은, (임의의) S1P 수용체(들) - 특히, S1P5 - 가 관련되어 있거나 임의의 S1P 수용체를 통한 내인성 S1P 신호전달 시스템의 조절이 관련되어 있는 질환 및 상태를 치료하고 완화시키고 예방하는데 유용하다. 특히, 본 발명의 화합물은 중추 신경계(CNS) 장애, 예를 들면, 신경퇴행성 장애, 특히, 비제한적으로, 인지 장애(특히, 노화-관련 인지 저하) 및 이와 관련된 상태들, 알츠하이머병, (혈관성) 치매, 니만 픽병(Nieman's Pick disease), 및 정신분열증, 강박 신경증 행동, 주요 우울증, 자폐증, 다발성 경화증 및 통증 등에서의 인지 결함을 치료하거나 완화시키거나 예방하는데 사용될 수 있다. 바람직하게는, 본 발명의 화합물은 인지 장애(특히, 노화-관련 인지 저하) 및 이와 관련된 상태들을 치료하거나 완화시키거나 예방하는데 사용될 수 있다.본 발명의 바람직한 양태에서, 상기 화합물은,R1이, (3-6C)사이클로알킬 또는 (8-10C)바이사이클릭 그룹[이들은 할로겐, (1-4C)알킬로 임의로 치환된다], 및 페닐[이는 할로겐, 시아노, (1-4C)알킬, (1-4C)알콕시, 트리플루오로메틸 및 트리플루오로메톡시로부터 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환체로 임의로 치환된다]로부터 선택되고;W가 결합, -O-, -CO-, -S-, -SO-, -SO2-, -NH-, -CH=CH-, -C≡C- 및 트랜스-사이클로프로필렌으로부터 선택되고;n이 0 내지 4의 정수이고; 바람직하게는, n이 0, 1 및 2로부터 선택되며;R2가 H이거나, 할로겐, 하나 이상의 플루오로 원자로 임의로 치환되는 (1-4C)알킬, 또는 하나 이상의 플루오로 원자로 임의로 치환되는 (1-4C)알콕시로부터 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환체이고;기타 그룹들/기호들의 정의가 상기 정의된 바와 같은, 화학식 I을 갖는다.또다른 양태에서, 본 발명의 화합물은 화학식 Ia의 구조를 갖는다.화학식 Ia본 발명의 양태에서, 환 구조 Q는 6원 환이다. 특히, 본 발명의 화합물은 화학식 Ib의 구조를 갖는다.화학식 Ib본 발명의 추가의 양태에서, R4는 -(CH2)2-OH, -CH2-COOH, -(CH2)2-COOH, -(CH2)3-COOH, -CH2-CHCH3-COOH, -CH2-C(CH3)2-COOH, -CHCH3-CH2-COOH, -CH2-CF2-COOH, -CO-CH2-COOH, , 1,3-사이클로부틸렌-COOH, -(CH2)2-PO3H2, -(CH2)3-PO3H2, -(CH2)2-OPO3H2, -(CH2)3-OPO3H2, -CH2-테트라졸-5-일, -(CH2)2-테트라졸-5-일 및 -(CH2)3-테트라졸-5-일로부터 선택된다. 바람직한 R4 그룹은 -(CH2)2-COOH, -(CH2)3-COOH, -CH2-CHCH3-COOH, -CH2-C(CH3)2-COOH, -CHCH3-CH2-COOH, -CH2-CF2-COOH로부터 선택된다. 매우 바람직한 것은 -(CH2)2-COOH, -CHCH3-CH2-COOH, -CH2-CHCH3-COOH 및 1,3-사이클로부틸렌-COOH이다. 특히 바람직한 것은 -CH2-CHCH3-COOH이다.또다른 바람직한 양태에서, 당해 화합물은 Y가 O인 화학식 I을 갖는다.또한, 본 발명의 바람직한 양태에서, X는 N이다.본 발명의 바람직한 양태에서, R1은, 할로겐 또는 (1-4C)알킬로 임의로 치환되는 인다닐이거나, - 더욱 바람직하게는 - R1은 임의로 치환되는 페닐이고, 여기서, 임의의 치환체는 상기 정의된 치환체들 중의 어느 것으로부터 선택되지만, 특히, 임의의 치환체는 할로겐, 시아노, (1-4C)알킬, (1-4C)알콕시, 트리플루오로메틸 및 트리플루오로메톡시로부터 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환체이다. 매우 바람직한 양태에서, R1은 4Cl-페닐 또는 4CF3-페닐이다.본 발명의 양태에서, R2는 H이거나, 메틸, 메톡시, 클로로 또는 플루오로로부터 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환체이다. 바람직한 양태에서, R2는 H이거나, R2는 1개의 메틸, 1개의 메톡시, 1개의 클로로, 1개의 클로로, 또는 1개 또는 2개의 플루오로 원자를 나타낸다.X가 CR3인 본 발명의 양태에서, R3은 바람직하게는 H 또는 메틸이고, 특히, R3은 H이다.또한, 본 발명의 양태에서, Z는 연결 그룹 -W-(CH2)n-T-이고, 이의 의미는 결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -NH-, -CH2-, -(CH2)2-, -CCH3-O-, -CH=CH-, -C≡C-, -CH2-O-, -O-CH2-, -CH2-S-, -S-CH2-, -CH2-SO2-, -SO2-CH2-, -CH2-NH-, -NH-CH2- 및 트랜스-사이클로프로필렌으로부터 선택된다. 바람직한 양태에서, Z는 -O-, -CH2-O- 또는 트랜스-사이클로프로필렌이다. 특히, Z는 -CH2-O-이다.용어 할로겐은 플루오로, 클로로, 브로모 또는 요오도를 나타낸다. 바람직한 할로겐은 플루오로 및 클로로, 특히, 클로로이다.용어 (1-4C)알킬은 1개 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 비분지형 알킬 그룹, 예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필 및 부틸을 의미한다. 바람직한 알킬 그룹은 메틸이다.용어 (1-4C)알콕시는 1개 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 그룹을 의미하고, 여기서, 알킬 잔기는 상기 정의된 바와 같다. 바람직한 알콕시 그룹은 메톡시이다.용어 (1-4C)알킬렌 및 (Cn-알킬렌)은, 각각, 1개 내지 4개의 탄소 원자 또는 n개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 비분지형 알킬렌 그룹, 예를 들면, 메틸렌, -CHCH3-, -C(CH3)2-, -CHCH3CH2- 등을 의미한다. (1-4C)알킬렌-R5인 R4의 정의에서, 상기 알킬렌 그룹 내의 하나 이상의 탄소 원자는 (여러 가지 중에서도 특히) (CH2)2로 독립적으로 치환되어 사이클로프로필 잔기를 형성할 수 있는데, 이는 와 같은 R4 그룹을 형성함을 의미한다.용어 (2-4C)알키닐은 2개 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 비분지형 알키닐 그룹(여기서, 상기 그룹의 상이한 위치들에 삼중 결합이 존재할 수 있다), 예를 들면, 에티닐, 프로파르길, 1-부티닐, 2-부티닐 등을 의미한다.용어 (3-6C)사이클로알킬은 3개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 사이클릭 알킬 그룹, 따라서, 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실을 의미한다. 사이클로펜틸 및 사이클로헥실이 바람직하다.용어 (4-6C)사이클로알케닐은 4개 내지 6개의 탄소 원자를 갖고 1개 또는 2개의 이중 결합을 포함하는 사이클릭 알케닐 그룹, 예를 들면, 사이클로헥세닐을 의미한다.용어 (3-6C)사이클로알킬렌은 2개의 부착점을 갖는 사이클릭 알킬 그룹을 의미한다. 의 구조를 갖는 1,3-사이클로부틸렌이 바람직하다.용어 (8-10C)바이사이클릭 그룹은, 합해서 8개 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 방향족 및 비방향족 환 구조로부터 선택되는 2개의 그룹이 융합된 환 시스템, 예를 들면, 인단 그룹을 의미한다.치환체들에 관해, 용어 "독립적으로"란, 상기 치환체들이 동일 분자 내에서 서로 동일하거나 상이할 수 있음을 의미한다.본 발명의 화합물은 적합하게는 당업계에서 이용가능한 방법들에 의해, 또한 본 기재내용의 실험 항목에서 예시된 바와 같이 제조될 수 있다.본 발명의 화합물은 하나 이상의 비대칭 중심을 함유할 수 있고, 따라서 라세미체 및 라세미 혼합물, 단일 에난티오머들, 부분입체이성체 혼합물들 및 개별 부분입체이성체들로서 발생할 수 있다. 분자 위의 각종 치환체들의 성질에 따라 추가의 비대칭 중심이 존재할 수 있다. 각각의 이러한 비대칭 중심은 2개의 광학이성체를 독립적으로 생성할 것이고, 혼합물 및 순수한 또는 부분 정제된 화합물로서의 모든 가능한 광학이성체 및 부분입체이성체는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 의도된다. 본 발명은 이들 화합물의 모든 이러한 이성체 형태를 포함하는 것으로 이해된다. 이들 부분입체이성체의 독립적인 합성 또는 이들의 크로마토그래피 분리는 본원에 기재된 방법의 적절한 변형에 의해 당업계에 공지된 바와 같이 달성될 수 있다. 이들의 절대적 입체화학은, 필요한 경우, 공지된 절대 배열의 비대칭 중심을 함유하는 시약으로 유도체화된 결정성 생성물 또는 결정성 중간체의 X-선 결정학에 의해 측정될 수 있다. 목적하는 경우, 당해 화합물의 라세미 혼합물을 분리하여 개별 에난티오머를 단리할 수 있다. 상기 분리는 당업계에 익히 공지된 방법에 의해 수행될 수 있는데, 예를 들면, 화합물들의 라세미 혼합물을 에난티오머적으로 순수한 화합물에 커플링시켜 부분입체이성체 혼합물을 형성한 후, 분별 결정화 또는 크로마토그래피와 같은 표준 방법들에 의해 개별 부분입체이성체들을 분리하는 것이다.화합물들은 다형체로서 존재할 수 있고, 이는 그 자체로 본 발명에 포함되는 것으로 의도된다. 추가로, 화합물들은 물에 의해 용매화물(즉, 수화물)을 형성하거나 통상의 유기 용매에 의해 용매화물을 형성할 수 있고, 이러한 용매화물도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 의도된다.PET 또는 SPECT에 의해 검출가능하도록 동위원소-표지된 화학식 I의 화합물을 포함하는, 동위원소-표지된 화학식 I의 화합물 또는 이의 약제학적으로 허용되는 염도 본 발명의 범위에 포함된다. [13C]-, [14C]-, [3H]-, [18F]-, [125I]-, 또는 수용체 결합 또는 대사 연구에 적합한 기타 동위원소적으로 풍부한 원자로 표지된 화학식 I의 화합물도 동일하게 적용된다.용어 "약제학적으로 허용되는 염"은, 타당한 의학적 판단 범위 내에서, 과도한 독성, 자극, 알레르기 반응 등이 없이 사람 및 하등 동물의 조직과 접촉하여 사용하기에 적합하고 합리적인 유익/유해 비율에 상응하는 염을 의미한다. 약제학적으로 허용되는 염은 당업계에 익히 공지되어 있다. 이들은 본 발명의 화합물을 단리하고 정제할 때에 동일 반응계 내에서 제조될 수 있거나, 이들을 무기 또는 유기 염기 또는 무기 또는 유기 산을 포함하는 약제학적으로 허용되는 비독성 염기 또는 산과 반응시킴으로써 별도로 제조될 수 있다.본 발명의 화합물은 장관내로 또는 비경구로 투여될 수 있다. 이들 화합물 및 이의 조성물의 정확한 용량 및 용법은 상기 화합물 자체의 생물학적 활성, 환자의 연령, 체중 및 성별, 약제를 투여받는 개별 대상자의 요구사항, 고통의 정도 또는 의료 전문인의 요구사항 및 판단에 따라 달라질 것이다. 일반적으로, 비경구 투여는 흡수율에 더 많이 의존하는 다른 투여 방법들에 비해 더 낮은 용량을 필요로 한다. 그러나, 사람에 대한 용량은 바람직하게는 체중 1㎏당 0.001 내지 10㎎이다. 일반적으로, 장관내 및 비경구 용량은 1일 총 활성 성분 0.1 내지 1,000㎎의 범위일 것이다.예를 들어 표준 문헌[참조: "Remington, The Science and Practice of Pharmacy" (21st edition, Lippincott Williams 0026# Wilkins, 2005, 특히, Part 5: Pharmaceutical Manufacturing)]에 기술된 바와 같이, 약제학적으로 적합한 보조제와 혼합될 때, 본 발명의 화합물은 환제 또는 정제와 같은 고체 용량 단위로 되도록 압축되거나 캡슐제 또는 좌제로 되도록 가공될 수 있다. 약제학적으로 적합한 액체를 사용함으로써, 당해 화합물은 또한 용액, 현탁액 또는 유액의 형태로 적용될 수 있다.용량 단위, 예를 들면, 정제를 제조하기 위해서는, 충전제, 착색제, 중합체성 결합제 등과 같은 통상의 첨가제의 사용이 고려된다. 일반적으로, 활성 화합물의 기능을 방해하지 않는 약제학적으로 적합한 임의의 첨가제가 사용될 수 있다.본 발명의 화합물과 함께 투여될 수 있는 적합한 담체로는, 예를 들면, 적합한 양으로 사용되는, 락토스, 전분, 셀룰로스 유도체 등, 또는 이의 혼합물이 포함된다. 정맥내 투여를 위한 화합물은, 예를 들면, 무균 등장성 수성 완충액 중의 본 발명의 화합물의 용액일 수 있다. 필요한 경우, 정맥내 조성물은, 예를 들면, 가용화제, 안정제 및/또는 주사 부위에서의 통증을 완화시키기 위한 국소 마취제를 포함할 수 있다.본 발명의 약제학적 조성물은 임의의 투여 경로를 위해 제형화될 수 있고, 적어도 하나의 본 발명의 화합물 및 이의 약제학적으로 허용되는 염을, 약제학적으로 적합한 임의의 성분, 부형제, 담체, 보조제 또는 비히클과 함께 포함한다."약제학적으로 적합한"이란, 담체, 희석제 또는 부형제가 상기 제형의 기타 성분들과 상용가능해야 하고 이의 수용자에게 해롭지 않아야 함을 의미한다.본 발명의 한 양태에서는, 하나 이상의 본 발명의 약제학적 조성물로 충전된 하나 이상의 용기를 포함하는 약제학적 팩 또는 키트가 제공된다. 이러한 용기(들)에는 사용 설명서, 또는 약제학적 제품의 제조, 사용 또는 판매를 규제하는 정부 기관에 의해 규정된 양식의 안내문(사람 또는 동물에의 투여에 대한, 제조, 사용 또는 판매 기관의 승인을 나타내는 안내문)과 같은 각종 서면 재료들이 관련되어 있을 수 있다.달리 정의되지 않는 한, 본원에서 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속한 기술 분야의 통상의 숙련가가 일반적으로 이해하는 것과 동일한 의미를 갖는다. 본원에 기술된 것들과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 발명을 실시하거나 시험하는데 사용될 수 있지만, 본 명세서에서는 적합한 방법 및 재료를 기술한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 비히클(대조 그룹) 또는 본 발명의 화합물(용량 단위: ㎎/㎏; p.o.)을 갖는, T-미로에서의 어린 및 성숙한 C57BL/6J 수컷 마우스의 대안 행동(alternation)의 백분율이다.하기 실시예는 본 발명을 보다 상세하게 추가로 예시하기 위한 것이다.본원에 기재된 바와 같은 임의의 신규한 중간체는 본 발명의 추가의 양태이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 실시예 §1. 분석 방법핵 자기 공명 스펙트럼(1H NMR 및 13C NMR, APT)은, 달리 지시되지 않는 한, 300K에서, 브루커(Bruker) ARX 400(1H: 400 MHz, 13C: 100 MHz)을 사용하여, 지시된 용매 중에서 측정하였다. 19F NMR 및 13C NMR 실험은 5㎜ SW 프로브를 사용하여 11.74 T(1H의 경우 499.9 MHz; 13C의 경우 125.7 MHz; 19F의 경우 50.7 Mhz, 470.4 MHz)에서 작동하는 배리언 이노바(Varian Inova) 500 분광계로 수행하였다. 스펙트럼은 캠브리지 이소토프 래보라토리스 리미티드(Cambridge Isotope Laboratories Ltd)로부터 수득되는 중수소화된 클로로포름 또는 DCM 중에서 측정하였다. 화학적 이동(δ)은 테트라메틸실란(1H, 13C) 또는 CCl3F(19F)로부터 다운필드에 ppm 단위로 주어진다. 커플링 상수 J는 Hz 단위로 주어진다. NMR 스펙트럼에서의 피크 형태는 기호 'q'(사중선), 'dq'(이중 사중선), 't'(삼중선), 'dt'(이중 삼중선), 'd'(이중선), 'dd'(이중 이중선), 's'(단일선), 'bs'(광폭 단일선) 및 'm'(다중선)으로 나타낸다. NH 및 OH 신호는 상기 시료를 D2O 한 방울과 혼합시킨 후 확인되었다.플래시 크로마토그래피는 지시된 용리제 및 실리카 겔(아크로스(Acros): 0.030-0.075㎜ 또는 머크(Merck) 실리카 겔 60: 0.040-0.063㎜)을 사용하는 정제를 나타낸다.컬럼 크로마토그래피는 실리카 겔 60(0.063-0.200㎜, 머크)을 사용하여 수행되었다.반응은 지시된 용리제를 사용하여 실리카 코팅된 플라스틱 시트(머크 프리코팅 실리카 겔 60 F254) 상에서 박층 크로마토그래피(TLC)를 사용하여 모니터링되었다. 스폿은 UV 광(254㎚) 또는 I2에 의해 가시화되었다.융점은 뷔히(Buchi) B-545 융점 장치에서 기록되었다.액체 크로마토그래피-질량 분석법(LC-MS)- 방법 A.당해 LC-MS 시스템은 Waters 1525 μ-펌프로 이루어진다. 상기 펌프는 Waters 2777 자동 시료 공급기에 연결된다.당해 LC 방법은 다음과 같다:A= 100% 물 + 0.2% HCOOH B= 100% ACN + 0.2% HCOOH상기 자동 시료 공급기는 10㎕ 주입 루프를 갖고; 주입 부피는 10㎕이다. 상기 자동 시료 공급기는 2.5㎛ 입자를 갖는 Waters Sunfire C18 304.6㎜ 컬럼에 연결된다. 상기 컬럼은 실온 +/- 23℃로 온도 조절된다.상기 컬럼은 Waters 2996 PDA에 연결된다. 파장은 240nm로부터 320nm까지 스캐닝된다. 해상도는 1.2nm이고, 시료 공급 속도는 20Hz이다. PDA 후, 유동은 1:1 분할되고 Waters 2424 ELSD에 연결된다.당해 ELSD는 다음의 파라미터들을 갖는다:기체 압력: 40 psi데이터 속도 20 포인트/초게인(Gain) 500시간 상수 0.2초분무기 모드 냉각이동 관 50℃당해 시료는 또한 Waters ZQ 질량 검출기로 측정된다.당해 질량 분석계는 다음의 파라미터들을 갖는다:스캔 범위: 117 내지 900 Amu극성: 양성데이터 포맷: 쎈트로이드(centroid)스캔당 시간: 0.500초인터스캔 시간: 0.05초캐필러리(Capillary) 2.5 kV콘(Cone) 25 V추출기 2 VRF 렌즈 0.5 V공급원 온도 125℃탈용매화 온도 400℃콘 기체 100 L/Hr탈용매화 기체 800 L/HrLM 1 해상도 15HM 1 해상도 15이온 에너지 0.5증폭기 500 V전체 시스템은 Masslynx 4.1에 의해 제어된다.- 방법 B.당해 LC-MS 시스템은 2개의 Perkin Elmer 시리즈 200 마이크로 펌프로 이루어진다. 상기 펌프들은 50㎕ 티 믹서(tee mixer)에 의해 서로 연결된다. 상기 믹서는 Gilson 215 자동 시료 공급기에 연결된다.당해 LC 방법은 다음과 같다:A= 100% 물 + 0.1% HCOOH B= 100% 아세토니트릴 + 0.1% HCOOH상기 자동 시료 공급기는 2㎕ 주입 루프를 갖는다. 상기 자동 시료 공급기는 2.5㎛ 입자를 갖는 Waters Sunfire C18 4.6x30㎜ 컬럼에 연결된다. 상기 컬럼은 Perkin Elmer 시리즈 200 컬럼 오븐에서 23℃로 온도 조절된다. 상기 컬럼은 2.7㎕ 유동 셀을 갖는 Perkin Elmer 785 UV/VIS 미터에 연결된다. 파장은 254nm로 설정된다. 상기 UV 미터는 Sciex API 150EX 질량 분석계에 연결된다. 상기 질량 분석계는 다음의 파라미터들을 갖는다:스캔 범위: 100 내지 900 Amu극성: 양성 스캔 모드: 프로파일 해상도 Q1: UNIT 스텝 크기: 0.10 amu 스캔당 시간: 0.500초NEB: 10 CUR: 10 IS: 5200TEM: 325 DF: 30 FP: 225 EP: 10 광 산란 검출기는 상기 Sciex API 150에 연결된다. 상기 광 산란 검출기는 70℃ 및 1.7bar N2 압력에서 작동하는 Polymer Labs PL-ELS 2100이다.전체 시스템은 Windows 2000 하에 작동하는 Dell precision GX370 컴퓨터에 의해 제어된다.표 1에서의 기록된 체류 시간(Rt)은 총 이온 전류(TIC: total ion current) 크로마토그램에서의 피크에 대한 것으로서, 이는 산출된 정확한 MW의 0.5amu 정밀도 내에서 [M+H]+에 대한 질량을 나타내고 003e#85%의 상대 면적%(순도)를 갖는 증발 광 산란(ELS: Evaporative Light Scattering) 크로마토그램에서의 관련 피크를 가졌다.§2. 약어ACE-Cl 1-클로로에틸 클로로포르메이트9-BBN 9-보라바이사이클로[3.3.1]노난 이량체CHCl3 클로로포름CH2Cl2 디클로로메탄CH3CN 아세토니트릴CuBr2 브롬화구리(II)DBU 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]운데크-7-엔DIAD 디이소프로필 아조디카복실레이트DIPEA N,N-디이소프로필에틸아민DMF N,N-디메틸포름아미드DMSO 디메틸 설폭사이드Et3N 트리에틸아민Et2O 디에틸 에테르EtOH 에탄올EtOAc 에틸 아세테이트HCl 염화수소K2CO3 탄산칼륨KHCO3 중탄산칼륨KI 요오드화칼륨KOH 수산화칼륨KOtBu 3급-부톡시화칼륨MeOH 메탄올NaBH4 수소화붕소나트륨NaHCO3 중탄산나트륨NaI 요오드화나트륨NaOH 수산화나트륨NaOtBu 3급-부톡시화나트륨Na2SO4 황산나트륨NBS N-브로모석신이미드iPr2O 디이소프로필 에테르RT 실온SiO2 실리카 겔TFA 트리플루오로아세트산THF 테트라하이드로푸란TMSCl 클로로트리메틸실란TMSOTf 트리메틸실릴 트리플루오로메탄설포네이트§3. 합성의 일반적 측면청구된 화합물들의 적합한 합성을 하기에 기술한다. 화학식 1의 화합물의 합성의 경우, 두 가지 경로가 각각 반응식 2 및 3에서 기술된다. 상기 경로들 둘 다, 화학식 6의 화합물로부터 출발하는데, 이의 합성은 반응식 1에 도시되어 있다. 화학식 4의 피롤리딘-엔아민을 화학식 3의 알파-브로모-아세토페논으로 알파 알킬화시켜(이에 의해 당해 분자 내에 Rb-그룹이 도입됨) 화학식 5의 화합물을 수득한다. 이어서, 화학식 5의 화합물을 산성 조건하에 폐환시켜 화학식 6의 화합물을 적정한 수율로 수득한다.반응식 1. 주요-중간체 6의 합성경로 A(반응식 2 참조)는 화학식 6의 화합물 내의 피페리딘 잔기를 표준 알킬화, 환원적 알킬화 또는 마이클 부가 반응에 의해 알킬화시켜 화학식 7의 보호된 카복실산 화합물을 수득하는 것에서 출발한다. 벤질 에테르 잔기는 두 가지 방식으로 도입될 수 있다. 첫째는, 화학식 7의 화합물 내의 브롬을 팔라듐 촉매된 반응에 의해 화학식 9의 벤질 에테르 유도체로 직접 전환시킬 수 있다. 추가로, 화학식 7의 브로마이드를 팔라듐 매개된 반응을 통해 화학식 8의 페놀 유도체로 전환시킬 수 있다. 화학식 8의 화합물을, 벤질 브로마이드를 사용하는 상 전이 조건하에, 또는 벤질 알코올을 사용하는 미쓰노부 반응을 통해, 목적하는 화학식 9의 벤질 에테르 유도체로 전환시킬 수 있다. 마지막으로, 화학식 9의 화합물을 탈보호시켜 화학식 1의 최종 생성물을 수득할 수 있다.반응식 2. 화학식 1의 화합물을 위한 경로 A대안적으로, 화학식 1의 화합물의 합성을 위해 경로 B(반응식 3 참조)를 수행할 수도 있다. 화학식 6의 화합물 내의 피페리딘을 BOC 그룹으로 보호시킨다. 이후, 먼저 화학식 10의 화합물 내의 브롬을 팔라듐 매개된 반응을 통해 화학식 12의 화합물로 직접 전환시키거나, 상기 브롬을 화학식 11의 페놀 유도체로 변형시키고 상기 페놀 유도체를 알킬화 또는 미쓰노부 조건하에 화학식 12의 화합물로 전환시킴으로써, 벤질 에테르 잔기를 도입한다. 마지막으로, 화학식 12의 화합물을, BOC 그룹을 산에 의해 제거한 다음, 보호된 카복실산 테일(tail)를 도입함으로써, 화학식 9의 화합물로 전환시킬 수 있다.반응식 3. 화학식 1의 화합물을 위한 경로 B화학식 2의 옥사졸로 유도체의 합성의 경우, 세 가지 경로가 개발되었다. 화학식 20의 주요 중간체의 합성이 반응식 4에 도시되어 있다. 시판 중인 화학식 14의 화합물을 화학식 15의 적절하게 치환된 벤조일 클로라이드로 아실화시켜 화학식 16의 화합물을 수득한 후, 이를 트리페닐포스핀 및 헥사클로로에탄을 사용하여 폐환시켜 화학식 17의 화합물로 전환시킨다. 화학식 17의 화합물 내의 피리딘을 메틸화시켜 화학식 18의 4급화 염으로 전환시킨 후, 화학식 18의 화합물을 수소화붕소나트륨으로 환원시켜 화학식 19의 화합물을 수득한다. 화학식 19의 화합물을 1-클로로에틸 클로로포르메이트로 탈메틸화시켜 화학식 20의 주요 중간체를 제공한다.반응식 4. 화학식 20의 화합물의 합성화학식 2의 화합물을 위한 제1 경로(경로 C)가 반응식 5에 요약되어 있고, 이는 화학식 20의 화합물로부터 출발한다. 푸라닐 계열의 화학식 7의 화합물의 합성에 대해 기술된 것과 유사한 방식으로, 화학식 20의 화합물에 3급-부틸 보호된 카복실산 테일을 도입시켜 화학식 21의 화합물을 수득할 수 있다. 화학식 21의 화합물로부터 출발하여, 벤질 알코올과의 팔라듐 매개된 커플링에 의해 화학식 21의 화합물을 화학식 23의 화합물로 직접 전환시키거나, 화학식 21의 화합물 내의 브로마이드를 화학식 22의 페놀로 변형시킨 다음 화학식 22의 화합물을 상 전이 조건 또는 미쓰노부 조건하에 벤질화시켜 화학식 23의 화합물을 수득함으로써, 화학식 23의 벤질 에테르 유도체를 제조할 수 있다. 마지막으로, 화학식 23의 화합물 내의 카복실산을 산성 탈보호하여 화학식 2의 화합물을 수득한다.반응식 5. 화학식 2의 화합물을 위한 경로 C대안적으로, 반응식 6에 도시된 바와 같이 경로 D를 수행할 수도 있다. 화학식 25의 화합물은, 화학식 14의 화합물 및 화학식 24의 적절하게 치환된 4-벤질옥시-벤조산 유도체로부터 출발하여, 트리페닐포스핀 및 트리클로로아세토니트릴의 영향하에 제조될 수 있다. 화학식 25의 화합물을, 상기 화학식 21의 화합물의 합성에 대해 반응식 4 및 5에서 기술된 것과 유사한 방식으로 하여 화학식 23의 벤질옥시-유도체로 전환시킨다. 이에 따르면, 화학식 25의 화합물을 메틸화시킨 후, NaBH4에 의해 환원시켜 화학식 26의 화합물을 수득하고, 이를 ACE-Cl에 의해 탈메틸화시켜 화학식 27의 화합물을 수득한다. 마지막으로 화학식 27의 화합물에 테일을 도입시켜 화학식 23의 화합물을 수득한다. 여기서부터, 화학식 23의 화합물 내의 3급-부틸 그룹을 산성 조건하에 제거하여 화학식 2의 화합물을 수득할 수 있다. 한편, 화학식 23의 화합물 내의 벤질을 수소화에 의해 제거하여 화학식 22의 페놀 유도체를 수득할 수 있다.반응식 6. 화학식 2의 화합물을 위한 경로 D마지막으로, 화학식 2의 화합물을 위한 제3 경로(경로 E)가 반응식 7에 도시되어 있다. 화학식 20의 화합물을 3급-부틸옥시카보닐 그룹으로 보호시켜 화학식 28의 화합물을 수득하고, 이를 표준 팔라듐 조건하에 화학식 29의 상응하는 페놀로 전환시킬 수 있다. 화학식 29의 화합물을 상 전이 조건 또는 미쓰노부 조건하에 알킬화시켜 화학식 30의 화합물을 수득한다. 한편, 화학식 30의 화합물은 화학식 28의 브로마이드로부터 팔라듐 화학반응 조건하에 직접 수득될 수도 있다. 화학식 30의 화합물 내의 BOC 그룹을 산에 의해 제거하여 화학식 27의 화합물을 형성하고, 이를 반응식 5에 기술된 바와 같이 알킬화시켜 화학식 23의 화합물을 수득할 수 있다.반응식 7. 화학식 2의 화합물의 합성을 위한 경로 E반응식 8화학식 508 및 520의 티아졸로 유도체는 반응식 8 및 9에 기술된 바와 같이 합성된다. 시약들 내의 R-그룹들을 조정하면 Ra, Rb 및 Rc의 도입이 유도된다.반응식 9다수의 또다른 테일들 및 연결기(linker)들에 대한 합성 경로가 반응식 10에 도시되어 있다.반응식 10당해 기술 분야의 숙련가들에게, 특정 경로에 대한 선택이 시약들의 이용가능성에 기초할 수 있다는 것은 명백하다. 또한, 경로 B, D 및 E는 화학식 1 및 2의 화합물의 Rc-테일 부분에서의 다양성의 도입에 매우 적합하다. 경로 A 및 C는 합성의 마지막 부분에서의 Ra-Bn 잔기의 도입을 갖고, 이로 인해 이는 분자의 해당 부분에서의 다양성을 탐색하는데 더욱 적합하다.§4. 중간체의 합성화학식 5의 화합물의 합성을 위한 일반적 공정톨루엔(2㎖/mmol) 중의 4-옥소-피페리딘-1-카복실산 3급-부틸 에스테르의 용액에 촉매량의 파라-톨루엔설폰산 1수화물(0.1당량) 및 피롤리딘(4당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 딘 스타크(Dean Stark) 조건에서 18시간 동안 환류하에 가열하였다. 상기 혼합물을 감압하에 농축시키고, 상기 잔류물을 톨루엔에 다시 용해시켰다. 이 용액에, 톨루엔/DCM(2㎖/mmol, 1/2, v/v) 중의 적절하게 치환된 2-브로모-1-(4-브로모-페닐)에탄온(1.05당량)의 용액을 (25분 내에) 서서히 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 밤새 교반하고, 수득된 백색 슬러리를 물에 부었다. 수 층을 DCM(3회)으로 추출하고, 합한 유기 층을 건조시키고(MgSO4), 이어서 감압하에 농축시켰다. 수득된 오일을 실리카 겔 크로마토그래피로 정제하여 화학식 5의 화합물을 50 내지 90%의 수율로 수득하였다.화학식 6의 화합물의 합성을 위한 일반적 공정화학식 5의 화합물을 진한 염산(10당량, 12N)에 현탁시켰다. 상기 혼합물을 (30분당 10℃의 단계로) 80℃까지 가열하였다. 상기 혼합물은 심하게 발포하기 시작하므로, 초기 반응 용기 내의 충분한 부피를 허용한다. 45분 후, 상기 혼합물을 0℃로 냉각시키고, 50중량% NaOH 용액으로 중화시켰다(발열). 실온에서 밤새 교반한 후, 수득된 고체 재료를 여과에 의해 회수하고, 0.1M NaOH로 세척하였다. 상기 담갈색 재료를 EtOAc 중의 속슬레(Soxhlet) 추출로 정제하여, 화학식 6의 화합물을 베이지색 고체로서 수득하고, 이는 추가의 정제 없이 후속 단계에 사용되었다.보호된 카복실산 테일의 도입(화학식 7의 화합물)을 위한 일반적 공정a) 프로피온산 3급-부틸 에스테르의 도입화학식 6의 화합물을 메탄올(4㎖/mmol)에 현탁시키고, DIPEA(1.05당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물에 3급-부틸 아크릴레이트(1.2당량)를 첨가하고, 상기 혼합물을 16시간 동안 환류시켰다. 전환은 TLC 분석에 의해 검사하였다. 상기 용매를 증발시키고, 상기 잔류물을 EtOAc에 다시 용해시키고, 5% NaHCO3 수용액으로 추출하였다. 상기 유기 층을 건조시키고(MgSO4), 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 순수한 화학식 7a의 화합물을 수득하였다.b) 2-메틸-프로피온산 3급-부틸 에스테르의 도입 화학식 6의 화합물을 DMF(6㎖/mmol)에 현탁시켰다. 이 현탁액에 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]운데크-7-엔(3당량) 및 3급-부틸 메타크릴레이트(2당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 16 내지 100시간 동안 125℃로 가열하였다. 상기 용액을 냉각시키고, 5% NaHCO3(15㎖/mmol)을 첨가하고, EtOAc로 추출하였다. 상기 유기 층을 물(4회)로 세척하고, MgSO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 순수한 화학식 7b의 화합물을 수득하였다.c) 3-부티르산 3급-부틸 에스테르의 도입 화학식 6의 화합물을 1,2-디클로로에탄(6㎖/mmol)에 현탁시켰다. 이 현탁액에 3급-부틸아세토아세테이트(1당량) 및 트리아세톡시수소화붕소나트륨(1.4당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 반응이 완결되지 않은 경우, 추가 분량의 3급-부틸아세토아세테이트(1당량) 및 트리아세톡시수소화붕소나트륨(1.4당량)을 첨가하였다. 상기 용액에 5% NaHCO3(15㎖/mmol)을 첨가하고, 상기 혼합물을 DCM으로 추출하였다. 합한 유기 층을 Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 순수한 화학식 7c의 화합물을 제공하였다.d) 4-부티르산 3급-부틸 에스테르의 도입 화학식 6의 화합물을 아세토니트릴(3㎖/mmol)에 현탁시켰다. 이 현탁액에 탄산칼륨(2당량), 3급-부틸 4-브로모-부타노에이트(1.1당량) 및 요오드화칼륨(1.1당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 EtOAc에 용해시키고, 5% NaHCO3(15㎖/mmol)으로 세척하였다. 상기 유기 층을 Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화학식 7d의 화합물을 수득하였다.화학식 7의 화합물에 벤질 에테르 잔기를 도입시켜 화학식 9의 화합물로 전환하기 위한 일반적 공정탈기된 톨루엔(4㎖/mmol) 중의 화학식 7의 화합물, 적절하게 치환된 벤질 알코올(1.1당량), 아세트산팔라듐(II)(0.02당량), 2-디3급-부틸포스피노-3,4,5,6-테트라메틸-2',4',6'-트리이소프로필-1,1'바이페닐(0.02당량), 탄산세슘(1.5당량)의 용액을 16시간 동안 75℃로 가열하였다. 전환은 TLC 분석에 의해 검사하였다. 상기 용액을 실온으로 냉각시키고, DCM으로 희석하고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화학식 9의 화합물을 30 내지 80%의 수율로 수득하였다.화학식 7의 브롬 유도체를 화학식 8의 페놀 유도체로 전환시키기 위한 일반적 공정화학식 7의 화합물을 톨루엔(8㎖/mmol)에 용해시키고, 상기 용액에 수산화칼륨(2당량, 11.7N)을 첨가하고, 상기 용액을 탈기시켰다. 상기 용액에 2-디3급-부틸포스피노-2',4',6'-트리이소프로필바이페닐(0.06당량) 및 트리스-(디벤질리덴아세톤)-디팔라듐(0)(0.03당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 60℃에서 1.25시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 실온에 도달시키고, EtOAc로 희석하고, 5% NaHCO3 용액(10㎖/mmol)으로 세척하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화학식 8의 화합물을 25 내지 85%의 수율로 수득하였다.화학식 8의 페놀을 화학식 9의 벤질 에테르로 전환시키기 위한 일반적 공정방법 A) 화학식 8의 화합물을 DCM/물(2/1, v/v)(4㎖/mmol)에 용해시키고, 이 용액에 수산화나트륨(2N, 3당량)을 첨가하였다. 이 혼합물에 테트라부틸암모늄 브로마이드(0.1당량) 및 적절하게 치환된 벤질 브로마이드(1.1당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 DCM(15㎖/mmol)으로 희석하고, 층을 분리시키고, 상기 수 층을 DCM으로 추출하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 9의 화합물을 80 내지 90%의 수율로 수득하였다.방법 B) 화학식 8의 화합물을 N,N'-디메틸아세트아미드(4㎖/mmol)에 용해시키고, 이 용액에 트리페닐포스핀(1.25당량) 및 디이소프로필 아조디카복실레이트(1.25당량) 및 적절하게 치환된 벤질 알코올(1.2당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 디에틸 에테르로 희석하고, 물(3회)로 세척하였다. 합한 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화학식 9의 화합물을 70 내지 90%의 수율로 수득하였다.화학식 9의 화합물을 산성 탈보호하여 화학식 1의 화합물로 전환시키기 위한 일반적 공정화학식 9의 화합물을 1,4-디옥산 중의 HCl 용액(4N, 45당량)에 용해시키고, 상기 혼합물을 실온에서 24시간 동안 교반하였다. 필요한 경우, 반응이 완결되도록 유도하기 위해 50℃ 가열을 적용하였다. 상기 용매를 증발시키고, 디이소프로필 에테르를 첨가하여 생성물을 침전시켰다. 백색 고체 재료를 여과하고, 진공 건조시켜, 화학식 1의 화합물을 80 내지 100%의 수율로 수득하였다.화학식 6의 BOC 보호된 유도체의 합성을 위한 일반적 공정DCM(6㎖/mmol) 중의 화학식 6의 화합물의 현탁액에 DIPEA(1당량), 디메틸아미노 피리딘(DMAP, 0.05당량) 및 디-3급-부틸 디카보네이트(1.1당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 반응 혼합물을 5% NaHCO3 수용액으로 세척하고, 수득된 수 층을 DCM으로 추출하였다. 합한 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화학식 10의 화합물을 70 내지 90%의 수율로 수득하였다.화학식 11의 화합물의 합성을 위한 일반적 공정화학식 10의 화합물을 1,4-디옥산/물(1/1, v/v)(2㎖/mmol)에 용해시키고, 상기 용액에 수산화칼륨(4당량, 11.7N) 및 상기 용액을 탈기시켰다. 상기 용액에 2-디3급-부틸포스피노-2',4',6'-트리이소프로필바이페닐(0.04당량) 및 트리스-(디벤질리덴아세톤)-디팔라듐(0)(0.02당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 80℃에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 실온으로 냉각시키고, EtOAc로 희석하고, 0.1N HCl에 의해 pH 6으로 산성화시키고, EtOAc로 추출하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 11의 화합물을 60 내지 95%의 수율로 수득하였다.화학식 12의 벤질 에테르 유도체의 합성을 위한 일반적 공정방법 A) 화학식 11의 화합물을 DCM/물(2/1, v/v)(4㎖/mmol)에 용해시키고, 이 용액에 수산화나트륨(2N, 3당량)을 첨가하였다. 이 혼합물에 테트라부틸암모늄 브로마이드(0.1당량) 및 적절하게 치환된 벤질 브로마이드(1.1당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 DCM(15㎖/mmol)으로 희석하고, 층을 분리시키고, 상기 수 층을 DCM으로 추출하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화학식 12의 화합물을 80 내지 90%의 수율로 수득하였다.방법 B) 화학식 11의 화합물을 N,N'-디메틸아세트아미드(4㎖/mmol)에 용해시키고, 이 용액에 트리페닐포스핀(1.25당량), 디이소프로필 아조디카복실레이트(DIAD, 1.25당량) 및 적절하게 치환된 벤질 알코올(1.2당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 디에틸 에테르로 희석하고, 물(3회)로 세척하였다. 합한 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화학식 12의 화합물을 70 내지 90%의 다양한 수율로 수득하였다.방법 C) 화학식 10의 화합물을 톨루엔(8m㎖/mmol)에 용해시키고, 상기 용액에 수산화칼륨(2당량, 11.7N)을 첨가하고, 상기 용액을 탈기시켰다. 상기 용액에 적절하게 치환된 벤질 브로마이드(1.1당량), 2-디-3급-부틸포스피노-2',4',6'-트리이소프로필바이페닐(0.06당량) 및 트리스-(디벤질리덴아세톤)-디팔라듐(0)(0.03당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 60℃에서 1.25시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 실온으로 냉각시키고, EtOAc로 희석하고, 5% NaHCO3 용액(10㎖/mmol)으로 세척하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화학식 12의 화합물을 30 내지 80%의 수율로 수득하였다.화학식 12의 화합물을 탈보호시켜 화학식 13의 화합물로 전환시키기 위한 일반적 공정화학식 12의 화합물을 DCM(10㎖/mmol)에 용해시키고, 트리플루오로아세트산(10당량)을 첨가하였다. 상기 용액을 16시간 동안 환류시켰고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 5% 수성 NaHCO3으로 중화시켰다. 상기 혼합물을 DCM(3회)로 추출하고, 합한 유기 층을 염수로 세척하고, Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시켜, 화학식 13의 화합물을 수득하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다.화학식 13의 화합물로부터 출발하는 보호된 카복실산 테일(9)의 도입을 위한 일반적 공정a) 프로피온산 3급-부틸 에스테르의 도입화학식 13의 화합물을 메탄올(4㎖/mmol)에 현탁시키고, DIPEA를 첨가하였다(1.05당량). 상기 혼합물에 1.2당량의 3급-부틸 아크릴레이트를 첨가하고, 상기 혼합물을 16시간 동안 환류시켰다. 전환은 TLC 분석에 의해 검사하였다. 상기 용매를 증발시키고, 상기 잔류물을 EtOAc에 다시 용해시키고, 5% NaHCO3 용액으로 추출하였다. 상기 유기 층을 건조시키고(MgSO4), 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 순수한 화학식 9a의 화합물을 수득하였다.b) 2-메틸-프로피온산 3급-부틸 에스테르의 도입파이렉스 병에서 DMF(6㎖/mmol) 중의 화학식 13의 화합물의 용액에 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]운데크-7-엔(3당량) 및 3급-부틸-메타크릴레이트(2당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 100시간 동안 125℃로 가열하였다. 상기 용액을 냉각시키고, 5% NaHCO3(15㎖/mmol)을 첨가하고, 디에틸 에테르/EtOAc(1/1, v/v)로 추출하였다. 상기 유기 층을 물(4회)로 세척하고, MgSO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 9b의 화합물을 수득하였다.c) 3-부티르산 3급-부틸 에스테르의 도입화학식 13의 화합물을 1,2-디클로로에탄(6㎖/mmol)에 현탁시켰다. 이 현탁액에 3급-부틸아세토아세테이트(1당량) 및 트리아세톡시수소화붕소나트륨(1.4당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 반응이 완결되지 않은 경우, 추가 분량의 3급-부틸아세토아세테이트(1당량) 및 트리아세톡시수소화붕소나트륨(1.4당량)을 첨가하였다. 반응이 완결된 후, 상기 용액을 5% NaHCO3(15㎖/mmol)으로 희석하고, 상기 혼합물을 DCM으로 추출하였다. 합한 유기 층을 Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 9c의 화합물을 제공하였다.d) 4-부티르산 3급-부틸 에스테르의 도입화학식 13의 화합물을 아세토니트릴(3㎖/mmol)에 현탁시켰다. 이 현탁액에 탄산칼륨(2당량), 3급-부틸 4-브로모-부타노에이트(1.1당량) 및 요오드화칼륨(1.1당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 가열하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 EtOAc에 용해시키고, 5% NaHCO3(15㎖/mmol)으로 세척하였다. 상기 유기 층을 Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화학식 9d의 화합물을 수득하였다.화학식 17의 2-(4-브로모-페닐)-옥사졸로[4,5-c]피리딘의 합성을 위한 일반적 공정DCM 중의 시판 4-하이드록시-3-아미노-피리딘의 냉각(0℃)된 현탁액(화학식 14의 화합물, 6㎖/mmol)에 트리에틸 아민(1.25당량) 및 적절하게 치환된 화학식 15의 벤조일 클로라이드 용액(1당량, DCM 중 0.3M)을 첨가하였다. 상기 반응 혼합물을 실온에 도달시키고, 상기 혼합물을 16 내지 64시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 여과하고, DCM 및 에테르로 세척하여, 화학식 16의 화합물을 고체 재료(50 내지 80% 수율)로서 제공하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다. 헥사클로로에탄(2.5당량)을 DCM에 용해시키고, 트리페닐 포스핀(3당량) 및 트리에틸 아민(8당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 10분 동안 교반하고, 화학식 16의 화합물을 5개의 동등한 분획으로 서서히 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 64시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석(DCM/MeOH, 97/3, v/v)은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 용액을 농축시키고, 상기 잔류물을 DCM에 현탁시켰다. 상기 혼합물을 여과하고, 상기 잔류물을 DCM 및 디에틸 에테르로 세척하고, 화학식 17의 화합물을 30 내지 80%의 수율로 수득하였다.화학식 19의 화합물의 합성을 위한 일반적 공정DMF 중의 화학식 17의 화합물의 용액에 요오도메탄(4당량)을 첨가하고, 상기 혼합물을 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 EtOAc 중에서 교반하여, 화학식 18의 화합물을 백색 고체로서 수득하였다. 화학식 18의 화합물을 메탄올(10㎖/mmol)에 용해시키고, 상기 용액을 0℃로 냉각시켰다. 수소화붕소나트륨(2당량)을 첨가하고, 상기 혼합물을 0℃에서 2시간 동안 교반한 후, 이를 실온에 도달시키고, 16시간 동안 계속 교반하였다. 물을 첨가하고(1㎖/mmol), 상기 혼합물을 5분 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 아세토니트릴과 함께 공증발시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화학식 19의 화합물을 50 내지 90%의 수율로 수득하였다.화학식 20의 화합물의 합성을 위한 일반적 공정1,2-디클로로에탄(10㎖/mmol) 중의 화학식 19의 화합물의 냉각(0℃)된 용액에 DIPEA(2당량)를 첨가하였다. 0℃에서, 1-클로로에틸 클로로포르메이트(3당량)를 첨가하고, 상기 혼합물을 0℃에서 10분 동안 교반한 후, 온도를 환류 온도로 상승시켰다. 2시간 후, 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 메탄올(10㎖/mmol)에 용해시켰다. 상기 용액을 실온에서 48시간 동안 교반하였다. 용매를 제거하여, 화학식 20의 화합물을 70 내지 90%의 수율로 단리하였다.화학식 21의 화합물의 합성을 위한 일반적 공정a) 프로피온산 3급-부틸 에스테르의 도입화학식 20의 화합물을 메탄올(10㎖/mmol)에 현탁시키고, DIPEA를 첨가하였다(2.05 당량). 상기 혼합물에 1.2당량의 3급-부틸 아크릴레이트를 첨가하고, 상기 혼합물을 16 내지 120시간 동안 환류시켰다. 전환은 TLC 분석에 의해 검사하고, 필요한 경우, 추가의 시약을 첨가하여 반응이 완결되도록 유도하였다. 상기 용매를 증발시키고, 상기 잔류물을 EtOAc에 다시 용해시키고, 5% NaHCO3 용액으로 추출하였다. 상기 유기 층을 건조시키고(MgSO4), 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화학식 21a의 화합물을 50 내지 90%의 수율로 수득하였다.b) 2-메틸-프로피온산 3급-부틸 에스테르의 도입DMF(6㎖/mmol) 중의 화학식 20의 화합물의 용액에 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]운데크-7-엔(DBU, 3당량) 및 3급-부틸메타크릴레이트(5당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 100시간 동안 125℃로 가열하였다. 상기 용액을 냉각시키고, 5% NaHCO3을 첨가하고(15㎖/mmol), 디에틸 에테르/EtOAc(1/1, v/v)로 추출하였다. 상기 유기 층을 물(4회)로 세척하고, MgSO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 21b의 화합물을 수득하였다.c) 3-부티르산 3급-부틸 에스테르의 도입화학식 20의 화합물을 1,2-디클로로에탄(8㎖/mmol)에 현탁시켰다. 이 현탁액에 3급-부틸아세토아세테이트(1.4당량), 아세트산(1당량) 및 트리아세톡시수소화붕소나트륨(1.8당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 반응이 완결되지 않은 경우, 추가 분량의 3급-부틸아세토아세테이트(1당량) 및 트리아세톡시수소화붕소나트륨(1.4당량)을 첨가하였다. 반응이 완결된 후, 상기 용액을 5% NaHCO3(15㎖/mmol)으로 희석하고, 상기 혼합물을 DCM으로 추출하였다. 합한 유기 층을 Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 21c의 화합물을 제공하였다.d) 4-부티르산 3급-부틸 에스테르의 도입화학식 20의 화합물을 DMF(5㎖/mmol)에 현탁시켰다. 이 현탁액에 탄산칼륨(3당량) 및 3급-부틸 4-브로모부타노에이트(3당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 16시간 동안 80℃로 가열하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화학식 21d의 화합물을 수득하였다.화학식 22의 화합물의 합성을 위한 일반적 공정화학식 21의 화합물을 아세토니트릴(25m㎖/mmol)에 용해시키고, 상기 용액에 분말화 수산화칼륨(2당량)을 첨가하고, 상기 용액을 탈기시켰다. 상기 용액에 2-디3급-부틸포스피노-3,4,5,6-테트라메틸-2',4',6'-트리이소프로필-1,1-바이페닐(0.06당량) 및 트리스-(디벤질리덴아세톤)-디팔라듐(0)(0.03당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 60℃에서 4시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 DCM에 용해시키고, 0.1M HCl 및 물로 세척하였다. 상기 수 층을 DCM으로 추출하고, 합한 유기 층을 MgSO4로 건조시켰다. 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 후에 화학식 22의 화합물을 30 내지 70%의 수율로 수득하였다.화학식 21의 화합물에 벤질 에테르 잔기를 도입시켜 화학식 23의 화합물로 전환시키기 위한 일반적 공정탈기된 톨루엔(3㎖/mmol) 중의 화학식 21의 화합물, 적절하게 치환된 벤질 알코올(2당량), 아세트산팔라듐(II)(0.02당량), 2-디3급-부틸포스피노-3,4,5,6-테트라메틸-2',4',6'-트리이소프로필-1,1'바이페닐(0.02당량), 탄산세슘(1.5당량)의 용액을 16시간 동안 75℃로 가열하였다. 전환은 TLC 분석에 의해 검사하였다. 상기 용액을 실온으로 냉각시키고, DCM으로 희석하고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 23의 화합물을 30 내지 80%의 수율로 수득하였다.화학식 22의 페놀을 화학식 23의 벤질 에테르로 전환시키기 위한 일반적 공정방법 A) 화학식 22의 화합물을 DCM/물(2/1, v/v)(4㎖/mmol)에 용해시키고, 이 용액에 수산화나트륨(2N, 3당량)을 첨가하였다. 이 혼합물에 테트라부틸암모늄 브로마이드(0.1당량) 및 적절하게 치환된 벤질 브로마이드(1.1당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 DCM(15㎖/mmol)으로 희석하고, 층을 분리시키고, 상기 수 층을 DCM으로 추출하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 23의 화합물을 80 내지 90%의 수율로 수득하였다.방법 B) 화학식 22의 화합물을 건조 DCM(15㎖/mmol)에 용해시키고, 이 용액에 트리페닐포스핀(1.8당량) 및 적절하게 치환된 벤질 알코올(1.8당량)을 첨가하였다. 이 혼합물에 디이소프로필 아조디카복실레이트(1.8당량)를 첨가하고, 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 23의 화합물을 70 내지 90%의 수율로 수득하였다.방법 C) PS-TBD(3.7당량) 수지를 아세토니트릴 1㎖ 중의 화학식 22의 화합물의 용액(1.1당량)과 함께 50℃에서 1.5시간 동안 항온처리하였다. 이어서, 아세토니트릴 중의 적절하게 치환된 벤질 브로마이드(1.10당량)를 첨가하였다. 이후, 상기 반응 혼합물을 진탕시키고, 16시간 동안 75℃로 가열하였다. 다음으로, 상기 용매를 여과에 의해 제거하고, 상기 수지를 3x2.5㎖ ACN으로 세척하였다. 합한 유기물을 진공하에 농축시킨 후, 실리카 상에서의 플래시 컬럼 크로마토그래피에 의해, 화학식 23의 화합물을 60 내지 95%의 수율로 수득하였다.화학식 23의 화합물을 탈보호시켜 화학식 2의 화합물로 전환시키기 위한 일반적 공정화학식 23의 화합물을 1,4-디옥산 중의 HCl 용액(4N, 100당량)에 용해시키고, 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 필요한 경우, 반응이 완결되도록 유도하기 위해 50℃ 가열을 적용하였다. 상기 용매를 증발시키고, 디이소프로필 에테르를 첨가하여 생성물을 침전시켰다. 상기 백색 고체 재료를 여과하고, 진공 건조시켜, 화학식 2의 화합물을 70 내지 100%의 수율로 수득하였다.화학식 25의 화합물의 합성을 위한 일반적 공정아세토니트릴(15㎖/mmol) 중의 시판 4-하이드록시-3-아미노-피리딘(화학식 14의 화합물)의 냉각(0℃)된 현탁액에 적절하게 치환된 4-벤질옥시-벤조산(화학식 24의 화합물, 1당량), 트리페닐포스핀(3당량) 및 트리클로로아세토니트릴(3당량)을 첨가하였다. 상기 반응 혼합물을 실온에 도달시키고, 상기 혼합물을 80℃에서 16 내지 64시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 DCM에 용해시키고, 2N NaOH(3회)로 세척하였다. 합한 수 층을 DCM으로 추출하고, 상기 유기 층을 건조시켜(Na2SO4), 조 화학식 25의 화합물을 오일로서 수득하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다.화학식 26의 화합물의 합성을 위한 일반적 공정DMF(5㎖/mmol) 중의 화학식 25의 화합물의 용액에 요오도메탄(4당량)을 첨가하고, 상기 혼합물을 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 EtOAc 중에서 교반하여, 화학식 25의 화합물의 상기 4급화 염을 백색 고체로서 수득하였다. 상기 조 재료를 메탄올(10㎖/mmol)에 용해시키고, 상기 용액을 0℃로 냉각시켰다. 수소화붕소나트륨(2.5당량)을 첨가하고, 상기 혼합물을 0℃에서 2시간 동안 교반한 후, 이를 실온에 도달시키고, 16 내지 64시간 동안 계속 교반하였다. 물을 첨가하고(1㎖/mmol), 상기 혼합물을 5분 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 잔류물을 2N NaOH(5㎖/mmol)에 현탁시키고, DCM(3회)으로 추출하였다. 합한 유기 층을 건조시키고(Na2SO4), 농축시켜, 조 화학식 26의 화합물을 황색 고체로서 수득하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다.화학식 27의 화합물을 위한 일반적 공정1,2-디클로로에탄(10㎖/mmol) 중의 화학식 26의 화합물의 냉각(0℃)된 용액에 DIPEA(2당량) 및 1-클로로에틸 클로로포르메이트(3당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 0℃에서 10분 동안 교반한 후, 온도를 환류 온도로 상승시켰다. 4시간 후, 상기 혼합물을 실온에 도달시키고, 16시간 동안 계속 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 메탄올(10㎖/mmol)에 용해시켰다. 상기 용액을 실온에서 16 내지 48시간 동안 교반하였다. 용매를 제거하여, 조 화학식 27의 화합물을 화학식 25의 화합물 기준으로 20 내지 40%의 전체 수율로 단리하였다.화학식 27의 화합물로부터 출발하여 보호된 카복실산 테일을 도입(화학식 23의 화합물)시키기 위한 일반적 공정a) 프로피온산 3급-부틸 에스테르의 도입화학식 27의 화합물을 메탄올(4㎖/mmol)에 현탁시키고, DIPEA를 첨가하였다(1.05 당량). 상기 혼합물에 1.2당량의 3급-부틸 아크릴레이트를 첨가하고, 상기 혼합물을 16시간 동안 환류시켰다. 전환은 TLC 분석에 의해 검사하였다. 상기 용매를 증발시키고, 상기 잔류물을 EtOAc에 다시 용해시키고, 5% NaHCO3 용액으로 추출하였다. 상기 유기 층을 건조시키고(MgSO4), 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 23a의 화합물을 수득하였다.b) 2-메틸-프로피온산 3급-부틸 에스테르의 도입DMF(6㎖/mmol) 중의 화학식 27의 화합물의 용액에 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]운데크-7-엔(3당량) 및 3급-부틸메타크릴레이트(4당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 100시간 동안 125℃로 가열하였다. 상기 용액을 냉각시키고, 5% NaHCO3을 첨가하고(15㎖/mmol), 디에틸 에테르/EtOAc(1/1, v/v)로 추출하였다. 상기 유기 층을 물(4회)로 세척하고, MgSO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 23b의 화합물을 수득하였다.c) 3-부티르산 3급-부틸 에스테르의 도입화학식 27의 화합물을 1,2-디클로로에탄(6㎖/mmol)에 현탁시켰다. 이 현탁액에 3급-부틸아세토아세테이트(1당량) 및 트리아세톡시수소화붕소나트륨(1.4당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 반응이 완결되지 않은 경우, 추가 분량의 3급-부틸아세토아세테이트(1당량) 및 트리아세톡시수소화붕소나트륨(1.4당량)을 첨가하였다. 반응이 완결된 후, 상기 용액을 5% NaHCO3(15㎖/mmol)으로 희석시키고, 상기 혼합물을 DCM으로 추출하였다. 합한 유기 층을 Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 23c의 화합물을 제공하였다.d) 4-부티르산 3급-부틸 에스테르의 도입화학식 27의 화합물을 아세토니트릴(3㎖/mmol)에 현탁시켰다. 이 현탁액에 탄산칼륨(2당량), 3급-부틸 4-브로모부타노에이트(1.1당량) 및 요오드화칼륨(1.1당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 가열하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 EtOAc에 용해시키고, 5% NaHCO3(15㎖/mmol)으로 세척하였다. 상기 유기 층을 Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화학식 23d의 화합물을 수득하였다.e) 3-사이클로부탄카복실산의 도입화학식 27의 화합물을 1,2-디클로로에탄(20㎖/mmol)에 현탁시켰다. 이 현탁액에 3-옥소사이클로부탄카복실산(1.3당량) 및 트리아세톡시수소화붕소나트륨(1.6당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 반응이 완결되지 않은 경우, 추가 분량의 3-옥소사이클로부탄카복실산(1.3당량) 및 트리아세톡시수소화붕소나트륨(1.6당량)을 첨가하였다. 반응이 완결된 후, 상기 용액을 5% NaHCO3(15㎖/mmol)으로 희석하고, 상기 혼합물을 DCM으로 추출하였다. 합한 유기 층을 Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 2e의 화합물을 수득하였다.화학식 23의 화합물을 수소화시켜 화학식 22의 화합물로 전환시키기 위한 일반적 공정에탄올(10㎖/mmol) 중의 화학식 23의 화합물의 용액에 탄소 담지 수산화팔라듐(20%, 0.22당량)을 첨가하였다. 수소화는 수소 대기압하에 개시되었다. 실온에서 16시간 동안 계속 교반하였다. 상기 혼합물을 하이플로(Hyflo)로 여과하고, 상기 잔류물을 에탄올로 세척하였다. 상기 여액을 진공하에 농축시켜, 화학식 22의 화합물을 수득하였다.화학식 28의 화합물의 합성을 위한 일반적 공정DCM(6㎖/mmol) 중의 화학식 20의 화합물의 현탁액에 DIPEA(1당량), 디메틸아미노 피리딘(DMAP, 0.05당량) 및 디-3급-부틸 디카보네이트(1.1당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 28의 화합물을 70 내지 90%의 수율로 수득하였다.화학식 29의 화합물의 합성을 위한 일반적 공정화학식 28의 화합물을 1,4-디옥산/물(1/1, v/v)(10㎖/mmol)에 용해시키고, 상기 용액에 수산화칼륨(4당량, 11.7N)을 첨가하고, 상기 용액을 탈기시켰다. 상기 용액에 2-디-3급-부틸포스피노-2',4',6'-트리이소프로필바이페닐(0.04당량) 및 트리스-(디벤질리덴아세톤)-디팔라듐(0)(0.02당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 80℃에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 실온으로 냉각시키고, EtOAc로 희석하고, 0.1N HCl에 의해 pH 6으로 산성화시키고, EtOAc로 추출하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 29의 화합물을 60 내지 95%의 수율로 수득하였다.화학식 30의 벤질 에테르 유도체의 합성을 위한 일반적 공정방법 A) 화학식 29의 화합물을 DCM/물(2/1, v/v)(4㎖/mmol)에 용해시키고, 이 용액에 수산화나트륨(2N, 3당량)을 첨가하였다. 이 혼합물에 테트라부틸암모늄 브로마이드(0.1당량) 및 적절하게 치환된 벤질 브로마이드(1.1당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 DCM(15㎖/mmol)으로 희석하고, 층을 분리시키고, 상기 수 층을 DCM으로 추출하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 30의 화합물을 80 내지 90%의 수율로 수득하였다.방법 B) 화학식 29의 화합물을 N,N'-디메틸아세트아미드(4㎖/mmol)에 용해시키고, 이 용액에 트리페닐포스핀(1.25당량), 디이소프로필 아조디카복실레이트(1.25당량) 및 적절하게 치환된 벤질 알코올(1.2당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 디에틸 에테르로 희석하고, 물(3회)로 세척하였다. 합한 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 30의 화합물을 70 내지 90%의 수율로 수득하였다.방법 C) 화학식 28의 화합물을 톨루엔(8m㎖/mmol)에 용해시키고, 상기 용액에 수산화칼륨(2당량, 11.7N)을 첨가하고, 상기 용액을 탈기시켰다. 상기 용액에 적절하게 치환된 벤질 브로마이드(1.1당량), 2-디-3급-부틸포스피노-2',4',6'-트리이소프로필바이페닐(0.06당량) 및 트리스-(디벤질리덴아세톤)-디팔라듐(0)(0.03당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 60℃에서 1.25시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 실온으로 냉각시키고, EtOAc로 희석하고, 5% NaHCO3 용액(10㎖/mmol)으로 세척하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 순수한 화학식 30의 화합물을 30 내지 80%의 수율로 수득하였다.화학식 30의 화합물을 탈보호시켜 화학식 27의 화합물로 전환시키기 위한 일반적 공정화학식 30의 화합물을 DCM(10㎖/mmol)에 용해시키고, 트리플루오로아세트산(6당량)을 첨가하였다. 상기 용액을 16시간 동안 환류시켰고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 5% 수성 NaHCO3으로 중화시켰다. 상기 혼합물을 DCM(3회)으로 추출하고, 합한 유기 층을 염수로 세척하고, Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시켜, 화학식 27의 화합물을 수득하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다. §5. 특정 화합물의 합성(표 1 참조)표 1의 모든 푸라닐 유도체들은 적절한 시약들을 선택함으로써 경로 A 또는 B에 따라 제조될 수 있다. 하기 화합물들은 대표적인 예이다.표 1의 모든 옥사졸로 유도체들은 적절한 시약들을 선택함으로써 경로 C, D 또는 E에 따라 제조될 수 있다. 하기 화합물들은 대표적인 예이다.3-[2-(4-브로모-페닐)-2-옥소-에틸]-4-옥소-피페리딘-1-카복실산 3급-부틸 에스테르(화학식 5의 화합물, Rb=H)톨루엔(800㎖) 중의 4-옥소-피페리딘-1-카복실산 3급-부틸 에스테르(화학식 4의 화합물, 104.1g, 522mmol)의 용액에 촉매량의 파라-톨루엔설폰산 1수화물(0.5g, 2.6mmol) 및 피롤리딘(172.8㎖, 2090mmol)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 딘 스타크 조건에서 18시간 동안 환류하에 가열하였다. 상기 혼합물을 감압하에 농축시키고, 상기 잔류물을 톨루엔(600㎖)에 다시 용해시켰다. 이 용액에 톨루엔/DCM(900㎖, 1/2, v/v) 중의 2-브로모-1-(4-브로모-페닐)-에탄온(화학식 3의 화합물, Rb=H, 145.2g, 522mmol)의 용액을 (25분 내에) 서서히 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 밤새 교반하고, 수득된 백색 슬러리를 물(1.5ℓ)에 부었다. 상기 수 층을 DCM(3x300㎖)으로 추출하고, 합한 유기 층을 건조시키고(MgSO4), 이어서 감압하에 농축시켰다. 수득된 오일을 실리카 겔 크로마토그래피(디에틸 에테르/석유 에테르, 2/3, v/v로부터 100% 디에틸 에테르)로 정제하여, 화학식 5의 화합물(Rb=H, 166.6g, 87%)을 황색 고체로서 수득하였다. TLC 분석, 디에틸 에테르/석유 에테르(1/1, v/v) 중 Rf 0.3.2-[4-브로모-페닐]-4,5,6,7-테트라하이드로-푸로[3,2-c]피리딘 (화학식 6의 화합물, Rb=H)화학식 5의 화합물(Rb=H, 166g, 456mmol)을 진한 염산(500㎖, 12N, 6mol)에 현탁시켰다. 상기 혼합물을 30분당 10℃로 80℃까지 가열하였다. 상기 혼합물은 심하게 발포하기 시작하므로, 초기 반응 용기 내의 충분한 부피를 허용한다. 45분 후, 상기 혼합물을 0℃로 냉각시키고, 50중량% NaOH 용액으로 중화시켰다(발열). 실온에서 밤새 교반한 후, 수득된 고체 재료를 여과에 의해 회수하고, 0.1M NaOH 250㎖로 세척하였다. 상기 담갈색 재료를 EtOAc 중의 속슬레 추출로 정제하여, 화학식 6의 화합물(Rb=H, 51g, 38%)을 베이지색 고체로서 수득하고, 이는 추가의 정제 없이 후속 단계에 사용되었다. LC-MS (방법 A): Rt 1.19, [M+H] 278.3-[2-(4-브로모-페닐)-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-일]-프로피온산 3급-부틸 에스테르(화학식 7a의 화합물, Rb=H)화학식 6의 화합물(Rb=H, 1.46g, 5mmol)을 메탄올(30㎖)에 현탁시키고, DIPEA를 첨가하였다(0.91㎖, 1.05 당량). 상기 혼합물에 3급-부틸 아크릴레이트(0.88㎖, 1.2당량)를 첨가하고, 상기 혼합물을 16시간 동안 환류시켰다. 전환은 TLC 분석(디에틸 에테르/석유 에테르, 1/1, v/v)에 의해 검사하였다. 상기 용매를 증발시키고, 상기 잔류물을 EtOAc에 다시 용해시키고, 5% NaHCO3 용액으로 추출하였다. 상기 유기 층을 건조시키고(MgSO4), 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(디에틸 에테르/석유 에테르, 2/3으로부터 1/1, v/v)로 정제하여, 순수한 화학식 7a의 화합물(Rb=H, 1.75g, 86%)을 백색 고체로서 수득하였다. LC-MS (방법 A): Rt 1.38, [M+H] 407.3-[2-(4-하이드록시-페닐)-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-일]-프로피온산 3급-부틸 에스테르(화학식 8a의 화합물, Rb=H)화학식 7a의 화합물(Rb=H, 3.85g, 9.5mmol)을 톨루엔(80㎖)에 용해시키고, 상기 용액에 수산화칼륨(2당량, 11.7N)을 첨가하고, 상기 용액을 탈기시켰다. 상기 용액에 2-디-3급-부틸포스피노-2',4',6'-트리이소프로필바이페닐(0.24g, 0.57mmol, 0.06당량) 및 트리스-(디벤질리덴아세톤)-디팔라듐(0)(0.26g, 0.28mmol, 0.03당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 60℃에서 1.25시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 실온으로 냉각시키고, EtOAc로 희석하고, 5% NaHCO3 수용액(10㎖/mmol)으로 세척하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(디에틸 에테르/ 석유 에테르, 1/1, v/v, Rf 0.1)로 정제하여, 순수한 화학식 8a의 화합물(Rb=H, 1.86g, 57%)을 황색 고체로서 수득하였다. LC-MS (방법 A): Rt 1.14, [M+H] 344.3-2-[4-(2-플루오로-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-일-프로피온산 3급-부틸 에스테르(화학식 9a의 화합물, Ra=2F, Rb=H)화학식 8a의 화합물(Rb=H, 1.24g, 3.61mmol)을 N,N-디메틸아세트아미드(10㎖)에 용해시키고, 이 용액에 트리페닐포스핀(1.33g, 5.06mmol, 1.4당량), 디이소프로필 아조디카복실레이트(1㎖, 5.05mmol, 1.4당량) 및 2-플루오로벤질 알코올(0.46㎖, 4.33mmol, 1.2당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석(디에틸 에테르, Rf 0.3)은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 디에틸 에테르로 희석하고, 물(3회)로 세척하였다. 합한 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(디에틸 에테르/석유 에테르, 1/1, v/v로부터 2/1, v/v)로 정제하여, 순수한 화학식 9a의 화합물(Ra=2F, Rb=H, 1.38g, 84%)을 오일로서 수득하였다. LC-MS (방법 A): Rt 1.46, [M+H] 452.3-2-[4-(2-플루오로-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-일-프로피온산 (화학식 33의 화합물)화학식 9a의 화합물(Ra=2F, Rb=H, 1.38g, 3.1mmol)을 1,4-디옥산 중의 HCl 용액(4N, 30㎖)에 용해시키고, 상기 혼합물을 35℃에서 2시간 동안 교반하였다. 상기 용매를 증발시키고, 디이소프로필 에테르(30㎖)를 첨가하여 생성물을 염산 염으로서 침전시켰다. 상기 백색 고체 재료를 여과하고, 진공 건조시켜, 화학식 33의 화합물(0.75g, 54%)을 백색 고체로서 수득하였다.LC-MS (방법 A): Rt 1.39, [M+H] 396.2-(4-브로모-페닐)-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-카복실산 3급-부틸 에스테르(화학식 10의 화합물, Rb=H)DCM(100㎖) 중의 화학식 6의 화합물(Rb=H, 5g, 17mmol)의 현탁액에 DIPEA(2.92㎖, 1당량), DMAP(0.1g, 0.05당량) 및 디-3급-부틸 디카보네이트(4.1g, 18.8mmol, 1.1당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석(DCM, Rf, 0.40)은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 반응 혼합물을 5% NaHCO3 수용액으로 세척하고, 수득된 물 층을 DCM으로 추출하였다. 합한 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(용리제: 100% DCM)로 정제하여, 화학식 10의 화합물(Rb=H, 5.99g, 92%)을 오일로서 수득하였다.2-(4-하이드록시-페닐)-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-카복실산 3급-부틸 에스테르(화학식 11a의 화합물, Rb=H)화학식 10의 화합물(Rb=H, 11.77g, 31mmol)을 1,4-디옥산/물(1/1, v/v)(200㎖)에 용해시키고, 상기 용액에 수산화칼륨(6,98g, 124.5mmol, 4당량)을 첨가하고, 상기 용액을 탈기시켰다. 상기 용액에 2-디-3급-부틸포스피노-2',4',6'-트리이소프로필바이페닐(0.53g, 1.24mmol, 0.04당량) 및 트리스-(디벤질리덴아세톤)-디팔라듐(0)(0.57g, 0.62mmol, 0.02당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 80℃에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 실온으로 냉각시키고, EtOAc로 희석하고, 0.1N HCl에 의해 pH 6으로 산성화시키고, EtOAc로 추출하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(용리제: DCM/MeOH, 1/0으로부터 99.5/0.5)로 정제하여, 화학식 11의 화합물(Rb=H, 9g, 90%)을 백색 고체로서 수득하였다.2-[4-(4-클로로-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-카복실산 3급-부틸 에스테르(화학식 12의 화합물, Ra=4Cl, Rb=H)화학식 11a의 화합물(Rb=H, 2.0g, 6.34mmol)을 DCM/물(2/1, v/v)(30㎖)에 용해시키고, 이 용액에 수산화나트륨(2N, 10㎖)을 첨가하였다. 이 혼합물에 테트라부틸암모늄 브로마이드(0.2g, 0.63mmol, 0.1당량) 및 4-클로로벤질 브로마이드(1.43g, 6.98mmol, 1.1당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석(100% DCM, Rf 0.55)은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 DCM(15㎖/mmol)으로 희석하고, 층을 분리시키고, 상기 수 층을 DCM으로 추출하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(DCM/석유 에테르, 3/1로부터 1/0, v/v)로 정제하여, 화학식 12의 화합물(Ra=4Cl, Rb=H, 2.3g, 82%)을 황색 오일로서 수득하였다.2-[4-(4-클로로-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘 (화학식 13의 화합물, Ra= 4Cl, Rb=H)화학식 12의 화합물(Ra=4Cl, Rb=H, 2.3g, 5.2mmol)을 DCM(50㎖)에 용해시키고, 트리플루오로아세트산(4㎖, 10당량)을 첨가하였다. 상기 용액을 16시간 동안 환류시켰고, 이 시간 후 TLC 분석(100% DCM, Rf 0.05)은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 5% 수성 NaHCO3으로 중화시켰다. 상기 혼합물을 DCM(3회)으로 추출하고, 합한 유기 층을 염수로 세척하고, Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시켜, 조 화학식 13의 화합물(Ra=4Cl, Rb=H, 1.79g)을 수득하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다. LC-MS (방법 A): Rt 1.49, [M+H] 340.3-2-[4-(4-클로로-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-일-2-메틸-프로피온산 3급-부틸 에스테르 (화학식 9b의 화합물, Ra=4Cl, Rb=H)25㎖ 파이렉스 병에서 DMF(5㎖) 중의 화학식 13a의 화합물(0.25g, 0.74mmol)의 용액에 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]운데크-7-엔(0.33㎖, 2.21mmol) 및 3급-부틸메타크릴레이트(0.24㎖, 1.47mmol)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 16시간 동안 140℃로 가열하였다. 상기 용액을 냉각시키고, 5% NaHCO3을 첨가하고(10㎖), 디에틸 에테르/EtOAc(1/1, v/v)로 추출하였다. 상기 유기 층을 물(4x20㎖)로 세척하고, MgSO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(디에틸 에테르/석유 에테르, 9/1로부터 4/1, v/v, Rf 0.65)로 정제하여, 순수한 화학식 9b의 화합물(Ra=4Cl, Rb=H, 0.1g, 28%)을 무색 오일로서 수득하였다. LC-MS (방법 A): Rt 1.88, [M+H] 482.3-2-[4-(4-클로로-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-일-2-메틸-프로피온산 (화학식 77의 화합물)화학식 9b의 화합물(Ra=4Cl, Rb=H, 0.12g, 0.25mmol)을 1,4-디옥산 중의 HCl 용액(4N, 2.8㎖)에 용해시키고, 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 용매를 증발시키고, 디이소프로필 에테르(30㎖)를 첨가하여 생성물을 염산 염으로서 침전시켰다. 상기 백색 고체 재료를 여과하고, 진공 건조시켜, 화학식 77의 화합물(0.09g, 74%)을 백색 고체로서 수득하였다.LC-MS (방법 A): Rt 1.56, [M+H] 426.2-[4-(벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-카복실산 3급-부틸 에스테르 (화학식 12의 화합물, Ra=Rb=H)화학식 11의 화합물(Rb=H, 0.84g, 2.66mmol)을 DCM/물(2/1, v/v)(30㎖)에 용해시키고, 이 용액에 수산화나트륨(2N, 4.2㎖)을 첨가하였다. 이 혼합물에 테트라부틸-암모늄 브로마이드(0.09g, 0.27mmol, 0.1당량) 및 벤질 브로마이드(0.35㎖, 2.93mmol, 1.1당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석(DCM/MeOH, 98/2, v/v, Rf 0.8)은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 DCM(100㎖)으로 희석하고, 층을 분리시키고, 상기 수 층을 DCM으로 추출하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(DCM/석유 에테르, 3/1로부터 1/0, v/v)로 정제하여, 화학식 12의 화합물(Ra=Rb=H, 1.03g, 95%)을 백색 고체로서 수득하였다.2-[4-벤질옥시-페닐]-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘 (화학식 13의 화합물, Ra=Rb=H)화학식 12의 화합물(Ra=Rb=H, 1.03g, 2.54mmol)을 DCM(20㎖)에 용해시키고, 트리플루오로아세트산(1.5㎖)을 첨가하였다. 상기 용액을 16시간 동안 환류시켰고, 이 시간 후 TLC 분석(100% DCM, Rf 0.05)은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 5% 수성 NaHCO3(40㎖)으로 중화시키고, DCM(3x50㎖)으로 추출하고, 합한 유기 층을 염수로 세척하고, Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시켜, 화학식 13의 화합물(Ra=Rb=H, 0.67g, 86%)을 수득하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다. LC-MS (방법 A): Rt 1.50, [M+H] 306.3-2-[4-벤질옥시-페닐]-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-일-부티르산 3급-부틸 에스테르 (화학식 9c의 화합물, Ra=Rb=H)화학식 13의 화합물(Ra=Rb=H, 0.16g, 0.52mmol)을 1,2-디클로로에탄(3.2㎖)에 현탁시켰다. 이 현탁액에 3급-부틸아세토아세테이트(0.09㎖, 0.52mmol) 및 트리아세톡시수소화붕소나트륨(0.16g, 0.73mmol)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반한 후, 추가 분량의 3급-부틸아세토아세테이트(1당량) 및 트리아세톡시수소화붕소나트륨(1.4당량)을 아세트산 한 방울과 함께 첨가하였다. 추가로 60시간 동안 교반한 후, 다시 소정 분량의 3급-부틸아세토아세테이트(1당량) 및 트리아세톡시수소화붕소나트륨(1.4당량)을 첨가하고, 36시간 동안 계속 교반하였다. 상기 용액을 5% NaHCO3(10㎖)으로 희석하고, 상기 혼합물을 DCM(3x100㎖)으로 추출하였다. 합한 유기 층을 Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(디에틸 에테르/석유 에테르, 9/1로부터 4/1, v/v)로 정제하여, 순수한 화학식 9c의 화합물(Ra=Rb=H, 0.06g, 25%)을 백색 고체로서 제공하였다. LC-MS (방법 A): Rt 1.68, [M+H] 448.3-2-[4-벤질옥시-페닐]-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-일-부티르산 (화학식 76의 화합물)화학식 9c의 화합물(Ra=Rb=H, 0.08g, 0.18mmol)을 1,4-디옥산 중의 HCl 용액(4㎖, 2N)에 용해시키고, 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 용매를 증발시키고, 상기 잔류물을 사이클로헥산과 함께 공증발시켰다. 디이소프로필 에테르(30㎖)를 첨가하여 생성물을 염산 염으로서 침전시키고, 상기 백색 고체 재료를 여과하고, 진공 건조시켜, 화학식 76의 화합물(0.06g, 80%)을 수득하였다.LC-MS (방법 A): Rt 1.46, [M+H] 392. 4-[2-(4-브로모-페닐)-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-일]-부티르산 3급-부틸 에스테르 (화학식 7d의 화합물)화학식 6의 화합물(Rb=H, 4.55g, 16.3mmol)을 아세토니트릴(55㎖)에 현탁시켰다. 이 현탁액에 탄산칼륨(4.52g, 32.7mmol), 3급-부틸 4-브로모부타노에이트(4.38g, 19.6mmol, 1.2당량) 및 요오드화칼륨(3.2g, 19.6mmol, 1.2당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 16시간 동안 환류하에 가열하고, 이 시간 후 TLC 분석(디에틸 에테르/석유 에테르, 1/1, v/v, Rf 0.1)은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 EtOAc에 용해시키고, 5% NaHCO3(2x60㎖)으로 세척하였다. 상기 유기 층을 Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(디에틸 에테르/석유 에테르, 1/1, v/v)로 정제하여, 화학식 7d의 화합물(Rb=H, 4.94g, 71%)을 황색 고체로서 수득하였다. LC-MS (방법 A): Rt 1.37, [M+H] 420.4-[2-(4-하이드록시-페닐)-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-일]-부티르산 3급-부틸 에스테르 (화학식 8d의 화합물)화학식 7d의 화합물(Rb=H, 4.91g, 11.68mmol)을 톨루엔(100㎖)에 용해시키고, 상기 용액에 수산화칼륨(2㎖, 11.7N)을 첨가하고, 상기 용액을 탈기시켰다. 상기 용액에 2-디-3급-부틸포스피노-2',4',6'-트리이소프로필바이페닐(0.27g, 0.64mmol, 0.06당량) 및 트리스-(디벤질리덴아세톤)-디팔라듐(0)(0.29g, 0.32mmol, 0.03당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 60℃에서 1.25시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 실온으로 냉각시키고, EtOAc로 희석하고, 5% NaHCO3 용액(100㎖)으로 세척하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(디에틸 에테르/ 석유 에테르, 1/1로부터 1/0, v/v, Rf 0.1)로 정제하여, 순수한 화학식 8d의 화합물(Rb=H, 4.0g)을 황색 고체로서 수득하였다. LC-MS (방법 A): Rt 1.21, [M+H] 358.4-2-[4-(2-플루오로-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-일-부티르산 3급-부틸 에스테르 (화학식 9d의 화합물)화학식 8d의 화합물(Rb=H, 0.43g, 1.2mmol)을 DCM/물(2/1, v/v)(5㎖)에 용해시키고, 이 용액에 수산화나트륨(1.8㎖, 2N, 3당량)을 첨가하였다. 이 혼합물에 테트라부틸암모늄 브로마이드(0.1당량) 및 2F-벤질 브로마이드(1.32mmol, 250mg)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석(디에틸 에테르, Rf 0.5)은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 DCM(15㎖)으로 희석하고, 층을 분리시키고, 상기 수 층을 DCM으로 추출하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(디에틸 에테르/석유 에테르, 1/1로부터 1/0, v/v)로 정제하여, 화학식 9d의 화합물(Ra=2F, Rb=H)을 80%의 수율로 수득하였다. LC-MS (방법 A): Rt 1.49, [M+H] 466.4-2-[4-(2-플루오로-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]피리딘-5-일-부티르산 (화학식 35의 화합물)화학식 9d의 화합물(Ra=2F, Rb=H, 0.3g, 0.64mmol)을 1,4-디옥산 중의 HCl 용액(4N, 2.8㎖)에 용해시키고, 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 용매를 증발시키고, 디이소프로필 에테르(30㎖)를 첨가하여 생성물을 염산 염으로서 침전시켰다. 상기 백색 고체 재료를 여과하고, 진공 건조시켜, 화학식 35의 화합물(0.32g, 95%)을 백색 고체로서 수득하였다.LC-MS (방법 A): Rt 1.37, [M+H] 410.4-2-[4-(2-플루오로-벤질옥시)-2-플루오로-페닐]-6,7-디하이드로-4H-푸로[3,2-c]-피리딘-5-일-부티르산 (화학식 73의 화합물)화학식 73의 화합물은 2-브로모-1-(4-브로모-2-플루오로-페닐)-에탄온으로부터 출발하여 화학식 35의 화합물에 대해 기술된 것과 유사한 방식으로 제조되었다. 화학식 73의 화합물:LC-MS (방법 A): Rt 1.35, [M+H] 428.2-(4-브로모-페닐)-옥사졸로[4,5-c]피리딘 (화학식 17의 화합물, Rb=H)DCM(200㎖) 중의 시판 4-하이드록시-3-아미노-피리딘(화학식 14)(4g, 36mmol)의 냉각(0℃)된 현탁액에 트리에틸 아민(6.3㎖, 1.25당량) 및 4-브로모-벤조일 클로라이드 용액(화학식 15, Rb=H, 8g, 36mmol, 1당량, DCM 중 0.3M)을 첨가하였다. 상기 반응 혼합물을 실온에 도달시키고, 상기 혼합물을 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 여과하고, DCM 및 에테르로 세척하여, 조 화학식 16의 화합물(Rb=H)을 고체 재료로서 제공하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다. 헥사클로로에탄(10.2g, 43mmol, 2.5당량)을 DCM(150㎖)에 용해시키고, 트리페닐 포스핀(13.56g, 51,69mmol, 3당량) 및 트리에틸 아민(19.2㎖, 137.8mmol, 8당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 10분 동안 교반하고, 상기 조 화학식 16의 화합물(Rb=H)을 5개의 동등한 분획으로 서서히 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 64시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석(DCM/MeOH, 97/3, v/v, Rf 0.3)은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 용액을 농축시키고, 상기 잔류물을 DCM에 현탁시켰다. 상기 혼합물을 여과하고, 상기 잔류물을 DCM 및 디에틸 에테르로 세척하고, 조 화학식 17의 화합물(Rb=H)을 수득하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다.2-(4-브로모-페닐)-5-메틸-4,5,6,7-테트라하이드로-옥사졸로[4,5-c]피리딘 (화학식 19의 화합물, Rb=H)DMF(95㎖) 중의 화학식 17의 화합물(Rb=H, 11.4mmol)의 용액에 요오도메탄(2.84㎖, 45.58mmol, 4당량)을 첨가하고, 상기 혼합물을 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 EtOAc 중에서 교반하여, 조 화학식 18의 화합물(Rb=H, 3.3g, 69%)을 백색 고체로서 수득하였다. 화학식 18의 화합물(Rb=H, 2.3g, 5.5mmol)을 메탄올(55㎖)에 용해시키고, 상기 용액을 0℃로 냉각시켰다. 수소화붕소나트륨(0.42g, 11mmol, 2당량)을 첨가하고, 상기 혼합물을 0℃에서 2시간 동안 교반한 후, 이를 실온에 도달시키고, 16시간 동안 계속 교반하였다. 물을 첨가하고(4㎖), 상기 혼합물을 5분 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 아세토니트릴과 함께 공증발시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(DMA 0.5)로 정제하여, 화학식 19의 화합물(Rb=H)을 61%의 수율로 수득하였다.2-(4-브로모-페닐)-4,5,6,7-테트라하이드로-옥사졸로[4,5-c]피리딘 (화학식 20의 화합물, Rb=H)1,2-디클로로에탄(32㎖) 중의 화학식 19의 화합물(Rb=H, 0.95g, 3.2mmol)의 냉각(0℃)된 용액에 DIPEA(1.1㎖, 6.4mmol, 2당량)를 첨가하였다. 0℃에서, 1-클로로에틸클로로포르메이트(1,05㎖, 9.72mmol, 3당량)를 첨가하고, 상기 혼합물을 0℃에서 10분 동안 교반한 후, 온도를 환류 온도로 상승시켰다. 2시간 후, 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 메탄올(35㎖)에 용해시켰다. 상기 용액을 실온에서 48시간 동안 교반하였다. 상기 침전물을 여과하고, 상기 고체 생성물을 디에틸 에테르로 세척하여, 화학식 20의 화합물(Rb=H, 0.9g, 88%)을 수득하였다. LC-MS (방법 A): Rt 1.1, [M+H] 280.3-[2-(4-브로모-페닐)-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일]-프로피온산 3급-부틸 에스테르 (화학식 21의 화합물, Rb=H)화학식 20의 화합물(Rb=H, 8g, 22.8mmol)을 메탄올(200㎖)에 현탁시키고, DIPEA를 첨가하였다(8.15㎖, 46.8mmol, 2.05당량). 상기 혼합물에 3급-부틸 아크릴레이트(3.97㎖, 27.4mmol, 1.2당량)를 첨가하고, 상기 혼합물을 120시간 동안 환류시켰다. 전환은 TLC 분석으로 검사하고, 16 및 64시간 후, 추가의 3급-부틸 아크릴레이트(3.97㎖, 27.4mmol, 1.2당량)를 첨가하여 반응을 완결로 유도시켰다. 상기 용매를 증발시키고, 상기 잔류물을 EtOAc에 다시 용해시키고, 5% NaHCO3 용액으로 추출하였다. 상기 유기 층을 건조시키고(MgSO4), 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(용리제: 디에틸 에테르/석유 에테르, 1/1, v/v)로 정제하여, 화학식 21a의 화합물(Rb=H, 8.8g, 93%)을 수득하였다. LC-MS (방법 A): Rt 1.38, [M+H] 408.3-2-[4-(벤질옥시)-페닐)]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-프로피온산 3급-부틸 에스테르 (화학식 23a의 화합물, Ra=Rb=H)화학식 21a의 화합물(Rb=H, 0.9g, 2.21mmol)을 탈기된 톨루엔(7㎖)에 용해시키고, 상기 용액에 탄산세슘(1.08g, 3.3mmol), 벤질 알코올(0.46㎖, 4.42mmol, 2당량), 2-디-3급-부틸포스피노-3,4,5,6-테트라메틸-2',4',6'-트리이소프로필-1,1-바이페닐(25.5mg, 0.05mmol, 0.02당량) 및 아세트산팔라듐(II)(9.92mg, 0.04mmol, 0.02당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 70℃에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(디에틸 에테르/석유 에테르, 3/1, v/v)로 정제하여, 순수한 화학식 23a의 화합물(Ra=Rb=H, 0.71g, 74%)을 백색 고체로서 수득하였다. LC-MS (방법 A): Rt 1.46, [M+H] 435.3-2-[4-(벤질옥시)-페닐)]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-프로피온산 (화학식 47의 화합물)화학식 23a의 화합물(Ra=Rb=H, 0.71g, 1.63mmol)을 1,4-디옥산 중의 HCl 용액(4N, 12㎖, 30당량)에 용해시키고, 상기 혼합물을 50℃에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 용매를 증발시키고, 디에틸 에테르를 첨가하여 생성물을 침전시켰다. 상기 백색 고체 재료를 여과하고, 진공 건조시켜, 화학식 47의 화합물(0.67g, 93%)을 백색 고체로서 수득하였다.LC-MS (방법 A): Rt 1.32, [M+H] 379.4-[2-(4-브로모-페닐)-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일]-부티르산 3급-부틸 에스테르 (화학식 21d의 화합물, Rb=H)화학식 20의 화합물(Rb=H, 2.5g, 7.92mmol)을 DMF(40㎖)에 현탁시켰다. 이 현탁액에 탄산칼륨(3.8g, 27.7mmol, 3.5당량) 및 3급-부틸 4-브로모부타노에이트(5.3g, 23.7mmol, 3당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 16시간 동안 80℃로 가열하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(용리제: 디에틸 에테르/석유 에테르, 1/1, v/v로부터 100% 디에틸 에테르)로 정제하여, 화학식 21d의 화합물(Rb=H, 3.15g, 94%)을 백색 고체로서 수득하였다.4-2-[4-(2,3-디플루오로-벤질옥시)-페닐)]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-부티르산 3급-부틸 에스테르 (화학식 23d의 화합물, Ra=2,3-디F, Rb=H)화학식 21d의 화합물(Rb=H, 0.6g, 1.42mmol)을 탈기된 톨루엔(5㎖)에 용해시키고, 상기 용액에 탄산세슘(0.7g, 2.14mmol), 2,3-디플루오로-벤질 알코올(0.32㎖, 2.85mmol, 2당량), 2-디-3급-부틸포스피노-3,4,5,6-테트라메틸-2',4',6'-트리이소프로필-1,1-바이페닐(16.43mg, 0.03mmol, 0.02당량) 및 아세트산팔라듐(II)(6.39mg, 0.03mmol, 0.02당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 70℃에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(디에틸 에테르/석유 에테르, 2/1, v/v로부터 100% 디에틸 에테르)로 정제하여, 순수한 화학식 23d의 화합물(Ra=2,3-디F, Rb=H, 0.48g, 70%)을 오일로서 수득하였다.4-2-[4-(2,3-디플루오로-벤질옥시)-페닐)]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-부티르산 (화학식 57의 화합물)화학식 23d의 화합물(Ra=2,3-디F, Rb=H, 0.46g, 0.95mmol)을 1,4-디옥산 중의 HCl 용액(4N, 14㎖, 60당량)에 용해시키고, 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 용매를 증발시키고, 디에틸 에테르를 첨가하여 생성물을 침전시켰다. 상기 백색 고체 재료를 여과하고, 진공 건조시켜, 화학식 57의 화합물(0.45g, 99%)을 백색 고체로서 수득하였다.LC-MS (방법 A): Rt 1.16, [M+H] 429.4-2-[4-벤질옥시-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-부티르산 (화학식 53의 화합물)화학식 53의 화합물은 화학식 23d의 화합물(Ra=Rb=H)로부터 출발하여 화학식 57의 화합물의 합성에 대해 기술된 것과 유사한 방식으로 제조되었다.LC-MS (방법 A): Rt 1.17, [M+H] 393.4-2-[4-(4-트리플루오로메틸-벤질옥시)-2-플루오로-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-부티르산 (화학식 85의 화합물)화학식 85의 화합물은 2-플루오로-4-브로모-벤조일 클로라이드로부터 출발하여 경로 C에 따라 제조되었다.LC-MS (방법 A): Rt 1.77, [M+H] 479.4-2-[4-(2-플루오로-벤질옥시)-2-메틸-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-부티르산 (화학식 89의 화합물)화학식 89의 화합물은 2-메틸-4-브로모-벤조일 클로라이드로부터 출발하여 경로 C에 따라 제조되었다.LC-MS (방법 A): Rt 1.61, [M+H] 425.4-2-[4-(3,4-디클로로-벤질옥시)-2-플루오로-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-부티르산 (화학식 227의 화합물)화학식 227의 화합물은 2-플루오로-4-브로모-벤조일 클로라이드로부터 출발하여 경로 C에 따라 제조되었다.LC-MS (방법 A): Rt 1.42, [M+H] 479.4-2-[4-(2-플루오로-벤질옥시)-3-클로로-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-부티르산 (화학식 283의 화합물)화학식 283의 화합물은 3-클로로-4-브로모-벤조일 클로라이드로부터 출발하여 경로 C에 따라 제조되었다.LC-MS (방법 B): Rt 1.99, [M+H] 445.4-2-[4-(4-클로로-벤질옥시)-3-플루오로-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-부티르산 (화학식 211의 화합물)화학식 211의 화합물은 3-플루오로-4-브로모-벤조일 클로라이드로부터 출발하여 경로 C에 따라 제조되었다.LC-MS (방법 B): Rt 2.03, [M+H] 445.2-(4-벤질옥시-페닐)-옥사졸로[4,5-c]피리딘 (화학식 25의 화합물, Ra=Rb=H)아세토니트릴(1500㎖) 중의 시판 4-하이드록시-3-아미노-피리딘(화학식 14, 19.3g, 175mmol)의 냉각(0℃)된 현탁액에 4-벤질옥시-벤조산(화학식 24, Ra=Rb=H, 40g, 175mmol), 트리페닐포스핀(142.5g, 543mmol, 3.1당량) 및 트리클로로아세토니트릴(54.5㎖, 543mmol, 3.1당량)을 첨가하였다. 상기 반응 혼합물을 실온에 도달시키고, 상기 혼합물을 80℃에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 잔류물을 DCM에 용해시키고, 2N NaOH(3회)로 세척하였다. 합한 수 층을 DCM으로 추출하고, 상기 유기 층을 건조시켜(Na2SO4), 조 화학식 25의 화합물(Ra=Rb=H)을 오일로서 수득하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다.2-(4-벤질옥시-페닐)-5-메틸-4,5,6,7-테트라하이드로-옥사졸로[4,5-c]피리딘 (화학식 26의 화합물, Ra=Rb=H)DMF(540㎖) 중의 조 화학식 25의 화합물(Ra=Rb=H, 117mmol)의 용액에 요오도메탄(29.35㎖, 471mmol, 4당량)을 첨가하고, 상기 혼합물을 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 EtOAc 중에서 교반하여, 화학식 25의 화합물의 4급화 염을 백색 고체로서 수득하고, 이를 메탄올(950㎖)에 용해시키고, 상기 용액을 0℃로 냉각시켰다. 수소화붕소나트륨(10.2g, 268mmol, 2.5당량)을 첨가하고, 상기 혼합물을 0℃에서 2시간 동안 교반한 후, 이를 실온에 도달시키고, 64시간 동안 계속 교반하였다. 물을 첨가하고(117㎖), 상기 혼합물을 5분 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 잔류물을 2N NaOH(5㎖/mmol)에 현탁시키고, DCM(3회)으로 추출하였다. 합한 유기 층을 건조시키고(Na2SO4), 농축시켜, 조 화학식 26의 화합물(Ra=Rb=H)을 황색 고체로서 수득하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다.2-(4-벤질옥시-페닐)-4,5,6,7-테트라하이드로-옥사졸로[4,5-c]피리딘 (화학식 27의 화합물, Ra=Rb=H)1,2-디클로로에탄(880㎖) 중의 화학식 26의 화합물(Ra=Rb=H, 35.2g, 109.8mmol)의 냉각(0℃)된 용액에 DIPEA(37.61㎖, 219.7mmol, 2당량) 및 1-클로로에틸 클로로포르메이트(35,56㎖, 329.6mmol, 3당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 0℃에서 10분 동안 교반한 후, 온도를 환류 온도로 상승시켰다. 4시간 후, 상기 혼합물을 실온에 도달시키고, 16시간 동안 계속 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 메탄올(880㎖)에 용해시켰다. 상기 용액을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 반응이 완결된 것을 나타내었다. 용매를 제거하여, 조 화학식 27의 화합물(Ra=Rb=H)을 화학식 25의 화합물(Ra=Rb=H) 기준으로 20%의 전체 수율로 단리하였다.3-[2-(4-벤질옥시-페닐)-4,5,6,7-테트라하이드로-옥사졸로[4,5-c]피리딘]-2-메틸-프로피온산 3급-부틸 에스테르 (화학식 23b의 화합물)DMF(270㎖) 중의 화학식 27의 화합물(Ra=Rb=H, 13.45g, 43.9mmol)의 용액에 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]운데크-7-엔(3당량) 및 3급-부틸메타크릴레이트(28.54㎖, 175.6mmol, 4당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 100시간 동안 125℃로 가열하였다. 상기 용액을 냉각시키고, 5% NaHCO3을 첨가하고(15㎖/mmol), 디에틸 에테르/EtOAc(1/1, v/v)로 추출하였다. 상기 유기 층을 물(4회)로 세척하고, MgSO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(용리제: 디에틸 에테르/석유 에테르, 1/2로부터 3/1, v/v)로 정제하여, 화학식 23b의 화합물(Ra=Rb=H, 14.58g, 74%)을 오일로서 수득하였다.3-[2-(4-벤질옥시-페닐)-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일]-2-메틸-프로피온산 (화학식 146의 화합물)화학식 23b의 화합물(Ra=Rb=H, 0.45g, 1mmol)을 1,4-디옥산 중의 HCl 용액(4N, 14㎖, 60당량)에 용해시키고, 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 용매를 증발시키고, 디에틸 에테르를 첨가하여 생성물을 침전시켰다. 상기 백색 고체 재료를 여과하고, 진공 건조시켜, 화학식 146의 화합물(0.43g, 99%)을 백색 고체로서 수득하였다.LC-MS (방법 A): Rt 1.48, [M+H] 393.3-2-[4-(4-트리플루오로메틸-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-2-메틸-프로피온산 (화학식 156의 화합물)화학식 156의 화합물은 경로 C에 따라 제조되었다.LC-MS (방법 A): Rt 1.82, [M+H] 461.3-2-[4-(4-클로로-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-2-메틸-프로피온산 (화학식 157의 화합물)화학식 157의 화합물은 경로 C에 따라 제조되었다.LC-MS (방법 A): Rt 1.72, [M+H] 427.3-2-[4-(2,3-디플루오로-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-부티르산 (화학식 175의 화합물)화학식 175의 화합물은 경로 C에 따라 제조되었다.LC-MS (방법 A): Rt 1.3, [M+H] 429.3-2-[4-(4-트리플루오로메틸-벤질옥시)-2-플루오로-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-2-메틸-프로피온산 (화학식 271의 화합물)화학식 271의 화합물은 경로 C에 따라 제조되었다.LC-MS (방법 A): Rt 1.56, [M+H] 479.2-(4-브로모-페닐)-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-카복실산 3급-부틸 에스테르 (화학식 28의 화합물, Rb=H)DCM(300㎖) 중의 화학식 20의 화합물(Rb=H, 14.3g, 48.2mmol)의 현탁액에 DIPEA(1당량) 및 디-3급-부틸 디카보네이트(11.59g, 53mmol, 1.1당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시켜, 조, 순수한 화학식 28의 화합물(Rb=H)을 수득하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다.2-(4-하이드록시-페닐)-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-카복실산 3급-부틸 에스테르 (화학식 29의 화합물, Rb=H)화학식 28의 화합물(Rb=H, 9g, 20.4mmol)을 1,4-디옥산(90㎖)에 용해시키고, 상기 용액에 수산화칼륨(물 90㎖ 중 4.58g, 81mmol) 및 상기 용액을 탈기시켰다. 상기 용액에 2-디-3급-부틸포스피노-2',4',6'-트리이소프로필바이페닐(346mg, 0.82mmol, 0.04당량) 및 트리스-(디벤질리덴아세톤)-디팔라듐(0)(373.5mg, 0.41mmol, 0.02당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 80℃에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 LC-MS 분석은 전환이 완결된 것을 나타내었다. 상기 혼합물을 실온으로 냉각시키고, EtOAc로 희석하고, 0.1N HCl에 의해 pH 6으로 산성화시키고, EtOAc로 추출하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(DCM/MeOH, 97/3, v/v)로 정제하여, 순수한 화학식 29의 화합물(Rb=H, 6g, 83%)을 수득하였다.2-[4-(4-트리플루오로메틸-벤질옥시)-페닐)-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-카복실산 3급-부틸 에스테르 (화학식 30의 화합물, Ra=4CF3, Rb=H)화학식 29의 화합물(Rb=H, 6g, 17mmol)을 DCM/물(2/1, v/v)(78㎖/mmol)에 용해시키고, 이 용액에 수산화나트륨(27㎖, 2N, 3당량)을 첨가하였다. 이 혼합물에 테트라부틸암모늄 브로마이드(549mg, 0.1당량) 및 4-트리플루오로메틸-벤질 브로마이드(4.48g, 18.75mmol, 1.1당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 LC-MS 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 DCM(200㎖)으로 희석하고, 층을 분리시키고, 상기 수 층을 DCM으로 추출하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 여과하고, 진공하에 농축시켰다. 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(용리제: EtOAc/석유 에테르, 1/3)로 정제하여, 순수한 화학식 30의 화합물(Rb=H, 9.0g, 96%)을 무색 발포체로서 수득하였다.2-[4-(4-트리플루오로메틸-벤질옥시)-페닐)-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘 (화학식 27의 화합물, Ra=4CF3, Rb=H)화학식 30의 화합물(9.6g, 18.5mmol)을 DCM(150㎖)에 용해시키고, 트리플루오로아세트산(8.5㎖, 111mmol, 6당량)을 첨가하였다. 상기 용액을 16시간 동안 환류시켰고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 혼합물을 5% 수성 NaHCO3으로 중화시켰다. 상기 혼합물을 DCM(3회)로 추출하고, 합한 유기 층을 염수로 세척하고, Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시켜, 화학식 27의 화합물(Ra=4CF3, Rb=H)을 수득하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다. 3-2-[4-(4-트리플루오로메톡시벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-사이클로부탄 카복실산 (화학식 306의 화합물)화학식 27의 화합물(Ra=4CF3, Rb=H, 0.71g, 1.8mmol)을 1,2-디클로로에탄(40㎖)에 현탁시켰다. 이 현탁액에 3-옥소사이클로부탄카복실산(0.27g, 2.34mmol, 1.3당량) 및 트리아세톡시수소화붕소나트륨(0.61g, 2.88mmol, 1.6당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석은 완전한 반응을 나타내었다. 상기 용액을 5% NaHCO3(15㎖/mmol)으로 희석하고, 상기 혼합물을 DCM으로 추출하였다. 합한 유기 층을 Na2SO4로 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 시스 입체이성체와 트랜스 입체이성체의 2 대 1 비의 혼합물을 제공하였다. 2차 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 정제(DCM/MeOH, 9/1, v/v)에 의해 2개의 풍부한 입체이성체 분획을 단리시켰다. 307-시스(Rf, 0.2, 0.46g, 51%, 시스/트랜스 = 95/5) 및 306-트랜스 (Rf 0.25, 0.21g, 25%, 시스/트랜스 = 5/95). 307-시스:3-2-[4-(3,4-디플루오로벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-사이클로부탄 카복실산 (화학식 277의 화합물)278-시스 및 277-트랜스 화합물은 화학식 306의 화합물에 대해 기술된 바와 같이 제조되었다. 278-시스:LC-MS (방법 A): Rt 1.31, [M+H] = 441.3-브로모-N-벤질옥시카보닐-4-피페리돈 (화학식 502의 화합물)DCM(3㎖/mmol) 중의 N-벤질옥시카보닐-4-피페리돈(화학식 501, 27.3g 117mmol)의 냉각(0℃)된 용액에 DIPEA(25.5㎖, 146.2mmol, 1.25당량) 및 트리메틸실릴 트리플루오로메탄 설포네이트(25.4㎖, 141mmol, 1.2당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 0℃에서 30분 동안 교반하였다. 다음으로, N-브로모석신이미드(21.2g, 119.3m㎖, 1.02당량)를 첨가하고, 실온에서 16시간 동안 계속 교반하였다. 상기 반응 혼합물을 5% NaHCO3으로 세척하고, 상기 유기 층을 건조시키고(MgSO4), 이어서 감압하에 농축시켰다. 수득된 오일을 실리카 겔 크로마토그래피(디에틸 에테르/석유 에테르, 1/1로부터 1/0, v/v, Rf 0.1)로 정제하여, 화학식 502의 화합물을 황색 오일로서 90%의 수율로 수득하였다.2-(4-메톡시-페닐)-6,7-디하이드로-4H-티아졸로[5,4-c]피리딘-5-카복실산 벤질 에스테르 (화학식 504의 화합물)화학식 502의 화합물(2.0g, 6.5mmol)을 에탄올(20㎖)에 용해시켰다. 상기 용액에 4-메톡시티오벤즈아미드(503, 1.09g, 6.5mmol, 1당량)를 첨가하고, 상기 황색 혼합물을 17시간 동안 환류시켰고, 이 시간 후 TLC 분석은 화학식 502의 화합물의 충분한 전환을 나타내었다. 상기 반응 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 EtOAc에 용해시키고, 5% Na2SO4로 세척하고, 상기 유기 층을 건조시키고(MgSO4), 이어서 감압하에 농축시켰다. 수득된 오일을 실리카 겔 크로마토그래피(디에틸 에테르, Rf 0.3)로 정제하여, 화학식 504의 화합물을 무색 오일로서 49%의 수율로 수득하였다. Rb 치환체를 갖는 화합물은 적절하게 치환된 (Rb)-4-메톡시티오벤즈아미드(화학식 503)를 선택함으로써 제조할 수 있다.4-(4,5,6,7-테트라하이드로-티아졸로[5,4-c]피리딘-2-일)-페놀 (화학식 505의 화합물)화학식 504의 화합물(18.0g, 47.3mmol)을 에탄올(300㎖)에 용해시켰다. 상기 냉각(-78℃)된 용액에 삼브롬화붕소(5eg, 236mmol)를 적가하였다. 1시간 후, 냉각을 제거하고, 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 반응물을 MeOH로 켄칭시키고, 상기 혼합물을 진공하에 농축시켜, 화학식 505의 화합물을 오일로서 수득하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다.화학식 508의 화합물의 합성을 위한 일반적 공정화학식 508의 화합물은 화학식 505의 화합물로부터 출발하여, 화학식 7 및 21의 화합물의 합성에 대해 기술된 것과 유사한 방식으로 제조된다(반응식 1 내지 4 참조). 대표적인 예로서, 화학식 508의 화합물(Ra=F, Rb=H, Rc=C2)의 합성에 대해 기술한다.3-[2-(4-(하이드록시-페닐)-6,7-디하이드로-4H-티아졸로[5,4-c]피리딘-5-일]-프로피온산 3급-부틸 에스테르 (화학식 506의 화합물, Rb=H, Rc=C2)MeOH(100㎖) 및 DIPEA(5.1㎖, 30.1mmol, 1.2당량) 중의 화학식 505의 화합물(Rb=H, 5.8g, 25.1mmol)의 용액에 3급-부틸 아크릴레이트(4.4㎖, 30.1mmol, 1.2당량)를 첨가하고, 상기 혼합물을 16시간 동안 환류시켰고, 이 시간 후 TLC 분석(디에틸 에테르, Rf 0.2)은 화학식 505의 화합물의 충분한 전환을 나타내었다. 상기 반응 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 EtOAc에 용해시키고, 5% NaHCO3으로 세척하고, 상기 유기 층을 건조시키고(Na2SO4), 이어서 감압하에 농축시켰다. 수득된 오일을 실리카 겔 크로마토그래피(디에틸 에테르)로 정제하여, 화학식 506의 화합물(Rb=H, Rc=C2)을 백색 고체 재료로서 79%의 수율로 수득하였다.3-[2-(4-(2-플루오로-벤질옥시)-페닐)-6,7-디하이드로-4H-티아졸로[5,4-c]피리딘-5-일]-프로피온산 3급-부틸 에스테르 (화학식 507의 화합물, Ra= 2F, Rb=H, Rc=C2)DMA(4㎖) 중의 화학식 506의 화합물(Rb=H, Rc=C2, 0.5g, 1.4mmol)의 현탁액에 트리페닐 포스핀(0.45g, 1.7mmol, 1.25당량), 디이소프로필 아조디카복실레이트(0.33㎖, 1.7mmol, 1.25당량) 및 2-플루오로 벤질 알코올(0.17㎖, 1.56mmol, 1.15당량)을 첨가하고, 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 반응 혼합물을 디에틸 에테르(150㎖)로 추출하고, 물 3x50㎖로 세척하였다. 합한 유기 층을 건조시키고(Na2SO4), 이어서 감압하에 농축시켰다. 수득된 오일을 실리카 겔 크로마토그래피(디에틸 에테르/석유 에테르, 2/1, v/v)로 정제하여, 화학식 507의 화합물(Ra=2F, Rb=H, Rc=C2)을 백색 고체 재료로서 67%의 수율로 수득하였다.3-[2-(4-(2-플루오로-벤질옥시)-페닐)-6,7-디하이드로-4H-티아졸로[5,4-c]피리딘-5-일]-프로피온산 (화학식 38의 화합물, Ra= 2F, Rb=H, Rc=C2)화학식 507의 화합물(Ra=2F, Rb=H, Rc=C2, 0.43g, 0.9mmol)을 디옥산 중의 4N HCl(10㎖)에 용해시켰다. 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 수득된 고체를 디이소프로필 에테르로 세척하여, 화학식 38의 화합물을 백색 고체(Ra= 2F, Rb=H, Rc=C2, 0.42g, 97%)로서 수득하였다. 화학식 38의 화합물:LC-MS (방법 A): Rt 1.3, [M+H] 473.4-브로모-N-(4-클로로-피리딘-3-일)-벤즈아미드 (화학식 510의 화합물)아세토니트릴(150㎖) 중의 4-아미노-3-클로로피리딘(화학식 509, 5.9g, 46,2mmol), 4-브로모벤조일 클로라이드(화학식 15, 11.15g, 50.8mmol) 및 탄산칼륨(22.4g, 161.7mmol)의 혼합물을 24시간 동안 환류시켰다. 상기 반응 혼합물을 진공하에 농축시키고, DCM에 다시 용해시키고, 상기 용액을 물로 세척하였다. 상기 유기 층을 건조시키고(MgSO4), 농축시키고, 수득된 오일을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(DCM/MeOH, 99/1, v/v, Rf 0.2)로 정제하여, 순수한 화학식 510의 화합물(10.4g, 72%)을 오일로서 수득하였다. 치환된 화학식 15의 화합물을 사용하는 경우, 화학식 510의 화합물에 상기 Rb가 도입된다.2-(4-브로모-페닐)-티아졸로-[4,5c]-피리딘 (화학식 511의 화합물)화학식 510의 화합물(10.4g, 33.4mmol)을 톨루엔(400㎖)에 현탁시키고, 라웨슨 시약(Lawesson's reagent)(9.4g, 23.4mmol, 0.7당량)을 첨가하고, 상기 혼합물을 24시간 동안 환류시켰고, 이 시간 후 TLC 분석(DCM/MeOH, 97/3, v/v, Rf 0.7)은 반응이 완결되었음을 나타내었다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 오일에 NaHCO3(5% 용액, 200㎖)을 첨가하고, 상기 현탁액을 DCM(3x200㎖)으로 추출하였다. 합한 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 농축시키고, 상기 오일을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(DCM/MeOH, 99/1로부터 97/3, v/v)로 정제하여, 순수한 화학식 511의 화합물(8.7g, 89%)을 오일로서 수득하였다.2-(4-벤질옥시-페닐)-4,5,6,7-테트라하이드로-티아졸로-[4,5c]-피리딘 (화학식 518의 화합물)화학식 518의 화합물은 화학식 511의 화합물로부터 출발하여, 반응식 4 및 7에서 화학식 27의 화합물의 합성에 대해 기술된 것과 유사한 방식으로 수득되었다. 적절한 테일 Rc는 화학식 27의 화합물에 대해 기술된 것과 유사한 방식으로 화학식 518의 화합물에 연결될 수 있다.4-2-[4-(3,5-디플루오로-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-4H-티아졸로-[4,5c]-피리딘-5-일-부티르산 (화학식 446의 화합물, Ra=3,5-F, Rb=H, Rc=C3)화학식 519의 화합물(Ra=3,5-F, Rb=H, Rc=C3, 0.79g, 1.58mmol)을 디옥산 중의 4N HCl(25㎖)에 용해시키고, 50℃에서 18시간, 그리고 실온에서 70시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 수득된 오일을 디에틸 에테르 중에서 교반하여, 화학식 446의 화합물을 백색 고체(0.72g, 94%)로서 수득하였다.2-2-[4-(3,5-디플루오로-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-아세트산 (화학식 463의 화합물)2-[4-(3,5-디플루오로-벤질옥시)-페닐]-4,5,6,7-테트라하이드로-옥사졸로[4,5-c]피리딘(화학식 27, Ra=3,5-디F, Rb=H)은 상술된 바와 같은 경로 C에 따라 합성되었다. 화학식 27의 화합물(Ra=3,5디F, Rb=H, 0.4g, 1.17mmol)을 아세토니트릴(20㎖)에 용해시켰다. 상기 용액에 DIPEA(0.51㎖, 2.9mmol, 2,5당량) 및 3급-부틸 브로모아세테이트(0.19㎖, 1.29mmol, 1.1당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 6시간 동안 환류시켰고, 이 시간 후 LCMS 분석은 상기 반응이 완결되었음을 나타내었다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 물을 첨가하고, 상기 현탁액을 DCM(3x200㎖)으로 추출하였다. 합한 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 농축시키고, 상기 오일을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(디에틸 에테르/석유 에테르, 3/1, v/v)로 정제하였다. 수득된 오일을 디옥산 중의 4N HCl(20㎖)에 현탁시켰다. 상기 혼합물을 45℃에서 5시간, 그리고 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시켜, 백색 고체를 수득하였다. 상기 고체 재료를 디에틸 에테르로 3회 세척하여, 화학식 463의 화합물(0.39g, 91%)을 백색 고체로서 수득하였다.2-2-[4-(3,5-디플루오로-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-프로피온산 (화학식 464의 화합물)화학식 27의 화합물(Ra=3,5디F, Rb= H, 0.4g, 1.17mmol)을 아세토니트릴(20㎖)에 용해시켰다. 상기 용액에 DIPEA(0.51㎖, 2.9mmol, 2,5당량) 및 3급-부틸 2-브로모-프로피온산 에스테르(0.27gl, 1.29mmol, 1.1당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 24시간 동안 환류시켰고, 이 시간 후 LCMS 분석은 상기 반응이 완결되었음을 나타내었다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 물을 첨가하고, 상기 현탁액을 DCM(3x200㎖)으로 추출하였다. 합한 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 농축시키고, 상기 오일을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(디에틸 에테르/석유 에테르, 3/2, v/v, Rf 0.3)로 정제하였다. 수득된 오일을 디옥산 중의 4N HCl(20㎖)에 현탁시켰다. 상기 혼합물을 45℃에서 5시간, 그리고 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시켜, 백색 고체를 수득하였다. 상기 고체 재료를 디에틸 에테르로 3회 세척하여, 화학식 464의 화합물(0.41g, 89%)을 백색 고체로서 수득하였다.3-2-[4-(3,5-디플루오로-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-4H-옥사졸로[4,5-c]-피리딘-5-일-사이클로펜탄 카복실산 (화학식 465의 화합물, 1/1 시스-트랜스 혼합물)화학식 27의 화합물(Ra=3,5디F, Rb= H, 0.1g, 0.29mmol)을 1,2-디클로로에탄(5㎖)에 용해시켰다. 상기 용액에 3-옥소-사이클로펜탄-카복실산(0.05g, 0.41mmol, 1.4당량), 트리아세톡시수소화붕소나트륨(0.11g, 0.53mmol, 1,8당량) 및 AcOH(0.03㎖, 0.58mmol, 2당량)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 16시간 동안 교반하고, 이 시간 후 LCMS 분석은 상기 반응이 완결되었음을 나타내었다. 상기 혼합물에 NH4Cl 포화 용액을 첨가하고, 상기 혼합물을 DCM으로 추출하였다. 합한 유기 층을 진공하에 농축시키고, 상기 오일을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(DCM/MeOH, 9/1, v/v)로 정제하여, 화학식 465의 화합물을 1/1 비의 시스/트랜스 혼합물로서 수득하였다. Rt 1.27, [M+H] 455.4-2-[4-(2,3-디플루오로-벤질옥시)-2-메틸-페닐]-6,7-디하이드로-4H-옥사졸로-[4,5c]-피리딘-5-일-펜탄산 (화학식 393의 화합물)화학식 22의 화합물(Rb=2Me, Rc=H)은 화학식 29의 화합물(Rb=2Me)을 TFA와 DCM의 혼합물 중에서 16시간 동안 교반함으로써 제조하였다. 상기 용매를 증발시켜, 조 화학식 22의 화합물(Rb=2Me, Rc=H)을 오일로서 수득하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다. SCX-2 컬럼을 사용하여 화학식 22의 화합물의 유리 염기(Rb=2Me, Rc=H, 1g, 4.3mmol)를 제조하고, 이를 MeOH에 용해시켰다. 이 용액에 에틸 레불리네이트(2.46㎖, 17.4mmol, 4당량), AcOH(0.5㎖, 8.7mmol, 2당량) 및 탄소 담지 수산화팔라듐을 첨가하였다. 상기 반응 혼합물을 4atm의 수소 압력에서 진탕시켰다. 16시간 후, ELSD는 상기 반응이 아직 완결되지 않았음을 나타내었다. 추가 분량의 에틸 레불리네이트(2.46㎖, 17.4mmol, 4당량) 및 탄소 담지 수산화팔라듐을 첨가하고, 4atm에서의 수소화를 72시간 동안 계속했다. 상기 혼합물을 탈기시키고, 하이플로로 여과하고, 상기 잔류물을 MeOH로 세척하였다. 상기 여액을 진공하에 농축시키고, 수득된 오일을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 화학식 522의 화합물(Rb=2Me, Rc=xCH2(CH3)CH2CH2C(=O)OEt)을 41%의 수율로 수득하였다. 이어서, 반응식 1 내지 5의 화합물들에 대해 기술된 것과 유사한 방식으로, 2,3-디-플루오로-벤질 브로마이드를 사용하는 화학식 522의 화합물의 벤질화를 수행하여, 화학식 523의 화합물을 수득하였다. 마지막으로, 상기 화합물을 에탄올 중의 수산화나트륨 용액(18㎖, 0.3M)에 용해시키고, 상기 용액을 50℃에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 디에틸 에테르 중에서 교반하여, 화학식 393의 화합물을 백색 고체(Ra=2,3-디F, Rb=2Me, Rc=CH2(CH3)CH2CH2C(=O)OH)로서 수득하였다.4-2-[4-(2,3-디플루오로-벤질옥시)-2-메틸-페닐]-6,7-디하이드로-4H-옥사졸로[4,5-c]-피리딘-5-일-2-메틸-부티르산 (화학식 394의 화합물)화학식 22의 화합물(Rb=2Me, 1g, 3.8mmol)을 아세토니트릴(10㎖)에 용해시키고, 상기 용액에 DIPEA(1.93㎖, 11.25mmol), 요오드화나트륨(0.56g, 3.75mmol) 및 4-클로로-2-메틸부티르산 메틸 에스테르(0.85g, 5.6mmol)를 첨가하였다. 상기 혼합물을 60℃에서 16시간 동안 교반한 후, 다시 DIPEA(1.93㎖, 11.25mmol), 요오드화나트륨(0.56g, 3.75mmol) 및 4-클로로-2-메틸부티르산 메틸 에스테르(0.85g, 5.6mmol)를 첨가하고, 60℃에서 30시간 동안 계속 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(DCM/MeOH, 95/5로부터 9/1, v/v)로 정제하여, 화학식 525의 화합물(Rb=2Me; Rd=Me)을 오일로서 수득하였다. 화학식 525의 화합물(Rb=2Me; Rd=Me)을, 화학식 23의 화합물의 합성에 대해 상술된 것과 유사한 방식으로 미쓰노부 조건에서 벤질화시켰다. 수득된 화학식 526의 화합물(0.5mmol)을 에탄올(20㎖)에 용해시키고, 2N NaOH 용액을 첨가하고(4㎖), 상기 혼합물을 50℃에서 2시간 동안 교반하였다. 상기 용액을 1M HCl로 중화시키고, DCM(3x20㎖)으로 추출하고, 유기 층을 MgSO4로 건조시켰다. 용매를 증발시켜, 순수한 화학식 394의 화합물을 단리시켰다.4-2-[4-(2,3-디플루오로-벤질옥시)-2-메틸-페닐]-6,7-디하이드로-4H-옥사졸로-[4,5c]-피리딘-5-일-3-메틸-부티르산 (화학식 437의 화합물)4-클로로-3-메틸-부티르산 메틸 에스테르의 합성4-메틸-디하이드로-푸란-2-온(4g, 39.95mmol)을 MeOH(10㎖)에 용해시키고, 상기 용액을 -10℃로 냉각시켰다. 염화티오닐(3.6㎖, 49.9mmol)을 적가하였다. 상기 혼합물을 -10℃에서 2시간, 그리고 이어서 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시켜, 조 4-클로로-3-메틸-부티르산 메틸 에스테르(4g, 87%)를 수득하고, 이는 추가 정제 없이 후속 단계에 사용되었다.화학식 22의 화합물(Rb=2Me, Rd=Me)을 4-클로로-3-메틸-부티르산 메틸 에스테르에 의해 질소 위치에서 선택적으로 알킬화시켜 화학식 528의 화합물을 수득하였다. 이어서, 화학식 528의 화합물을 상기 기술된 미쓰노부 조건하에 벤질화시켜 화학식 529의 화합물을 수득하였다. 화학식 529의 화합물을, 화학식 394의 화합물의 합성에 대해 상술된 것과 유사한 방식으로 탈메틸화시켜 화학식 437의 화합물(Ra=2,3-디F, Rb=2Me, Rd=H)을 백색 고체로서 수득하였다.3-2-[4-(2-페닐-사이클로프로필)-3-플루오로-페닐]-6,7-디하이드로-4H-옥사졸로-[4,5-c]-피리딘-5-일-사이클로부탄 카복실산 (화학식 459의 화합물, 트랜스)2-페닐-사이클로프로필-트리플루오로보란MeOH(48㎖) 및 물(12㎖) 중의 4,4,5,5-테트라메틸-2-(2-페닐-사이클로프로필)-[1,3,2]디옥사보롤란(3.1g, 12.7mmol)을 0℃로 냉각시켰다. 중불화칼륨(6.96g, 88.9mmol, 7당량)을 첨가하고, 상기 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 상기 잔류물을 아세토니트릴(3x40㎖)과 함께 공증발시켰다. 상기 잔류물을 따뜻한 아세토니트릴(3x40㎖)로 세척하고, 합한 아세토니트릴 세척액을 농축시켜, 2-페닐-사이클로프로필-트리플루오로보란(2g, 71%)을 수득하였다. 이 트리플루오로보란 유도체(1.8g, 8.2mmol, 1.3mmol)를 탈기된 톨루엔/물(137.5㎖, 10/1, v/v)에 용해시키고, 3염기성 인산칼륨(5.2g, 24.7mmol, 3.9당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 5분 동안 교반하고, 이 용액에 화학식 28의 화합물(Rb=3F, 2.5g, 6.3mmol), 아세트산팔라듐(II)(71.2mg, 0.3mmol, 0.05당량) 및 2-디사이클로헥실포스피노-2,6-디-이소프로폭시-1,1-바이페닐(296mg, 0.6mmol, 0.1eq, RuPhos)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 115℃에서 3시간 동안 교반하고, 이 시간 후 TLC 분석(Et2O/PA, 3/7, v/v)은 상기 반응이 완결되었음을 나타내었다. 상기 혼합물을 실온에 도달시키고, EtOAc(300㎖)로 희석하고, 상기 용액을 물로 세척하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 진공하에 농축시켜, 오일을 수득하고, 이를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(Et2O/PA, 3/7, v/v)로 정제하여, 순수한 화학식 530의 화합물(2.54g, 92%)을 백색 고체로서 수득하였다. 화학식 530의 화합물 내의 BOC를 산성 조건하에 제거하여, 화학식 531의 화합물을 수득하고, 이를 상술된 바와 같은 Rc-테일을 도입하기 위한 조건하에 화학식 532의 화합물로 변형시켰다. 화학식 532의 화합물(순수한 트랜스, 0.45g, 0.94mmol)을 디옥산 중의 4M HCl 20㎖에 용해시켰다. 상기 용액을 실온에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 디에틸 에테르 중에서 교반하였다. 수득된 고체를 여과하여, 화학식 459의 화합물(트랜스, 0.36g, 83%)을 수득하였다.4-(2-4-[2-(3,5-디플루오로-페닐)-비닐]-페닐-6,7-디하이드로-4H-옥사졸로-[4,5c]-피리딘-5-일)-부티르산 (화학식 451의 화합물)톨루엔(100㎖) 중의 화학식 28의 화합물(Rb=H, 4.3g, 11.1mmol), 트랜스-2-(3,5-디플루오로페닐)비닐 보론산 피나콜 에스테르(4.09㎖, 16.7mmol, 1.5당량)의 용액을 탈기시켰다. 이 용액에 클로로 (2-디사이클로헥실포스피노-2,4,6-트리-이소프로필-1,1-바이페닐)[2-(2-아미노-에틸)-펜틸]팔라듐(II) 메틸-3급 부틸 에테르 부가물(183.8mg, 0.22mmol, 0.02당량) 및 3염기성 인산칼륨(7.08g, 33.3mmol, 3.0당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 115℃에서 24시간 동안 교반하고, 이 시간 후 LC-MS 분석은 상기 반응이 완결되었음을 나타내었다. 상기 혼합물을 실온에 도달시키고, EtOAc(300㎖)로 희석하고, 상기 용액을 5% NaHCO3 용액으로 세척하였다. 상기 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 진공하에 농축시켜, 오일을 수득하고, 이를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피(DCM/MeOH, 99.5/0.5, v/v)로 정제하여, 순수한 화학식 533의 화합물(3.4g, 69%)을 백색 고체로서 수득하였다. 화학식 533의 화합물 내의 BOC를 산성 조건하에 제거하여 화학식 534의 화합물을 수득하고, 이를 상술된 바와 같은 Rc-테일을 도입하기 위한 조건하에 화학식 535의 화합물로 변형시켰다. 화학식 535의 화합물(0.45g, 0.94mmol)을 디옥산 중의 4M HCl 20㎖에 용해시켰다. 상기 용액을 55℃에서 16시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물을 진공하에 농축시키고, 디에틸 에테르 중에서 교반하였다. 수득된 고체를 여과하여 화학식 451의 화합물(0.426g, 95%)을 수득하였다.4-(2-4-[2-(3,5-디플루오로-페닐)-에틸]-페닐-6,7-디하이드로-4H-옥사졸로[4,5c]-피리딘-5-일)-부티르산 (화학식 452의 화합물)화학식 533의 화합물(1.5g, 3.4mmol)을 MeOH(250㎖)에 용해시켰다. 상기 현탁액에 탄소 담지 수산화팔라듐(20%, 0.2g, 1,42mmol, 0.42당량)을 첨가하였다. 상기 혼합물을 실온 및 1기압에서 수소 블랭킷하에 위치시켰다. 24시간 후, LC-MS 분석은 상기 반응이 완결되었음을 나타내었다(TLC 분석: DCM/MeOH, 99/1, v/v). 상기 혼합물을 하이플로로 여과하고, 상기 여액을 진공하에 농축시켜, 화학식 536의 화합물(1.43g, 95%)을 오일로서 수득하였다. 화학식 536의 화합물을 상술된 바와 같이 하여 상응하는 화학식 538의 테일 유도체로 전환시켰다. tBu 또는 메틸 에스테르를 상술된 것과 유사한 방식으로 탈보호시켰다.화학식 452의 화합물:화학식 1 및 2의 키랄 화합물의 순수한 에난티오머의 제조예를 들어 Rc-테일에 메틸 치환을 갖는 화합물은 시험 화합물로서 에난티오머들의 혼합물을 제공한다. 이 혼합물의 순수한 에난티오머들로의 분리는, 코어, 즉, 예를 들면 화학식 1, 2, 7, 8, 9, 21, 22, 23의 화합물의 코어에 키랄 테일이 도입되는 순간으로부터 키랄 HPLC 기법에 의해 수행될 수 있다. 당해 기술 분야의 숙련가들에게, 상기 코어에서의 작은 변화가 키랄 분리 공정에서 상이한 거동을 초래할 수 있다는 것은 명백하다. 따라서, 각각의 화합물은 키랄 컬럼 재료 및 용리제와 같은 광범위한 일련의 조건들을 사용하여 스크리닝되고 있다. 이러한 방식으로, 상기 분리가 가장 성공적으로 수행될 스테이지 및 키랄 분리 조건에서 각각의 화합물을 측정하였다. 분리된 최종 생성물들은 절대 배열이 아직 결정되지 않았기 때문에 Rel1 및 Rel2로 칭명하였다. 이 공정은 다음의 대표적 예에 의해 예시된다.3-[2-(4-하이드록시-페닐)-4,5,6,7-테트라하이드로-옥사졸로[4,5-c]피리딘]-2-메틸-프로피온산 3급-부틸 에스테르, 화학식 22b의 화합물(Rb=H)의 (+) 및 (-) 에난티오머 화학식 22b의 화합물은 반응식 5에 기술된 바와 같이 에난티오머 혼합물로서 제조되었다. 에난티오머 혼합물을 다음의 키랄 HPLC 시스템을 사용하여 키랄 HPLC로 분리시켰다. 정지 상: Chiralcel OD-H (5㎛); 이동 상: n-헵탄/2-프로판올(90/10, v/v) + 0.1% TFA; 유속 1㎖/분; 280nm UV로 검출.화학식 22b의 화합물 - Rel1: [α]25 = +37.1;화학식 22의 화합물 - Rel2:3-[2-(4-하이드록시-3-F-페닐)-4,5,6,7-테트라하이드로-옥사졸로[4,5-c]피리딘]-2-메틸-프로피온산 3급-부틸 에스테르, 화학식 22b의 화합물(Rb=3F)의 (+) 및 (-) 에난티오머화학식 22b의 화합물(Rb=H)은 반응식 5에 기술된 바와 같이 에난티오머 혼합물로서 제조되었다. 에난티오머 혼합물을 다음의 키랄 HPLC 시스템을 사용하여 키랄 HPLC로 분리시켰다. 정지 상: Chiralcel OD-H (5㎛); 이동 상: n-헵탄/2-프로판올(90/10, v/v) + 0.1% TFA; 유속 1㎖/분; 280nm UV로 검출.화학식 22b의 화합물 - Rel1: 화학식 22의 화합물 - Rel2: 3-2-[4-(2,3-디F-벤질옥시)-페닐]-6,7-디하이드로-H-옥사졸로[4,5-c]피리딘-5-일-부티르산, 화학식 175의 화합물의 rel 1 및 rel 2화학식 175의 3급-부틸 보호된 유도체를 키랄 HPLC에 의해 이의 순수한 에난티오머들로 분리시켰다. 정지 상: Chiralpak IC (5μ); 컬럼 코드 번호: WJH022830; 직경: 250x4.6㎜; 이동 상: n-헵탄/DCM/에탄올(50/50/1) + 0.1% DEA; 유속: 1㎖/분; 주입: 5㎕; 검출: UV(290nm). 이렇게 하여 수득된 순수한 에난티오머들을 탈보호시켜, 화학식 426 및 425의 시험 화합물을 단리시켰다. 화학식 426의 화합물, rel1: 표 1 = LC-MS 방법 B로 측정됨# = 제안된 구조에 따른 NMR§6. 약리학적 시험 및 데이터사람 S1P5 수용체에 대한 시험관내 기능적 활성(효능 작용)CHO-사람-S1P5-에쿼린(Aeqorin) 분석은 유로스크린(Euroscreen, Brussels)으로부터 제공되었다[Euroscreen, Technical dossier, Human Lysophospholid S1P5 (Edg8) 수용체, DNA 클론 및 CHO AequoScreen™ 재조합 세포주, 카탈로그 번호: ES-593-A, September 2006]. 사람-S1P5-에쿼린 세포는 미토콘드리아 표적화된 아포-에쿼린(apo-Aequorin)을 발현시킨다. 세포는, 활성 에쿼린을 재구성하기 위해, 코엘렌테라진(coelenterazine)과 함께 로딩되어야 한다. 작용제가 상기 사람 S1P5 수용체에 결합한 후, 세포내 칼슘 농도가 증가하고, 칼슘이 아포-에쿼린/코엘렌테라진 복합체에 결합하면 코엘렌테라진의 산화 반응이 유도되어, 아포-에쿼린, 코엘렌테라미드, CO2 및 광(λmax 469㎚)의 생성이 유도된다. 이러한 발광 반응은 상기 작용제의 농도에 의존한다. 발광은 마이크로베타 제트(MicroBeta Jet)(Perkin Elmer)를 사용하여 측정된다. 화합물의 작용 효과는 pEC50으로 표시된다. 화합물은 10 포인트 반 로그 농도(half log concentration) 범위에서 시험되고, 단일 포인트 측정에서 3회의 독립적 실험이 수행되었다.사람 S1P3 수용체에 대한 시험관내 기능적 활성(효능 작용)CHO-사람-S1P3-에쿼린 분석(CHO/Gα16/AEQ/h-S1P3)은 솔베이 파마슈티칼스(Solvay Pharmaceuticals)에서 확립되었다. S1P3 수용체를 암호화하는 플라스미드 DNA(GenBank 등록 번호 NM_005226)는 UMR cDNA resource Centre(Rolla, MO)로부터 구입하였다. 미토콘드리아 표적화된 아포-에쿼린 및 Gα16 단백질을 운반하는 pcDNA3.1/hS1P3 작제물을 CHO K1 세포주에 형질감염시켰다.사람-S1P3-에쿼린 세포는 미토콘드리아 표적화된 아포-에쿼린을 발현시킨다. 세포는, 활성 에쿼린을 재구성하기 위해, 코엘렌테라진과 함께 로딩되어야 한다. 작용제가 상기 사람 S1P3 수용체에 결합한 후, 세포내 칼슘 농도가 증가하고, 칼슘이 아포-에쿼린/코엘렌테라진 복합체에 결합하면 코엘렌테라진의 산화 반응이 유도되어, 아포-에쿼린, 코엘렌테라미드, CO2 및 광(λmax 469㎚)의 생성이 유도된다. 이러한 발광 반응은 상기 작용제의 농도에 의존한다. 발광은 마이크로베타 제트(Perkin Elmer)를 사용하여 측정된다. 화합물의 작용 효과는 pEC50으로 표시된다. 화합물은 10 포인트 반 로그 농도 범위에서 시험되고, 단일 포인트 측정에서 3회의 독립적 실험이 수행되었다.사람 S1P1 수용체에 대한 시험관내 기능적 활성(효능 작용) (방법 A)CHO-K1-사람-S1P1-에쿼린 분석은 유로스크린 패스트(Euroscreen Fast, Brussels)로부터 제공되었다[Euroscreen, Technical dossier, Human S1P1 (Edg1) 수용체, DNA 클론 및 CHO-K1 AequoScreen™ 재조합 세포주, 카탈로그 번호: FAST-0197L, February 2010]. 사람-S1P1-에쿼린 세포는 미토콘드리아 표적화된 아포-에쿼린을 발현시킨다. 세포는, 활성 에쿼린을 재구성하기 위해, 코엘렌테라진과 함께 로딩되어야 한다. 작용제가 상기 사람 S1P1 수용체에 결합한 후, 세포내 칼슘 농도가 증가하고, 칼슘이 아포-에쿼린/코엘렌테라진 복합체에 결합하면 코엘렌테라진의 산화 반응이 유도되어, 아포-에쿼린, 코엘렌테라미드, CO2 및 광(λmax 469㎚)의 생성이 유도된다. 이러한 발광 반응은 상기 작용제의 농도에 의존한다. 발광은 마이크로베타 제트(Perkin Elmer)를 사용하여 측정된다. 화합물의 작용 효과는 pEC50으로 표시된다. 화합물은 10 포인트 반 로그 농도 범위에서 시험되고, 단일 포인트 측정에서 2회의 독립적 실험이 수행되었다.사람 S1P1 수용체에 대한 시험관내 기능적 활성(효능 작용) (방법 B)CHO-K1-사람 S1P1-c-AMP 분석은 유로스크린패스트(Euroscreenfast, Brussels)에서 수행되었다[Euroscreen, 사람 S1P1 커플링 Gi/0, (Edg1) 수용체, 카탈로그 번호: FAST-0197C, December 2009].사람 S1P1을 발현시키는 재조합 CHO-K1 세포를 항생제 없이 배양 배지에서 중간 로그 기(mid-log Phase)까지 성장시키고, 분리시키고, 원심분리하고, 다시 현탁시킨다. 작용제 시험을 위해, 세포를 화합물 및 포르스콜린(Forskolin)과 혼합하고, 실온에서 배양한다. CIS-BIO 인터내셔널(International)로부터의 HTRF 키트(카탈로그 번호 62AM2PEB)를 사용하여, 제조사의 사양에 따라, 세포를 용해시키고 cAMP 농도를 추정한다.화합물의 작용 효과는 참조 화합물의 EC100 농도에서의 활성의 백분율로서 표시되고, EC50을 산출하고, 결과를 pEC50으로서 기록한다. 화합물을 10 포인트 반 로그 농도 범위에서 1회 실험당 두 번씩 시험하였다.선택된 화합물들에 대한 약리학적 데이터(수용체 효능 작용):S1P1A : 방법 A를 사용하여 측정됨S1P1B : 방법 B를 사용하여 측정됨생체내 치료학적 모델; T-미로노화-관련 기억 결함이 사람 및 설치류에서 발생한다. 자발적 대안 행동은 T-미로에서 일련의 연속적 수행에 대해 자유 선택을 대신하는 설치류의 선천적인 경향이다. 이러한 순차적 과정은 작업 기억에 의존하고, 기억 과정에 영향을 미치는 각종 약리학적 처리에 민감하다[참조: Aging and the physiology of spatial memory. Barnes C.A. Neurobiol. Aging 1988:563-8; Dember WN, Fowler H. Spontaneous alternation behavior. Psychol. Bull. 1958, 55(6):412-427; Gerlai R. A new continuous alternation task in T-maze detects hippocampal dysfunction in mice. A strain comparison and lesion study. Behav Brain Res 1998 95(1):91-101].본 연구를 위해, 2개월령 또는 12개월령 수컷 C57BL/6J 마우스를 T-미로에서의 자발적 대안 행동 과제에 사용하였다. 간략하게, 1회의 "강제 선택" 시행 이후 14회의 "자유 선택" 시행으로 이루어지는 15회의 시행을 포함하는 하나의 세션으로 마우스를 실험하였다. 동물은 미로의 암(arm)들 중 하나의 암의 내부에 4개의 발이 모두 위치할 때 암에 들어간 것으로 간주되었다. 14회의 자유 선택 시행이 이행되었거나 15분이 경과되었으면, 무엇이 먼저 일어났든, 바로 세션을 종료하고 동물을 미로로부터 꺼낸다. 14회의 자유 선택 시행에 대한 대안 행동의 백분율을 각각의 마우스에 대해 측정하고, 이를 작업 기억 수행의 지수로서 사용하였다. T-미로 분석 전에 21일간, 그리고 T-미로 시험날 t = -30분에 본 발명의 화합물을 경구 투여하였다. 본 발명의 화합물은 0.01 내지 15㎎/㎏/일 범위의 용량에서 12개월령 C57BL6J 마우스의 노화-관련 인지 저하를 100%까지 역전시킨 것으로 나타났다. 이와 같이, 처리된 12개월령 마우스는 이들의 기능에 있어서 비히클-처리된 2개월령 마우스와 동일하였다(도 1 참조).결론: 본 발명의 화합물은 노화-관련 인지 저하에 대해 긍정적 효과를 갖는다.
	마이크 포트노이는 프로그레시브 메탈 밴드 드림 시어터의 드러머로 활동하다가 2010년 9월에 탈퇴했다. 그 후 여러 새로운 밴드를 결성하였다. 그 중 하나는 아드레날린 몹이었는데, 이 밴드는 2011년 8월에 데뷔 앨범을 발표했다. 포트노이는 이후 다른 밴드들과도 활동하며 여러 앨범을 발표했다. 그는 또한 프로그레시브 록 밴드 트랜스아틀랜틱과 더 와이너리 독스 등 다른 밴드에서도 활동하였다.	마이크 포트노이는 어떤 밴드들과 활동했었나?
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	한국전쟁에 대한 전후처리가 한창이었을 1954년 3월, 김춘수는 그간 쓴 시들을 추려서 第一詩集(문예사)을 펴냈다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 김춘수는 본인의 시력(詩歷) 초기에 있었던 두 번의 습작기에 대해 고백한 적 있다. 첫 번째는 ‘암흑기’에 일본예술대학에 유학하던 무렵이었다. 릴케와의 만남을 통해 시라는 관념을 처음 대면한 이 시기의 스승은 하기와라 사쿠다로(藤原朔太郞)를 위시한 ‘내지 문인들’과 ‘동경 간다의 헌책방’으로 은유되는 세계문학 그리고 조선의 선배 시인들이었다. “나의 무의식에는 베를렌과 미당이 있었는 듯하다.”는 표현은 김춘수 스스로 표백(表白)한 영향관계를 압축하는 말일 것이다. 1922년생인 김춘수는 동년배인 김수영이나 한 세대 선배인 청마 등이 해방 이후에도 일본어와 조선어 사이의 ‘이중언어적 자의식’에 시달렸던 데 비해 비교적 깔끔한 ‘우리말’을 구사한 시를 선보였다. 김춘수는 “아주 치졸한 우리말인데도 우리말로 발상을 하고 한글로 글을 썼다. 철자도 엉망이었는데 그랬다.”고 고백하기도 했다. 김춘수가 꼽은 “제2의 습작기”는 해방기다. 시인 스스로의 표현에 따르면 ‘亞流’의 시기였다. 해방 이후 동인지에 시를 발표하면서 시작 활동을 시작한 김춘수는 한국전쟁 직후까지 이미 많은 종의 작품집을 선보였다. 유치환이 ‘감각에 대한 생래적 거부감과 분위기의 직조’로 특징지은 첫 시집 구름과 장미(행문사, 1948.9)에 이어서 서정주의 발문을 받은 늪(문예사, 1950.3)은 단독 시집의 분량이었다. 여남은 편의 작품을 모은 기: 소묘집(문예사, 1951.7), 隣人(문예사, 1953.4)까지 포함하자면, 김춘수는 1950낸대 초에 이미 4권의 시집을 발표함 셈이다.
	예를 들면, 고층 건물에서 화재가 발생했는데, 화재감지기가 정상 작동하여 빠르게 화재가 감지되고 경보가 울려 사람들이 신속하게 대피하고 동시에 스프링클러도 작동하여 화재를 진압하게 된다면 화재는 큰 피해 없이 진압될 것이다. 그러나 화재감지기가 작동하지 않는 경우, 스프링클러 만이라도 정상 작동한다면, 신속히 화재 상황을 알 수 없는 사람들은 빨리 대피하지 못하더라도 스프링클러를 통해 화재를 진압하여 피해가 커지는 상황까지는 이르지 않을 수도 있다. 이와 반대로 화재감지기만 작동하고 스프링클러가 작동하지 않는 경우에도 사람들이 신속하게 대피하게 되면 인명 피해가 발생하는 위험한 상황까지는 이르지 않는다. 하지만, 화재감지기와 스프링클러가 모두 작동하지 않는 경우라면 어떻게 될까? 이것이 스위스 치즈 모델에서 제시하고 있는 여러 장의 치즈 슬라이스를 겹치더라도 구멍이 뚫린 상황으로, 사람들의 대피도 잘 이루어지지 못하고, 화재 진압도 제대로 이루어지지 못해 대형 인명 피해와 재산 피해가 발생하게 되는 경우이다.	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 국민안전교육 표준실무 : 안전교육의 이론과 실제(상) 요약문: 화재 발생 시 화재감지기와 스프링클러가 정상 작동하면 화재는 큰 피해 없이 진압된다. 화재감지기나 스프링클러 둘 중 하나만 작동할 경우에도 인명 피해까지는 일어나지 않을 수 있다. 그러나 이 두 장치가 모두 작용하지 않을 경우 대형 인명 피해와 재산 피해가 생길 수 있다.
	제목: [포커스]특수교육 지침에 가로막힌 학습권 은지는 희귀병을 가진 학생으로 건강이 좋을땐 통학을 하다 건강이 나빠져 통학을 할 수 없을때는 서울시 교육청 소속 건강장애 및 '요보호'로 분류된 학생이 듣는 꿀맛 무지개학교 화상강의를 듣곤했는데 등교와 화상강의 '병행금지' 지시로 학교가 허락하지 않아 학습권이 가로막혔다.	주어진 문장에 적절한 제목을 생성하고, 내용을 요약해주세요. 문장: ㆍ교사가 가정방문하는 '순회교육' 원해도 특수학급에 배정 이유로 대상서 제외 은지(13·가명)의 하루는 여느 아이들과는 조금 다르다. 오전 9시쯤 느긋하게 일어나 한 시간 동안 아침밥을 먹는다. 머리빗기 등의 손질이 끝나면 그때부터 휴대전화를 보거나, 엄마가 도서관에서 빌려다 준 책을 읽는다. 많게는 하루 2권의 두꺼운 책을 읽기도 한다. 최근에 읽은 황순원 작가의 <소나기>는 "별다른 감흥이 없었다"고 말했다. 지금은 <국어시간에 소설읽기>를 읽고 있다. 오후에는 휴대전화로 인터넷을 하고, 컴퓨터 프로그래머 강사의 방문수업을 듣는다. 은지는 학교에 가지 않는다. 정확히 말하면 학교에 갈 수가 없다. 은지는 24시간 산소호흡기를 끼고 생활해야 하는 희귀병 건강 장애인이다. 스스로 앉거나 서 있을 수 없어 대부분의 시간을 누워서 보낸다. 학교와 친구들 도움으로 초등학교 마쳐은지가 처음부터 학교에 갈 수 없었던 것은 아니었다. 밤에만 산소호흡기를 착용하면 낮에는 호흡기 없이도 학교에서 수업을 듣고, 친구들과 어울릴 수 있었다. 그러나 점점 24시간 호흡기를 통해 폐에 강제로 산소를 주입하지 않으면 안 되는 상황으로 병이 진행됐다. 초등학교 5학년까지 학교에 다닌 은지는 6학년부터 학교에 다닐 수 없었다. 은지의 엄마는 "그냥 학교 다니는 것을 포기하려고 했다"고 말했다. 그러나 은지가 다녔던 초등학교 교장과 담임교사, 특수교사는 "은지의 가능성을 믿고 있기 때문에 학교는 계속 다녔으면 한다"며 가족을 설득했다. 은지와 같은 희귀병을 가진 아이들은 대부분 지적장애를 수반하는 반면 은지는 똑똑했다. 학계에서도 희귀 케이스로 보고될 정도였다. 은지 엄마는 "아이가 말도 빨랐고, 글도 빨리 깨쳤다"고 했다. 은지의 꿈은 작가다. 비록 등교는 하지 않았지만 학교의 도움으로 6학년에 진학했다. 교장과 교사들은 은지에게 필요한 물품을 집으로 보냈다. "어차피 은지에게 배정된 예산이니 은지가 쓰는 게 맞다"고 했다. 같은 반 아이들은 매일 한 명씩 돌아가며 은지에게 일과를 기록해 전했다. 은지는 그날그날 학교에서 있었던 일들을 친구들이 적은 글을 통해 '볼 수' 있었다. 학교에 갈 수는 없어도 친구가 있었고, 담임선생님이 있었다. 은지에게 초등학교 6년의 시간은 행복했던 기억으로 남았다. 그러나 중학교에 입학한 이후 은지는 학교와 단절됐다. 은지는 같은 중학교로 진학한 초등학교 친구들이 만나고 싶었다. 가까운 거리라면 아이들과 함께 외부 체험학습도 하고 싶었다. 그러나 은지의 바람은 단 하나도 이뤄지지 않았다. 은지는 집에서 온라인 화상강의인 '꿀맛 무지개학교' 수업을 듣는다. 덕분에 출석하지 않고도 모자란 출결을 채울 수 있다. 꿀맛 무지개학교는 서울시교육청 소속 건 강장애 및 '요보호'로 분류된 학생이 듣는 화상강의다. 장기간 학교에 갈 수 없는 학생들을 대상으로 PC를 통해 국·영·수 위주의 강의를 한다. 그러나 꿀맛 무지개학교는 불과 2018년까지 장애인과 비장애인을 가르는 요인이 됐다. 꿀맛 무지개학교를 통해 화상 위탁교육을 받는 학생의 등교를 학교가 허락하지 않았기 때문이다. 건강이 좋아지면 통학을 했다가 건강이 나빠지면 화상수업을 듣는 것은 불가능했다. 한마디로 '병행금지'였다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	등록, 발명의 명칭 : 차량용 로어암)에 게시되어 있다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 일반적으로 차량의 서스펜션은 휠의 움직임을 제어하기 위한 서스펜션 암을 포함하고 있는데, 서스펜션 암은 그 형상에 따라 A자 모양의 A암과, I자 모양의 I암 등이 있고, 상하 한 쌍으로 되어 있을 경우 상측은 어퍼암이라 하고 하측은 로어암이라 한다.A자 모양으로 된 로어암은 3개의 단부를 구비하고 있는데, 그 중 1개의 단부는 볼조인트를 매개로 차륜의 휠과 결합되고, 나머지 2개의 단부는 부시를 매개로 차체에 결합되어 장착된다.종래의 로어암은 가격 대비 높은 강도를 유지하기 위해 스틸로 제작된 것을 주로 사용하고 있으므로 상당한 하중에 의해 연비를 저감시키는 문제점이 있다. 따라서, 이를 개선할 필요성이 요청된다.본 발명의 배경기술은 대한민국 등록특허공보 제10-1393849호(2014.05.02.
	지난 7월 이후 전남도 로컬푸드 직매장 잇단 개장함에 따라 농가소득 증대와 소비자에게는 신선하고 안전한 먹거리를 제공하면서 소비자에게는 신선하고 안전한 먹거리를 제공하는 1석 2조 효과가 있다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 롯데슈퍼 광주 풍암·두암·문흥점 이어 봉선점도 추가 140여 농가 460여 품목 생산-소비 직거래 방식 운영 전남도는 17일 “농산물 판로 확보가 어려운 영세 고령농에게 새 판로 기회를 제공하기 위해 롯데슈퍼 광주 봉선점에 전남 로컬푸드 직매장을 추가 개장했다”고 밝혔다. 광주 남구 봉선동에 위치한 롯데슈퍼 봉선점은 기존 ‘신선식품 매장’을 ‘화순 도곡농협 로컬푸드 직매장’으로 바꿨다. 화순 도곡에서 농사짓는 45농가가 파프리카, 배추, 무 등 신선농산물과 가공식품 200여 품목을 납품해 판매한다. 로컬푸드는 중간 유통단계를 없애 유통비용이 줄어 더 저렴한 가격으로 제공하기 때문에 생산자와 소비자 모두에게 이익이다. 생산자에게는 판로 확대와 소득 향상에 기여하고 소비자에게는 신선하고 안전한 먹거리를 제공하는 1석 2조 효과가 있다. 전남도는 롯데슈퍼와 손잡고 지난 7월 풍암점에서 로컬푸드 직매장을 처음 개장한 이후 두암점과 문흥점 등 4개 점포에 로컬푸드 직매장을 잇따라 열었다. 나주, 곡성, 화순지역 140농가에서 생산한 로컬푸드 460여 품목에 대해 생산자가 직접 가격을 책정해 소비자에게 판매하는 직거래 방식으로 운영한다. 김응걸 롯데슈퍼 상품본부장은 “안전한 먹거리, 중소농 보호, 지역사회 활성화 등 로컬푸드의 사회적 가치 실현과 상생 발전에 노력하고 있다”며 “경기, 서울 등 수도권 로컬푸드 직매장 확충에도 적극 나서겠다”고 말했다. 김영신 도 농식품유통과장은 “로컬푸드가 농가 소득 향상과 안정적 먹거리 공급에 일조하면서 새 유통 패러다임을 만들고 있다”며 “전남의 로컬푸드 생산-소비 체계가 확산되도록 공급처를 더 확대하겠다”고 말했다. 전남 로컬푸드 직매장은 40개소가 운영되고 있다. 참여 농가는 7천900명으로 직매장별로 평균 202명이 참여하는 셈이다. 10월 말 로컬푸드 직매장 매출액은 696억 원으로 농가소득 증대와 지역경제 활성화에 기여하고 있다. /김재정 기자 김재정 기자
	우리 몸에는 머리카락을 포함한 500만 개가 넘는 털이 있습니다. 머리카락은 수명이 5 ~ 7년이고 길이도 2m를 넘기도 합니다. 그러나 눈썹은 수명이 3 ~ 4개월이며, 길이는 평균적으로 7 ~ 11mm만 자랍니다. 그 이유는 머리카락에 비해 눈썹에는 혈관이 적어 영양 공급이 적어집니다. 따라서 눈썹은 머리카락처럼 길게 자라지 않고 눈을 보호할 수 있을 정도로만 자랍니다. 또한 눈썹이 짧은 기간 동안 자라고 떨어지면 자라는 주기가 다시 시작됩니다. 눈썹은 비교적 쉽게 떨어지므로 절대 이발을 할 필요가 없습니다.	눈썹과 머리카락은 같은 털인데 눈썹이 자라지 않는 이유는 무엇인가요?
	제목: 한-인니 CEPA 최종 타결..."세계인구 4위 시장 본격 열린다" 한국과 인도네시아의 포괄적경제동반자협정(CEPA)이 최종 타결됨으로써 세계 인구 4위(2억 7000만 명), 2030년 세계 경제 규모 4위로 전망되는 인니 시장이 본격적으로 열려 문재인 정부가 추진하고 있는 신남방정책도 더욱 가속할 것으로 기대된다.	주어진 문장에 적절한 제목을 생성하고, 내용을 요약해주세요. 문장: 문재인 대통령이 25일 부산 벡스코 2전시장에서 열린 2019 한-아세안 특별 정상회의 'CEO 서밋(Summit)' 행사에서 기조 연설을 하고 있다. 한국과 인도네시아의 포괄적경제동반자협정(CEPA)이 최종 타결됐다. 인구 2억7000만명에 달하는 인니 시장이 본격 열리는 셈으로 문재인 정부가 추진하고 있는 신남방정책도 더욱 가속화할 것으로 기대된다. 산업통상자원부는 25일 부산에서 개최된 한-아세안 특별정상회의 계기로 진행한 한-인니 정상회담에서 유명희 통상교섭본부장과 아구스 수파르만토 인니 무역부 장관이 '한-인니 CEPA 타결 공동 선언문'에 서명했다고 밝혔다. 우리 정부는 한-아세안 FTA 대비 추가자유화와 신남방정책 기반 마련 위해 인도네시아와 CEPA 협상을 2012년 시작했었다. 2014년 중단됐었지만 지난해 9월 조코 위도도 인니 대통령의 방한 계기에 정상간 CEPA 협상 재개를 위해 노력하기로 합의하면서 올 2월 양국 통상장관들이 협상 재개를 공식 선언했다. 이후 양측은 수 차례 공식 협상과 회기간 협상 등을 집중적으로 추진했고 지난달 16일 인니에서 양국 통상장관은 상품과 서비스, 투자, 원산지, 협력, 총칙 등 모든 분야 쟁점에 합의했고, 한-인니 CEPA 협상이 실질 타결됐다고 발표했다. 이후 양국은 13개 챕터, 시장개방 등 부속서 등 문안 합의를 완료해 이번 특별정상회의 계기 최종 타결이라는 성과를 도출했다. 한-인니 CEPA는 현 정부의 신남방정책 기조에서 중점 추진한 협상 중 첫 번째 성과다. 인니는 세계인구 4위(2억7000만명), 평균연령 29세의 젊은 인구구조, 최근 연 5% 이상의 경제성장, 2030년 세계경제규모 4위 전망(스탠다드차터드, 2018년) 등 성장잠재력 높은 아세안 최대시장이다. 한국의 아세안 교역 중 2위 시장이기도 하다. CEPA 타결은 높은 수준의 시장개방을 통해 교역을 다변화하고 우리기업의 수출여건을 개선할 것으로 정부는 기대하고 있다. 실제 기존 한-아세안 FTA 에 따른 인니 측 상품시장 개방 수준 80.1%인데 CEPA는 93%로 인니 측 시장개방 수준을 약 13%포인트 높여 경쟁국과 대등한 수준의 시장 접근여건 확보했다. 특히 인니에 투자하는 우리기업이 필요로 하는 자동차용 강판과 자동차부품, 석유화학제품 등의 관세를 철폐함으로써 우리기업들이 아세안내 거점을 마련하는데 기여할 것으로 평가된다. 세부적으론 열연강판(5%)과 냉연강판(5~15%), 도금강판(5~15%), 합성수지(5%), 자동차 및 부품(5%) 등 대(對)인니 수출 금액이 큰 우리 주력 품목에 대한 관세는 철폐된다. 자동차 강판 용도로 쓰이는 철강제품(냉연·도금·열연강판 등)과 자동차부품(트랜스미션 5%, 선루프 5% 등), 합성수지 등 주요 품목에 대해서는 발효시부터 즉시 무관세가 적용될 예정이다. 인니는 섬유(면사 5% 등)와 기계부품(베어링 5% 등) 기술력이 필요한 중소기업 품목도 상당수 발효 즉시 관세철폐로 시장을 개방하기로 했다. 반면 민감성 높은 우리 주요 농수임산물은 양허제외 등으로 보호하기로 했다. 이와 함께 양국은 금번 CEPA 협정에 협력 챕터를 대폭 강화함으로써 자동차 등 산업개발과 에너지, 문화콘텐츠, 인프라, 보건 등 다양한 분야에서 양국 정부 및 기업들간 협력 강화를 위한 상생 협력의 틀을 마련했다. 인니에 투자하는 한국기업 입장에서는 인허가 등 정책적 협조와 협력업체 발굴, 현지인력 확보 등의 분야에서 인니 입장에서는 한국기업이 보유한 글로벌공급망 참여, 기술교류, 인력양성 등의 분야에서 상호 '윈-윈'할 수 있는 기회가 될 것으로 산업부는 전망했다. 양국은 협정문 법률 검토 등을 거쳐 내년 초 중 정식 서명을 추진하기로 했다. 또 영향평가와 국회 비준동의 등 각각의 국내절차도 신속히 진행할 예정이다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 제공하세요.	작가가	이 문제에서는 주어진 텍스트 내의 <MASK>로 표시된 부분에 들어갈 적절한 단어를 예측해야 합니다. <MASK>가 위치한 문장의 전체 문맥을 분석하여, 문장의 나머지 내용과 일관되게 <MASK>에 들어갈 가장 적합한 단어를 답하세요. #텍스트: 李商隱(813~858)은 晩唐시기 唯美文學의 名手로 중국 詩史에서는 애정시를 대표하는 시인이다. 그가 남긴 시는 무려 600首가량 되는데, 그 가운데에서도 무엇보다 빼놓을 수 없는 것이 몽롱한 분위기를 나타내는 「無題詩」가 될 것이다. 여기서 “몽롱함을 나타낸다” 함은 <MASK> 고도의 예술 기교를 통해 내심을 직접적으로 드러내지 않고, 그 뜻을 완곡하고 애매하게 표현하는 것으로 해석할 수 있다.이상은은 甘露之變과 牛李黨爭을 겪으면서 우울하고 불행한 생활을 하게 된다. 이렇게 자신의 불우한 생활에서 작품 활동을 해야 했기에 그는 정치적이나 개인적인 내심을 드러내지 않았고, 완곡하고 구성지게 이야기를 전개하였으며, 비흥기탁의 기법을 대량 운용하여 옛 것으로 현실을 풍자한다거나, 사물에 기탁하여 사람을 비유한다거나, 혹은 애정에 대해 묘사하며 느낌을 기탁하는 것으로 무한한 여운을 남기는 작품들을 남겼다. 또한, 그는 “才人”이지만, “여색을 좋아하는 사람(色鬼)”으로 평가되는데, 그가 연모했던 여인들은 돈으로 쉽게 만날 수 있는 기생이 아닌 여승이나 후궁 혹은 고급관료의 姬妾으로, 비밀리에 연애를 해야 하는 상대들이었기에 “政治詩”뿐 아니라 순수 “愛情詩”라 할지라도 드러내지 않고 감추어야 하는 상황이었던 것이다. 그래서 어쩔 수 없이 典故나 신비주의적인 상징물들을 잘 활용하여 사람들에게 알 수 없는 몽롱함을 주는 「無題詩」를 짓게 된 것이다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	이러한, 도어 장착 불량과 환경 사고 등의 문제점에 의해 많은 조치 및 정비 시간이 필요하며, 생산 원가가 증가하는 문제점이 있다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 일반적으로 다수개의 탄화실을 구비하는 코크스 오븐(coke oven)은 탄화실에 장입차를 이용하여 석탄을 장입한 후, 외부 공기를 차단시키고 가열함으로써, 석탄에 함유된 휘발 성분이 제거된 회백색의 코크스를 생산하는 데에 사용되는 설비이다.이와 같은 코크스 오븐을 이용하는 상기와 같은 작업을 건류작업이라고도 하는데, 건류작업이 끝난 석탄은 압출기와 트랜스퍼 카에 구비된 인출기를 통하여 탄화실의 도어를 오픈시킨 상태에서, 압출기의 램에 의해 탄화실에서 배출되어 트랜스퍼카의 쿠크스 가이드를 통해 소화차에 적재된 후 소화탑으로 이송되어 소화된다.상기와 같이, 탄화실로부터 코크스의 배출이 완료되면, 압출기와 트랜스퍼카의 인출기는 다시 탄화실을 도어로 폐쇄시키고, 탄화실 내에 석탄을 재장입하게 된다. 이러한 도어의 오픈 및 폐쇄의 반복 과정에서, 도어의 흔들림으로 인한 수직 불량으로 인하여 도어 프레임의 변형과 도어 실링 스트립 변형(sealing strip bending)이나 래칭 바(latching bar)의 깨짐, 변형 탈락이 되는 우려가 있다. 이로 인하여, 래칭 걸이 변형시 장기간 조업 중단 사태가 발생되고, 도어 탈착 전에 도어 상부 홀딩 바(holding bar) 마모 현상과 수직 불량으로 도어 장착시에 가스 누수(gas leak) 현상이 발생된다.
	제목: [분수대] 대학 졸업장은 있어야 할까 요즘 취업시장에서는 대학 졸업장보다 산업의 변화에 맞는 전문교육을 받은 사람이 경쟁력을 갖는 만큼 고졸 청년에게 어떤 전문교육을 하면 좋을지 고민하는 것이 중요하다.	주어진 문장에 적절한 제목을 생성하고, 내용을 요약해주세요. 문장: 이동현 산업1팀 차장 "대학 졸업장은 있어야 밥 벌어 먹고산다." 예나 지금이나 한국 부모들이 하는 말이지만 정말 그럴까 싶을 때가 많다. 대졸 20대 실업자 수는 매년 20만명을 오간다. '대학 졸업장을 갖고도' 밥을 못 벌어먹는 청년이 절대 적지 않은 게 현실이다. '크리에이터' '아이돌 가수' 같은 직업이 선망받으면서 대학에 가지 않아도 되는 시절이 온 것처럼 느껴지기도 한다. 최근 월스트리트저널(WSJ) 보도를 보면 또 다른 생각이 든다. WSJ는 지난 9일 '미국 제조업은 블루칼라 일자리에 화이트칼라를 원한다'는 기사를 게재했다. 연방정부 데이터를 분석해봤더니 미국 제조업 공장에서 일하는 직원 가운데 대졸자 비율이 사상 최고를 기록했다는 것이다. 2000년 29%였던 대졸자 비율은 올해 40.9%까지 올라갔다. 같은 기간 고졸자 비율은 53.9%에서 43.1%로 낮아졌다. 이는 자동화 설비와 로봇의 도입 때문이다. 2012~2018년 전체 고용은 3% 줄었지만, 복잡한 기계를 다룰 수 있는 직원의 고용은 10% 늘었다. 단순직 노동자는 일자리를 잃은 반면, 첨단 기계 관련 교육을 받은 '대졸' 노동자는 증가했다. 한국 상황도 다르지 않다. 제조업체들은 자동화 설비와 로봇으로 사람의 자리를 대신한다. 제조업 일자리가 줄어드는 것 같지만, 첨단 기계를 다루는 일자리는 증가한다. 앞으로도 새로운 산업변화에 따라 '교육받은' 노동력의 수요는 계속 늘어날 게 틀림없다. 그건 아닐 것 같다. 산업의 변화에 맞는 전문교육을 받은 사람이 경쟁력을 갖게 된다. 대학이 중요한 게 아니라, 고교를 마친 청년에게 어떤 전문 교육을 할지 고민하는 게 우리의 숙제다.
	안유자는 제나라의 제27대 후작으로, 도라는 이름을 가졌습니다. 그의 아버지 경공의 적자가 조기에 돌아가셔서 어린 나이에 어머니 예희가 총애를 받았지만, 여러 대부들은 도가 후계자가 될까 우려해 나이 많고 어진 자로 태자를 삼기를 권했습니다. 그러나 경공은 이를 무시하고 나중에 국혜자와 고소자에게 명하여 도를 태자로 삼았습니다. 경공이 죽자 도가 제후가 되어 안유자가 됩니다. 안유자 1년, 진걸이 거짓말을 퍼뜨리며 국혜자와 고소자를 섬기면서 이간질을 하였고, 6월에 진걸과 포목이 공궁을 공격하자 국혜자와 고소자가 안유자를 도와 싸움을 벌였지만 패배하고 모두 도망쳤습니다. 진걸은 노나라로 망명하여 대부들과 옹립하고, 도공이 호희를 시켜 안유자를 땅 떠나게 하였고, 안유자의 모친 육사와 따로 안치시키고 주모를 시켜 유자를 태로 옮겼습니다. 그러나 주모가 유자를 죽여 수모순에 묻었습니다.	안유자는 어떤 지위에 있었나?
	레프코스 피르고스(White Tower)는 그리스 테살로니키 테르마이코스 만을 따라 세워진 타워로, 12세기 비잔틴 시대에 세워졌다. 원래는 요새로 사용되었으나, 오스만 제국 시대에는 항구의 성벽을 만들 때 개축하여 감옥으로 사용되었다. 1912년 테살로니키가 그리스 령이 되면서 타워는 개수되어 하얗게 변했고, 현재는 박물관으로 사용되고 있다. 이 타워는 테살로니키 동쪽 방어선을 지키기 위한 초대 요새였으며, 1430년에 오스만 제국 황제 무라트 2세가 이끄는 군대에 의해 테살로니키가 자국의 영토로 편입된 후 세워졌다. 1912년에 발견된 돌에 따르면 1535-1536년에 지어진 것으로 추정되며, 독일의 역사 학자 프란츠 바빙거는 이 탑이 터키의 건축가 미마르 시난이 1537년에 알바니아 블로러에 세운 탑과 같은 시기에 지어진 것으로 추측하고 있다. 오스만 제국 시대 탑은 처음에는 요새로 사용되었다가 나중에 감옥으로 사용되었으며, 1826년 예니 체리 군인이 탑에서 처형당하면서 '피의 탑'으로 불리기도 했다.	레프코스 피르고스(White Tower)는 어떤 건물인가요?
	그러나 크고 작은 과학적 식견을 필요로 하는 환경 문제에 대해 무엇이 정확한 정보인지를 판단할 수 있는 경우도 있을 수 있기 때문에 이와 같은 활동을 비영리 단체(NPO)로 조직된 과학자 집단이 한다고 하면 앞으로 크게 기대해도 좋을 것이라고 생각된다(캐나다에서는 시민이 환경영향평가 절차에 참여하는 경우, 전문가를 위탁하는 경비에 기금을 지원하는 등은 직접적으로 일본에서 참고할 수는 없지만 이러한 개념을 참고할 수 있을 것이다)	주어진 문장 뒤에 자연스럽게 이어질 문장을 생성해주세요. 문장: 또한 이러한 협력 체제가 확립되었을 때에는 이것을 바탕으로 더욱 전문가 집단이 환경영향평가 준비서나 평가서 기술, 혹은 그 의미에 대해 일반 시민이 이해하기 쉬운 말로 전달할 수 있는 ‘번역자’의 역할을 하는 것이 기대된다. 이렇게 함으로써 일방적인 정보 해석으로 인해 생기는 오해를 막고 환경영향 예측이나 평가의 의미를 이해한 뒤 실질적으로 주민의 참여를 실현시켜 서로를 이해하여 ‘합의 형성’을 기대할 수 있기 때문이다. 물론, 이러한 역할은 행정 기관이 중립된 제3자로서의 역할을 다하는 것이 올바른 수단이라고도 말할 수 있다. 또한 사업자가 주민의 이해를 얻어야 하는 적절한 정보를 발신하는 것이 본래의 책무라고도 할 수 있다.
	니시오선은 일본 아이치현 안조시의 신안조역부터 니시오시의 기라요시다역까지를 잇는 나고야 철도의 철도 노선으로, 총 길이는 24.7km이며 궤간은 1067mm이고 역 수는 14개이다. 이 노선은 복선화되어 있으며, 니시오구치와 니시오간, 사쿠라이와 미나미사쿠라이 간에서만 교환 가능하다. 전체 구간이 전철화되었으며, 직류 1500V를 사용하여 자동 폐색식으로 운영된다. 최고 속도는 100km/h이다. 이 노선은 아이치현의 교통 중 하나로, 1928년에 개통되었다.	니시오선은 어느 나라와 도시를 잇는 철도 노선이야?
	둘째, 기후·대기 부문에서는 2015년 시행된 온실가스 배출권 거래제의 안착에 필요한 신규투자 소요에 능동적으로 대행하여야 한다. 온실가스 배출권 거래제는 배출량 점검, 신고, 검증(Monitoring, Reporting, Verification: MRV), 배출권의 산정, 거래의 기록 등 제도를 지탱하는 세부제도들이 원활하게 운용되어야 온실가스 감축을 효과적으로 달성할 수 있다. 따라서 제도 운용 초기에는 재정소요 발생이 불가피하며, 이에 대한 선제적인 대응이 필요하다. 이를 위해서는 배출권 거래제의 도입에 따라 기존 온실가스 감축정책 중 역할이 중복되는 정책들은 점진적으로 축소하여 재원을 마련하는 방법을 생각할 수 있다. 특히, 2015년부터 전기차 및 하이브리드 차에 대한지원이 큰 폭으로 확대되고 있는 바, 이러한 지원에 대한 타당성과 효과성을 면밀히 검토할 필요가 있다.	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 2015~2019 국가재정운용계획 : 환경 분야 보고서 요약문: 2015년 시행된 온실가스배출권 거래제는 배출권의 산정 등 세부제도들이 잘 운용되어야 효과적이므로, 전기차 지원 확대 타당성 검토 등, 기존 정책 중 중복되는 것들은 축소하여 거래제 안착에 필요한 선제적인 대응이 필요하다.
	다섯째, 교수·학습의 경우 ‘효율적 교과 지도 고려 자유학기 교육과정 편성·운영’과 ‘학생체험활동 배려 자유학기 교육과정 편성·운영’이라는 두 축을 중심으로 학교의 실정에 따라 다양하고 유연하게 편성·운영할 수 있도록 안내할 필요가 있다. 또한 교과와 자유학기 활동 사이에 ‘중간지대’를 설정하여 학생의 교과 활동에서 자유학기 활동으로 보다 부드럽게 넘어갈 수 있도록 한다. 평가의 경우, 자유학기에서 강조되고 있는 형성·과정 평가는 ‘성장참조 기록지’ 및 ‘학습발달 기록지’ 등을 활용하여 학생 개개인의 성취수준을 확인·기록해 두고 학기말에 학생들의 성취수준을 기술·해석하여 종합 서술하는 데 기초자료로 활용하도록 할 필요가 있다.	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 자유학기제 도입에 따른 중학교 교육과정 설계 방안 요약문: 효율적 교과 지도 고려와 학생체험활동 배려를 위해 자유학기 활동으로 넘어갈 수 있는 유연성과 평가에 있어 기록지등을 활용하여 성취 수준을 기록 및 해석하여 기초자료로 활용 하도록 한다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 제공하세요.	것을	이 문제에서는 주어진 텍스트 내의 <MASK>로 표시된 부분에 들어갈 적절한 단어를 예측해야 합니다. <MASK>가 위치한 문장의 전체 문맥을 분석하여, 문장의 나머지 내용과 일관되게 <MASK>에 들어갈 가장 적합한 단어를 답하세요. #텍스트: 최근 여성들의 경제활동 증가로 인해 맞벌이 부부의 비율이 지속적으로 증가함에 따라 가정에서 요구되는 남성의 역할과 직장에서 요구되는 여성의 역할이 확대되었고(류성민, 안성익, 2012), 정보화 및 기술 발전으로 인해 지속적인 경쟁우위를 점유하기 위한 조직들의 경쟁 또한 심화되었다. 이에, 조직은 구성원들에게 직무역할 수행에 보다 많은 노력을 기울일 <MASK> 기대하고 있으며(Perlow, 1998), 실제 구성원들이 체감하는 노동의 강도 역시 증가되고 있는 추세에 있다. 반면, 경제성장과 더불어 구성원들의 경제력 또한 향상되어 구성원들의 관심의 초점이 직장에서 가정에 이르기까지 확대되고 있고(이혜진, 박상언, 2015) 전반적인 삶의 질을 높이기 위해 노력하는 등 일-가정균형을 도모하는 경향이 증가하고 있으며(김현욱, 유태용, 2009), 이로 인해 우수한 인재들이 직장과 가정의 역할 대립에서 오는 갈등을 이유로 조직을 이탈해 나가는 현상이 사회적 문제로 주목받고 있다. 이러한 현상에 주목하여 연구자들은 ‘일-가정 이슈(work-family issue)’라는 주제로 연구노력을 기울여 왔으며, 그 결과, 일-가정 균형의 달성 혹은 갈등의 관리가 인적자원관리의 측면에서 매우 중요한 수단임이 입증되었다(Barnett & Hall, 2001).
	제목: “중동-북한 피했다” 일본, 2022 월드컵 예선 반색 FIFA 세계랭킹 28위 일본이 17일 진행된 카타르 월드컵 아시아지역 2차 예선 조 추첨에서 중동이나 북한이 속하지 않은 F조에 편성되며 '최상의 조'에 편성되었다는 평가를 받고 있는 한편, 일본 더페이지는 다른 조에 비해 일본이 편성된 조가 매우 좋다고 밝혔다	주어진 문장에 적절한 제목을 생성하고, 내용을 요약해주세요. 문장: 2022 국제축구연맹(FIFA) 카타르 월드컵 아시아지역 2차 예선 조 추첨 뒤 한 일본 언론의 평가다. '최상의 조'에 편성됐다며 반색했다. 일본 '더 페이지'는 18일 "중동이나 북한을 피했다. '초천국조'에 들어간 모리야스호는 어떻게 싸울까"라는 글을 전했다. 일본은 2022 FIFA 카타르 월드컵 아시아지역 2차 예선 조 추첨 결과 키르기스스탄, 타지키스탄, 미얀마, 몽골과 F조에 편성됐다. 사진(브라질 상파울루)=ⓒAFPBBNews = News1 FIFA 세계랭킹 28위 일본은 17일 진행된 카타르 월드컵 아시아지역 2차 예선 조 추첨에서 키르기스스탄(95위), 타지키스탄(120위), 미얀마(138위), 몽골(187위) 등과 F조에 속했다. 하나 같이 한 수 아래 팀이다. 껄끄러운 팀과 만나지 않는다. 중동의 모래바람도 피했다. 서아시아 팀이 없는 조는 F조가 유일하다. '더 페이지'는 "일본인 감독이 지휘봉을 잡은 태국, 캄보디아, 싱가포르뿐만 아니라 중동, 우즈베키스탄, 북한과 다른 조에 속했다. C조, G조, H조에 비하면 일본의 조는 매우 좋다"라고 했다. 한편, 모리야스 하지메 감독은 표정 관리에 들어갔다. 그는 "시차, 기후 등 원정 환경에 대해 생각하지 않을 수 없다. 우리가 가진 100% 힘을 발휘할 수 있도록 준비하겠다"라고 밝혔다. 그러면서 그는 니시노 아키라 감독의 태국, 요시다 다쓰마 감독의 싱가포르, 혼다 게이스케 감독의 캄보디아와 최종 예선에 만나기를 바랐다.
	17일 오후 시청별관 대강당에서 대구시는 GS건설㈜ 등 외지 대형건설업체 18개사와 지역 전문건설업계 관계자들은 상생협력 방안을 모색하기 위해 간담회를 개최했으며, 시는 지역 우수업체의 협력업체 등록과 하도급 공사 입찰 참여 기회 확대 등 외지 시공사의 적극적인 협력을 당부했다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 김주오 대기업 18개사 참여 간담회 가져 지역업체 수주확대 방안 논의 상호 고충청취·협력안 강구도 대구시가 외지 대형건설업체와 지역 전문건설업체간 상생협력 방안을 찾기 위해 나섰다. 시는 17일 오후 시청별관 대강당에서 ㈜포스코건설·대우산업개발㈜··GS건설㈜ 등 외지 대형건설업체 18개사와 지역 전문건설업계 관계자, 8개 구·군 건축(주택)과장이 한자리에 모여 지역업체의 수주 확대를 포함한 건설업계의 상생협력 방안을 모색하기 위해 간담회를 가졌다. 이번 간담회는 최근 지역 재건축·재개발 사업 등 대형 민간건설공사에 외지 시공사의 수주강세로 인해 지역 자본의 역외 유출 우려가 제기되고 있는 가운데 지역 하도급 제고와 인력·자재·장비사용을 최대한 확대해 외지 시공사와 지역 건설업계가 함께 발전할 수 있는 방안을 찾기 위해 마련됐다. 이날 회의에서 시는 지역 우수업체의 협력업체 등록과 하도급 공사 입찰 참여기회 확대, 지역 업체 하도급 목표 70%와 인력·자재·장비 사용 85%이상 달성 등 외지 시공사의 적극적인 협조를 당부했다. 또 지역 건설업체에게는 기술력의 향상과 공사단가 등 자체 경쟁력 강화에도 노력해 줄 것을 주문했다. 이 밖에도 외지 건설사와 지역 건설업체간 상호 소통과 이해 부족으로 외지 건설업체가 겪고 있는 애로사항을 청취하고, 구·군 건축부서와 시가 적극 중재하는 등 해결방안을 강구하는 기회도 가졌다. 이상길 시 행정부시장은 “시는 앞으로도 외지 대형건설업체와 상생협력을 통한 건설경기 활성화에 최선을 다하겠다”고 말했다. 김주오기자 kjo@idaegu.co.kr
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 문장 리스트를 모두 활용하여 가장 정확한 단락을 생성하세요.	집적 회로 기술에서의 진보는 주어진 층에서의 금속선들 간의 간격과 집적 회로의 상이한 층에서의 상호접속된 선들 간의 간격을 감소시켰다. 이러한 금속선들간의 감소된 간격은 부근 전도성 트레이스 간의 용량 결합(capacitive coupling)에서의 증가를 초래하고, 이는 더 큰 혼선 및 더 많은 용량 손실과 같은 문제를 야기한다. 이러한 문제점을 다루기 위한 노력으로, 저-k 및 초저-k (ULK) 유전체 물질이 주어진 층의 전도체 사이 및 층들 사이에 사용되는 종래의 유전체 물질에 대한 대체재로서 개발되었다. 이 물질은 종래의 유전체 물질과 비교하여 전도체 간의 용량 결합을 상당하게 감소시킬 수 있다.하나의 부류의 제안된 물질은 이의 저-k 또는 ULK 특성을 달성하기 위해 공기의 유전 상수 (1.001)에 의존한다. 이 물질을 사용하여 다공성 유전체층은 반도체 표면 상에 형성된다. 이 물질의 효과적인 유전 상수는 층에서의 기공들의 총 기공 용적에서 증가에 따라 점점 감소할 수 있다. 그러나, 기공은 물질의 유전 상수를 감소시킴과 동시에, 이들은 또한 바람직하지 않게 층의 기계적 강도 및 안정성을 감소시키고, 이는 후속 공정, 예를 들면 패턴화, 증착, 화학적 기계적 평탄화 또는 다른 공정 과정에서의 손상에 민감하게 한다. 또한, 이의 다공성 특성으로 인해, 물질은 장치 불량이 야기될 수 있을 정도로 후속 공정 과정에서 화학물질과의 접촉에 매우 민감할 수 있다. 그러나, 이러한 문제를 다루기 위한 노력으로, 희생 유기 폴리머로 기공을 충전하는 기술이 폴리머가 제거되기 이전에 후속 공정 과정 동안 기계적 강도를 제공하기 위한 목적을 위해 제시되었다. 문헌 [Frot et al, Adv. Mater. 2011, 23, 2828-2832]은 PMMA-유형, 폴리스티렌-유형, 폴리(프로필렌 산화물) 유도체 또는 폴리(에틸렌 옥사이드) 유도체 폴리머를 사용하는 이러한 공정을 기재하고 있다. 공지된 기공-충전 물질은 웨이퍼 가공을 위해 전형적으로 사용되는 증가된 온도에서의 불량한 열적 안정성을 가질 수 있다. 본 발명자들은 하기 중 하나 이상을 갖는 기공-충전 조성물의 바람직한 점을 인지하였다: 양호한 폴리머 가요성 및 실질적인 무공극 기공-충전을 위한 유동 특성, 및 처리 과정에서의 이른 열분해 및 이로부터 생성되는 가능한 신뢰성 문제를 피하기 위한 증가된 공정 온도에서의 양호한 열적 안정성.따라서, 개선된 기공-충전 조성물 및 현 기술수준과 관련된 하나 이상의 문제점을 다루는 방법에 대한 필요성이 존재한다.	이 문장들은 임의의 순서로 섞여 있습니다. 모든 문장을 활용하여 원본 단락의 순서와 내용을 올바른 순서로 재구성하세요. #문장 리스트: ['문헌 [Frot et al, Adv.', '이러한 문제점을 다루기 위한 노력으로, 저-k 및 초저-k (ULK) 유전체 물질이 주어진 층의 전도체 사이 및 층들 사이에 사용되는 종래의 유전체 물질에 대한 대체재로서 개발되었다.', '그러나, 이러한 문제를 다루기 위한 노력으로, 희생 유기 폴리머로 기공을 충전하는 기술이 폴리머가 제거되기 이전에 후속 공정 과정 동안 기계적 강도를 제공하기 위한 목적을 위해 제시되었다.', '이 물질은 종래의 유전체 물질과 비교하여 전도체 간의 용량 결합을 상당하게 감소시킬 수 있다.하나의 부류의 제안된 물질은 이의 저-k 또는 ULK 특성을 달성하기 위해 공기의 유전 상수 (1.001)에 의존한다.', '본 발명자들은 하기 중 하나 이상을 갖는 기공-충전 조성물의 바람직한 점을 인지하였다: 양호한 폴리머 가요성 및 실질적인 무공극 기공-충전을 위한 유동 특성, 및 처리 과정에서의 이른 열분해 및 이로부터 생성되는 가능한 신뢰성 문제를 피하기 위한 증가된 공정 온도에서의 양호한 열적 안정성.따라서, 개선된 기공-충전 조성물 및 현 기술수준과 관련된 하나 이상의 문제점을 다루는 방법에 대한 필요성이 존재한다.', '공지된 기공-충전 물질은 웨이퍼 가공을 위해 전형적으로 사용되는 증가된 온도에서의 불량한 열적 안정성을 가질 수 있다.', '또한, 이의 다공성 특성으로 인해, 물질은 장치 불량이 야기될 수 있을 정도로 후속 공정 과정에서 화학물질과의 접촉에 매우 민감할 수 있다.', 'Mater.', '2011, 23, 2828-2832]은 PMMA-유형, 폴리스티렌-유형, 폴리(프로필렌 산화물) 유도체 또는 폴리(에틸렌 옥사이드) 유도체 폴리머를 사용하는 이러한 공정을 기재하고 있다.', '그러나, 기공은 물질의 유전 상수를 감소시킴과 동시에, 이들은 또한 바람직하지 않게 층의 기계적 강도 및 안정성을 감소시키고, 이는 후속 공정, 예를 들면 패턴화, 증착, 화학적 기계적 평탄화 또는 다른 공정 과정에서의 손상에 민감하게 한다.', '이 물질을 사용하여 다공성 유전체층은 반도체 표면 상에 형성된다.', '집적 회로 기술에서의 진보는 주어진 층에서의 금속선들 간의 간격과 집적 회로의 상이한 층에서의 상호접속된 선들 간의 간격을 감소시켰다.', '이 물질의 효과적인 유전 상수는 층에서의 기공들의 총 기공 용적에서 증가에 따라 점점 감소할 수 있다.', '이러한 금속선들간의 감소된 간격은 부근 전도성 트레이스 간의 용량 결합(capacitive coupling)에서의 증가를 초래하고, 이는 더 큰 혼선 및 더 많은 용량 손실과 같은 문제를 야기한다.']
	이것은 ‘환경영향평가’에서 범위나 대상을 어떻게 취급하면 좋을지에 대한 문제도 마찬가지이다	주어진 문장 뒤에 자연스럽게 이어질 문장을 생성해주세요. 문장: 일반적으로 인간을 둘러싼 ‘환경’이라고 할 때에는 인간의 생존, 사회 활동에 관련된 자연, 사회의 모든 현상이 포함된다고도 할 수 있다. 또한 그 범위는 어떤 사람의 주변 생활환경에서부터 은하계의 우주 또는 더 광범위한 우주 공간까지 미칠 수 있는 것이다. 그러나 환경 정책이나 환경대책을 다른 것으로부터 독립된 분야로 다루기 위해서는 이 범위를 어느 정도 좁히지 않을 수 없다. 하지만 여기서 ‘환경’으로 취급해야 할 대상의 범위를 완전히 한정시키는 것은 어렵다. 앞서 다룬 환경 기본법도 이러한 생각에 굳이 환경에 대한 정의나 환경의 범위를 규정하지 않았다.
	이집트 왕자는 1998년에 미국에서 만들어진 애니메이션 뮤지컬 드라마 영화로, 드림웍스 애니메이션이 처음으로 제작한 전통 애니메이션 영화입니다. 이 영화는 구약 성서 제 2장 출애굽기에서 따온 이야기를 바탕으로 만들었습니다. 이 영화는 세티1세의 명령에 따라 히브리인들의 장자들을 죽이게 되고, 모세의 어머니는 나일강에 광주리를 담아 보내면서 이집트 왕비에게 떠내려갑니다. 그러나 모세는 이집트 왕과 함께 양자로 삼아지게 됩니다. 그의 형인 램세스와 이집트의 왕이자 아버지인 세티1세는 모세를 새로운 왕으로 세우려 합니다. 하지만 모세는 자신이 히브리인임을 알게 되고 사막으로 도망쳐 아내와 함께 유목생활을 하며 40년을 보냅니다. 그러던 중 히브리인들의 신 여호와가 모세에게 히브리인들을 이집트에서 빼내 약속의 땅인 가나안으로 인도하라는 명령을 내립니다. 모세는 이집트로 돌아와 람세스의 청을 거부하자 10가지 재앙을 내리고, 결국 람세스는 모세의 청에 허락을 하고 히브리인들과 함께 이집트를 떠나 약속의 땅으로 향합니다. 이 영화는 모세와 람세스의 갈등이 주요 내용이며, 1998년에 개봉했습니다.	이집트 왕자는 어떤 영화인가?
	오늘날 우리나라의 적법절차 조항은 특히 형사절차에서 핵심적인 위치를 차지하고 있다. 헌법 문언에서 적법절차가 적용되는 구체적 대상을 명시하지 않기 때문에, 형사절차 전반에 관한 지도이념으로써 폭넓게 적용되고 있다. 형사절차의 핵심적인 권리들, 예를 들어, 진술거부권, 변호인의 조력을 받을 권리, 재판을 받을 권리, 구속적부심사청구권, 일사부재리, 연좌제 금지 등이 적법절차 원칙과 밀접한 것으로 이해되고 있다. 적법절차가 1987년 우리 헌법에 도입된 과정도 중요한 의미를 갖는 데, 더 이상 자의적인 공권력 행사를 허용하지 않겠다는 민주화의 열망을 반영하고 있기 때문이다. 이러한 적법절차 조항의 상징적 의미는 21세기에도 지속되고 있다. 2007년 대폭 개정된 형사소송법에서도 적법절차 요소를 한층 강화하였고, 최근의 사법개혁 또는 수사구조개혁 논의에서도 역시 중요하게 고려되고 있다.	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 형사소송에서 적법절차의 명암(明暗)과 시사점 요약문: 우리나라의 적법절차는 형사절차에 있어 핵심이라고 할 수 있다. 최근 사법개혁과 수소구조개혁 등의 논의될 때도 중요하게 고려하고 있다.
	남양주시는 급증하는 행정수요 대처와 원활한 행정서비스를 제공하기 위해 인접 부지를 매입해 시청사를 증축하고 현 청사에는 향후 장애인, 여성, 보훈 등 복지 분야와 평생교육시설을 이전,활용하는 '시민 커뮤니티 공간'으로 정비할 계획이다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 조한재 기자 남양주시가 급증하는 행정수요에 능동적으로 대처하고 원활한 행정서비스를 제공하기 위해 시청사를 ‘시민 커뮤니티 공간’으로 정비한다. 기존 신관과 별관 인접 부지가 길고 협소해 효율적 공간 구성이 어렵고, 별관동의 구조적 문제 등이 제기돼 왔기 때문이다. 시는 해결책으로 인접 부지를 매입하고 신·별관 건물을 철거한 후 전체 부지를 활용해 증축하기로 했다. 새롭게 들어서는 건물은 지하 1층·지상 4층 규모로 주차장과 회의실, 4개국 사무실, 구내식당 등이 설치된다. 특히 시민들을 위한 커뮤니티 공간을 별도로 조성할 예정이다. 시는 다산신도시 지금지구 내 공공시설 예정부지로 조성된 청사 5·6부지도 매입할 계획이다. 현재 2청사가 있는 청사 5부지는 3만3천681㎡ 면적에 321억100만 원의 토지매입비가 소요될 전망이다. 청사 6부지는 현재 경기도시공사 사무실로 이용되고 있으며, 2만63㎡ 면적에 491억8천200만 원의 토지매입비가 필요한 상황이다. 시는 내년부터 연차적으로 예산을 확보해 2023년까지 매입을 완료할 방침이다. 이를 위해 이달 중 지방재정투자심사와 공유재산관리계획 시의회 의결 과정을 거칠 예정이다. 현 청사는 향후 장애인, 여성, 보훈 등 복지 분야와 제2청사의 평생교육시설을 이전·활용토록 할 계획이다. 시 관계자는 "당초 신·별관을 제외하고 인접 부지만 매입해 이곳에 청사를 증축할 예정이었으나 효율적 활용을 위해 변경하게 됐다"며 "이에 따라 사업 규모가 대폭 늘어나고 사업비도 140억 원에서 377억 원으로 증가될 것으로 예상된다"고 말했다. 남양주=조한재 기자 chj@kihoilbo.co.kr
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 제공하세요.	민주주의	이 문제에서는 주어진 텍스트 내의 <MASK>로 표시된 부분에 들어갈 적절한 단어를 예측해야 합니다. <MASK>가 위치한 문장의 전체 문맥을 분석하여, 문장의 나머지 내용과 일관되게 <MASK>에 들어갈 가장 적합한 단어를 답하세요. #텍스트: 이론가들이 자신이 속한 사회의 외부에서 그 사회와 문화를 “객관적으로”(objective) 비판하는 것이 과연 가능한가? 만약 그렇다면, 이론가들은 객관적인 비판을 수행하기 위해 자신이 속한 사회로부터 거리를 유지해야 하는데, 그러한 거리를 어떻게 확보할 수 있는가? 나아가 이론가들은 객관적이라고 생각하는 비판을 통해 실제로 행위자들의 실천에 예견된 변화를 가져올 수 있는가? 최근의 사회이론과 정치이론 분야의 많은 연구자들은 “공공 사회학”(public sociology) 혹은 “토의 <MASK>”(deliberative democracy)의 기치 아래, 이러한 객관적인 비판이 불가능하다는 것을 주장하면서, 전통적으로 이론가들이 자신들의 이론에 부당하게 전제해 온 인식론적 우월성을 포기하고 일반 대중들과의 대화 속에서 창출된 간 주관적인 합의(intersubjective agreement)를 통해 사회와 문화를 개선해야 한다고 주장한다. 이러한 주장을 뒷받침하는 학문적 전통은 그 뿌리가 대단히 깊다.
	경산자인의계정숲은 경상북도 경산시 자인면 구릉지에 남아있는 천연숲으로, 1997년 12월 1일 경상북도의 기념물 제123호로 지정되었습니다. 이 숲은 경산 자인의 계정숲으로 알려져 있으며, 경산 자인의 계정숲은 구릉지에 남아있는 천연숲으로 경상북도는 물론 우리나라에서도 보기 드문 자연숲입니다. 현재 숲은 이팝나무가 주종을 이루며, 말채나무, 느티나무, 참느릅나무 등이 함께 자라고 있습니다. 계정숲 안에는 한장군의 묘와 사당, 한장군놀이 전수회관이 있고, 조선시대의 전통 관아인 자인현청의 본관이 보존되어 있습니다. 경산 자인의 계정숲은 과거 경산시 일대에 어떤 나무들이 있었는지를 말해 주는 자연유적지이며, 우리 조상들의 자연사랑과 보호의 사상을 엿볼 수 있는 숲입니다. 또한 우리나라에서 보기 드문 천연숲으로 기념물로 지정하여 보호하고 있습니다.	경산자인의 계정숲은 어디에 있는가?
	세스크 파브레가스 솔레르(1987년 5월 4일 ~)는 스페인의 축구 선수로, 현재 프랑스 리그 1의 모나코에서 활동하고 있으며 포지션은 중앙 미드필더이다. 그는 뛰어난 패싱력과 넓은 시야를 바탕으로 AS 모나코의 볼배급과 빌드업에 중심인 선수이다. 바르셀로나 유스에서 축구 선수 생활을 시작하였으며, 2003년 9월에 아스널과 계약하였다. 2008년 11월, 소속팀의 주장이었던 윌리암 갈라스가 주장직을 박탈당하면서 아스널의 주장이 되었는데, 이는 아스널 역사상 최연소 주장이었다. 바르셀로나의 열렬한 서포터 집안 출신인 파브레가스는 어렸을 적부터 할아버지가 바르셀로나의 홈 구장인 캄프 누에 데려가 경기를 보여주기도 하였다. 이러한 환경 때문에 파브레가스 역시 바르셀로나의 팬이 되었다. 과거 바르셀로나의 주장으로 활약한 펩 과르디올라를 우상이자 롤모델로 삼고 있는 파브레가스는, 그가 선수시절 달았던 등번호 4번을 선호한다. 유소년 시절은 주로 중앙 미드필더로 활약하였으나 성장하면서 공격적인 재능이 드러나 좀 더 전방에서 플레이하는 경우가 많다. 준수한 활동량과 간결한 볼터치, 전방으로 찔러주는 스루 패스에 강점을 보이며 시야가 매우 넓어 측면으로 벌려주는 롱패스에도 능하다. 특히 볼을 원터치로 처리하는 능력에서는 세계 최정상급의 기량을 지녔다. 중원에서 어린 나이답지 않은 노련한 조율을 선보여 아스널의 감독 아르센 벵거의 두터운 신임을 받았다. 하지만 볼키핑에 기복이 있으며, 몸싸움과 수비력 부족 문제를 지적받았다. 고질적인 단점인 스피드는 노련함과 빠른 판단력으로 극복하였다. 2007-08 시즌, 티에리 앙리의 이적으로 불안정하던 팀을 에이스로서 이끌어 프리미어리그 우승 팀 맨체스터 유나이티드와 불과 4점 차이로 3위를 기록하는 등 선전하였다. 개인적으로도 PFA 올해의 영플레이어 상과 프리미어리그 도움왕을 차지하고 PFA 올해의 팀에 선정되는 등 두각을 나타냈다. 2009-10 시즌 공격형 미드필더임에도 골과 도움을 몰아치며 팀의 상위권 진입을 이끌었다. 결국 옛 친정팀의 끝없는 구애와 과르디올라 감독을 비롯한 사비, 피케, 이니에스타, 푸욜 등 바르셀로나 선수들은 끝없이 인터뷰를 이용해 세스크의 마음을 흔들어 놓았고 결국 세스크 파브레가스는 2011-12 여름 이적시장에서 이적료 3,500만 유로에 바르셀로나로 이적하였는데 사실 바르셀로나 선수들이 인터뷰를 이용해 이른바 "몸값떨구기"를 하지 않았다면 사실상 그의 가치는 5,000만 유로 이상의 가치로 평가받고 있으며 이는 바르셀로나의 부회장조차도 "파브레가스를 반값에 영입했다"며 만족감을 드러낼 정도였다.	세스크 파브레가스 솔레르는 어느 리그에서 활동하고 있나?
	게살은 게의 살로, 부드러운 식감과 달콤한 맛으로 인해 전세계적으로 다양한 요리법이 연구되었습니다. 주로 갈색게, 청색게, 청색꽃게, 홍색민꽃게를 요리 재료로 사용합니다. 일부 어업 종사자들은 살아있는 게의 양쪽 집게발을 잘라낸 후 자연으로 방생시키고, 그 집게발에서 게살을 추출합니다. 그러나 이 방식은 생존율이 낮은 47%, 재생된 집게발을 자유자재로 사용할 수 없기 때문에 먹이 사냥에 어려움을 겪는 단점이 있습니다. 고급 게맛살에는 게살을 넣는 경우가 있습니다.	게살에 어떤 종류의 게를 사용하나요?
	유사한 상표라고 보려면 출원상표와 인용상표가 칭호나 관념등이 동일 해야 하는데 출원상표의 도형 및 'Kinder' 부분은 지정상품의 용도표시로 식별력이 없어 출원상표의 요부가 될 수 없고 양 상표는 외관에서 현저히 상이해 전체적으로 오인이나 혼동을 주지 않으므로 유사한 상표가 아니다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 출원상표 "도형 + Kinder eukal"과 인용상표들인 "KINDER", "Kinder"를 대비해 보면, 출원상표의 출원인은 독일계 회사이고 출원상표 중 'Kinder'는 비교적 쉬운 독일어 단어로서 '어린이'라는 뜻인바 출원상표의 도형 역시 어린이의 형상이므로, 출원상표를 그 지정상품인 포도당, 과당, 유당, 맥아당과 관련하여 보면, 출원상표의 도형 및 'Kinder' 부분은 지정상품의 용도 표시로서 식별력이 없어 출원상표의 요부가 될 수 없고, 결국 출원상표의 요부는 'eukal' 부분인바, 그렇다면 출원상표는 위 인용상표들과 그 칭호나 관념에서 상이하여 서로 유사한 상표라고 볼 수 없고, 출원상표와 또 다른 인용상표 "유카"를 대비해 보면, 출원상표의 요부인 'eukal' 부분은 독일어식으로 '오이칼'로 호칭되어 위 인용상표와 칭호나 관념에서 상이하고, 가사 'eukal' 부분이 '오이칼'로 호칭되지 아니하고 영어식으로 '유칼'로 호칭된다 하더라도, 양 상표는 도형의 유무 및 알파벳과 한글의 차이로 인하여 외관에서 현저하게 상이하여 전체적으로 출처의 오인·혼동을 피할 수 있으므로 서로 유사한 상표라고 보기는 어렵다고 한 사례.
	삼성전자는 추석을 맞아 1조4천억 원 규모의 협력사 물품 대금을 조기 지급하고, 협력사와 자매마을과 함께 농축산물 직거래장터를 운영해 상생활동에 나서 임직원들에게 구입할 기회를 제공하고 농어촌소득 증대를 위해 온라인과 오프라인 직거래장터도 운영한다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 삼성전자와 계열사들이 추석을 맞아 1조4천억 원 규모의 협력사 물품 대금을 조기 지급하고, 전국 주요 사업장에서 협력사, 자매마을과 함께 농축산물 직거래장터를 여는 등 대대적인 상생활동에 나섰다. 삼성은 추석을 앞두고 협력사들의 자금 운용에 도움을 주고자 1조4천억 원 규모의 물품 대금을 조기 지급하기로 했다. 삼성전자, 삼성디스플레이, 삼성SDI, 삼성전기, 삼성SDS, 삼성바이오로직스, 삼성물산, 삼성엔지니어링, 제일기획, 웰스토리 등 10개 계열사가 참여한다. 또 전국에 있는 각 계열사 임직원들에게 자매마을 등에서 생산한 품질 좋은 각종 농축산품을 구입할 기회를 제공하고 농어촌소득 증대를 돕기 위해 추석맞이 온·오프라인 직거래장터를 운영한다. 삼성전자는 수원·평택사업장에서 3일부터 4일까지 자매마을, 농업진흥청 협력마을 등 농민들과 함께 직거래장터를 열어 도라지, 한우, 한과, 배 등 품질 좋은 농축산품을 판매한다. 기흥·화성 사업장에서도 5일까지 자매마을, 농촌진흥청, 사회적 기업 등이 참여한 직거래장터를 열고 한우, 굴비, 젓갈, 벌꿀, 곡물 등 300여 개 농축산품을 판매하며, 최대 80%까지 할인 판매하는 유·아동 도서 특가전도 진행한다. 특히 이번 장터에는 삼성전자 스마트공장 구축 지원을 통해 품질 개선, 생산성 증대 등 성과가 좋은 기업의 판로 확대 지원 차원에서 인제군장애인보호작업장(황태), 쿠키아(두부과자), 헵시바F&B(과일건조칩 제조업체) 등 스마트공장 지원업체 34개 사도 참여했다. 심언규 기자 sims@kihoilbo.co.kr 기호일보, KIHOILBO
	유도형 전력 전달 시스템에서 유도형 전력 전달을 제어하는 시스템 및 방법과, 전력 계산을 이용하여 유도형 전력 전달 시스템을 설계하는 방법이 개시된다. 유도형 전력 전달을 제어하는 방법은, 입력 전력의 특징 및 탱크 회로에서의 전력의 특징을 측정하는 단계, 2차 디바이스로부터의 정보를 수신하는 단계를 포함한다. 탱크 회로의 측정된 전력의 특징 및 수신된 정보에 기초하여 전력 소모를 추정하는 단계 및 수용불가능한 전력 손실이 있는지 결정하기 위해 측정된 입력 전력의 특징, 2차 디바이스로부터의 정보, 및 추정된 전력 소모를 비교하는 단계를 포함한다. 전력 계산을 이용하여 유도형 전력 전달 시스템을 설계하는 방법은 1차측과 2차측 사이의 거리를 변화시키는 단계 및 2차측의 부하를 변화시키는 단계를 포함한다. 1차측과 2차측 사이의 각 거리 및 각 부하에 대해, 비접촉 에너지의 전달 동안 탱크 회로에서의 1차측상의 회로 파라미터 및 2차측상의 회로 파라미터를 측정하는 단계를 포함한다. 이 방법은 계수들 및 회로 파라미터들에 기초하여 비접촉 에너지의 전달 동안 시스템에서의 전력 소모를 설명하기 위한 공식을 선택하는 단계, 및 측정된 회로 파라미터들을 사용하여 계수들을 결정하는 단계를 더 포함한다.	주어진 문장을 읽고 간략하게 요약해주세요. 문장: [ 발명의 명칭 ] 입력 기생 금속 검출INPUT PARASITIC METAL DETECTION [ 기술분야 ] 본 발명은 비접촉 전력 공급 시스템에 대한 전력 손실 해명에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 예를 들어, 유도 결합을 활용함으로써 휴대용 전자 디바이스들에게 비접촉 전력이 송신되는 것이 더욱 일반화되고 있다. 휴대용 디바이스들에 전력을 공급하는 데 적합한 다수의 유도형 전력 공급 시스템들은 2개의 주요 컴포넌트들을 포함한다: (1) 교류를 구동하여 시변 전자기장을 생성하는 적어도 하나의 1차 코일을 갖는 유도형 전력 공급 또는 1차 유닛, 및 (2) 1차 유닛으로부터 분리가능하고, 2차 코일을 포함하는 휴대용 전자 디바이스 또는 2차 디바이스 - 2차 코일이 시변 전자기장에 근접하게 배치될 때, 시변 전자기장이 2차 코일에 교류를 유도하여 1차 유닛으로부터 2차 디바이스로 전력을 전달함 -.비접촉 전력 공급 시스템들은 100% 효율적이지 않다. 즉, 1차 유닛으로부터 2차 디바이스로 전력을 전달하기 위해 일부 에너지가 분실된다. 예를 들어, 일부 손실들은 스위칭 회로 컴포넌트들에 의해 초래될 수 있고 다른 손실들은 1차 코일에 의해 초래될 수 있는데, 때때로 이것을 옴 손실이라 칭하고, 이것은 컴포넌트들에서의 옴 저항 및 컴포넌트들을 통해 흐르는 전류의 제곱에 비례한다. 이물질들, 및 특히 금속 이물질이 효율성에 또한 영향을 미칠 수 있고, 일부 경우들에서는 안정성 문제를 초래할 수 있다. 전자기장 내에 있는 금속을 때때로 기생 금속이라 칭한다. 전자기장 내의 일부 기생 금속은 허용될 수 있는데, 예를 들어, 다수의 휴대 디바이스들, 심지어 비접촉 전력 공급 시스템에 의해 전력 공급받는 휴대용 디바이스들조차 때때로 금속을 포함한다. 허용가능한 금속을 때때로 알려진 또는 친화형 기생 금속(friendly parasitic metal)이라 칭한다.전자기장 내에 수용불가능한 양의 기생 금속이 있는지의 검출을 시도하는 일부 시스템들 및 기법들이 개발되었다. 하나의 기본 시스템은 전력 전달 단자의 전기 회로에서의 전력 소모 검출기를 포함한다. 한 조각의 금속이 휴대용 디바이스 대신에 전력 전달 단자에 있을 때, 전력 전달 단자에서의 소모 전력량이 비정상적으로 증가한다. 이러한 이상을 방지하기 위해, 전력 소모 검출기는 전력 전달 단자에 의해 소모된 전력량을 측정한다. 소모된 전력의 측정량이 소정의 상한 임계값에 도달할 때, 이상 상황이 존재한다는 것이 결정되고 전력의 송신이 억제된다. 이와 같은 시스템이 기본 기생 금속 검출을 제공하지만, 결함들을 갖는다. 예를 들어, 이 시스템은 (1) 친화형 기생 금속, (2) 상이한 양의 전력을 소모하는 휴대용 디바이스들, 또는 (3) 전력 전송 단자와 휴대용 디바이스의 오정렬로 인한 전력 손실을 해명할 수 없다.다른 기생 금속 검출 기법들이 또한 개발되었다. 예를 들어, 일부 시스템들은 (1) 2차 디바이스의 실제 부하에 공급되는 전력, (2) 2차 디바이스의 친화형 기생성분들(friendly parasitics), (3) 1차 유닛과 2차 디바이스 사이에 단순한 1:1 관계가 존재하지 않는 상황, 또는 (4) 2차 디바이스의 존재가 반드시 모든 이물질들을 물리적으로 배제하지는 않는 상황을 해명할 수 있다. 이들 기법들 중 일부는 2차 부하를 접속해제하는 것 또는 2차 디바이스로부터 1차 유닛으로 정보를 전달하는 것을 수반한다. 다수의 이들 기법들이 참조로 그 전체가 여기에 포함되는 "Controlling Inductive Power Transfer Systems"이란 명칭의 2005년 5월 11일 출원된 Stevens에 의한 미국 특허 공개 번호 2007/0228833에 설명되어 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 일부 이전의 시스템들이 기생 금속 검출을 제공할 수 있지만, 일부 상황들에서는, 이들 시스템들은 부적절할 수 있다. 예를 들어, 공지의 시스템들은 알려진 손실들을 충분히 정확하게 해명하지 못하고, 따라서, 시스템 제한 또는 정지를 발생시키는 너무 많은 거짓 긍정(false positive)들을 발생시킨다. 환언하면, 일부 공지된 기생 금속 검출 시스템들의 하나의 문제점은, 이 시스템들의 분해능이 한 조각의 금속이 원치않은 레벨까지 가열될 수 있을 정도로 정밀하지 못하다는 것이다. 손실들을 검출하기 위한 향상된 분해능 또는 정확도를 갖는 방법을 활용하여, 이러한 및 다른 문제점들을 다룰 수 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명은 1차 유닛 및 2차 디바이스를 포함하고, 동작 동안 알려진 전력 손실의 변화를 해명함으로써 그 1차 유닛에 근접한 기생 금속이 더욱 정확하게 검출될 수 있는 비접촉 전력 공급 시스템을 제공한다. 유도형 전력 공급 시스템에서 유도형 전력 공급 전달 동안의 전력 손실량은 1차 유닛과 2차 디바이스의 정렬에 의존하여 변화할 수 있다. 또한, 유도형 전력 공급 전달 동안의 전력 손실량은 1차 유닛에서의 스위칭 회로의 동작 주파수의 변화의 함수로서 또는 2차 디바이스 부하의 변화의 함수로서 또한 변할 수 있다. 동작 동안 알려진 전력 손실의 변화를 해명함으로써, 미지의 전력 손실량의 더욱 정확한 결정이 이루어질 수 있다. 또한, 2차 측정 및 1차 측정이 동기화되어 정확도를 증가시킬 수 있다. 미지의 전력 손실의 결정이 더욱 정확할수록, 거짓 긍정 기생 금속 검출이 더 많이 회피될 수 있다. 또한, (시간 및 전력 임계값 양자에서) 더 신속하게 참 긍정(true positive)이 검출될 수 있다.일 실시예에서, 본 발명은 기대 입력치를 측정된 입력치에 비교함으로써 기생 금속이 검출될 수 있는 비접촉 전력 공급 시스템을 제공한다. 본 실시예에서, 기대 입력치는 1차 유닛 및 2차 디바이스의 오정렬로 인한 손실들을 포함하는, 시스템에서의 다양한 알려진 손실들의 함수로서 결정된다. 기대 입력치는 전자기장 내의 어떠한 기생 금속에 대해서도 해명하지 못하고, 따라서, 전자기장에 기생 금속이 있으면, 기대 입력치는 측정 입력치와 상이할 것이다.일 실시예에서, 비접촉 전력 전달 시스템을 제어하는 시스템 및 방법이 제공된다. 비접촉 전력 공급 시스템은 전자기장을 생성하도록 동작가능한 스위칭 회로 및 탱크 회로를 갖는 1차 유닛 및 적어도 하나의 2차 디바이스를 포함하고, 그 2차 디바이스는 그 1차 유닛으로부터 분리가능하고, 2차 디바이스가 1차 유닛에 근접해 있을 때 전자기장과 결합하도록 구성되어, 직접적인 전기적 접촉 없이 1차 유닛으로부터 2차 디바이스에 의해 전력이 유도적으로 수신될 수 있다. 1차 유닛은 여러 회로 중에서, 제어기, 스위칭 회로 이전에 위치된 입력 측정 유닛 및 스위칭 회로 이후에 위치된 탱크 측정 유닛을 포함한다. 휴대용 디바이스는 여러 회로 중에서, 2차 측정 유닛 및 제어기를 포함한다. 때때로, 측정치들이 2차 디바이스로부터 비접촉 전력 공급 시스템으로 송신되고, 여기서, 이 측정치들은 코일 측정 유닛으로부터의 측정치와 함께 제어기에 의해 기대 입력치를 결정하는 데 사용된다. 1차 및 2차 측정치들은 예를 들어, 측정치를 얻고 전송하는 데 걸리는 시간을 해명하거나, 측정치들을 시간 스탬프하거나, 가중 평균 또는 다른 동기화 기법을 활용함으로써 동기화될 수 있다. 기대 입력치는 전자기장에 존재하는 기생 금속의 양을 결정하기 위해 실제 입력치에 비교된다. 비접촉 전력 공급 시스템은 기생 금속의 검출에 응답하여 다양한 액션들, 예를 들어, 비접촉 전력의 공급의 제한 또는 중지를 행할 수 있다.오정렬로 인한 증가된 옴 손실을 발생시키는 손실과 전자기장 내의 기생 금속으로 인한 손실 사이를 구별하는 것은 어려울 수 있다. 일반적으로, 이것은 입력 전류가 양자에 의해 통상적으로 영향을 받기 때문이다. 그러나, 결합의 감소로부터 발생하는 손실과 기생 금속으로 인한 손실은 1차 코일 전류에 동일한 방식으로 영향을 미치지 않는다. 이러한 차이를 이용하여, 입력 전력의 특징 및 1차 유닛 코일 전력의 특징 양자를 포함하는 예측 기능이 1차 유닛에 근접하게 존재하는 이물질이 있는지 여부를 결정할 수 있다. 본 발명의 하나의 이점은, 결합으로 인한 손실과 기생 금속으로 인한 손실 사이를 구별할 수 있어서, 일부 상황들에서 기생 금속 검출의 거짓 긍정을 회피하는 것이 가능하다는 것이다.본 발명의 이들 및 다른 특징들은 실시예들의 설명과 도면을 참조하여 더욱 완전하게 이해되고 인식될 것이다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 입력 기생 금속을 검출할 수 있는 비접촉 전력 공급 시스템의 블록도의 일 실시예를 예시한다.도 2는 입력 기생 금속 검출의 방법의 일 실시예를 예시한다.도 3은 다양한 상이한 시나리오들에서 입력 전력 및 전력 소모의 대표 그래프를 도시하는 도면이다.도 4는 입력 기생 금속 검출 시스템을 교정하는 데 사용하기 위한 기하학적 포지셔닝 시스템의 대표도이다.본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기 이전에, 본 발명이 아래의 설명에 설명되거나 도면에 예시된 컴포넌트들의 배열 및 구성의 상세에 그 응용이 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 본 발명은 다른 실시예들이 가능하고 다양한 방식으로 실시되거나 실행될 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용된 문구 및 용어는 설명을 위한 것이며 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다는 것을 이해해야 한다. "포함하는(including)" 및 "포함하는(comprising)" 및 그것의 변형들의 사용은 그 이후에 리스트된 아이템들 및 그것의 등가물들뿐만 아니라 추가의 아이템들 및 그것의 등가물들을 포함하도록 의도되어 있다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명은 시스템에서의 전력 손실을 해명하고, 원인 불명의 손실들이 동작에 해로운지 여부를 이해하기 위한 시스템들 및 방법들에 관한 것이다. 예를 들어, 전자기장 내에 전력 손실을 초래하는 기생 금속, 손상된 컴포넌트, 또는 다른 무엇이 있을 수 있다. 일 실시예에서, 1차 코일 전류, 2차 전류, 및 2차 전압이 기대 1차 입력 전류를 결정하기 위해 활용된다. 기대 1차 입력 전류가 적절하게 결정될 때, 이것은 일부 실시예들에서 원인 불명의 전력 손실이 존재하는지 및 얼마나 존재하는지를 검출하기 위해 측정된 1차 입력 전류에 비교될 수 있다.입력 전류는 비접촉 전력 공급 시스템에서 분실되거나 소모된 전력에 따라 변화한다. 예를 들어, 입력 전류는 기생 금속 손실, 부하에 전달된 전력량, 1차 및 2차 정류 손실, 1차 스위칭 손실, 탱크 회로에서의 손실, 임의의 공진 커패시터의 등가 직렬 저항으로 인한 손실, 휴대용 디바이스와 비접촉 전력 공급 시스템의 오정렬로 인해 초래된 불량 결합으로 인한 손실뿐만 아니라 시스템에서의 다른 손실에 의해 영향을 받는다. 1차 코일 전류, 정류기로부터의 2차 전류, 및 정류기로부터 접지로의 2차 전압의 측정치들은 기생 금속에 기인하지 않은 시스템에서의 다양한 손실들을 추정하기 위해 다른 정보와 함께 활용될 수 있다. 그 후, 기대 1차 입력 전류가 측정된 입력 전류에 매칭하지 않으면, 시스템은 기대치 않은 전력 손실이 존재한다는 것을 알고, 전자기장 내에 전력 손실을 초래하는 손상된 컴포넌트, 기생 금속 또는 어떤 다른 것이 존재한다고 결정할 수 있다. 기생 금속 또는 손상된 커패시터, 코일, 또는 전계 효과 트랜지스터가 가열되는 방식으로 손상될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기대 1차 입력 전류는 친화형 기생성분들을 해명할 수 있고, 다른 실시예들에서는 해명하지 못할 수 있다. 대안의 실시예들에서, 기대 입력 전류를 정확하게 추정하기 위해 또는 기생 금속 검출에 유용할 입력 전력의 상이한 기대 특징을 추정하기 위해 전력의 다른 특징들이 측정될 수 있다.입력 전류의 변화가 전자기장에 놓인 기생 금속으로 인한 것인지 또는 1차 유닛과 2차 디바이스 사이의 정렬의 변화의 결과로서의 증가된 손실로 인한 것인지를 구별하기가 어려울 수 있기 때문에, 특정한 전력 손실이 오정렬로 인한 것인지 또는 기생 금속으로 인한 것인지를 결정하는 것은 어려울 수 있다. 입력 전류는 기생 금속이 전자기장에 추가된 때 동시에 결합이 변화했기 때문에 비교적 동일하게 유지될 수 있다. 예를 들어, 2차 디바이스는 사용자가 2차 디바이스 옆에 그의 키를 던짐으로써 정렬을 벗어나 조금 밀릴 수 있다. 키 내의 기생 금속은 오정렬에 의해 초래되었을 입력 전류 변화 중 일부 또는 모두를 상쇄시킬 수 있다. 비접촉 전력 공급 시스템은 1차 유닛(10)과 2차 디바이스(30) 사이의 특정한 정렬을 통상적으로 인지하지 못한다. 대신에, 이 시스템은 송신된 전력량을 수신된 전력량에 비교하고, 알려진 허용가능 손실을 감산함으로써 전력 손실을 계산한다. 코일 전류를 활용함으로써, 오정렬로 인한 추가의 알려진 허용가능 손실들이 해명될 수 있다.전자기장 내의 기생 금속으로 인한 손실들이 있을 때, 입력 전력과 기대 전력 사이의 관계는 1차 유닛과 2차 디바이스가 오정렬될 때의 입력 전력과 기대 전력 사이의 관계와는 상이하다. 즉, 오정렬로 인한 입력 전력과 기대 전력 사이의 관계는 공식으로 캡처될 수 있어서, 측정될 때, 측정된 데이터가 그 공식에 적합하지 않으면, 예를 들어, 기생 금속으로 인한 추가의 미지의 전력 손실이 존재한다는 결정이 이루어질 수 있다. 이것은 입력 전류와 기대 전력의 특징에 대해서도 또한 사실일 수 있다. 예를 들어, 전자기장 내의 기생 금속으로 인한 손실들이 있을 때, 입력 전류와 코일 전류 사이의 관계는 불량한 결합으로 인한 손실이 있을 때의 입력 전류와 코일 전류 사이의 관계와는 상이하다. 따라서, 코일 전류의 함수로서 기대 입력 전류를 결정함으로써, 기생 금속 검출의 정확성이 증가될 수 있다. 본 실시예에서, 불량한 결합으로 인한 손실들은 1차 유닛과 2차 디바이스 사이의 결합이 변화된 때 측정함으로써 캡처된 데이터의 최적 맞춤(best-fit) 분석을 수행함으로써 추정되었다. 대안의 실시예들에서, 불량한 결합으로 인한 손실들은 추정되는 대신에 계산될 수 있다. 예를 들어, 1차 유닛과 2차 디바이스의 상대적 위치가 알려질 때, 오정렬로 인한 전력 손실을 계산하는 것이 가능할 수 있다. 일부 실시예들에서, 오정렬에 응답하여, 1차 유닛이 예를 들어 소정의 부하 전류에 관하여, 1차 전류를 증가시키는 것에 의해 자신의 전력을 증가시킬 수 있고, 이것은 1차 코일 전류에 의존한 손실이 증가하게 할 수 있다는 것은 주목할 만하다. 이것은 1차 전기 손실, 코일 손실, 1차 및 2차 자기 손실 및 친화형 기생 손실을 포함할 수 있다. 전력 레벨의 변화들로 인한 손실의 이들 변화는 관계를 매핑하는 공식에서 해명될 수 있다. 또한, 정렬이 변화할 때, 1차 코일에 관한 2차 코일의 위치가 변화할 뿐만 아니라 2차 디바이스 상의 임의의 친화형 기생 금속의 위치도 변화한다. 2차 차폐 또는 다른 친화형 기생성분들과 교차하는 전자기장의 양이 변화할 때, 친화형 기생 전력 손실의 양이 또한 변화한다. 증가된 전력으로 인한 이러한 변화, 정렬의 변화, 주파수의 변화 모두가 이 교정 방법 동안 해명될 수 있다.도 1은 본 발명의 일 실시예를 구현하는 유도형 전력 전달 시스템의 일부를 예시한다. 시스템(100)은 1차 유닛(10) 및 적어도 하나의 2차 디바이스(30)를 포함한다. 유도형 전력 전달 시스템은 다수의 적절한 구성들을 가질 수 있다. 하나의 적절한 구성이 하나 이상의 2차 디바이스(30)가 배치될 수 있는 전력 전달 표면이다.도 1을 더 참조하면, 1차 유닛(10)은 하나 이상의 2차 디바이스들로의 송신을 위한 무선 전력을 생성할 수 있다. 일반적으로, 1차 유닛(10)은 AC/DC 정류기(11), 제어기(16), 스위칭 회로(14), 탱크 회로(23), 입력 검출기 회로(24), 및 탱크 검출기 회로(26)를 포함할 수 있다. 이러한 실시예에서, 탱크 회로(23)는 1차 코일(12) 및 커패시터(15)를 포함하지만, 탱크 회로(23)의 구성은 응용마다 변할 수 있다. 1차 코일(12)은 배선의 코일일 수 있거나, 다른 인덕터에 의해 수신될 수 있는 전자기장을 생성할 수 있는 본질적으로 임의의 다른 인덕터일 수 있다. AC Mains(AC 메인즈)에 의해 전력공급되는 실시예들에서, AC 메인즈로부터의 전력은 AC/DC 정류기(11)에 의해 정류되어, 1차 유닛 내의 다양한 회로에 전력을 제공하고, 제어기(16) 및 스위칭 회로(14)와 함께 탱크 회로(23)에서 교류를 생성하기 위해 사용된다. 도시하지는 않았지만, 1차 유닛(10)은 또한 변환이 소망되는 실시예들에서 DC-DC 컨버터를 포함할 수 있다. 다르게는, 시스템은 AC 메인즈에 접속되지 않을 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 시스템은 컨버터 없이 곧장 DC 입력을 수용할 수 있다. 제어기(16)는 스위칭 회로(14)의 타이밍을 제어하여 탱크 회로(23)에서 교류를 생성하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 스위칭 회로(14)의 타이밍은 2차 디바이스(30)로부터의 피드백에 적어도 부분적으로 기초하여 스위칭 회로의 동작 주파수를 변화시키도록 제어될 수 있다. 제어기(16)는 2차 디바이스(30)와의 통신을 가능하게 하는 통신 회로를 포함할 수 있다. 제어기(16)는 유도 결합을 활용함으로써, 예를 들어, 후방산란 변조 방식을 이용함으로써, 또는 RF 트랜시버와 같은 외부 통신 경로에 의해 통신할 수 있다.제어 유닛(16)은 본 실시예에서 마이크로프로세서를 포함한다. 마이크로프로세서는 스위칭 회로(14)로 출력을 구동하는 내장형 디지털-아날로그 컨버터(미도시)를 갖는다. 다르게는, ASIC가 제어 유닛(16)뿐만 아니라 1차 유닛의 다른 회로 엘리먼트들 중 일부 또는 모두를 구현하기 위해 사용될 수 있다. 단순화를 위해, 통신 회로가 제어기 블록과 함께 도시되어 있지만, 통신 회로가 제어 회로와는 별개일 수 있다는 것을 이해해야 한다. 또한, 통신 회로는 통신을 위해 1차 코일, 또는 RF 트랜시버와 같은 개별 통신 경로를 활용할 수 있다.일 실시예에서, 시스템은 교정 유닛을 포함할 수 있다. 예를 들어, 1차 유닛(10)은 제어기(16) 내에, 또는 시스템의 어딘가 다른 곳에 위치한 교정 유닛을 포함할 수 있다. 교정 수 또는 계수는 1차측에 제어기(16) 내에 그리고 특정한 1차 유닛과 2차 디바이스 사이의 전력 전달시에 2차측에 양자에 저장될 수 있고, 교정 데이터는 전자기장 내의 기생 금속과 같은 동작 동안의 임의의 원인 불명 손실이 있는지 여부를 예측하기 위해 공식에서 함께 조합될 수 있다.교정 유닛은 시스템에서의 손실, 예를 들어, 1차 유닛, 2차 디바이스, 또는 이들 2개 사이의 결합에서의 손실에 관한 정보를 저장할 수 있다. 설계에 의해, 제조시에 및/또는 그 후 주기적으로, 1차 유닛에서의 손실은 교정될 수 있고 교정 유닛 내에 저장될 수 있다. 교정 유닛은 제어 유닛(16)이 전자기장에 기생 금속이 있는지를 결정하는 데 그 정보를 사용할 수 있게 하기 위해 제어 유닛(16)에 그 저장된 정보를 공급한다. 이러한 교정 유닛은 1차 유닛에서의 가변 손실에 대처하기 위해 보상 정보를 변화시킬 수 있다. 교정 유닛은 1차와 2차 사이의 전기적 및 자기적 손실에 관한 데이터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 교정 유닛은 1차 유닛 상의 상이한 위치들의 범위를 통해 2차 디바이스를 스위핑하는 최적 맞춤 분석으로부터 유도된 데이터를 포함할 수 있다. 이러한 최적 맞춤은 기대 입력 전류를 결정하기 위한 공식에 대한 계수들로 추출될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 기대 입력 전류에 대한 공식은:기대 1차 입력 전류 = 이다.기대 1차 입력 전류는 시스템에서의 다양한 손실들을 나타내는 다수의 상이한 항들을 활용함으로써 결정된다. 예를 들어, 본 실시예에서는, .5 * isec 항은 2차 정류 손실들을 해명하고, (.052 * isec * Vsec) 항은 부하에 전달된 전력을 해명하고, (.018 * icoil) 항은 탱크 회로에서 분실된 전력을 해명하며, .009 항은 오프셋 값이다.본 실시예에서의 isec 및 Vsec 값들은 2차 AC/DC 정류 이후 순간 전류 및 전압 또는 유사한 소정의 시간 길이에 걸친 평균 전류 및 전압의 각각의 측정치이다. 이 실시예에서의 icoil은 1차 코일에서의 피크 전류의 측정치이다. 다르게는, icoil 값은 RMS, 피크 투 피크, 또는 조합일 수 있다(즉, 파고율, 또는 전압 측정치가 대신 사용될 수 있다). 모든 3개의 이들 측정치들은 특정한 시간에서의 기대 입력 전류를 결정하기 위해 본 실시예에서 동기화된다. 다양한 계수들이 외부 전류 및 전압 판독값들을 활용하여 수집된 데이터에 기초하여 유도된다. 특히, 계수들은 정렬을 변경함으로써 1차와 2차 사이에서 결합이 변경된 때의 전압 및 전류 판독값들의 데이터에 기초한 최적 맞춤 분석에 기초하여 선택되었다. 본 실시예에서, 기대 입력 전류는 17V 내지 24V의 2차 브리지 전압 및 0 내지 60와트 범위의 전력에 대해 유효하였다. 코일 구동 전압은 19V인 것으로 가정되었다.일반적으로, 기대 1차 입력 전류 공식은 1차 코일 전류가 코일 대 코일 간격에 따라 변하기 때문에 결합 손실을 해명할 수 있다. 계수들은 x 및 z 간격이 변화할 때 코일 전류를 추적하는 것을 돕는다. 즉, 계수들은 코일들이 더욱 수평으로 오프셋되고, 수직으로 오프셋되고, 다소 평행하게 될 때 코일 전류를 추적하는 것을 돕는다. 본질적으로, 결합이 불량해지면, 입력 전류가 올라가고 코일 전류가 올라가지만, 기생 금속이 전자기장에 배치될 때, 입력 전류는 올라가지만, 코일 전류는 그만큼 올라가지 않을 수 있다. 환언하면, 결합이 불량해지면, 입력 전류와 코일 전류 사이 또는 입력 전력과 기대 전력 사이 또는 입력 전력의 특징과 기대 전력의 특징 사이의 관계는 기대 관계를 따른다. 그러나, 기생 금속이 전자기장에 추가될 때, 입력 전류와 코일 전류 사이의 관계는 그 기대 관계로부터 벗어난다. 일부 실시예들에서, 계수들 또는 그 계수들을 유도하기 위해 사용될 수 있는 정보 중 일부 또는 모두가 2차 디바이스로부터 1차 유닛으로 송신될 수 있다. 이러한 데이터의 송신은 1차 유닛이 장래에 나올 수 있는 디바이스들에 대해 호환가능하게 하고, 그 디바이스들에서는 상이한 계수들이 적합하다.도 1의 시스템에서의 1차 유닛(10)은 제어 유닛(16)에 접속된 입력 검출기 회로(24)를 포함한다. 입력 검출기 회로(24)는 제어 유닛(16)에 의해 제공된 신호 또는 내부 클록 신호에 응답하여, 스위칭 회로(14)에 의해 드로잉된 전력의 특징의 측정을 수행한다. 입력 검출기 회로(24)는 스위칭 회로(14)에 의해 드로잉된 전력의 특징을 나타내는 출력을 제어 유닛(16)에 제공한다. 본 실시예에서의 입력 검출기 회로(24)는 입력 전류를 감지할 수 있는 순간 전류 센서이다. 일반적으로, 입력 검출기 회로(24)는 스위칭 회로(14) 이전에 1차 유닛 내의 어디에나 위치할 수 있다. 대안의 실시예에서, 입력 검출기 회로는 입력 전력을 결정하거나 기생 금속이 전자기장에 존재하는지 또는 다른 예기치 못한 손실이 발생하였는지를 결정하기 위해 활용될 수 있는 입력 전력의 하나 이상의 특징들을 측정할 수 있는 본질적으로 임의의 센서 또는 센서들을 포함할 수 있다. 입력 검출기 회로는 그것의 출력을 1차 제어기(16)와 통신한다. 입력 검출기 회로 출력은 적절한 경우에 다른 측정치의 동기화를 보조하기 위해 시간 스탬프되고 입력 검출기 회로(24), 제어기(16), 또는 1차 유닛(10)의 어떤 다른 곳에 버퍼링될 수 있다. 추가로, 출력은 평활화될 수 있거나 구성가능한 가중 평균이 적용되었을 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서가 샘플을 취할 수 없기 때문에 데이터에 갭들이 존재할 수 있고, 따라서 이들 항들은 제로 또는 무시 가능한 가중치로 가중될 수 있다. 일부 실시예들에서, 2차 디바이스는 동기화 정보를 제공할 수 있거나 2차 디바이스가 데이터를 샘플링하는 방법 또는 시간을 기술하는 동기화 표준이 1차 유닛 내에 사전 프로그래밍될 수 있어서, 1차 유닛은 그것의 측정치들을 동기화할 수 있다. 예를 들어, 2차 디바이스는 그것의 데이터를 시간 스탬프하지 않을 수 있고, 오히려, 데이터가 수신된 시간에 관하여 특정한 시간에 데이터가 샘플링되었다는 것을 예상하여 1차 유닛에 측정치를 제공한다.도 1의 시스템에서의 1차 유닛(10)은 제어 유닛(16)에 접속된 탱크 검출기 회로(26)를 포함한다. 탱크 검출기 회로(26)는 제어 유닛(16)에 의해 제공된 신호 또는 내부 클록 신호에 응답하여, 스위칭 회로(23)에 의해 드로잉된 전력의 특징의 측정을 수행한다. 탱크 검출기 회로(26)는 탱크 회로(23)에 의해 드로잉된 전력의 특징을 나타내는 출력을 제어 유닛(16)에 제공한다. 본 실시예에서의 탱크 검출기 회로(26)는 피크 전류 검출기이다. 일반적으로, 탱크 검출기 회로(26)는 탱크 회로(23)에 대한 입력, 탱크 회로(23)의 1차 코일(12)과 커패시터(15) 사이, 또는 탱크 회로(23) 이후를 포함하여, 스위칭 회로(14) 이후의 어디에나 위치할 수 있다. 다른 실시예에서, 탱크 검출기 회로(26)는 탱크 회로 전력을 결정하거나 기생 금속이 전자기장에 존재하는지를 결정하기 위해 활용될 수 있는 탱크 회로 전력의 하나 이상의 특징들을 측정할 수 있는 본질적으로 임의의 센서 또는 센서들을 포함할 수도 있다. 탱크 검출기 회로(26)는 그것의 출력을 1차 제어기(16)와 통신한다. 탱크 검출기 회로 출력은 적절한 경우에, 다른 측정치의 동기화를 보조하기 위해 시간 스탬프되고 탱크 검출기 회로(24), 제어기(16) 내에, 또는 1차 유닛(10)의 어떤 다른 곳에 버퍼링될 수 있다.2차 디바이스(30)는 1차 유닛(10)으로부터 분리가능하고, 2차 디바이스(30)가 1차 유닛(10)에 근접해 있을 때 1차 유닛(10)에 의해 생성된 전자기장과 결합하는 2차 코일(32)을 갖는다. 이러한 방식으로, 전력은 직접적인 도전성 접촉 없이 1차 유닛(10)으로부터 2차 디바이스(30)로 유도적으로 전달될 수 있다.도 1은 1차 유닛(10)으로부터 비접촉 전력을 수신할 수 있는 2차 디바이스(30)의 일 실시예를 도시한다. 2차 디바이스(30)는 비접촉 전력의 수신과 관련되기 때문에, 2차 디바이스(30)는 일반적으로, 2차 코일(32), 정류기(34), 2차 검출 회로(36), 제어기(38), 및 부하(40)를 포함한다. 2차 코일(32)은 배선의 코일일 수 있거나, 1차 유닛(10)에 의해 생성된 변하는 전자기장에 응답하여 전력을 생성할 수 있는 본질적으로 임의의 다른 인덕터일 수 있다. 정류기(34)는 AC 전력을 DC 전력으로 변환한다. 도시하지는 않았지만, 디바이스(30)는 또한 변환이 소망되는 실시예들에서 DC-DC 컨버터를 포함할 수도 있다. 제어기(38)는 정류된 전력을 부하(40)에 인가하도록 구성된다. 이러한 실시예에서, 부하(40)는 디바이스(30)의 전자부품을 나타낸다. 일부 응용들에서, 부하(40)는 배터리 또는 디바이스(30)의 전자부품으로의 전력의 공급을 관리할 수 있는 다른 전력 관리 회로를 포함할 수 있다. 대안의 실시예에서, 제어기(38)는 전력 관리 회로를 포함할 수 있다. 제어기(38)는 1차 유닛(10)과의 통신을 가능하게 하는 통신 회로를 포함할 수 있다. 제어기(38)는 유도 결합을 활용함으로써, 예를 들어, 후방산란 변조 방식을 이용함으로써, 또는 RF 트랜시버와 같은 외부 통신 경로에 의해 통신할 수 있다.도 1의 시스템에서의 2차 디바이스(30)는 제어 유닛(38)에 접속된 2차 검출기 회로(36)를 포함한다. 2차 검출기 회로(36)는 제어 유닛(38)에 의해 제공된 신호 또는 내부 클록 신호에 응답하여, 부하(40)에 전달된 전력의 특징의 측정을 수행한다. 2차 검출기 회로(36)는 부하(40)에 전달된 전력의 특징을 나타내는 출력을 제어 유닛(38)에 제공한다. 본 실시예에서의 2차 검출기 회로(36)는 순간 전류 센서 및 순간 전압 센서 양자를 포함한다. 일반적으로, 2차 검출기 회로(36)는 2차 디바이스에서의 AC/DC 정류기(34) 이후에 어디에나 위치될 수 있다. 다른 실시예에서, 2차 검출기 회로(26)는 부하에 전달된 전력을 결정하기 위해 활용될 수 있는 부하에 전달된 전력의 하나 이상의 특징들을 측정할 수 있는 본질적으로 임의의 센서 또는 센서들을 포함할 수 있다. 2차 검출기 회로(36)는 그것의 출력을 2차 제어기(38)와 통신한다. 2차 검출기 회로 출력은 적절한 경우에, 다른 측정치의 동기화를 보조하기 위해 시간 스탬프되고 2차 검출기 회로(36), 제어기(38)에, 또는 2차 디바이스(10)의 어떤 다른 곳에 버퍼링될 수 있다.입력 검출기 회로(24), 탱크 검출기 회로(26), 및 2차 검출기 회로(36)(일괄하여 검출기 회로들이라 칭함)는 입력 전력에서의 전류에 정비례하는 출력 신호를 생성하도록 배열된 증폭기들을 포함할 수 있다. 검출기 회로들은 또한 출력 신호에서의 변동을 제거하는 대역 통과 회로를 포함할 수 있다. 검출기 회로들은 또한 필터링된 신호를 증폭시키는 증폭기를 포함할 수 있다. 검출기 회로들은 또한 증폭기 출력을 하이 또는 로우 신호로 변환하는 비교기를 포함할 수 있다. 다양한 검출기 회로들은, 이들이 전압 센서들 또는 전류 센서들이든지, 일반적으로 종래의 것이고, 원하는 측정치를 획득하는 본질적으로 임의의 타입의 센서일 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 전류 센서들은 전류 감지 트랜스포머들이다. 다르게는, 이들은 분로 저항기들, 홀 효과에 기초한 집적 센서들, 또는 전류를 마이크로제어기에 의해 측정가능한 전압으로 변환시키는 임의의 다른 디바이스일 수 있다. 일 실시예에서, 검출기들은 저항기/커패시터 분압기들일 수 있다.1차 유닛이 1차 유닛으로부터의 유도형 전력 공급을 제한하거나 중지시킬 수 있는 다수의 상황이 존재한다. 이들 조건들 중 일부는 1차 유닛 근처에서의 상당한 기생 부하의 검출, 시스템의 2차 디바이스(30)가 1차 유닛(10) 근처에 존재하지 않음, 및 2차 디바이스(30)가 존재하지만 현재 전력을 요구하지 않는다는 것을 포함한다. 부하는 예를 들어, 턴 오프될 때, 또는 재충전가능한 배터리 또는 전지의 경우에는 배터리 또는 전지가 완전하게 충전되어 있을 때 전력을 요구하지 않는다.일 실시예에서, 기대 입력 전류가 측정된 입력 전류와 100mA만큼 상이한 상당한 기생 부하가 발견된다. 기생 금속의 공차는 기대 입력 전류와 측정된 입력 전류 사이의 임계값 차이를 변경함으로써 변화될 수 있다. 더 높은 임계값은 전자기장에서의 기생 금속의 더 높은 레벨의 공차를 나타내고, 더 낮은 임계값은 전자기장에서의 기생 금속의 더 낮은 레벨의 공차를 나타낸다. 본 실시예에서는, 1.9와트를 초과하는 전력이 기생 금속 내로 소산되면, 시스템이 유도형 전력 공급을 제한하거나 중지하는 것을 보장하도록 100mA 임계값이 선택되었다.다른 실시예들에서, 친화형 기생성분들은 기대 입력 전류의 계산에 사용될 수 있고, 따라서 기생 금속이 존재하는지를 결정하는데 있어서의 인자가 아닐 것이다. 기대 입력 전류 계산에서 친화형 기생성분들을 고려하는 대안의 실시예들에서, 상당한 기생 부하를 선언하는 기준이 상이할 수 있다.도 2는 본 발명에 따른 1차 유닛 근처에서 상당한 기생 부하의 존재를 검출하는 방법을 설명하는 데 사용하기 위한 플로우차트이다.본 실시예에서, 때때로, 임의의 기생 금속이 전자기장에 존재하는지를 1차 유닛이 결정할 수 있도록 2차 디바이스는 기생 금속 검출 패킷(본 명세서에서 PMD 패킷)을 1차 유닛으로 전송한다. 본 실시예에서, PMD 패킷은 250ms마다 1차 유닛으로 전송된다. 대안의 실시예들에서, PMD 패킷들은 다소 빈번하게, 또는 1차 유닛으로부터의 요청시에, 또는 본질적으로 1차 유닛에 의해 생성된 전자기장에 기생 금속이 존재하는지를 결정하는 것이 적합한 임의의 다른 시나리오에서 전송될 수 있다.PMD 패킷을 전송할 시간(202)일 때, 2차 검출 회로(36)는 AC/DC 정류 이후에 전압 측정 및 전류 측정을 개시하고, 다르게는, 전력 측정은 상이한 센서 시스템을 사용하여 취해질 수 있다. 대안의 실시예들에서, 2차 디바이스 내의 상이한 위치들에서의 상이한 측정들이 이들 측정에 대신하여 또는 그에 부가하여 취해질 수 있다.PMD 패킷에 대한 임의의 측정치들이 1차 유닛에서의 기생 금속 검출에 유용할 수 있는 임의의 다른 정보와 함께 패킷의 페이로드에 어셈블링된다. 예를 들어, PMD 패킷은 동기화를 위해, 측정이 취해진 시간을 나타내는 시간 스탬프 정보를 포함할 수 있다. 또한, PMD 패킷은 누락(missing) 데이터 포인트들 또는 임의의 평활화, 평균화, 또는 가중 함수가 있는지에 관한 정보를 포함할 수 있다. PMD 패킷은 또한, 예를 들어, 1차 유닛에 저장된 룩업 테이블에서 다양한 정보가 룩업될 수 있도록 디바이스에 관한 식별 정보를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일부 1차 유닛들은 다양한 2차 디바이스들과 연관된 친화형 기생성분들의 테이블을 포함할 수 있다. 일부 다른 실시예들에서, 2차 디바이스는 그것의 친화형 기생성분들을 직접적으로 전달할 수 있다. PMD 패킷과 관련하여 설명하였지만, 정보가 1차 유닛으로 전송되는 포맷은 중요하지 않고, 패킷이 아닌 통신 기법들이 또한 실행가능하다는 것을 이해해야 한다. 본 실시예에서, 패킷은 2개의 10비트 변수들을 포함하는 3 바이트 페이로드(총 5 바이트)를 포함하는데, 양쪽 변수들로부터의 최상위 비트들이 최종 바이트를 공유한다. 본 실시예에서, PMD 패킷은 어떠한 시간스탬프 정보도 포함하지 않고, 그 대신, 1차 유닛은 그것이 PMD 패킷을 수신한 시간으로부터 2차 측정이 취해진 때까지 9ms 지연이 존재했다는 것을 가정함으로써 동기화한다.PMD 패킷이 어셈블링되면, 그것은 1차 유닛으로 전송된다(208). PMD 패킷의 수신시에, 본 실시예에서의 1차 유닛은 PMD 패킷이 수신되기 이전의 9ms에 대응하는 버퍼에 저장되는 1차 코일 전류 측정치를 획득한다. 이러한 고정된 9ms 지연은 PMD 패킷을 전송하는 데 있어서의 레이턴시를 해명하고, 1차 및 2차 측에서의 측정치들이 동기되는 것을 보장한다.1차 유닛 제어기는 2차 디바이스로부터 수신된 정보 및 1차 유닛으로부터의 적절한 측정치를 활용하여 기대 입력 전류를 결정한다(212). 상술한 바와 같이, 이러한 결정은 최적 맞춤 분석으로 시스템에서의 다수의 상이한 손실들을 해명하는 사전 정의된 공식에 기초하여 수행될 수 있다.1차 유닛은 또한 동기화시에 1차 입력 전류를 측정한다(214). 코일 전류와 유사하게, 1차 입력 전류는 동기화를 보조하기 위해 버퍼에 유지될 수 있다.1차 측정 입력 전류는 전자기장에 임의의 기생 금속이 존재하는지를 결정하기 위해 1차 기대 또는 계산 입력 전류에 비교된다(216). 측정된 입력 전류와 결정된 입력 전류 사이의 차이는 시스템에서의 임의의 원인 불명 손실들을 나타낸다. 본 실시예에서, 그 수들은 단순히 감산될 수 있고, 그 차이가 임계값보다 크면, 시스템은 전자기장에 상당한 양의 기생 금속이 존재한다는 것을 결정하고 비접촉 전력 공급은 다수의 상이한 액션들을 취할 수 있다. 예를 들어, 시스템은 정지되거나, 출력 전력을 낮추거나, 경고등을 턴 온할 수 있다(218). 그 차이가 임계값보다 작으면, 시스템은 전자기장에 상당한 양의 기생 금속이 존재하지 않는다는 것을 결정하고, 시스템은 아무것도 하지 않거나 기생 금속이 존재하지 않는다는 것을 나타낸다. 그 후, 시스템은 다른 PMD 패킷을 전송할 시간이 될 때까지 대기할 수 있다.일 실시예에서, 기생 금속이 검출되면, 1차 유닛은 어떤 방식으로든 그것이 리셋될 때까지 정지 모드로 유지될 것이다. 이러한 리셋은 1차 유닛의 사용자에 의해 수동으로 개시될 수 있거나, 다르게는, 제어 유닛(16)은 다시 유도 전력을 주기적으로 공급하기 시작할 수 있고 정지 모드에 유지되는지 여부를 결정하기 위해 기생 금속 검출을 반복할 수 있다.도 2와 관련하여 상술한 기생 금속 검출 기법들은 다른 상이한 기생 금속 검출 기법들에 의해 보완될 수 있다. 예를 들어, 일부 기생 금속 검출은, 2차 부하들이 주기적으로 접속해제되고 시스템이 링 다운 상태에서 관측되게 되는 경우에 더욱 신뢰할 수 있다. 링다운 기생 금속 검출을 수행하기 위해, 1차 유닛 근처의 모든 2차 디바이스들은 무부하 상태로 의도적으로 설정된다. 이러한 무부하 상태에서, 2차 디바이스에 의해 유도적으로 수신된 전력 중 어떤 것이라도 그의 실제 부하로 공급되는 것이 방지된다. 이것은 시스템이 2차 디바이스 부하를 고려할 필요 없이 전자기장 내의 기생 금속에 관한 정보를 획득하게 한다. 링다운 기생 금속 검출을 입력 전력 기생 금속 검출과 결합하는 능력은 일부 상황하에서 더욱 정확한 기생 금속 검출을 허용한다.링다운의 일 실시예에서, 코일이 자신의 인덕턱스 값 및 등가의 직렬 저항을 갖는 개방 2차 회로가 존재한다. 이것은 그것이 다양한 자극에 알 수 있는 방식으로 응답할 것임을 의미한다. 임펄스가 제공되면, 결과적인 R(ESR) L(코일) C(탱크 캡) 회로에서의 전압은 널리 공지된 시간 상수로 감쇠한다. 더 빠르게 감쇠하면, L이 낮아졌거나 ESR이 올라갔다는 것을 의미하고, 이것은 기생 금속을 암시한다. 대신에, 특정 주파수에서 코일을 턴 온하면, RLC 회로는 다시 예측가능한 전압 또는 전류를 가져야 한다. 다시, 기생 금속은 기대치(더 높은 전류, 더 낮은 전압 등)를 벗어나 응답을 시프트할 것이다.도 3은 입력 전력과 비접촉 전력 공급 시스템에서 소모된 전력 사이의 관계의 3개의 대표적인 시나리오들(300, 302, 304)을 도시한다. 제1 시나리오(300)에서, 1차 유닛 및 2차 디바이스는 정렬되고, 전자기장에 비친화형 기생 금속이 존재하지 않는다. 환언하면, 제1 시나리오에서는 원인 불명의 손실들이 존재하지 않는다. 이러한 시나리오에서, 결합된 1차 전력 손실들(306), 2차 전력 손실들(308), 및 부하(310)에 의해 소모된 전력은 입력 전력(312)과 동일하거나 실질적으로 동일하다. 본 실시예에서, 1차 전력 손실들(306)은 1차 유닛 자기 소자(314)(예를 들어, 1차 유닛 차폐 손실), 1차 유닛 전자 소자(316)(예를 들어, 정류, 스위칭, 레귤레이션, 및 필터링 손실들), 및 1차 코일(318)(예를 들어, I2R 손실들)에 대한 전력 손실을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 2차 전력 손실들(308)은 친화형 기생성분들(320)(예를 들어, 2차 디바이스에서의 기생 금속 손실들), 2차 자기 소자(322)(예를 들어, 2차 디바이스 차폐 키스들), 2차 코일(324)(예를 들어, I2R 손실들), 및 2차 전자 소자(326)(예를 들어, 정류, 레귤레이션, 및 필터링 손실들)에 대한 전력 손실들을 포함한다. 부하에 의해 사용된 전력 및 시스템에서의 전력 손실을 포함하는 알려진 전력 소모가 입력 전력과 실질적으로 동일할 때, 시스템에는 미지의 기생 금속과 같은 원인 불명의 손실들이 존재하지 않는다.제2 시나리오(302)에서, 1차 유닛 및 2차 디바이스는 오정렬된다. 2차 디바이스가 유도형 전력 공급 시스템으로부터 오정렬될 때, 결합은 감소한다. 이것은 2차 디바이스로 동일한 양의 전력을 전달하기 위해 1차 유닛이 더 많은 전력을 코일로 전달하게 할 수 있다. 본 실시예에서는, 더 많은 전력이 전달되기 때문에, 손실들이 증가한다. 예를 들어, 1차 유닛에 더 많은 전자 소자 손실이 존재하고(I^2R, 가능하다면 정류, 스위치, 동작 주파수가 시프트되었을 수 있음), 더 높은 코일 전류로 인해 코일에서 분실된 더 많은 전력이 존재하고, 1차 코일에 의해 생성된 더 큰 전자기장으로 인해 자기 소자에서 분실된 더 많은 전력이 존재하고, 더 큰 전자기장으로 인해 기생성분들, 친화형 및 이물질 양자에서 분실된 더 많은 전력이 존재하며, 일부 상황들에서는, 동작 주파수가 시프트되면 2차 손실들이 증가할 수 있고, 이것은 2차 정류 및 2차 코일에서의 손실들에서 작은 증가를 초래할 수 있다. 일부 실시예들에서, 이들 2차 손실들에서의 변화는 무시될 수 있다. 일반적으로, 부하 및 2차(정류 및 코일 이외)에서의 전력 손실들은, 그것이 여전히 동일한 양의 전력을 드로잉하기 때문에(드로잉하려 하기 때문에), 변화하지 않는다. 예시된 실시예에서, (부하가 변화하지 않았기 때문에) 제1 시나리오와 동일한 양의 전력을 부하(310)에 전달하기 위해 (동작 주파수, 공진 주파수, 듀티 사이클, 레일(rail) 전압, 또는 일부 다른 파라미터를 조정함으로써) 추가의 입력 전력(312)이 제공된다. 그러나, 1차 유닛 및 2차 디바이스가 오정렬되기 때문에, 추가의 1차 유닛 손실들(306) 및 2차 디바이스 손실들(308)이 존재할 수 있다. 본 실시예에서는, 1차 유닛 자기 소자(315), 1차 유닛 전자 소자(317), 1차 코일(319), 2차 디바이스 친화형 기생성분들(321), 및 2차 디바이스 자기 소자(323)에서 손실들이 증가된다. 본 실시예에서, 2차 코일(324), 2차 디바이스 전자 소자(326), 및 부하(310)에서의 전력 손실은 일정하게 유지된다. 입력 전력(312)이 결합된 전력 손실들(306, 308) 및 부하(310)에 의해 소모된 전력과 대체로 동일하면, 전자기장에 미지의 기생 금속과 같은 미지의 전력 손실은 존재하지 않는다.제3 시나리오(304)에서, 1차 유닛 및 2차 디바이스는 정렬되지만, 한 조각의 기생 금속이 전자기장에 배치된다. (부하가 모든 3개의 시나리오에서 동일하기 때문에) 제1 및 제2 시나리오와 동일한 양의 전력을 부하(310)에 전달하기 위해 (동작 주파수, 공진 주파수, 듀티 사이클, 레일 전압, 또는 일부 다른 파라미터를 조정함으로써) 추가의 입력 전력(312)이 제공된다. 그러나, 전자기장에 한 조각의 미지의 기생 금속이 존재하기 때문에, 추가의 1차 유닛 손실들(306), 추가의 2차 디바이스 손실들(308), 및 일부 원인 불명의 전력 손실(328)이 존재할 수 있다. 본 실시예에서는, 1차 유닛 자기 소자(315), 1차 유닛 전자 소자(317), 1차 코일(319), 2차 디바이스 친화형 기생성분들(321), 및 2차 디바이스 자기 소자(323)에서 손실들이 증가된다. 본 실시예에서, 2차 코일(324), 2차 디바이스 전자 소자(326), 및 부하(310)에서의 전력 손실은 일정하게 유지된다. 입력 전력(312)과 결합된 알려진 전력 손실들(306, 308)과 부하(310)에 의해 소모된 전력 사이에 현저한 차이가 존재하기 때문에, 시스템은 전자기장에 미지의 기생 금속과 같은 미지의 전력 손실이 존재한다는 것을 추정할 수 있다. 이러한 미지의 전력 손실의 검출에 응답하여, 비접촉 전력 전달 시스템은 전력 전달을 제한하거나 중지시킬 수 있다.도 3에서의 시나리오들은 일정한 비율로 도시되지 않았고, 설명을 돕기 위한 예들로서 단지 제공된다. 또한, 이들 3개의 시나리오들(300, 302, 304)에 도시된 부하에 의한 전력 사용과 전력 손실의 상대량은 단지 대표적인 것이다. 일부 실시예들에서, 추가의 또는 더 적은 타입의 전력 손실이 존재한다. 예를 들어, 2차 디바이스가 어떠한 친화형 기생성분들도 포함하지 않으면, 어떠한 관련 전력 손실도 없을 것이다. 도 3에서의 다양한 손실들은 1차 유닛과 2차 디바이스 사이의 오정렬과 전자기장에 배치된 기생 금속 사이의 차이를 시스템이 어떻게 구별할 수 있는지를 예시하기 위해 과장되어 있다. 부하에 전달된 전력량에 입력 전력량을 단지 비교하는 것으로, 시스템이 시나리오 2(302)와 시나리오 3(304) 사이를 구별할 수 없다. 1차 유닛 및 2차 디바이스가 정렬될 때 시스템이 다양한 손실들을 해명하더라도, 시스템이 오정렬로 인해 발생하는 전력 손실의 변화를 해명하지 않으면, 오정렬로 인한 대량의 거짓 긍정에 대한 잠재성이 존재한다. 시스템이 오정렬과 같은, 동작 동안의 전력 손실의 변화를 해명할 수 있으면, 시스템은 더 적은 거짓 긍정을 초래할 것이다.상기 언급한 바와 같이, 시스템들은 오정렬로 인한 전력 손실들과 기생 금속으로 인한 전력 손실들 사이를 구별하는 데 문제를 가질 수 있거나, 충분한 분해능을 갖지 않아 거짓 긍정을 유발할 수 있고, 이로 인해 2차 디바이스로의 비접촉 전력 공급이 제한 또는 중지된다. 본 실시예에서, 기대 입력 전류 또는 기대 입력 전력은, 공식이 동작 동안 오정렬로 인한 손실들을 해명하기 때문에, 측정된 입력 전류 또는 기대 입력 전력에 매칭한다.전자기장에 추가된 오정렬 또는 기생 금속을 갖는 것에 부가하여, 이들 양자를 동시에 갖는 것이 가능하다. 예를 들어, 사용자가 우연히 자신의 키를 충전 표면상에 던져서, 2차 디바이스를 제자리 밖으로 조금 밀 수 있다. 이들 상황하에, 기생 금속으로 인한 손실들 및 오정렬로 인한 손실들 양자가 동시에 증가한다. 시스템이 입력 전력과 알려진 손실들 사이의 관계를 찾고 있기 때문에, 시스템은 여전히 전자기장에 기생 금속이 존재한다는 것을 식별할 수 있다.본 실시예에서, 1차 코일 전류, 2차 전류 및 2차 전압은 제조시에 유도되어 제어기에 코딩된 공식으로 플러그된다. 공식은 1차 유닛과 연관된 고정 임피던스 및 저항값들에 기초하여 알려진 손실들을 고려함으로써 유도된다.이하, 도 1과 관련하여 상술한 바와 같은 유도형 전력 전달 시스템에서의 유도형 전력 전달을 제어하는 방법의 대안의 실시예를 설명한다. 유도형 전력 전달 시스템(100)은 1차 유닛(10) 및 2차 디바이스(30)를 포함한다. 1차 유닛(10)은 탱크 회로(23) 및 스위칭 회로(14)를 포함하고, 이들은 함께 전자기장을 생성하도록 동작가능하다. 시스템은 또한, 2차 디바이스(30)를 포함하고, 이 2차 디바이스는 2차 디바이스가 1차 유닛로부터 분리가능하고 1차 유닛에 근접해 있을 때 전자기장과 결합하도록 구성되어, 이들 사이에 직접적인 도전성 접촉 없이 2차 디바이스가 1차 유닛으로부터 전력을 유도적으로 수신하게 된다.일 실시예에서, 스위칭 회로는 동작 동안 상이한 동작 주파수들의 범위 사이에서 변하는 동작 주파수에서 동작한다. 일부 실시예들에서, 1차 유닛의 동작 주파수 또는 일부 다른 파라미터는 부하의 변화 또는 부하로부터의 요청에 응답하여 조정될 수 있다. 예를 들어, 2차 디바이스가 추가의 전력을 요구하면, 1차 유닛은 동작 주파수, 듀티 사이클, 공진 주파수, 또는 레인 전압을 조정하여 그것의 전력 출력을 증가시킬 수 있다. 하나의 이러한 1차 유닛의 일례가 2003년 10월 20일에 출원된 Baarman에 의한 미국 특허 제7,212,414호에 기재되어 있고, 이는 참조로 본 명세서에 전체적으로 포함된다. 1차 유닛 및 2차 디바이스의 오정렬로 인해 변화하는 전력 손실에 부가하여, 전력 손실은 스위칭 회로의 동작 주파수 또는 2차 디바이스와 연관된 부하의 전력 수요의 함수로서 변화할 수 있다. 예를 들어, 프로그램가능한 전자 부하가 정전압에서의 상이한 전류들 또는 정전류에서의 상이한 전압들을 테스트하기 위해 활용될 수도 있다. 방법은 1차 유닛에서 입력 전력의 특징을 측정하는 단계, 1차 유닛의 탱크 회로에서 전력의 특징을 측정하는 단계, 1차 유닛에서, 적어도 하나의 2차 디바이스로부터 정보를 수신하는 단계, 적어도 1차 유닛의 탱크 회로에서의 측정된 전력의 특징의 함수로서 유도형 전력 전달 시스템에서의 전력 소모를 추정하는 단계, 수용불가능한 양의 기생 금속이 1차 유닛에 근접하여 존재하는지를 결정하기 위해 1차 유닛에서의 측정된 입력 전력의 특징, 적어도 하나의 2차 디바이스로부터의 정보 및 추정된 전력 소모를 비교하는 단계, 및 수용불가능한 양의 기생 금속이 1차 유닛에 근접하여 존재한다는 결정에 응답하여 1차 유닛으로부터의 유도형 전력 전달을 제한하거나 중지시키는 단계를 포함한다.소모된 전력을 추정하는 것은, 유도형 전력 전달 시스템에서 전력 손실을 추정하는 것, 2차 디바이스의 부하에 의해 드로잉된 전력을 추정하는 것, 또는 양자를 포함한다. 유도형 전력 전달 시스템에서의 전력 손실의 추정은 1차 유닛의 탱크 회로에서의 측정된 전력의 특징 및 2차 디바이스로부터의 정보의 함수일 수 있다. 예를 들어, 전력 손실 추정은 1차 유닛 자기 히스테리시스 전력 손실, 1차 유닛 자기 와전류 전력 손실, 1차 유닛 전압 전력 손실, 1차 유닛 저항 전력 손실, 및 2차 디바이스 전력 손실을 추정하는 것을 포함할 수 있다. 2차 디바이스 전력 손실에 관한 정보는 2차 디바이스에 의해 부분적으로 또는 전체적으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 정보는 2차 디바이스 ID, 2차 디바이스에서의 전력의 특징의 측정, 2차 디바이스에서의 전력 손실의 추정, 하나 이상의 전력 손실 계수들(자기 히스테리시스 및 자기 와전류를 특징짓는 계수들을 포함), 또는 이들의 조합의 형태일 수 있다. 2차 디바이스 전력 손실은 2차 디바이스 와전류 전력 손실, 2차 자기 히스테리시스 손실, 2차 디바이스 전압 전력 손실, 및 2차 디바이스 저항 전력 손실에 관하여 기술될 수 있다.추가의 센서들이 동작 동안 시스템에서의 다양한 전력 손실들을 더욱 정확하게 측정하기 위해 1차 유닛 및 2차 디바이스 상에 포함될 수 있다. 그러나, 추가의 센서들은 1차 유닛 및 2차 디바이스의 비용 및 크기를 증가시킬 수 있다. 따라서, 일부 실시예들에서, 곡선 맞춤(curve fitting) 분석이 실험 데이터에 기초하여 전력 손실들을 추정하기 위해 활용될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 1차 유닛들, 2차 디바이스들, 전력 부하들, 2차 디바이스 포지션들(위치 및 배향을 포함), 주파수, 및 친화형 기생성분들의 다양한 조합에 대해 실험 데이터가 수집될 수 있다. 실험적으로 수집될 수 있는 데이터의 타입들은 본질적으로 임의의 타입의 측정치를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 수집된 데이터는 입력 전압, 입력 전류, 입력 전력 계산치, 1차 코일 전압, 1차 코일 전류, 송신 전력 계산치, 2차 코일 전압, 2차 코일 전류, 수신된 전력 계산치, 출력 전압, 브리지 전압, 출력 전류를 포함할 수 있다. 대안의 실시예들에서, 추가의, 상이한, 또는 더 적은 측정치 또는 계산치가 수집될 수 있다. 평균값들, RMS 값들, 역률, 파고율, 피크값들, 및 전압/전류 사이의 위상을 포함하지만 이에 제한되지 않는 측정치를 취하는 임의의 기법이 활용될 수 있다.일 실시예에서, 1차 유닛에서의 측정된 입력 전력의 특징, 2차 디바이스로부터의 정보, 및 추정된 전력 소모는, 1차 유닛에 근접하여 수용불가능한 양의 기생 금속 또는 오작동 컴포넌트와 같은 다른 원인 불명의 전력 손실이 존재하는지 결정하기 위해 비교될 수 있다. 이러한 비교는 상이한 실시예들에서 다양한 다른 기법들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 비교는 1차 유닛에서의 입력 전력의 특징, 탱크 회로 전력의 특징, 동작 주파수, 및 2차 디바이스로부터의 정보에 기초한 총 전력 소모의 계산 및 계산된 총 전력 소모와 추정된 전력 소모 사이의 차이를 검출함으로써 1차 유닛에 근접하여 이물질이 존재하는지의 결정을 수반한다.일 실시예에서, 1차 유닛에 근접하여 수용불가능한 양의 기생 금속이 존재하는지에 관한 결정은 측정된 총 전력 소모와 측정된 전력 소모 사이의 차이를 취하고 그 값을 임계값에 비교함으로써 이루어질 수 있다. 임계값은 동적일 수 있고 시스템의 동작 포인트 또는 다양한 다른 팩터들에 기초할 수 있다. 그 값이 계산된 임계값을 초과하면, 수용불가능한 양의 기생 금속이 존재하고, 그것이 임계값을 초과하지 않으면, 존재하는 기생 금속의 양은 허용가능하다.상술한 바와 같이, 때때로 곡선 맞춤이라 칭하는 최적 맞춤 분석이 1차 유닛에 관하여 상이한 포지션들(위치 및 배향)의 범위를 통해 2차 디바이스를 스위핑함으로써 수행될 수 있다. 이러한 곡선 맞춤은 전자기장에 수용할 수 없는 양의 기생 금속이 존재하는지를 결정하기 위해 공식 또는 공식들의 세트에 대한 계수들로 순화될 수 있다. 이에 대한 공식의 세트의 일례가 다음과 같다:계수들 각각은 실험적으로 결정될 수 있다. 계수들은 시스템에서의 컴포넌트들의 물리적 관찰을 통해 전력 손실의 개별 타입에 개별적으로 기초하여 결정될 수 있거나, 계수들 모두를 동시에 획득하기 위해 곡선 맞춤이 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 알려진 다변 다항식 회귀(multivariate polynomial regression) 기법들 또는 관측된 데이터를 소정의 공식에 맞추는 다른 방법들을 사용한 브루트 포스(brute force) 곡선 맞춤이 계수들을 결정하기 위해 활용될 수 있다. 이들 기법들을 일반적으로 곡선 맞춤이라 칭한다. 다른 실시예에서, 계수들은 등가의 직렬 저항 및 전압 강하와 같은, 벤치 측정(bench-measured) 파라미터들에 대한 체크로서 데이터를 수집함으로써 실험적으로 결정된다. 데이터는 1차 유닛들, 2차 디바이스들, 부하들, 포지션들, 친화형 기생성분들의 다양한 상이한 조합에 대해 수집될 수 있다. Tx는 1차 유닛 또는 송신기를 칭하고, Rx는 2차 디바이스 또는 수신기를 칭한다. itx_coil은 1차 유닛 코일 전류를 칭하고, itx_input은 1차 유닛 입력 전력을 칭하며, irx_rectified는 2차 디바이스에서의 정류 이후의 전류를 칭한다. 본 실시예에서, 계수들은 모든 부하들에 대해 동일하다. 본 실시예가 10개의 계수들을 포함하지만, 대안의 실시예들에서는, 추가의, 상이한, 또는 더 적은 계수들이 활용될 수 있다. 예를 들어, C7 및 C8 계수들은 기생 금속 검출 성공률에 크게 영향을 미치지 않고 제거될 수 있다. 또한, 이 접근방식의 이해를 돕기 위해 공식들의 세트가 상기 제공되었지만, 단일 공식이 치환에 의해 생성될 수 있다. 공식은 1차 유닛에 근접하여 임의의 기생 금속이 존재하는지를 결정하기 위해 시스템에서의 입력 전력, 출력 전력, 및 다양한 손실들을 비교한다. Tx는 1차 유닛 또는 송신기를 칭하고, Rx는 2차 디바이스 또는 수신기를 칭한다. 예를 들어, 도 1의 전류 센서에 도시되어 있는 바와 같이, itx_coil은 1차 유닛 코일 전류를 칭하고, itx_input은 1차 유닛 입력 전력을 칭하며, irx_rectified는 2차 디바이스에서의 정류 이후의 전류를 칭한다.일 실시예에서, 전력 손실 추정은 주파수 변동을 해명함으로써 더욱 정확하게 이루어질 수 있다. 예를 들어, 일부 유도형 전력 공급들은 동작 동안 1차 유닛의 스위칭 회로의 동작 주파수를 변화시킨다. 동작 주파수의 이러한 변화는 시스템에 얼마나 많은 전력 손실이 존재하는지에 영향을 미칠 수 있다. 시스템에서의 전력 손실을 더욱 정확하게 추정하기 위해, 각 동작 주파수에 대해, 1차 코일의 등가의 직렬 저항값이 결정될 수 있다. 등가의 직렬 저항들의 데이터 포인트들은 1차 유닛 와전류 전력 손실을 추정하기 위한 와전류 전력 손실 계수를 결정하기 위해 곡선 맞춤될 수 있다. 즉, 임의의 소정의 주파수에서 임의의 소정의 1차 유닛 및 2차 디바이스에 대해 발생하는 와전류 전력 손실들을 계산하는 것은 어려울 수 있다. 복수의 주파수에서 1차 유닛들과 2차 디바이스들의 결합에 대한 와전류 전력 손실이 얼마인지를 실험적으로 결정함으로써, 기대되는 손실이 얼마인지에 대한 일반화된 함수가 주파수의 함수로서 전개될 수 있다. 이러한 동일한 기법은 주파수에 의존하는 시스템에서의 임의의 전력 손실에 대해 활용될 수 있다. 즉, 다양한 주파수들에서 1차 유닛들과 2차 디바이스들의 다양한 결합들에서 발생하는 상이한 타입의 전력 손실들에 대한 데이터를 수집함으로써, 전력 손실이 주파수에 기초하여 변화하는 경우에, 곡선 맞춤이 전력 손실들을 더 양호하게 추정하기 위해 동작 동안 사용될 수 있는 공식에 대한 계수들의 세트를 전개하는 것을 도울 수 있다. 제조하는 동안 1차 유닛 또는 2차 디바이스에 저장될 수 있도록, 모두 10개의 계수들이 실험적으로 결정될 수 있다. 일반적으로, 1차 파라미터들은 1차 유닛 내에 하드코딩되고, 2차 디바이스 파라미터들은 동작 동안 또는 초기화 교정 루틴 동안 전달된다. 명확하게, 이러한 교정 루틴은 계수들을 결정하기 위해 본 명세서에 설명된 교정 프로세스와는 별개의 프로세스일 수 있다. 대신에, 이러한 교정 루틴은 전자기장에 기생 금속이 존재하는지를 궁극적으로 결정하는 프로세싱 유닛이 모든 적절한 계수들에 액세스할 수 있는 것을 보장하기 위해 활용될 수 있다.함수는 시스템의 특정한 부품들에 대한 통상적으로 알려진 손실 모델들에 기초할 수 있다. 예를 들어, 자성체는 히스테리시스로 인한 if에 관한 손실들을 갖고(1차 재료에 대해 C1 및 2차 재료에 대해 C2), 자성체는 이들 재료에서의 와전류 손실들을 나타내는 (if)^2에 관한 손실들을 갖고(1차 재료에 대해 C3 및 2차 재료에 대해 C4), 커패시터들, 코일들, 및 FET들은 i^2에 관한 "저항 손실"을 갖고(C6, C8), 2차 디바이스에 대한 총 전력 손실이 수신된 전력의 선형 함수로서 근사될 수 있기 때문에, 추가의 손실들을 근사하기 위해 수신된 전력(C9, C10)의 스칼라 함수를 사용할 수 있다. 이들이 모든 주요 회로 컴포넌트들의 물리적 손실 모델들이라는 것을 알기 때문에, 이들 계수들 각각이 무엇일지 찾기 위해 수집된 데이터 모두에 대한 다변 다항식 회귀를 행할 수 있다. 계수들을 찾기 위한 대안의 방식은 시스템에서 계수들을 증분적으로 측정하여 그들의 값들을 결정하는 것이다. 그 후, 이것은 관측된(수집된) 데이터에 대해 검증될 수 있다.상기 공식을 참조하면, C0는 1차 유닛 오프셋을 나타내고, 이것은 전류에 의존하지 않는 모든 손실들을 나타내기 위해 곡선 맞춤 프로세스 동안 활용될 수 있다. 상기 언급한 바와 같이, C0를 포함하는 모든 계수들은 동시에 최적 맞춤될 수 있다(다변 다항식 회귀). 또는, ESR, 전압 강하 등의 값들을 측정함으로써 실험적으로 결정되면, C0가 무엇이건 남겨진다. 이것은 부하에 따라 변하지 않는 (마이크로프로세서가 사용하는 것 등의) 기본 레벨의 전력을 나타낸다.C1 및 C2는 시스템에서의 1차 유닛 및 2차 디바이스 자기 히스테리시스 손실들 각각을 나타내는 계수들이다. 일부 실시예들에서, 자기 히스테리시스 손실들에 대한 계수들은 제로이거나 거의 제로인 것으로 가정될 수 있고, 따라서 계산으로부터 제거될 수 있다. 1차 유닛 및 2차 디바이스는 히스테리시스 손실들을 최소화하도록 설계되어 계산을 단순화시킬 수 있다. 후술되는 바와 같이, C3 및 C4가 주파수에 대해 일정하지 않으면, C1 및 C2는 제로가 아닌 것으로 간주될 수 있다. ESR이 측정될 때, I^2 R 손실 모델에 대한 가정이 이루어진다. 그것이 함수 (If)^2 R에 맞는 경우에, 이는 많은 주파수들에 걸쳐 ESR을 측정하여 f^2로 나눌 때, 그 결과들은 ESR의 모든 측정치들에 대해 서로 동일(또는 매우 근접)해야 한다는 것을 의미한다. 이들이 그렇지 않으면, 상이한 손실 모델이 고려되고 (i*f)에 대한 다항식 회귀가 수행될 수 있다.C3 및 C4는 1차 유닛 자기 와전류 손실 및 2차 디바이스 자기 와전류 손실을 각각 나타낸다. C3 및 C4를 결정하기 위해, 1차 및 2차 코일들의 등가 직렬 저항("ESR")이 임의의 자성체에 관계없이 측정된다. 이것을 베어(bare) 코일 ESR로 칭한다. 베어 코일 ESR은 주파수의 범위에 걸쳐 측정되고, 예를 들어, 본 실시예에서는, 베어 코일 ESR은 110kHz 내지 205kHz의 주파수 범위에 걸쳐 측정된다.C3를 결정하기 위해, 1차 코일, 1차 유닛 실드(만약 있다면), 및 1차 유닛 자석(만약 있다면)의 등가 직렬 저항("ESR")이 측정된다. 이것을 1차 코일 어셈블리 ESR로 칭한다. 베어 코일 ESR은, 때때로 1차 자기 ESR로 칭하는, 단지 1차 유닛 실드 및 1차 유닛 자석의 ESR을 제공하기 위해 1차 코일 어셈블리 ESR로부터 감산된다. 물론, 이들 ESR 값들은 본 실시예의 방법과 상이한 방식들로 획득될 수 있다. 일 실시예에서, C3는 1차 자기 ESR을 측정이 취해지는 주파수의 제곱으로 제산함으로써 결정된다. 대안의 실시예에서, C3의 정확도를 증가시키기 위해, 기대 동작 범위에 걸쳐 상이한 주파수들에서 다중의 측정이 취해질 수 있다. 이 경우에서, 각 주파수에서의 1차 자기 ESR은 제곱된 주파수로 제산되고, 모든 이들 값들의 평균이 실험 오차를 해명하기 위해 취해지고 C3인 것으로 간주된다.C4를 결정하기 위해, 시스템의 ESR이 측정된다. 본 실시예에서, 시스템 ESR은, 시스템이 1차 코일, 1차 유닛 실드, 1차 유닛 자석, 1차 유닛과 2차 디바이스 사이의 갭, 2차 디바이스 코일, 2차 디바이스 실드, 2차 디바이스 자석, 및 임의의 친화형 기생 금속을 포함하는 경우에, 1차 유닛과 2차 디바이스가 정렬되어 있는 동안 측정된다. 본 실시예에서, 시스템 ESR이 측정될 때, 이는 1차 코일의 관점으로부터 관측된다. 1차 유닛 어셈블리 ESR(자석을 갖는 1차 코일 및 1차 실드가 존재)은 2차 디바이스 어셈블리 ESR을 획득하기 위해 시스템 ESR로부터 감산된다. 일 실시예에서, C4는 2차 디바이스 어셈블리 ESR을 측정이 취해지는 주파수의 제곱으로 제산함으로써 결정된다. 대안의 실시예에서, C4의 정확도를 증가시키기 위해, 기대 동작 범위에 걸쳐 상이한 주파수들에서 다중의 측정이 취해질 수 있다. 이 경우에서, 각 주파수에서의 2차 디바이스 어셈블리 ESR은 제곱된 주파수로 제산되고, 모든 이들 값들의 평균이 실험 오차를 해명하기 위해 취해지고 C4인 것으로 간주된다.일 실시예에서, C4는 다양한 상이한 정렬에서 2차 디바이스 어셈블리 ESR을 또한 획득함으로써 더욱 정확하게 결정될 수 있다. 즉, 2차 디바이스는 예를 들어, 정밀한 위치 및 배향에서 ESR 측정치를 획득하기 위해 회전형 X, Y, Z 테이블 또는 XYZ 테이블을 활용함으로써 공간에서 자동으로 빙 돌아서 이동될 수 있다. 본 실시예에서, 동작 주파수와 위치의 각 조합에 대한 모든 ESR/f^2 값들은 특정한 2차 디바이스, 예를 들어, 전자기장을 수신하는 2차 코일, 자기 실드, 및 하우징, 전자 소자들 및 배터리와 같은 친화형 기생성분들을 갖는 모바일 폰에 대한 C4 값을 획득하기 위해 평균될 수 있다.기하학적 포지셔닝 시스템의 일 실시예가 도 4에 도시되어 있고, 도면부호 400으로 표시된다. 기하학적 포지셔닝 시스템(400)은 1차 및 2차 코일의 상대적 포지션을 이동시키기 위해 사용될 수 있다. 본 실시예에서, 기하학적 포지셔닝 시스템(400)은 베이스(402) 및 포지셔너(positioner)(404)를 포함한다. 베이스(402)는 1차 유닛 또는 1차 코일(406)과 같은 1차 유닛의 일부와 통합되거나, 일부 실시예들에서는, 1차 코일(406) 또는 1차 유닛은 베이스(402)에 착탈가능하게 부착될 수 있다. 유도형 전력 전달에 영향을 미치지 않는 다양한 상이한 크기의 스페이서들을 적층함으로써 가변 갭(408)이 제공될 수 있다. 다르게는, 포지셔너(404)는 스페이서를 사용하는 대신에 갭(408)을 제공하기 위해 공간에서 정밀한 x, y, 및 z 포지셔닝을 제공할 수 있다. 이물질들(410), 2차 코일들(412), 친화형 기생성분들(414), 및 다른 아이템들이 포지셔너(404)에 착탈가능하게 부착될 수 있다. 본 실시예가 원형 코일들을 활용하기 때문에, 포지셔너(404)는 스페이서의 크기를 증가시킴으로써 단일 방향에서의 이동만을 제공하고, 수직 포지션이 변화될 수 있다. 대안의 실시예에서, 다축 테이블이 코일들을 이동시키기 위해 활용될 수 있다. 단일 방향 포지셔너를 이용하여도, 이동의 위치는 트리플릿(triplet)의 형태로 제공될 수 있고, X 및 Y 값들은 이동이 1차 코일에 관하여 XY 축 상에서 대각이기 때문에 항상 동일하다. 트리플릿의 Z 성분은 갭(408)의 두께에 의해 제공된다.C3 및 C4를 결정하는 일 방법을 상술하였지만, 다른 방법들이 또한 이용될 수도 있다. 임의의 알려진 기술이 아래의 공식에서 C3 및 C4를 풀거나 추정하기 위해 활용될 수 있다.이 공식은 모든 포지션들에서 모든 부하들에 대해 참이어야 한다.전자기장에 수용불가능한 양의 기생 금속이 존재하는지 결정하는 일반식을 다시 참조하면, C5 및 C6는 1차 유닛에 대한 전자 소자 손실을 나타낸다. 1차 유닛 손실들은 1차 유닛 코일에서의 전력량을 입력 전력량으로부터 감산함으로써 계산되어 일반적으로 결정될 수 있다. 그러나, 동작 동안, 이들 전력 측정을 행하기 위한 하드웨어를 포함하는 것은 많은 비용이 들 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 1차 유닛 전자 소자 전력 손실들은 일부 곡선 맞춤 계수들, 1차 유닛 입력 전류, 및 1차 유닛 코일 전류를 활용하여 정확하게 추정될 수 있다. 대안의 실시예들에서, 상이한 측정치들이 1차 유닛 전자 소자 손실들을 추정하기 위해 활용될 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 손실들은 1차 유닛 코일 전력에만 기초하여 2차 방정식으로 맞춤될 수 있다. 이 실시예에서, C5는 1차 항이고, C6는 2차 항과 1차 유닛 베어 코일 ESR의 합이다.C7 및 C8은 2차 디바이스 정류기에서의 손실들을 나타낸다. 이들 손실들은 의 2차 다항식으로 곡선 맞춤될 수 있다.본 실시예에서, 단순화를 위해, 2차 디바이스 코일에서의 손실들은 2차 디바이스 베어 코일 ESR을 C8에 가산함으로써 C8에 포함될 수 있다. 대안의 실시예들에서, 2차 디바이스 코일에서의 손실들은 개별 항일 수 있다. 기울기-절편(slope-intercept) 저항기 네트워크가 2차 디바이스에 대해 사용되면, C7 및 C8은 제로인 것으로 가정될 수 있고 계수들(C9 및 C10)이 대신 사용된다는 것에 주목할 만하다. 본 실시예에서 C7 및 C8을 활용하기 위해, 2차 코일 전류의 동작 동안 측정이 필요하다. 이들 항들을 제거함으로써, 계산은 여전히 충분하게 정확할 수 있지만, 하드웨어 설계에서의 추가의 복잡성이 제거될 수 있다. C7 및 C8 대신에, C9 계수가 2차 디바이스 전력 손실량을 추정하기 위해 활용될 수 있다.C9 및 C10은 함께 계산될 수 있다. 일 실시예에서, 부하에 대한 Preceived-Pdelivered을 플롯하는 것은, 곡선을 통한 직선이 드로잉될 손실을 근사하게 한다. 절편은 C10이고 2차 디바이스 전력 손실 오프셋을 나타낸다. C9이 부하에 전달된 전력을 또한 해명하기 때문에 C9은 1+기울기이다.이하, 교정 시스템을 활용하여 유도형 전력 전달 시스템을 교정하는 방법의 일 실시예를 설명한다.교정 시스템은 전력 테스트 및 열 테스트를 수행하는 테스트 장비를 포함할 수 있다. 전력 테스트 장비는 기하학적 포지셔닝 시스템(400), 2개의 AC 전류 프로브들, 2개의 DC 전류 프로브들, 및 10MHz+ 12비트+ 샘플링의 10개의 채널들을 갖는 아날로그-디지털 컨버터들을 포함할 수 있다. 아날로그-디지털 컨버터들은 원하는 정보를 결정하도록 충분히 빠르고 충분한 분해능으로 샘플링하기 위해 회로에서의 다양한 위치들에 위치할 수 있다. 테스트 장비는 기하학적 포지셔닝 시스템상에서 다수의 포지션들을 통해 스위핑하고 모든 데이터 포인트들을 샘플링하는 소프트웨어를 포함할 수 있다. 데이터 포인트들은 1초의 레이트 또는 어떤 다른 레이트에서 샘플링될 수 있다. 미가공 데이터가 저장될 수 있거나, 다르게는, 미가공 데이터는 특정한 계산된 값들이 획득되면 폐기될 수 있다. 교정 동안 기록될 수 있는 다양한 값들이 상기 논의되었고, 이 값들은 시스템 전반적으로 다양한 전압, 전류, 주파수, 및 위상 측정치들을 포함할 수 있다고 언급하면 충분하다. 열 테스트 장비는 허용가능한 기생 금속의 양에 대한 임계값을 결정하기 위해 활용될 수 있다.교정 방법의 일 실시예에서, 수신기 코일들, 부하들, 친화형 기생성분들, 위치들 및 송신기들의 상이한 조합들이 테스트될 수 있다. 예를 들어, 특정한 전력량에 대해 설계되는 2차 코일들의 다양한 다른 형상들 및 크기들이 교정될 수 있다. 다양한 다른 부하들, 예를 들어, 각 위치에서의 .2, .4, .6, .8, 1, 2, 3, 4, 5W의 정적 부하들이 테스트될 수 있다. 다르게는 또는 추가로, 모바일 폰들 또는 다른 2차 디바이스들의 특정 모델들과 같은 실제 동작 디바이스들이 테스트될 수 있다. 추가로, 무부하 구성들이 테스트될 수 있다. 다양한 다른 친화형 기생성분들이 테스트될 수 있다. 예를 들어, 알루미늄판, 구리판, 스테인리스 강판, 블루 강판, 또는 모바일 폰의 특정한 바디와 같은 재료들이 테스트될 수 있다. 본 실시예에서, 친화형 기생성분들 각각은 2차 코일보다 25% 크고, 이것은 각 방향에서 25%만큼 2차 코일의 에지들을 지나 연장한다는 것을 의미한다. 공간, 또는 분리 및 오정렬에서의 다양한 다른 포지션들이 측정될 수 있다. 본 실시예에서, 배향은 일정하게 유지되지만, 5개의 상이한 위치들이 측정된다. 다양한 다른 1차 유닛들 또는 1차 유닛들 내의 1차 코일들이 테스트될 수 있다.교정하는 방법은 1차 유닛에 관한 복수의 상이한 포지션들에 2차 디바이스를 배치하는 단계, 각 포지션 및 부하 조합에 대해 복수의 상이한 부하들에서 1차 유닛을 동작시키는 단계, 각 부하 동작 주파수 및 부하 조합에 대해 2차 디바이스의 등가 직렬 저항값을 결정하는 단계, 1차 유닛의 등가 직렬 저항값을 결정하는 단계, 2차 디바이스 와전류 전력 손실을 추정하기 위한 2차 디바이스 와전류 전력 손실 계수를 결정하기 위해 2차 디바이스의 결정된 등가 직렬 저항값들을 곡선 맞춤하는 단계, 및 1차 유닛 와전류 전력 손실을 추정하기 위한 1차 유닛 와전류 전력 손실을 결정하기 위해 1차 유닛의 결정된 등가 직렬 저항값들을 곡선 맞춤하는 단계를 포함한다. 본 실시예에서의 1차 유닛이 시스템에 존재하는 부하에 의존하여 동작 주파수를 조정하기 때문에, 부하 또는 부하의 포지션을 변화시킴으로써, 1차 유닛은 주파수를 변화시킨다는 것은 주목할 만하다. 주파수의 이들 변화는 시스템에서의 전력 손실들에 영향을 미칠 수 있다.상기 실시예는 단일 2차 디바이스와 관련하여 설명되었지만, 동작 또는 교정 동안, 다중의 2차 디바이스들이 해명될 수 있다. 즉, 공식 및 계수들은 시스템에서의 모든 알려진 2차 디바이스들 및 이들 2차 디바이스들과 연관된 손실들을 해명하도록 확장될 수 있다. 각 2차 디바이스들에 대해, 2차 디바이스 전력 손실들 각각은 중복된다.상기 설명은 본 발명의 실시예들의 설명이다. 균등론을 포함하는 특허법의 원칙에 따라 해석되어야 할 첨부한 청구범위에 정의된 바와 같은 본 발명의 사상 및 더 넓은 양태들로부터 벗어나지 않고 다양한 변경들 및 변화들이 이루어질 수 있다. 청구범위의 엘리먼트들을 단수로, 예를 들어, 관사들 "a", "an", "the" 또는 "said"를 사용하여 참조하는 것은 그 엘리먼트를 단수로 제한하는 것으로서 해석되어서는 안 된다. 여기에 개시되고 정의된 본 발명이 본문 및/또는 도면들로부터 언급되거나 명백한 개별 특징들 중 2개 이상의 모든 대안의 조합으로 확장한다는 것을 이해해야 한다. 이들 모든 상이한 조합들은 본 발명의 다양한 대안의 양태들을 구성한다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	본 연구에서는 금융회사의 다양한 정보보호조직 형태 가운데 최적의 정보보호조직 형태 도출을 위해 3가지 평가기준(①공인된 정보보호관리체계, ②금융권 컴플라이언스, ③감독기관의 매뉴얼 및 가이드라인)을 세우고 이 기준에 가장 부합하는 최적의 금융회사 정보보호조직 형태를 모색해 보고자 한다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 금융회사에서 정보보호조직 형태는 기업의 규모, 연혁, 문화에 따라, 심지어는 개인정보 유출 사고여부에 따라 각기 다양한 조직구성의 형태가 존재하고, 실제 운영되고 있다. 어느 기업에서는 정보보호조직이 IT부문 내 위치하여 정보기술최고책임자(CIO)와 정보보호최고책임자(CISO)를 겸임하는 형태가 있는가 하면, 또 다른 기업에서는 정보보호부문이라는 독립된 조직을 두고 정보보호최고책임자(CISO)와 정보기술최고책임자(CIO)를 대등한 관계로 위치시키기도 한다. 이 밖에도 개인정보보호책임자(CPO)와의 관계까지 고려한다면 그 경우의 수 만큼이나 구성할 수 있는 조직의 형태와 구성은 실로 다양하다고 할 수 있다.
	1908년 하계 올림픽 보헤미아 선수단은 영국 런던에서 열린 1908년 하계 올림픽에 참가했습니다. 이 선수단은 남자와 여자를 포함한 총 17명의 선수가 5개 종목과 15개 세부 종목에서 경기에 나왔습니다. 링크는 각 종목별로 제공되었으며, 링크에는 각 선수의 성적과 결과가 표시됩니다. 예를 들어, 레슬링 종목에서는 미로슬라프 슈스테라가 4위를, 그레코로만형 라이트헤비급에서는 야로슬라프 티파가 4위를 차지했습니다. 또한, 야로슬라프 티파는 미들급에서 부전승을 거두었고, 카렐 할리크는 라이트급에서 패배했습니다.	1908년 하계 올림픽에서 보헤미아 선수단은 몇 명이 참가했나요?
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	원형질 막으로의 삽입 직전에 또는 그와 동시에, 각각의 삼량체 서브유닛은 단백질분해적으로 2종의 당단백질 HA1 및 HA2로 절단되며, 이들은 디술피드 결합에 의해 연결된 채로 남아 있다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 본 발명은 티아졸리드를 사용하여 인플루엔자 감염을 치료 및 예방하는 방법 및 생성물에 관한 것이다.모든 연령 집단에 영향을 미치는 고도로 전염성인 급성 호흡기 질병인 인플루엔자는 미국에서 단독으로 해마다 약 36,000건의 사망 및 226,000건을 초과하는 입원을 유발한다. 그의 핵단백질 및 매트릭스 단백질의 항원 차이에 따라 (유형 A, B 및 C로) 분류되는 인플루엔자 바이러스는 외피로 둘러싸인 음성-가닥 RNA 바이러스이고; A 유형이 임상적으로 가장 중요하다. 인플루엔자 A 바이러스의 수많은 아형은 그의 2종의 표면 당단백질인 헤마글루티닌 ("HA") 및 뉴라미니다제 ("NA")에서 차이가 있으며, 이는 보호 면역 반응의 주요 표적이고, 헤마글루티닌 (H 숫자로 표시됨) 및 뉴라미니다제 (N 숫자로 표시됨)의 유형에 따라 라벨링된다. HA 및 NA는 항원 소변이 및 항원 대변이의 결과로서 계속적으로 변한다. 16종의 H 아형 (또는 "혈청형") 및 9종의 N 아형이 알려져 있다.고도로 병원성인 인플루엔자 A 바이러스주, 예컨대 새로운 H1N1 돼지 인플루엔자의 발생은 전지구적 인간 건강에 특히 심각한 위협을 나타낸다. 감시 및 조기 진단에 더하여, 발생하는 인플루엔자 바이러스주를 제어하기 위한 노력은 효과적인 백신 및 신규 항바이러스 약물 둘 다의 개발을 강조하여 왔다.인플루엔자 A 바이러스 헤마글루티닌은 바이러스주에 따라 서브유닛당 3 내지 9개의 N-연결 글리코실화 시퀀(sequon)을 함유하는 삼량체 당단백질이다. HA는 처음에 소포체에서 75-79 kDa 전구체 (HA0)로서 합성 및 코어-글리코실화되고, 이는 비공유적으로 연결된 동종-삼량체로 조립된다. 삼량체는 신속하게 골지 복합체로 수송되고 원형질 막에 도달하며, 여기서 HA 삽입은 새롭게 형성된 바이러스 입자의 조립 및 성숙 과정을 개시한다.
	설문참여자가 생각하기에 정신장애인 당사자가 원하는 삶을 위해 같이 거주하며 생활해야 하는 사람 및 장소는 다음과 같다. 가정에서 함께 가족들과 함께 생활해야 한다. 68명(42.2%), 가정과 가까운 주거시설(그룹홈)에서 전문가(의료전문가, 사회복지사)의 도움을 받으며 생활해야 한다. 59명(36.6%), 독립주거에 서 혼자서 생활해야 한다 17명(10.6%), 가정과 가까운 주거시설(그룹홈)에서 당사자들끼리 도우며 생활해 야 한다 13명(8.1%), 정신요양시설에 입소하여 생활해야 한다 3명(1.9%), 정신병/의원에 입원하여 치료받 으며 생활해야 한다 1명(0.6%)로 나타났다. 이는 가족과 함께 사는 비율과 독립적으로 살아야 한다는 비율이 비슷하게 나타난 것으로 보아 가족이 당사자와 꼭 함께 사는 것이 아니라 당사자의 독립을 원하는 경우가 높은 것을 알 수 있다.	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 정신장애인의 지역사회 거주·치료 실태조사 요약문: 설문에 의하면 정신장애인 당사자가 원하는 삶을 위해서 가족이 당사자과 꼭 함께 사는 것이 아니라 당사자의 독립을 원하는 경우가 높음을 알 수 있다.
	모든 이가 공감하겠지만, 올해 4월16일에 발생한 세월호 침몰사고(이하 세월호 참사)는 우리나라 현대사의 새로운 변곡점이 될 것이다. 세월호 참사는 그간 ‘압축 성장’으로 상징되는 우리사회의 대표적인 비극적 참사로 기억될 것이다. 동시에, 그간 간과해 왔던 인간 생명에 대한 존엄과 삶의 평화로운 유지, 그리고 이에 대한 국가의 의무와 사회적 책임에 대해 진지하게 성찰하는 계기가 될 것이다. 세월호 참사 이후 수많은 생명의 희생을 안타까워하며 특별한 애도를 표한 프란치스코 교황은 “한국인들이 세월호 참사를 계기로 윤리적으로, 영적으로 새롭게 태어나기를 바란다.”고 말했다. 이 말에 필자는 참을 수 없는 전율을 느꼈다. 그것은 우리 내부에 꽁꽁 감춰뒀던, 그래서 상기하기조차 싫은 치부가 그대로 드러난, 굳이 표현하자면 수치스럽고 거북한 그 어떤 느낌과 함께 이제는 더 이상 숨길 수 없는 임계점에 도달한 ‘기막힘’이었다. 그런 기막힘과 떨림은 교황의 방한과 방한 이후에도 계속 내재해 있었다.	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 제5차 청소년정책기본계획 중간평가 및 정책토론회: 청소년활동(Youth Activity) 위기인가? 기회인가? 요약문: 4월 16일 세월호 침몰사고는 우리나라 현대사에서 길이도록 기억될 우리사회의 대표적인 비극적 참사로 기록될 것이다. '압축 성장'으로 짧은 시간 빠른 성장을 이룩했지만 국가의 의무와 사회적 책임에 대해 모두가 성찰을 해야함을 모두가 깨닫는 계기가 되었다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	새로운 해상루트로 ‘북극항로’(북동항로, 북서항로, 북극점 경유 항로, 북극 랜드 브리지 항로)가 대안으로 부상하고 있다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 오랫동안 북극지역은 인류의 접근이 제한적이었지만 탈냉전기 러시아와 미국 등 북극 연안국들 간의 상호 이해관계가 다양하게 성립되면서 주목을 받고 있다. 4차 산업혁명 시대 과학기술의 발달과 급격한 지구 온난화 현상, 북극항로 이용 확대 등으로 인간의 생활공간이 북극지역으로 이동되고 있다. 대부분 북극지역의 석유와 천연가스 매장 지는 대륙붕 지역에 매장된 것으로 추정된다. 특히 주요 자원 매장지로 알려진 곳은 미국과 러시아간 북극해에서 배타적 경제수역(EEZ)이 충돌하는 것은 북극 대륙붕 지역 이다. 이렇게 북극지역의 대륙붕을 중심으로 풍부한 석유 및 천연가스 자원과 수산자원의 이용과 채굴이 활발해지면서 북극연안 국가들뿐만 아니라 비북극권 국가들인 EU와 한중일 등을 중심으로 북극에 대한 관심도 고조되고 있다. 또 지구온난화로 인해 북극 해수면 상승이 빠르게 진행되고 있다. 1980년경 얼음으로 덮인 북극해 해면 면적의 40%에서 수면이 노출됐고 북극해 얼음 체적의 70%가 녹았다. 이러한 변화로 북극권에 대한 접근성이 점차 높아짐에 따라 북극해를 활용하려는 북극 권ㆍ비북극권 국가들의 활동이 증가하고 있다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	현 행 기획재정부의 예산안 편성지침의 경우, 각 프로그램 단위로 세분화되어 편성이 이루어지도록 되어 있으나 여전히 예산항목에 대한 구체적인 활동 프로세스나 원가정 보를 명시하도록 명확하게 규정하지 않고 있어 성과평가의 기준이나 집행의 효율성을 분석하거나 판단하기 어렵다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 우리나라 정부가 2004년 하반기부터 프로그램 예산제도를 도입한 후, 이전의 품목별 예산제도를 벗어나 현재는 정책을 위한 프로그램을 중심으로 예산이 편성되고 재정집 행이 이루어지고 있다. 이러한 변화는 품목에 따른 예산편성체계에서 세부 프로그램별 예산편성체계로 전환됨으로써, 예산의 집행 측면에서 매우 긍정적인 효과가 있는 것으 로 판단된다. 하지만 최근 국제경제의 불안정성과 내수시장의 침체 등 잠재적인 불안 요소들이 내재되어 있어 매년 큰 폭의 경제성장률 상승이나 국민소득의 증대가 이루어 지지 않는다면 정부의 세수확보 역시 안정적인 수준을 장담하기 어려운 현실이다. 이러한 현실에서 연간 350조원 이상의 국가예산이 어떻게 운용되느냐에 따라 국가경제 에 긍정적 영향을 미칠 수도 있고, 갑작스런 재정적자로 인해 국민들에게 엄청난 부담을 안겨줄 수도 있다. 이러한 측면에서 국가재정의 집행에 있어 그 효율성을 분석하고 대안을 모색하는 일 은 매우 중요하고 시급한 과제임에도 불구하고, 재정집행의 효율성에 관한 실무적 분 석이나 이론적 연구는 많이 이루어지지 않고 있는 실정이다. 더군다나 매년 국가재정 에 관한 예산 및 결산자료가 공개되고 있으나 재정집행의 효율성을 다양하게 분석하기 위해서는 모든 예산에 대하여 보다 구체적인 집행내역과 정보가 공개되어야 한다.
	제목: 맞벌이부부 필수품 된 '안마의자'...하루 피로가 싹~ 삶의 질을 높여줄 수 있는 안마의자가 신혼부부들의 필수 혼수용품으로 자리잡은 덕분에 매년 결혼식이 많은 9~11월에는 구매문의가 30% 이상 증가하는 것으로 나타났다.	주어진 문장에 적절한 제목을 생성하고, 내용을 요약해주세요. 문장: [편집자주] 만물이 오색으로 변신하는 계절, 가을이 도래하면서 결혼을 앞둔 예비 신혼부부들의 발걸음도 분주해졌다. 둘만의 아늑한 보금자리를 채워줄 혼수 제품을 결정하는 시기여서다. 국내 대표 가구·가전 브랜드의 추천상품을 소개해본다. 바디프랜드 안마의자 파라오Ⅱ /사진제공=바디프랜드 바디프랜드 / 사진제공=바디프랜드 안마의자의 강자 '바디프랜드'는 웨딩시즌이 반갑다. 안마의자가 신혼부부들의 필수 혼수용품으로 자리잡고 있어서다. 구색 맞추기용 제품보다 삶의 질을 높여줄 수 있는 안마의자가 혼수품으로 제격이라는 최근 신혼부부들의 트랜드가 반영된 결과다. 바디프랜드에 따르면 매년 결혼식이 많은 9~11월 예비부부의 안마의자 렌탈·구매문의가 평소보다 30% 이상 증가한다. 바디프랜드 관계자는 "안마의자에 대한 인식이 내 몸에 필요한 휴식과 건강 관리 제품으로 바뀌고 있다"며 "결혼식이 많은 가을철, 안마의자 렌탈 상담이 늘어나는 추세"라고 설명했다. 최근 국내 결혼 컨설팅 업체가 조사한 혼수품 트렌드 변화 조사에서도 안마의자의 인기를 확인할 수 있다. TV와 냉장고, 세탁기 등 필수 가전을 제외한 '1순위'(21.3%) 희망 혼수품이다. 특히 응답자 중 66.2%는 '렌탈' 방식의 구매를 원했다. 집에 있는 시간이 적은 맞벌이 부부들은 사용 빈도가 떨어지는 과시용 품목보다 귀가 후 휴식에 도움이 되는 제품을 선호하는 소비추세를 반영했다는 설명이다. 바디프랜드 관계자는 "맞벌이 신혼부부들은 구색 맞추기보다 '힐링'과 휴식에 집중할 수 있는 혼수품을 마련하려는 소비성향을 보인다"며 "특히 당장 큰 돈이 들지 않는 렌탈 상품을 선호하는 편"이라고 말했다. 바디프랜드 안마의자는 기본적인 마사지 기능 외에 추가적인 기능들을 갖췄다. '브레인 마사지(Brain massage)' 기능이 대표적이다. 안마의자에 두뇌에 쌓인 피로감을 풀어줄 수 있는 특허 기능을 포함해 수면, 소화를 돕는 기능들을 적용했다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	본 논고는 학습 독자, 그리고 학습 독자를 지도하는 읽기 교육의 교수자들에게 읽기에 대한 새로운 관점을 제공할 수 있다는 점에서 연구의 의의를 지닌다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 본 논고는 텍스트 읽기 과정에서의 독자 자아에 관해 관심을 두고 이를 들뢰즈(Gilles Deleuze, 1925-1995) 철학의 시뮬라크르(simulacre) 개념을 통해 탐구하는 시도이다. 연구 방법 선정에 있어 ‘왜 들뢰즈의 철학인가?’, ‘시뮬라크르가 지니는 의미는 무엇인가?’는 중요한 물음이 아닐 수 없다. 이는 들뢰즈 철학이 ‘차이 생성’의 원리를 기반하고 있는바, 텍스트 읽기를 통해 변화하는 독자 자아를 탐구하는 데 용이하다고 판단되었기 때문이다. 본 논고의 목표는 텍스트 읽기를 통해 변화하는 독자 자아에 대한 새로운 이해와 더불어 읽기 교육이 나아가야 할 방향을 찾는 데 있다. 읽기 교육은 독자가 동일성의 의미를 반복 구성하도록 강화하여 왔다. 독자는 텍스트를 읽고 상동적(相同的) 의미나 동화적(同化的) 의미를 반복하게 되는데 이러한 동일성의 의미를 반복하는 읽기에서는 새로운 의미를 구성하기 어렵다. 독자가 자신의 존재적 의미를 깨닫기 위해서는 읽기 과정에서 차이나는 의미 구성이 필요하다. 텍스트 이해 과정에서 자신의 의식 내용이 변화할 때 독자는 자기 자신을 새롭게 인식하고 자아 이해를 꾀할 수 있다. 하지만 독자는 자신이 배운 방식을 정당한 것으로 생각하기 때문에 이를 벗어나기 쉽지 않다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	복수의 구동 소자 각각의 특성 불균일은, 코일(유닛) 간의 제조 불균일과 같이, 후치 필터에 의한 미스매치 쉐이핑법에 의해 제거하는 것이 가능하지만, 0과 ＋1과 -1의 3치 신호를 구동하는 구동 소자의 천이 방향에 의존한 불균일에 기인하는 노이즈는 제거 할 수 없다고 하는 문제가 있었다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 디지털 신호를 아날로그 음성으로 직접 변환하는 디지털 아날로그 변환 장치로서 WO2007/135928A1가 제안되고 있다. 이하, WO2007/135928A1에 제안되고 있는 것과 같은, 디지털 음성 신호를 입력해 복수의 디지털 신호를 출력하는 회로와, 상기 복수의 디지털 신호에 의해 구동되는 복수의 코일(유닛)을 이용해 디지털 신호를 아날로그 음성으로 직접 변환하는 시스템을, 디지털 음향 시스템이라고 부른다.이러한 디지털 음향 시스템은, 아날로그 전기신호로 스피커를 구동했던 아날로그 음향 시스템에 비해, 시스템의 소비 전력이 낮다는 특징이 있다는 것에 더해, 복수의 스피커 또는 복수의 구동 유닛(코일 등)을 사용하므로, 종래의 하나의 스피커 또는 단일의 구동 유닛을 사용한 아날로그 음향 시스템에 비해 저전압에서 큰 음압을 출력하는 것이 가능하다.WO2007/135928A1에 제안되고 있는 디지털 음향 시스템은, △Σ변조기와 미스매치 쉐이핑(mismatch-shaping) 필터 회로에 의해 복수의 디지털 신호를 출력하는 회로와, 상기 복수의 디지털 신호에 의해 구동되는 복수의 코일(유닛)을 구동 함으로써 아날로그 음성을 직접 변환하는 디지털 스피커 장치로 구성되어 있다.도 1에 △Σ변조기와 후치 필터 회로에 의해 복수의 디지털 신호를 출력하는 회로와 복수의 스피커 구동 소자로 이루어지는 디지털 스피커 장치의 시스템 형태의 종래 예를 나타낸다. 1bit의 디지털 입력 신호(101)는 △Σ변조기(102)에 입력되어, △Σ변조기(102)에서 n bits의 복수의 디지털 신호(103)로 변환한다. n bits의 복수의 디지털 신호는 포매터(formatter) 회로(104)에서 m bits의 온도계 코드(105)로 변환된 후에 후치 필터(106)에서 미스매치 쉐이핑된 k개의 디지털 신호(107)로 변환된다. s개의 스피커 구동 회로(108)는, 상기의 디지털 선택 신호에 따라 0과 ＋1과 -1의 3치로 제어되는 것을 특징으로 하고 있다.일본 특개 2010-028783호 공보에는, 구동 소자를 디지털 선택 신호에 따라 0과 ＋1과 -1의 3치로 구동하는 구동 회로의 종래 예가 나타나고 있다.WO2007/135928A1에 제안되고 있는 디지털 음향 시스템에서는, 상기 후치 필터는 복수의 코일(유닛)을 구동할 때에 문제가 되는 복수의 코일(유닛) 간의 제조 불균일에 기인하는 노이즈를 미스매치 쉐이핑법에 의해 제거하고 있다.이상과 같이, 디지털 음향 시스템에서는 디지털 선택 신호에 따라 0과 ＋1과 -1의 3치로 구동 소자를 구동하는 것이 요구된다.
	제1문은 내심의 자유에 대한 포괄적인 규정이다. 사상, 양심, 종교라고 열거되어 있지만 전체로서 정신의 근원적인 내적 자유를 보장한 것이라고 해석된다. 다만, 문제가 되는 것은 ‘사상․양심’이나 ‘신념’에 정치상의 견해나 의견이 포함되는가라는 점이다. 본조의 해석에 있어서는 정치적 의견도 당연히 포함되어 있다고 해석된다. 내심의 자유의 보장이 연혁적으로는 종교와 신앙의 자유로부터 출발했다고 해도 정치적 의견 등을 배제할 합리적 이유는 없기 때문이다. 제2문 전단은 각자의 선택에 의해 종교 또는 신념을 변경하기도 하고, 유지하는 자유에 대해 규정하고 있다. 그 유지․변경의 자유에는 ‘개종의 자유’나 ‘무종교의 자유’ 등도 당연히 포함되어 있다고 해석된다. 제2문 후단은 종교나 신념을 외부에 표명하는 자유에 대해 그 수단과 방법을 예시하면서 상세하게 규정하고 있다. 모든 종교적 행위의 자유가 본조에 의해 보장되고 있다고 생각해도 좋다. 이를테면, 교회 목사의 목회활동이나 병역의무에 대하여 신앙상의 이유에 기한 양심적 병역거부, 종교적인 결사의 자유나 포교의 자유 등도 당연히 포함된다. 해석상 문제가 되는 것은 ‘공적 또는 사적으로’라는 표현 가운데 ‘공적으로’의 취지이다. 영어 원문은 ‘in public’으로 표현하고 있는데, 이는 ‘공연하게’ 또는 ‘공중의 면전에서’라는 의미로 이해된다. ‘공적으로’라는 번역에는 공공적으로 종교적 행위를 할 자유까지 보장하고 있다고 해석할 여지가 있다.	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 아시아지역의 인권 제고 방안에 관한 연구 요약문: 제1문은 정신적인 내적 자유를 보장한 것으로 해석할 수 있는데, 여기에는 정치적 의견도 포함되어 있다고 보인다. 제2문은 각자의 선택으로 종교나 신념을 변경, 유지하는 자유에 대해 규정하고 있으며 개종이나 무종교의 자유 등도 포함된 것으로 해석된다. '공적으로'라는 표현은 공공적으로 종교적 행위를 할 자유까지 보장하고 있다고 볼 여지가 있다.
	지난 2002년 GATS 회원국들은 주요 교역상대국과 구체적인 개방약속을 요청 하는 1차 양허요청서(initial request)를 교환한 바 있다. 한국은 보건의료 서비스 부문에서 중국, 호주, 폴란드, 파키스탄, 홍콩, 태국 등으로부터 양허요청서를 접 수하였으며, 호주, 중국, 일본, 뉴질랜드, EC(영국, 덴마크, 스웨덴), 캐나다, 미국, 노르웨이 등에 양허요청서를 제출하였다. 특히 중국은 한방을 포함한 의사, 치과의 사 서비스의 양허를 요청하였으며, Mode 4에 대해서는 중국 자격증을 보유한 의 사 및 치과의사의 2년간 개업 허용을 요 구하는 양허안을 한국에 요청하였다. 더욱이 한방에 대해서는 교육 분야에서의 양허도 병행 요청한 상황이다. 하지만 2003년 6월까지 제출된 25개 회원국의 2 차 양허안을 살펴보면, 보건의료 서비스 분야를 추가로 양허한 국가는 홍콩이 유일한 것으로 나타났으며, 한국을 비롯한 일본, 캐나다, 아이슬란드, 이스라엘 등의 국가는 해당분야에 대한 양허여부를 포 함시키지 않았다.	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 통상법률 (통권 제110호) 요약문: GATS 회원국들은 1차 양허요청서를 교환한 바 있다. 한국은 보건의료 서비스 부문에서 타국으로부터 양허요청서를 접수하고 또 제출했다. 특히 중국은 한방을 포함한 양허를 요청했다. 그러나 여러 국가가 해당 분야에 대한 양허를 포함하지 않았다.
	모바일 시장의 성장세가 꺾인 가운데 세계이동통신사업자협회(GSMA)의 매츠 그랜리드 사무총장은 모바일이 4차 산업혁명을 주도하기 위해 필요한 요소로 '네트워크'의 증가와 AI를 꼽았으며 MWC는 한계에 다다른 스마트폰 시장이 AI의 한계를 돌파할 것으로 보인다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: ㆍ'모바일 월드 콩그레스(MWC) 2017' 결산… 네이버·SK텔레콤 AI 신기술 선보여 "우리의 산업에 큰 골칫거리가 생겼다." 손 마사요시(한국명 손정의) 소프트뱅크 회장은 2월 27일(현지시간) 스페인 바르셀로나에서 열린 '모바일 월드 콩그레스(MWC) 2017' 개막 기조연설을 우울한 분석으로 시작했다. 아이폰을 내놓으며 모바일 시장의 혁신을 촉발한 애플마저 지난해 성장세가 꺾였다. 하지만 모바일 산업의 정체와는 별개로 트래픽은 꾸준히 증가하고 있다. 산업계로서는 머리가 아플 수밖에 없다. 손 회장의 돌파구는 '싱귤래리티'다. 싱귤래리티는 산업이 질적으로 한 단계 도약하는 특이점으로, 컴퓨터의 지능이 인간의 지능을 넘어서는 기점을 말한다. 검은색 폴라티를 입고 무대에 오른 손 회장은 "30년 안에 신발 속 IoT(사물인터넷) 칩이 인간보다 더 똑똑해지는 날이 올 것"이라며 "2040년 IoT 칩의 수요는 1조개에 달할 것"이라고 전망했다. 손 회장뿐 아니라 개막 당일 기조연설에 참여한 정보통신기술(ICT)업계 주요 인사들은 모두 '인텔리전스'를 강조했다. MWC를 주관하는 세계이동통신사업자협회(GSMA)의 매츠 그랜리드 사무총장은 모바일이 4차 산업혁명을 주도하기 위해 필요한 요소로 언제 어디서나 접속할 수 있는 '네트워크'의 증가와 기계의 '지능' 향상을 꼽았다. 호세 마리아 알바레즈 파예테 텔레포니카 회장도 인지능력을 갖춘 기계가 정보를 지식으로 변환해 줌으로써 고객 가치를 극대화할 수 있다고 강조했다. 한국인으로는 유일하게 개막 기조연설에 참여한 황창규 KT 회장 역시 "인텔리전트 네트워크는 4차 산업혁명을 주도할 것"이라고 말했다. 이들의 말처럼 올해 MWC는 한계에 다다른 스마트폰 시장의 일면과 그 돌파구로 기능할 AI의 가능성을 보여줬다. 인공지능 어디까지 왔나 올해 MWC에는 2200여개 기업과 1만여명의 관람객이 찾았다. 다양한 전시기업 중 앞선 AI 기반 서비스로 눈길을 끈 것은 단연 IBM이다. IBM은 MWC가 열린 피라 그란비아의 메인 전시회장인 3관에 자리한 부스의 인테리어를 자사의 AI 왓슨에게 맡겼다. 딥러닝이 가능한 왓슨의 인지능력은 업계 최고 수준으로 평가된다. 스페인 바르셀로나에서 열리는 MWC의 특성에 맞게 IBM은 왓슨에게 '안토니오 가우디'를 가르쳤다. 바르셀로나가 자랑하는 건축가 가우디는 독특한 장식과 색채로 '사그라다 파밀리아 성당', '구엘공원' 같은 독보적인 건축물을 남겼다. 왓슨은 가우디 건축물 및 바르셀로나 전반의 이미지와 관련 글 등 수백 건을 학습했다. IBM은 독특한 모양과 색깔, 재질을 사용한 건축물 관련 자료가 있으면 빠짐없이 포함시켰다. 왓슨은 구조화되지 않은 수백 장의 이미지에서 의미를 찾아내 조형물을 만들었고, IBM은 이 조형물로 부스의 천장을 디자인했다. IBM은 전시장의 대부분을 왓슨을 소개하는 데 할애했다. 회장 한편의 유리관 안에는 가슴 부위가 깊게 파인 순백의 드레스가 전시됐다. 이 드레스는 패션 브랜드 '마르체사'가 왓슨과 협력해 제작한 드레스다. 마르체사 디자이너들이 드레스 디자인에 불어넣고 싶은 감정을 결정하면 왓슨은 그에 맞는 색깔과 옷감, 재단 방식 등을 추천했다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	지적재산권의 변화와 그 보호에 대한 관심과 노력이 점차 확대되고 있는데 지적재산권의 무역관련측면(TRIPS: Trade-Related Aspects of Intellectual Property Rights)에 대한 국제무역기구 (WTO: World Trade Organization) 협정하에서는 WTO 가입국들이 자국의 지적재산권 법규를 개정 강화할 것을 협약하여 지적재산권 보호의 새로운 세계 통상라운드를 예고하고 있다(장병윤, 2002).	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 최근 글로벌 통상환경하에서 지적재산권이 차지하는 비중과 중요성이 급속하게 증가하고 있기 때문에 선진국을 중심으로 자국의 지적재산권을 보호하기 위한 움직임이 강화되고 있다. 무엇보다도 지적재산권은 정보기술의 발전과 인터넷 사용 확산에 따라 더욱 그 범위가 확대되고 있으며 전자상거래시장에서 차지하는 가치와 중요성이 더욱 커지고 있다. 요컨대 지적재산권은 무체물이면 시간과 공간의 흐름에 따라 기술의 급진적 발전으로 말미암아 빠르게 대체되고 인터넷을 통한 전자거래가 활성화되고 상표권, 저작권, 특허권 등의 침해와 명예훼손 내지 모욕 해킹 스팸메일 확산 바이러스 유포 정보유출 등으로 이른바 지적재산권 불법행위로 인한 분쟁이 빈번하게 발생하기 때문에 유체물과는 다른 특성을 지녔다. 그러므로 이에 대한 전자 상거래시장이 발달하지 못하고 객관적인 지적재산권 가치 평가도 어렵고 관련 법제도의 미비점 등으로 인하여 전자 거래 즉 전자상거래시장에서 지적재산권 분쟁이 갈수록 증가되고 있는 것이 현실이다.
	부산지역에 입주한지 2년 이상, 여성인력을 30% 이상 고용한 기업 중에서 남녀에게 평등한 기회와 대우를 보장하고 고용 현장에서 남녀 차별적 제도나 관행개선에 솔선수범한 기업에게 주는 남녀고용평등 모범기업상에 채용단계별 성차별적 요인을 해소하여 매년 신규채용 인원의 40% 수준을 여성인력으로 채용하고 있으며, 모성보호 제도와 시간선택제 및 유연근무 활성화 등 다양한 가족친화 제도를 모범적으로 운영한 캠코가 4일 오후 2시 부산광역시청 대강당에서 열린 '2019년 양성평등주간'시상식에서 부산광역시장으로부터 뽑혔다고 밝혔다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 차별없는 채용을 통한 금융공기업 최고 수준의 여성인력 채용 성과 및 여성임원의 지속적 선임 등 조직 내 유리천장 해소 노력 인정받아 캠코(한국자산관리공사, 사장 문창용)는 4일 오후 2시 부산광역시청 대강당에서 열린 '2019년 양성평등주간'시상식에서 여성이 능력껏 일할 수 있는 고용환경을 조성하고 남녀고용 평등의식을 확산한 노력을 인정받아 오거돈 부산광역시장으로부터 '남녀고용평등 모범기업상'을 수상했다고 밝혔다. 남녀고용평등 모범기업은 부산지역에 입주한지 2년 이상, 여성인력을 30% 이상 고용한 기업 중에서 남녀에게 평등한 기회와 대우를 보장하고 고용 현장에서 남녀 차별적 제도나 관행개선에 솔선수범한 기업이 선정되며 모범기업으로 선정되면 남녀고용 모범기업 표창패와 인증현판(인증기간 3년)을 수여받는다. 캠코는 블라인드 채용 및 AI 면접 도입 등 채용단계별 성차별적 요인을 해소하여 매년 신규채용 인원의 40% 수준을 여성인력으로 채용하고 있으며, 임신기간 중 근로시간 단축 및 임신기 육아휴직 허용 등 모성보호 제도와 시간선택제 및 유연근무 활성화 등 다양한 가족친화 제도를 모범적으로 운영한 공로를 인정받았다. 특히 캠코는 2012년 이후 여성임원을 지속적으로 선임하여 현재 금융위원회 산하 금융공기업 중 유일하게 여성 상임임원이 재임하고 있으며 △HR승진지수 여성 가점 부여 △육아휴직 기간 승진포인트 부여 △승진심사대상 여성할당제 적용 등 여성관리자 확대를 통한 공공부문 여성대표성 제고를 위해 노력한 점에서 높은 평가를 받았다. 문창용 캠코 사장은 "금번 남녀고용평등 모범기업 수상은 차별없는 채용 및 여성 경력단절 방지를 위한 일ㆍ가정 양립 제도 지원과 함께 지속적인 여성관리자 확대 노력을 인정받은 것"이라며 "캠코는 앞으로도 남녀 모두가 행복한 조직문화를 조성하기 위해 양성 고용평등 문화를 확산함으로써 사회적 가치 구현을 선도해 나가겠다"고 밝혔다. 디지털본부 news@busan.com
	검찰은 15일 증거가 불충분해 무고, 명예훼손 혐의로 고소당한 양예원씨에게 불기소 처분을 내렸으나, 양씨가 A씨에게 알바 일정을 잡아주라는 등 지속적으로 촬영을 요구한 것으로 알려졌다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: [서울경제] 비공개 촬영회에서 성추행을 당했다고 주장했다가 무고 혐의로 고소당한 유튜버 양예원 씨에 대해 혐의가 없다고 경찰은 판단했다. 오늘 15일 양씨 변호인과 검찰 등에 따르면 서울서부지검 여성아동범죄조사부(오정희 부장검사)는 무고·명예훼손 혐의로 고소당한 양씨에게 불기소 처분을 내린다고 밝혔다. 또한, 검찰은 불기소 이유서에서 "피의자가 명백한 허위사실로 고소인을 무고했거나, 허위사실을 유포했다고 단정하기 어렵다"며 "달리 피의사실을 인정할 만한 뚜렷한 증거가 부족하다. 증거가 불충분해 혐의 없다"고 이야기했다. 유튜버 양예원은 지난해 5월 모델로 일하던 도중 성추행과 협박을 당하고 신체 노출 사진이 유포됐다고 폭로했다. 또한, 양씨의 사진이 촬영된 스튜디오의 실장인 A씨를 강제 추행 혐의 등으로 고소했으며 A씨는 양씨와 주고받은 메신저 대화 내용과 계약서 등을 근거로 추행이나 촬영 강요는 없었다며 양씨를 무고 혐의로 맞고소했다 한편, '양예원 사건 실장 여동생'이라고 밝힌 그는 "오늘 (양예원이) 악플러 고소한다는 기사를 접하고 화가 나서 글을 쓴다"며 "본인이 주고받은 카톡에 대한 해명조차 하지 않으면서 그걸 비판한다고 고소를 하겠다고 하는데 거짓이 진실을 가릴 수 있을까?"라고 주장했다. 이어 실장은 죽기 전 개인적으로 사설 업체에서 휴대폰을 복구해 양예원과 채팅한 카카오톡을 언론에 공개했다. 카톡 대화에 따르면, 양예원은 지속적으로 실장에게 "알바하고 싶은데 일정 좀 잡아주시겠어요?", "이틀 일정 잡아주세요" 등 촬영을 요구한 것으로 알려졌다.
	김종인 새누리당 행복추진위원장이 부가가치세를 올리는 등 세금을 더 걷어 복지 수요를 충당하고자 한다는 주장을 했으나 증세를 받아들인다면 국민의 동의와 사회적인 합의가 기본이 된 상태에서 진행해야 할것이며 세부적인 증세에 대해서도 새누리당은 부가세 인상이 공식적인 입장인지 밝혀 입장을 명확히 해야 할 것이다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 김종인 새누리당 행복추진위원장이 부가가치세를 2%포인트 올리고 연간 30조원쯤 세금을 더 걷어 복지 수요를 충당했으면 한다는 주장을 했다. 현행 조세부담률은 19.3%로 이를 역대 최고치인 21% 수준으로 하면 30조원 정도를 더 거둘 수 있다는 것이다. 김 위원장의 발언을 보면 그냥 해본 소리가 아니라 상당히 정교하게 계산했다는 생각이 든다. 기재부는 여야가 총선 공약으로 낸 복지 재원이 5년간 220조~340조원에 달하며 그대로 집행했다가는 나라살림이 거덜날 것이라 했다. 현재 여야 대선주자들이 반값등록금, 무상 보육, 노인수당 증액 등을 일제히 약속하고 있어 어차피 재정소요는 크게 늘어날 수밖에 없는 상황이다. 증세(增稅)를 하기보다는 조세부담률이 18.3%밖에 안되는 미국처럼 작은 정부를 지향해 저부담-저복지를 하라고 다그치는 국민도 많을 것이다. 그러나 노인자살률이 세계 1위고, 출산율이 1.24명으로 미국의 2.10명에 비해 크게 모자란 현실적 한계를 감안하면 한국 실정엔 중부담-중복지 정도가 알맞을지 모른다. 그렇다면 현재의 조세부담률이 OECD 평균치인 24.6%에 비해 크게 낮아 담세율 인상은 복지를 늘려야 하는 한 불가피한 선택이라 할 수 있다. 증세를 용인해야 한다면 어느 세금을 올릴 것인가. 금융위기 이후 유럽의 프랑스 스페인 영국 등은 일제히 부자들에 대한 소득세를 올리는 이른바 '부자 증세'가 대세였다. 현재 문재인 민주통합당 후보, 안철수 무소속 후보도 고소득자에 대한 세율 인상과 기준소득을 현행 3억원에서 1억5000만원으로 낮추자는 쪽이다. 이 방법으로 연간 1조2000억원 정도를 더 거두겠다는 것이다. 새누리당의 공식 입장은 각종 조세감면 혜택을 줄여 27조원을 더 거두는 걸로 돼 있다. 한편 조세연구원은 만약 증세가 필요할 경우 세율조정으로 연간 10조원 정도를 더 거둘 수 있는 세목을 택하라고 권한다. 이 경우 내년 기준 세수 59조원이 예상되는 부가세를 2%포인트 올리면 12조원, 그밖에 조세감면 축소, 부자 증세 등의 조합을 하는 게 유력한 방안이 될 것 같다. 그러나 이 모든 방안은 국민의 동의와 사회적 합의가 밑바탕이 돼야 한다. 조세원칙 제1조는 '공평과세'다. 새누리당은 부가세 인상이 공식 입장인지 밝혀 혼선을 줄이기 바란다.
	한쪽의 표면에 나노 스케일의 요철 구조(11)가 형성된 커버 필름(10)과, 요철 구조(11)의 오목부 내부에 형성된 제2 마스크층(12)과, 요철 구조(11) 및 제2 마스크층(12)을 덮도록 형성된 제1 마스크층(13)을 구비하는 미세 패턴 형성용 필름(II)을 사용하여, 피처리체(20) 상에 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)을 전사 부여한다. 여기서, 미세 패턴 형성용 필름(II)을, 제1 마스크층(13)이 형성된 표면을 피처리체(20)의 표면을 향하게 하여 압박하고, 제1 마스크층(13)에 에너지선을 조사하고, 계속해서, 커버 필름(10)을, 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)으로부터 분리한다. 여기서, 압박과 에너지선 조사는 각각 독립적으로 행한다. 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)을 이용하여 피처리체를 에칭한다.	주어진 문장을 읽고 간략하게 요약해주세요. 문장: [ 발명의 명칭 ] 전사 방법 및 열 나노임프린트 장치TRANSFER METHOD AND THERMAL NANOIMPRINT DEVICE [ 기술분야 ] 본 발명은 전사 방법 및 열 나노임프린트 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 종래, LSI 제조에서의 요철 구조 가공 기술로서, 포토리소그래피 기술이 많이 이용되어 왔다. 그러나, 포토리소그래피 기술에서는, 노광에 이용하는 광의 파장보다 작은 사이즈의 요철 구조로 하는 가공이 곤란하다는 문제가 있다. 또한, 다른 요철 구조 가공 기술로는, 전자선 묘화 장치에 의한 마스크 요철 구조 묘화 기술(EB법)이 있다. 그러나, EB법에서는, 전자선에 의해 직접 마스크 요철 구조를 묘화하기 때문에, 묘화 요철 구조가 많을수록 묘화 시간이 증가하고, 요철 구조 형성까지의 스루풋이 대폭 저하된다는 문제가 있다. 또한, 포토리소그래피용 노광 장치에서의 마스크 위치의 고정밀도 제어나, EB법용 노광 장치에서의 전자선 묘화 장치의 대형화 등에 의해, 이들 방법에서는, 장치 비용이 높아진다는 문제도 있었다.이들 문제점을 해소할 수 있는 요철 구조 가공 기술로서, 나노임프린트 기술이 제안되어 있다. 그 중에서도, 전사 정밀도 및 용이성의 관점에서, 광 나노임프린트법이 주목을 끌고 있다. 광 나노임프린트법에 있어서는, 나노 스케일의 요철 구조가 형성된 몰드를, 피전사 기판의 표면에 형성된 액상의 레지스트층에 압박함으로써, 몰드에 형성된 요철 구조를, 피전사 기판의 표면에 전사 형성한다.특히, 전사 정밀도의 관점에서, 몰드로서 시트형의 것을 사용하고, 평판형의 피처리체 상에 요철 구조를 전사하는 것이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).그러나, 특허문헌 1에 기재되어 있는 방법에 있어서는, (1) 액상의 레지스트층을 통해, 시트형 몰드의 요철 구조가 형성된 일주면(一主面)(이하, 요철 구조면이라고 함)에 대하여, 피처리체를, 피처리체의 일주면과 시트형 몰드의 요철 구조면을 평행 혹은 실질적으로 평행한 상태로 하여 면으로서 압박한다. 이 때문에, 기포의 혼입을 억제하는 것이나, 압박시의 압력 분포를 작게 억제하는 것이 곤란하다. 기포를 혼입함으로써 요철 구조의 전사 정밀도가 저하되고, 압력 분포가 큰 것에 의해 액상의 레지스트층의 막두께 불균일이 커진다. 압력 분포를 작게 하고자 하면 할수록, 열 나노임프린트 장치가 과대해진다. 특히, 전사에 사용하는 요철 구조의 면적이 커지면 커질수록, 압력의 균등화는 곤란해지고, 대면적화가 곤란해진다.(2) 한편, 열 나노임프린트 장치에는, 전사 후에 피성형품과 형을 분리하는 피성형품 이형 장치가 부대되어 있다. 피성형품 이형 장치에 있어서는, 시트형 몰드의 요철 구조면과 레지스트층/피처리체로 구성되는 적층체를, 피처리체의 일주면과 시트형 몰드의 요철 구조면을 평행 혹은 실질적으로 평행한 상태로 하여 면으로서 박리한다. 이 때문에, 요철 구조가 전사 형성된 레지스트층의 요철 구조에 가해지는 응력이 커져, 요철 구조의 파괴나 제1 마스크층의 피처리체로부터의 박리를 초래하고, 그 결과, 전사 정밀도가 저하된다.(3) 또한, 시트형의 몰드를 롤업한 원반으로부터 시트형의 몰드를 풀어내는 부위와, 전사 후의 시트형의 몰드를 권취하는 부위 사이에, 전사 후에 피성형품과 형을 분리하는 피성형품 이형 장치가 부대된 열 나노임프린트 장치가 설치되어 있다. 따라서, 전사 후에 몰드와 피성형품을 분리하는 공정을 거치지 않는 한, 다음의 전사를 행할 수 없기 때문에, 연속 생산을 행할 수 없고, 전사 효율이 저하된다는 문제점이 있다.이상과 같이, 광 나노임프린트법에 있어서는, 액상의 레지스트층을 사용하기 때문에, 복잡하며 또한 과대한 장치를 사용한다는 과제가 있었다.이들 문제를 해결하기 위해, 액상의 레지스트층을 사용하지 않는 열 나노임프린트법이 제안되어 있다. 열 나노임프린트법은, 전사 대상에 대하여 몰드의 요철 구조를 압박하는 공정과, 전사 대상을 냉각시키는 공정과, 전사 대상으로부터 몰드를 이형하는 공정을 반드시 포함한다. 이러한 열 나노임프린트법에 있어서는, 전사 대상의 유리 전이 온도(Tg) 혹은 융점(Tm) 이상의 온도에서, 몰드의 요철 구조를 전사 대상에 압박할 필요가 있다. 즉, 전사 대상에 대하여 균등하게 열을 가하고, 균등하게 유동화시키고, 균등하게 몰드를 압박할 필요가 있다. 이 관점에서, 일반적으로 압박 기구로서 면압 가압 기구가 채용된다. 이 때문에, 압박시의 가압력을 증대시키기 위해, 과대한 가압부를 갖는 문제가 있다. 또, 외기의 혼입을 억제하기 위해, 몰드와 전사 대상의 평행도를 정밀하게 제어하는 기구도 필요해진다. 이 때문에, 장치의 제어 기구가 과대하며, 또한, 복잡해지기 쉽다. 또한, 압박시에 높은 온도가 필요한 점에서, 과대한 냉각 기구를 필요로 하기 때문에, 마찬가지로 장치의 제어 기구가 복잡해지는 문제가 있다.특허문헌 2에는, 열 나노임프린트법이 개시되어 있다. 특허문헌 2에는, 몰드의 요철 구조를 전사 대상(열가소성 수지)에 전사하는 열 나노임프린트 방법이 개시되어 있다. 이 방법에 있어서는, 열가소성 수지의 체적과 몰드의 요철 구조의 체적이 소정의 관계를 만족함과 동시에, 몰드 및 열가소성 수지를 가열한 상태에서 몰드를 열가소성 수지에 압박하고, 압박한 상태에서 냉각시킨 후에, 몰드를 박리한다. 그러나, 이러한 구성이라도, 상기 설명한 바와 같이, 열가소성 수지의 유동성을 균등하게 발생시키기 위해 균등한 가열과 균등한 압박이 필요한 점에서, 면압 가압 압박 기구를 채용하고 있다. 이 때문에, 압박시의 가압력을 증대시키기 위해, 과대한 가압부를 갖는 것은 상상하기 어렵지 않다. 마찬가지로, 면압 가압 기구가 필요한 점에서, 압박시의 외기의 혼입을 억제하기 위해, 몰드와 열가소성 수지의 평행도를 정밀하게 제어하는 기구도 필요해지는 것도 용이하게 유추할 수 있다. 또한, 면압 가압 기구에 있어서 몰드의 요철 구조를 열가소성 수지에 압박한다. 이 관점에서, 적어도 가열 온도는 열가소성 수지의 유리 전이 온도 이상일 필요가 있어, 고온이 된다. 즉, 압박시에 높은 온도가 필요한 점에서, 과대한 냉각 기구를 필요로 하기 때문에, 마찬가지로 장치의 제어 기구가 복잡해지는 문제가 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2011-020272호 공보특허문헌 2 : 일본 특허 제4943876호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 이상 설명한 바와 같이, 종래의 열 나노임프린트법에 있어서는, 일반적으로, 압박 공정에서 면압 가압 기구를 채용함과 동시에, 전사 정밀도를 향상시키기 위해, 몰드와 전사 대상의 평행도를 조정하는 기구가 필요해진다는 점에서, 장치가 복잡하며 또한 과대해진다. 또, 고온의 가열 기구가 필요하고, 이에 따라 과대한 냉각 기구가 필요해진다는 문제점이 있다.이러한 문제점을 해결하기 위해, 낮은 압력 또한 낮은 온도에서 열 나노임프린트가 가능한 열 나노임프린트 장치가 필요하다.본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 열 나노임프린트법을 이용하여, 과대한 설비를 필요로 하지 않는 낮은 압력 또한 낮은 온도에서 고정밀도로 요철 구조의 전사가 가능한 전사 방법 및 열 나노임프린트 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명에 관련된 전사 방법은, 한쪽의 표면에 나노 스케일의 요철 구조가 형성된 커버 필름과, 상기 요철 구조의 오목부 내부에 형성된 제2 마스크층과, 상기 요철 구조 및 상기 제2 마스크층을 덮도록 형성된 제1 마스크층을 구비하는 미세 패턴 형성용 필름을 사용하여, 피처리체 상에 상기 제1 마스크층 및 상기 제2 마스크층을 전사 부여하는 전사 방법으로서, 상기 전사 방법은, 상기 미세 패턴 형성용 필름을, 상기 제1 마스크층이 형성된 표면을 상기 피처리체의 표면을 향하게 하여 압박하는 압박 공정, 상기 제1 마스크층에 에너지선을 조사하는 에너지선 조사 공정, 및 상기 커버 필름을, 상기 제2 마스크층 및 상기 제1 마스크층으로부터 제거하는 이형 공정을 적어도 이 순서로 포함함과 동시에, 상기 압박 공정과, 상기 에너지선 조사 공정은 각각 독립적으로 행하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 관련된 열 나노임프린트 장치는, 상기 어느 하나에 기재된 전사 방법에 의해, 상기 피처리체 상에 상기 제1 마스크층 및 상기 제2 마스크층을 전사하기 위한 열 나노임프린트 장치로서, 상기 압박 공정을 실시하기 위한 압박부와, 상기 에너지선 조사 공정을 실시하기 위한 에너지선 조사부와, 상기 이형 공정을 실시하기 위한 이형부를 구비하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 관련된 열 나노임프린트 장치는, 상기 어느 하나에 기재된 전사 방법에 의해, 상기 피처리체 상에 상기 제1 마스크층 및 상기 제2 마스크층을 전사하기 위한 열 나노임프린트 장치로서, 상기 제1 마스크층이 형성된 표면을, 상기 피처리체의 한쪽의 표면에 대향시킨 상태에서 상기 미세 패턴 형성용 필름 및 상기 피처리체를 접합하는 접합부를 구비하고, 상기 접합부는, 상기 미세 패턴 형성용 필름 또는 상기 피처리체에 대하여 실질적으로 선으로서 접촉하는 회전체를 구비한, 상기 미세 패턴 형성용 필름 또는 상기 피처리체에 대하여 실질적으로 선으로서 압박력을 가하는 압박부를 구비하고, 상기 회전체는, 적어도 그 표층이, 유리 전이 온도가 100℃ 이하인 탄성체로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.본 발명에 관련된 적층체는, 피처리체와, 상기 피처리체의 표면의 적어도 일부에, 상기 표면의 적어도 외연부의 일부에 노출부를 남기고 형성된 미세 마스크 패턴을 구비하는 적층체로서, 상기 미세 마스크 패턴은, 상기 피처리체 상에 미세요철 구조로서 형성된 제1 마스크층과, 상기 제1 마스크층의 적어도 볼록부의 정상부 상에 형성된 제2 마스크층을 구비하는 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면, 열 나노임프린트법을 이용하여, 과대한 설비를 필요로 하지 않는 낮은 압력 또한 낮은 온도에서 고정밀도로 요철 구조의 전사가 가능한 전사 방법 및 열 나노임프린트 장치를 제공할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름을 도시한 단면 모식도이다.도 2는, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름을 사용하여, 피처리체에 대하여 미세 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.도 3은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름을 사용하여, 피처리체에 대하여 미세 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.도 4는, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름을 사용하여, 피처리체에 대하여 미세 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.도 5는, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름을 사용하여, 피처리체에 대하여 미세 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.도 6은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름에 탄성체를 형성한 예를 도시한 모식 단면도이다.도 7은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체의 접합에 관한 단면 모식도이다.도 8은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체 상에 전사된 제1 마스크층과의 이형에 관한 단면 모식도이다.도 9는, 본 실시형태에 관련된 회전체의 일례를 도시한 단면 모식도이다.도 10은, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 압박부를 도시한 설명도이다.도 11은, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 관련된 접합부가 구비하는 압박부를 도시한 사시 모식도이다.도 12는, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 압박부를 도시한 측면 모식도이다.도 13은, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 있어서 압박 가열부를 부대한 회전체를 도시한 단면 모식도이다.도 14는, 제1 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치를 도시한 모식도이다.도 15는, 제1 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 박리부에 의한 미세 패턴 형성용 필름의 박리를 도시한 모식도이다.도 16은, 제1 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 박리부에 의한 미세 패턴 형성용 필름의 박리를 도시한 모식도이다.도 17은, 제1 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 박리부에서의 미세 패턴 형성용 필름의 방향 변화에 관해 설명하기 위한 설명도이다.도 18은, 제2 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치를 도시한 모식도이다.도 19는, 제2 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 커트부에 의한 재단 위치를 도시한 평면 모식도이다.도 20은, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치를 도시한 모식도이다.도 21은, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 접합부에서의 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체의 관계를 도시한 모식도이다.도 22는, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 변형예를 도시한 모식도이다.도 23은, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 변형예를 도시한 모식도이다.도 24는, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 변형예를 도시한 모식도이다.도 25는, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 변형예를 도시한 모식도이다.도 26은, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 변형예를 도시한 모식도이다.도 27은, 제4 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치를 도시한 모식도이다.도 28은, 제4 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 변형예를 도시한 모식도이다.도 29는, 제4 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 변형예를 도시한 모식도이다.도 30은, 제5 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치를 도시한 모식도이다.도 31은, 제5 실시형태에 관련된 전사 방법에서의 열 나노임프린트 장치의 동작을 도시한 모식도이다.도 32는, 제5 실시형태에 관련된 전사 방법에서의 열 나노임프린트 장치의 동작을 도시한 모식도이다.도 33은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름의 제조방법의 각 공정을 도시한 단면 모식도이다.도 34는, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름의 제조방법의 각 공정을 도시한 단면 모식도이다.도 35는, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름에서의 필러(pillar) 형상의 요철 구조를 도시한 단면 모식도이다.도 36은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름에서의 홀 형상의 요철 구조를 도시한 상면도이다.도 37은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름의 제조방법의 각 공정을 도시한 단면 모식도이다.도 38은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름을 도시한 모식 단면도이다.도 39는, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름에서의 요철 구조의 볼록부의 배열예를 도시한 설명도이다.도 40은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름을 도시한 모식 단면도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명의 일실시형태(이하, 「실시형태」라고 함)에 관해, 상세히 설명한다. 또, 본 발명은, 이하의 실시형태에 한정되지 않고, 그 요지의 범위 내에서 여러가지로 변형하여 실시할 수 있다.003c#미세 패턴 형성용 필름의 개요003e#우선, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름의 개요에 관해 설명한다.본 발명의 열 나노임프린트 방법 또는 열 나노임프린트 장치를 사용한 열 나노임프린트 방법에 있어서는, 이하에 설명하는 미세 패턴 형성용 필름을 사용한다. 이에 따라, 저온 또한 저압에서의 열 나노임프린트를 높은 정밀도로 실시할 수 있다.본 발명에 관련된 미세 패턴 형성용 필름은, 한쪽의 표면에 요철 구조가 형성된 커버 필름의 요철 구조 상에, 제2 마스크층 및 제1 마스크층이 성막된 필름이다. 도 1은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름을 도시한 단면 모식도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 미세 패턴 형성용 필름(I)은, 커버 필름(2)의 표면 상에 수지층(3)이 형성되어 있다. 수지층(3)의 커버 필름(2)에 접하는 면과는 반대측의 면에 요철 구조(3a)가 형성되어 있다. 이하의 설명에서 간단히 커버 필름(2)이라고 하는 경우에는 요철 구조(3a)가 형성된 수지층(3)도 포함한다. 제2 마스크층(4)은, 요철 구조(3a)의 오목부 내부에 충전되어 있다. 또한, 제1 마스크층(5)은, 제2 마스크층(4) 및 요철 구조(3a)를 덮도록 성막되어 있다. 이 제1 마스크층(5) 상에는 보호층이 형성되어도 좋다.또, 이후에 설명하는 열 나노임프린트 장치에 부대되는 접합부에 있어서, 피처리체에 접합하는 면은, 제1 마스크층(5)의 표면이다. 또한, 박리부에 있어서 박리되는 필름은, 커버 필름(2)이고, 피처리체 상에 제1 마스크층(5) 및 제2 마스크층(4)으로 이루어지는 요철 구조가 전사된다.도 2a∼도 2c 및 도 3a∼도 3f는, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름을 사용하여, 피처리체에 대하여 미세 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 도 2a에 도시한 바와 같이, 커버 필름(10)은, 그 주면 상에 요철 구조(11)가 형성되어 있다. 요철 구조(11)는, 복수의 오목부(11a)와 볼록부(11b)로 구성되어 있다. 커버 필름(10)은, 예컨대, 필름형 또는 시트형의 성형체이다.우선, 도 2b에 도시한 바와 같이, 커버 필름(10)의 요철 구조(11)의 오목부(11a)의 내부에, 후술하는 제1 마스크층을 패터닝하기 위한 제2 마스크층(12)을 충전한다. 제2 마스크층(12)은, 예컨대, 졸겔 재료로 이루어진다. 여기서, 커버 필름(10), 및 제2 마스크층(12)을 구비한 적층체를, 제1 미세 패턴 형성용 필름(I), 또는 간단히 제1 적층체(I)라고 한다.다음으로, 도 2c에 도시한 바와 같이, 제1 적층체(I)의 제2 마스크층(12)을 포함하는 요철 구조(11) 상에, 제1 마스크층(13)을 형성한다. 이 제1 마스크층(13)은, 후술하는 피처리체의 패터닝에 이용된다. 제1 마스크층(13)은, 예컨대, 광경화성 수지, 열경화성 수지 또는 열가소성 수지로 이루어진다.또한, 도 2c에 도시한 바와 같이, 제1 마스크층(13)의 상측에는, 보호층(14)을 형성할 수 있다. 보호층(14)은, 제1 마스크층(13)을 보호하는 것으로, 필수는 아니다. 여기서, 커버 필름(10), 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)으로 이루어지는 적층체를, 제2 미세 패턴 형성용 필름(II), 또는, 간단히 제2 적층체(II)라고 한다. 이 제2 적층체(II)는, 제1 마스크층(13)을 피처리체에 접합시킴으로써, 피처리체의 패터닝에 이용할 수 있다.다음으로, 도 3a에 도시한 바와 같은 피처리체(20)를 준비한다. 피처리체(20)는, 예컨대, 평판형의 무기 기판이고, 사파이어 기판, SiC(탄화규소) 기판, Si(실리콘) 기판, 스피넬 기판, 또는, 질화물 반도체 기판이다. 우선, 도 3b에 도시한 바와 같이, 피처리체(20)의 주면 상에, 제2 적층체(II)의 제1 마스크층(13)의 노출면을, 피처리체(20)의 주면에 대면시켜 접합한다. 이 결과, 제2 적층체(II) 및 피처리체(20)로 구성되는 제3 적층체(III)가 얻어진다. 접합은 예컨대, 라미네이션이고, 특히 열 라미네이션이 적합하다. 본 조작을, 이후에 설명하는 열 나노임프린트 장치의 접합부에서 행한다.다음으로, 도 3c에 도시한 바와 같이, 커버 필름(10)을, 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)으로부터 박리한다. 이 결과, 피처리체(20), 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)으로 이루어지는 중간체(21)가 얻어진다. 본 조작을, 이후에 설명하는 열 나노임프린트 장치의 박리부에서 행한다.또한, 제2 적층체(II)는, 후술하는 송출 롤러에 의해 풀려나오고, 후술하는 권취 롤러에 의해 권취된다. 즉, 송출 롤러보다, 제2 적층체(II)의 흐름 방향 후단에 있어서 상기 접합이 행해짐과 동시에, 접합보다 더욱 흐름 방향 후단 또한 권취 롤러보다 전단에 있어서 상기 박리가 행해진다.또한, 상기 접합과 박리 사이에서, 피처리체는 제2 적층체(II)의 반송에 따라 이동할 수 있다. 바꾸어 말하면 제2 적층체(II)가 피처리체의 캐리어로서의 기능을 수행한다.또, 상술한 접합과 박리 사이에서, 제2 적층체(II)에 대하여 에너지선을 조사하여 제1 마스크층(13)을 경화 또는 고화시켜도 좋다. 또한, 접합 및 압박시에 가하는 열에 의해, 제1 마스크층(13)을 경화 또는 고화시켜도 좋다. 또한, 제2 적층체(II)에 대하여 에너지선을 조사하여 제1 마스크층(13)을 경화 또는 고화시킨 후에, 제3 적층체(III)를 가열함으로써, 제1 마스크층(13)의 안정성을 향상시켜도 좋다. 또한, 박리 후의 에너지선 조사 혹은 가열 처리에 의해, 제1 마스크층(13)을 경화 또는 고화시켜도 좋다. 이들 조작은, 접합과 박리 사이에 의해 행해지기 때문에, 접합시에 가해지는 압력이 해방된 상태에서 행해진다. 특히, 접합을 행하고 계속해서 에너지선을 조사하는 공정에서는, 에너지선 조사시에 접합시의 압력이 해방되어 있다.얻어진 중간체(21)는, 회수부에 의해 회수되고, 일시 보관되거나, 혹은 즉시 이하에 설명하는 공정으로 돌려진다.회수부에 의해 회수된 중간체(21)는, 열 나노임프린트 장치와는 상이한 별도의 장치로 반송된다. 그리고, 제2 마스크층(12)을 마스크로 하여, 제1 마스크층(13)을, 예컨대 산소 애싱에 의해, 도 3d에 도시한 바와 같이 패터닝한다. 이 결과, 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)에 의해 구성된 높은 종횡비를 갖는 미세 마스크 패턴(16a)이 형성된 미세 마스크 구조체(16)를 얻는다. 또한, 패터닝된 제1 마스크층(13)을 마스크로 하여, 피처리체(20)에, 예컨대, 반응성 이온 에칭을 실시하여, 도 3e에 도시한 바와 같이, 피처리체(20)의 주면에 미세 패턴(22)을 형성한다. 마지막으로, 도 3f에 도시한 바와 같이, 피처리체(20)의 주면에 남은 제1 마스크층(13)을 제거하고, 미세 패턴(22)을 갖는 피처리체(20)를 얻는다.본 실시형태에서는, 도 2a∼도 2c에 도시한 커버 필름(10)으로부터 제2 적층체(II)를 얻는 데까지를 하나의 라인(이하, 제1 라인이라고 함)에서 행한다. 그 이후의, 도 3a∼도 3f까지를 별도의 라인(이하, 제2 라인이라고 함)에서 행한다. 보다 바람직한 양태에 있어서는, 제1 라인과 제2 라인은, 별도의 시설에서 행해진다. 이 때문에, 제2 적층체(II)는, 제2 적층체(II)를 두루마리형(롤형)으로 하여 곤포되고, 보관 또는 운반된다.본 발명의 더욱 바람직한 대응에 있어서는, 제1 라인은, 제2 적층체(II)의 서플라이어의 라인이고, 제2 라인은, 제2 적층체(II)의 유저의 라인이다. 이와 같이, 서플라이어에 있어서 제2 적층체(II)를 미리 양산하고, 유저에게 제공함으로써, 이하와 같은 이점이 있다.(1) 제2 적층체(II)를 구성하는 커버 필름(10)의 요철 구조(11)의 정밀도를 반영시켜, 피처리체(20)에 미세 가공을 행할 수 있다. 구체적으로는, 제2 적층체(II)를 구성하는 커버 필름(10)의 요철 구조(11)의 정밀도를 제2 마스크층(12)이 담보하게 된다. 또한, 제1 마스크층(13)의 막두께 정밀도를 제2 적층체(II)에서 담보하는 것이 가능해지기 때문에, 피처리체(20) 상에 전사 형성된 제1 마스크층(13)의 막두께 분포 정밀도를 높게 유지하는 것이 가능해진다. 즉, 제2 적층체(II)를 사용함으로써, 피처리체(20) 면 내에 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)을, 제1 마스크층(13)의 막두께 분포 정밀도가 높으며, 또한 요철 구조(11)의 전사 정밀도가 높게 전사 형성하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 제2 마스크층(12)을 사용하여 제1 마스크층(13)을 미세 가공함으로써, 피처리체(20) 면 내에 커버 필름(10)의 패턴 정밀도(요철 구조(11)의 배열 정밀도)를 반영시키며, 또한, 막두께 분포 정밀도가 높게 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)으로 구성되는 높은 종횡비를 갖는 미세 마스크 패턴(16a)이 형성된 미세 마스크 구조체(16)를 형성하는 것이 가능해진다. 정밀도가 높은 미세 마스크 구조체(16)를 사용함으로써, 피처리체(20)를 높은 정밀도로 가공하는 것이 가능해져, 피처리체(20) 면 내에 커버 필름(10)의 미세 패턴 정밀도(요철 구조(11)의 배열 정밀도)를 반영시킨 미세 패턴(22)을 제작할 수 있다.(2) 미세 패턴의 정밀도를 제2 적층체(II)에서 담보하는 것이 가능해지기 때문에, 번잡한 프로세스나 장치를 사용하지 않고, 피처리체(20)를 가공하기에 적합한 시설에서 피처리체(20)를 미세 가공할 수 있다.(3) 미세 패턴의 정밀도를 제2 적층체(II)에서 담보하는 것이 가능해지기 때문에, 가공된 피처리체(20)를 사용하여 디바이스를 제조하기에 최적인 장소에서 제2 적층체(II)를 사용할 수 있다. 즉, 안정적인 기능을 갖는 디바이스를 제조할 수 있다.상술한 바와 같이, 제1 라인을 제2 적층체(II)의 서플라이어의 라인으로, 제2 라인을 제2 적층체(II)의 유저의 라인으로 함으로써, 피처리체(20)의 가공에 최적인, 그리고, 가공된 피처리체(20)를 사용하여 디바이스를 제조하기에 최적인 환경에서 제2 적층체(II)를 사용할 수 있다. 이 때문에, 피처리체(20)의 가공 및 디바이스 조립의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 제2 적층체(II)는 커버 필름(10)과 커버 필름(10)의 요철 구조(11) 상에 형성된 기능층(제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13))으로 구성된다. 즉, 피처리체(20)의 가공 정밀도를 지배하는 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)의 배치 정밀도를, 제2 적층체(II)의 커버 필름(10)의 요철 구조(11)의 정밀도로 담보함과 동시에, 제1 마스크층(13)의 막두께 정밀도를 제2 적층체(II)로서 담보하는 것이 가능해진다. 이상으로부터, 제1 라인을 제2 적층체(II)의 서플라이어의 라인으로, 제2 라인을 제2 적층체(II)의 유저의 라인으로 함으로써, 가공된 피처리체(20)를 사용하여 디바이스를 제조하기에 최적인 환경에서, 제2 적층체(II)를 사용하여 높은 정밀도로 피처리체(20)를 가공하여 사용할 수 있다.상술한 바와 같이, 제2 적층체(II)는, 주로 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)의 미세 패턴의 정밀도, 그리고 제1 마스크층(13)의 막두께 정밀도를 담보함으로써, 피처리체(20)에 미세 패턴(22)을, 피처리체(20)의 면 내에서 높은 정밀도로 형성할 수 있다. 여기서, 제2 적층체(II)의 제1 마스크층(13)을 피처리체(20)에 접합할 때에, 제2 적층체(II)가 휘거나, 또한, 에어 보이드가 발생한 경우, 피처리체(20)에 형성되는 미세 패턴(22)의 면내 정밀도가 크게 저하된다. 또한, 제2 적층체(II)/피처리체(20)로 이루어지는 적층체로부터, 커버 필름(10)을 박리할 때에, 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)의 미세 패턴에 과도한 응력이 가해지는 경우나, 제2 적층체(II)가 비틀어지는 경우, 제1 마스크층(13)의 응집 파괴, 제1 마스크층(13)과 피처리체(20)의 계면 박리, 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)과 커버 필름(10)의 이형 불량이라는 문제가 생긴다.본 발명의 열 나노임프린트 장치를 사용함으로써, 미세 패턴 형성용 필름을 적합하게 사용할 수 있다. 이에 따라, 저온 또한 저압에서의 열 나노임프린트가 실시 가능해진다.003c#마스크 패턴 전사 공정003e#다음으로, 미세 패턴 형성용 필름을 사용하는 각 공정에 관해 설명한다. 피처리체(20) 상에 미세 패턴(22)을 형성하는 방법은, 마스크 패턴 전사 공정과 에칭 공정으로 나누어진다.도 4의 및 도 5는, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름을 사용하여, 피처리체에 대하여 미세 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 마스크 패턴 전사 공정은, 도 4a 및 도 4b 및 도 5b∼도 5c에서 도시된다.마스크 패턴 전사 공정은, 적어도 압박 공정, 에너지선 조사 공정 및 이형 공정을 이 순서로 포함하며, 또한, 압박 공정과 에너지선 조사 공정은 각각 독립적으로 행하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 압박 공정은, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 접합부에서 실시된다. 또한, 이형 공정은, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 박리 수단 및 고정 수단에 의해 행해진다.도 4a에 도시한 제2 적층체(II)는, 지지 기재(10a) 및 수지층(10b)으로 구성되는 커버 필름(10)과, 커버 필름(10)의 수지층(10b)에 형성된 요철 구조(11)의 내부에 충전된 제2 마스크층(12)과, 제2 마스크층(12)을 포함하는 요철 구조(11) 상에 형성된 제1 마스크층(13)으로 구성되어 있다. 제2 적층체(II)의 제1 마스크층(13)의 표면에는 보호층(14)이 형성되어 있는 경우, 우선, 제2 적층체(II)로부터 보호층(14)을 벗겨내어, 도 4b에 도시한 바와 같이, 제1 마스크층(13)의 표면을 노출시킨다.(압박 공정)압박 공정에서, 도 5a에 도시한 바와 같이, 제2 적층체(II)를 제1 마스크층(13)을 통해 피처리체(20)에 대하여 압박하여, 제2 적층체(II) 및 피처리체(20)를 접합하고 접착하여, 제3 적층체(III)를 얻는다. 이 때, 제2 적층체(II) 및 피처리체(20)는, 가열하면서 압박됨으로써 밀착된다. 제2 적층체(II)에 관해서는, 피처리체(20)와 제1 마스크층(13)의 접착을 목적으로 하여 행한다.제1 마스크층(13)으로서 열압착 가능한 수지를 선택한 경우에는, 제1 마스크층(13)의 유동성을 상승시키기 위해, 압박시에 가열을 행하는 것이 바람직하다. 이 가열은, 적어도 피처리체(20) 면측으로부터 행하는 것이 바람직하고, 가열 온도는 60℃∼200℃가 바람직하다.(탄성체)도 6은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름에 탄성체를 형성한 예를 도시한 모식 단면도이다. 도 6에 도시한 바와 같이, 제1 마스크층(13)과 피처리체(20)를, 커버 필름(10)의 요철 구조(11)에서 기인하는 막두께 불균일 없이 접합하기 위해, 제2 적층체(II)에서의 커버 필름(10)측(도 6a 참조), 또는 피처리체(20)측(도 6b 참조) 중 어느 하나에 탄성체(50)를 형성해도 좋다. 탄성체(50)를 형성함으로써, 피처리체(20)의 표면의 요철 및 기복에 제2 적층체(II)가 따르는 결과, 막두께 불균일이 없는 접합이 가능해진다. 또, 탄성체(50)는, 도 6c에 도시한 바와 같이, 제2 적층체(II)에서의 커버 필름(10)측 및 피처리체(20)측의 양쪽에 형성해도 좋다.탄성체(50)로는, 탄성체(50)를 표면에 구비하는 롤을 사용하는 것이 바람직하다. 탄성체(50)를 표면에 구비하는 롤을 사용함으로써, 제2 적층체(II)를 피처리체(20)에 롤 투 롤로 연속 접합할 수 있다. 이 탄성체(50)는, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 접합부에 상당한다.(저 Tg 탄성체)탄성체(50)로는, 유리 전이 온도(Tg)가 100도 이하인 탄성체인 것이 바람직하고, 공지 시판되는 고무판이나 수지판, 필름 등을 사용할 수 있지만, 특히, 60℃ 이하인 것에 의해, 탄성 변형의 정도가 커진다는 점에서, 압박이 효과적이게 되고, 보다 저온 또한 저압에서 높은 정밀도로 열 나노임프린트를 행할 수 있다. 가장 바람직하게는, 동일한 관점에서 30도 이하이다. 또한, 상기 유리 전이 온도가 30도 이하인 것에 의해, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 접합부의 이후에 설명하는 선폭을 만족하는 것이 용이해짐과 동시에, 열 나노임프린트의 열 분포 및 압박력 분포를 보다 양호하게 할 수 있기 때문에 바람직하다. 동일한 관점에서, 상기 유리 전이 온도는, 0℃ 이하인 것이 바람직하고, -20℃ 이하인 것이 가장 바람직하다. 이러한 저 Tg 탄성체로는, 예컨대, 실리콘 고무, 니트릴 고무, 불소 고무, 폴리이소프렌(천연 고무), 폴리부타디엔, 폴리초산비닐, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 나일론 6, 나일론 66, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리불화비닐리덴, 폴리메타크릴산메틸, 및 폴리스티렌을 들 수 있다. 영률(세로 탄성률)은, 1 Mpa 이상 100 Mpa 이하이면, 제1 마스크층(13)의 막두께를 작게, 또한, 균질로 할 수 있기 때문에 바람직하고, 4 Mpa 이상 50 Mpa 이하이면 보다 바람직하다. 또한, 동일한 효과로부터, 탄성체(50)의 두께는, 0.5 mm 이상 10 cm 이하이면 바람직하고, 1 mm 이상 8 cm 이하가 보다 바람직하고, 가장 바람직하게는 5 mm 이상 10 cm 이하이다.또한, 압축 공기나 압축 가스 등을 탄성체(50)로서 채용할 수도 있다. 특히 압축 공기나 압축 가스를 사용하는 경우에는, 도 6a에 도시한 바와 같이, 제2 적층체(II)에서의 커버 필름(10)측으로부터 가압하는 것이 바람직하다.(접합)접합시의 환경 분위기의 혼입은, 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 피처리체(20)에 전사 부여되는 비율(전사율)을 감소시킨다. 이 때문에, 피처리체(20)의 용도에 따른 문제가 발생한다. 예컨대, 피처리체를 LED용 기판으로서 사용하는 경우, 접합시의 산소(공기 중의 산소)의 미크로한 혼입(나노미터 내지 수십 마이크로미터 스케일의 환경 분위기의 혼입)은, LED의 반도체 결정층의 결함을 유도하여, LED의 발광 특성을 악화시키거나, 누설 전류를 증가시키는 경우가 있다. 또한, 접합시의 매크로한 혼입(수십 마이크로미터 내지 밀리미터 스케일의 기포)은, 큰 결함이 되어, 고효율의 LED를 제조할 때의 수율의 저하를 초래한다. 그 때문에, 제1 마스크층(13)을 피처리체(20)에 접합할 때에는, 이하의 (1)∼(4)에 나타내는 어느 하나의 수법, 또는, 이들의 복합 수법을 채용하는 것이 바람직하다.(1) 저산소 분위기하에서 접합을 행한다. 산소 농도를 저하시켜 놓음으로써, 제1 마스크층(13)과 피처리체(20)의 계면에 환경 분위기를 혼입한 경우에도, 제1 마스크층(13)의 경화성을 양호하게 유지할 수 있기 때문에, 전사 정밀도를 향상시킬 수 있다. 저산소 분위기는, 진공(감압), N2 가스나 Ar 가스로 대표되는 가스의 도입, 펜타플루오로프로판이나 이산화탄소로 대표되는 압축성 가스의 도입 등으로 제작 가능하다. 특히, 진공(감압) 환경을 채용함으로써, 접합성을 개량할 수 있다.도 7은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체의 접합에 관한 단면 모식도이다. 또, 도 7a∼도 7c에서는, 편의상, 제1 적층체(I)와 제2 적층체(II)를 동일한 모식도로서 표현하기 위해, 제1 적층체(I)의 요철 구조(11)의 표면의 요철은 생략하고 편평한 형상으로서 도시하고 있다. 도 7a∼도 7c에 도시한 제2 적층체(II)에서는, 피처리체(20)와 접합되는 면측에, 제1 마스크층(13)이 형성되어, 제1 마스크층(13)이 피처리체(20)에 접촉하도록 되어 있다.(2) 도 7a에 도시한 바와 같이, 제2 적층체(II)를, 그 한쪽의 단부로부터 다른쪽의 단부를 향해 피처리체(20)에 접촉시켜, 접촉 면적을 서서히 증가시키는 방법을 들 수 있다. 이 경우, 평행 평판형의 접합에 비해, 환경 분위기의 도피로가 만들어지기 때문에, 환경 분위기의 혼입이 감소한다.(3) 도 7b에 도시한 바와 같이, 제2 적층체(II)의 중앙 부근을 아래로 볼록한 형상으로 변형시키고, 그 상태에서 제2 적층체(II)를 피처리체(20)에 접촉시키고, 계속해서, 변형을 원래대로 되돌려 가는 수법을 들 수 있다. 이 경우, 평행 평판형의 접합에 비해, 환경 분위기의 도피로가 만들어지기 때문에, 환경 분위기의 혼입이 감소한다.(4) 도 7c에 도시한 바와 같이, 제2 적층체(II)를 만곡시킴과 동시에, 제2 적층체(II)를, 그 한쪽의 단부로부터 다른쪽의 단부를 향해 탄성체(50)에 접촉시켜, 라미네이트의 요령으로 접합하는 수법을 들 수 있다. 이 경우, 평행 평판형의 접합에 비해, 환경 분위기의 도피로가 만들어지기 때문에, 환경 분위기의 혼입이 감소한다. 특히, 제2 적층체(II)의 커버 필름이 플렉시블 몰드인 경우에 유효하다. 탄성체(50)를 표면에 구비하는 롤을 사용하여 제2 적층체(II)를 만곡시켜, 제2 적층체(II)의 한쪽의 단부로부터 다른쪽의 단부를 향해 피처리체(20)에 접촉시킴으로써, 제2 적층체(II)를 피처리체(20)에 롤 투 롤로 연속 접합할 수 있다.(에너지선 조사 공정)에너지선 조사 공정에서, 도 5b에 도시한 바와 같이, 제2 적층체(II)와 피처리체(20)가 접착된 적층체(III)에 대하여, 접합시의 압력을 개방한 상태에서 에너지선을 조사하여 제1 마스크층(13)을 경화한다. 이에 따라, 제1 마스크층(13)을 종래와 같이 압박하면서 경화시킬 필요가 없어지기 때문에, 압박 공정과 에너지선 조사 공정을 독립적으로 행할 수 있고, 후술하는 요철 구조체(40)의 제조에서의 공정 관리가 용이해진다.또한, 에너지선 조사 공정은, 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 안정성을 향상시킴과 동시에, 제2 마스크층(12)과 제1 마스크층(13)의 계면 밀착력을 대폭 향상시키는 것을 목적으로 한다. 또한, 제2 적층체(II)의 경우에는, 또한, 제1 마스크층(13)과 피처리체(20)를 접착하는 것도 목적으로 한다.에너지선 조사는, 제2 마스크층(12)과 제1 마스크층(13)의 계면에 화학 반응에 기초한 화학 결합을 발생하는 경우에 유효하다. 에너지선의 종류는, 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 조성에 따라 적절히 선택할 수 있기 때문에, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, X선, UV, IR 등을 들 수 있다. 또한, 에너지선은 제2 적층체(II)측과 피처리체(20)측의, 적어도 한쪽으로부터 조사하는 것이 바람직하다. 특히, 제2 적층체(II)의 적어도 일부 혹은 피처리체(20)가 에너지선 흡수체인 경우에는, 에너지선을 투과하는 매체측으로부터, 에너지선을 조사하는 것이 바람직하다.에너지선 조사시의 적산 광량은 500∼5000 mJ/cm2인 것이 바람직하고, 800∼2500 mJ/cm2인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상이한 발광 파장 영역을 갖는 에너지선원을 2개 이상 선택해도 좋다.또, 제2 적층체(II)를 피처리체(20)에 압박한 후, 압력 개방한 상태에서 에너지선 조사 공정을 행함으로써, 제1 마스크층(13)의 막두께를 두껍게 하는 것이 가능해지기 때문에, 후술하는 에칭 공정을 거침으로써, 피처리체(20)에 종횡비가 높은 마스크를 전사하는 것이 가능해진다.(이형 공정)이형 공정에 있어서, 도 5b 및 도 5c에 도시한 바와 같이, 제3 적층체(III)에서, 피처리체(20)에 접착된 제2 적층체(II) 중, 커버 필름(10)을 제거한다. 이 결과, 피처리체(20), 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)으로 이루어지는 중간체(21)가 얻어진다.제2 적층체(II)에 의해 피처리체(20) 상에 마스크 패턴을 전사할 때에, 제1 마스크층(13)의 잔막 두께가 얇으면, 박리시의 응력이 잔막부에 외관상 집중하기 때문에, 제2 마스크층(12)이 제1 마스크층(13)으로부터 박리되는 등의 이형 불량을 발생하는 경우가 있다. 이러한 이형 불량에 대해서는, 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 조성 최적화 외에, 이형의 방법에 의해서도 대응 가능하고, 예컨대, 이하의 (5)∼(8)에 나타내는 어느 하나의 수법, 또는, 이들의 복합 수법을 채용하는 것이 바람직하다.(5) 열팽창률의 차를 이용하는 수법을 들 수 있다. 제2 적층체(II)의 요철 구조(11)와 제1 마스크층(13)의 열팽창률차를 이용함으로써, 이형시에 가해지는 응력을 저감시키는 것이 가능하다. 요철 구조(11)의 소재와, 제1 마스크층(13)의 조성에 따라 열팽창률차를 만들어내는 환경 분위기는 상이하기 때문에, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 냉각수, 냉매, 액체 질소 등에 의해 냉각시킨 상태에서의 이형이나, 40℃∼200℃ 정도의 온도에서 가온한 상태에서의 이형을 들 수 있다. 특히, 가온 박리는, 요철 구조(11)의 표면에 불소 성분이 존재하는 경우에 유효해진다.도 8은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체 상에 전사된 제1 마스크층의 이형에 관한 단면 모식도이다. 또, 도 8a∼도 8c에서는, 편의상, 제1 적층체(I)와 제2 적층체(II)를 동일한 모식도로서 표현하기 위해, 제1 적층체(I)의 요철 구조(11)의 표면의 요철은 생략하고 편평한 형상으로서 도시하고 있다. 도 8a∼도 8c에 도시한 제1 적층체(I)에서는, 피처리체(20)와 접합된 면측에 요철 구조(11)가 형성되어 있다. 또한, 도 8a∼도 8c에서는, 피처리체(20)의 표면에 전사된 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)이 형성되지만, 생략하고 편평한 형상으로 하고 있다.(6) 도 8a에 도시한 바와 같이, 제2 적층체(II)의 한쪽의 단부로부터 박리를 시작하여 다른쪽의 단부를 향해 박리해 나가, 피처리체(20)와의 접촉 면적을 서서히 감소시키는 방법을 들 수 있다. 이 경우, 평행 평판형의 이형에 비해, 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 계면에 대한 힘이 감소하기 때문에, 이형성이 향상된다.(7) 도 8b에 도시한 바와 같이, 제2 적층체(II)의 중앙 부근을 아래로 볼록한 형상으로 변형시키고, 그 상태에서 제2 적층체(II)를 피처리체(20)로부터 이형을 시작하여, 서서히 변형 정도를 증가시켜 가는 수법을 들 수 있다. 이 경우, 평행 평판형의 이형에 비해, 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 계면에 대한 힘이 감소하기 때문에, 이형성이 향상된다.(8) 도 8c에 도시한 바와 같이, 제2 적층체(II)를 만곡시킴과 동시에, 제2 적층체(II)를, 그 한쪽의 단부로부터 박리를 시작하여, 다른쪽의 단부를 향해 피처리체(20)로부터 박리하는 수법을 들 수 있다. 이 경우, 평행 평판형의 이형에 비해, 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 계면에 대한 힘이 감소하기 때문에, 이형성이 향상된다. 특히, 제2 적층체(II)의 커버 필름이 플렉시블 몰드인 경우에 유효하다. 탄성체(50)를 표면에 구비하는 롤을 사용하여 제2 적층체(II)를 만곡시키고, 제2 적층체(II)를, 그 한쪽의 단부로부터 박리를 시작하여, 다른쪽의 단부를 향해 피처리체(20)로부터 박리함으로써, 제2 적층체(II)를 피처리체(20)에 롤 투 롤로 연속 박리할 수 있다.이상과 같이, 본 실시형태에 관련된 마스크 패턴 전사 공정에 의해, 제2 적층체(II)를 이용하여 피처리체(20)에 요철 구조를 전사하여, 도 5d에 도시한 바와 같이, 피처리체(20)의 표면 상에 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)이 형성된 미세 마스크 구조체(16)가 얻어진다. 이 때, 피처리체(20) 상에 제1 마스크층(13)을 두껍게 형성하는 것이 가능해지고, 후술하는 에칭 공정을 거침으로써, 피처리체(20) 상에 높은 종횡비의 마스크 패턴을 형성하는 것이 가능해진다. 또, 미세 마스크 구조체(16)의 피처리체와 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 관계는 추후 상세히 서술한다.또한, 마스크 패턴 전사 공정에서의 에너지선 조사 공정과 이형 공정 사이에, 가열 공정을 가하는 것이 바람직하다. 즉, 마스크 패턴 전사 공정은, 압박 공정, 에너지선 조사 공정, 가열 공정 및 이형 공정을 이 순서로 거치는 구성으로 해도 좋다.(가열 공정)에너지선 조사 후에 가열 공정을 가함으로써, 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 조성에 따라 다르기도 하지만, 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 안정성이 향상되고, 이형 공정시의 전사 불량, 특히 제1 마스크층(13)의 응집 파괴를 감소시키는 효과가 얻어진다. 가열 온도는, 대략 40℃∼200℃의 범위에서, 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 유리 전이 온도(Tg)보다 낮은 온도가 바람직하다. 또한, 가열 시간은 대략 5초∼60분이면 바람직하고, 전사 정밀도를 향상시키며, 또한 공업성을 높인다는 관점에서, 5초∼3분인 것이 가장 바람직하다. 또, 가열 공정은 저산소 분위기하에서 행해도 좋다.가열 공정 후에는, 커버 필름(10)/제2 마스크층(12)/제1 마스크층(13)/피처리체(20)로 이루어지는 적층체가 바람직하게는 5℃∼80℃가 될 때까지, 더욱 바람직하게는 18℃∼30℃가 될 때까지 냉각시킨 후에 이형 공정으로 옮기는 것이 바람직하다. 또, 냉각 방법에 관해서는, 적층체가 상기한 온도 범위 내로 냉각되면, 특별히 한정하지 않는다.또한, 마스크 패턴 전사 공정에서의 이형 공정 후에, 후처리 공정을 가해도 좋다. 즉, 마스크 패턴 전사 공정은, 압박 공정, 에너지선 조사 공정, 이형 공정 및 후처리 공정을 이 순서로 거치는 구성으로 해도 좋고, 또한, 압박 공정, 에너지선 조사 공정, 가열 공정, 이형 공정 및 후처리 공정을 이 순서로 거치는 구성으로 해도 좋다.(후처리 공정)후처리 공정은, 도 5d에 도시한 미세 마스크 구조체(16)의 제2 마스크층(12)측과 피처리체(20)측의 양쪽 또는 어느 한쪽으로부터, 에너지선을 조사하여 행한다. 또한, 후처리 공정은, 미세 마스크 구조체(16)에 대하여, 가열과 에너지선 조사의 양쪽, 혹은 어느 한쪽을 행함으로써 행한다.에너지선을 조사함으로써, 제2 마스크층(12)과 제1 마스크층(13)의 양쪽 또는 어느 한쪽에 포함되는 미반응 성분의 반응을 촉진시킬 수 있어, 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 안정성이 향상되고, 제2 마스크층(12)의 잔막 처리 공정, 제1 마스크층(13)의 에칭 공정 및 피처리체(20)의 에칭 공정을 양호하게 행할 수 있기 때문에 바람직하다. 에너지선으로는, X선, UV, IR 등을 들 수 있다. 또한, 에너지선은, 미세 마스크 구조체(16)에 대하여, 제2 마스크층(12)측 및 피처리체(20)측의 적어도 한쪽으로부터 조사하는 것이 바람직하다. 특히, 제2 마스크층(12)측으로부터 조사하는 것이 바람직하다.003c#에칭 공정003e# 중간체(21)는, 제2 적층체(II)를 피처리체(20)에 접합한 후에, 커버 필름(10)을 박리함으로써 제조되는 제2 마스크층(12)/제1 마스크층(13)/피처리체(20)로 이루어지는 적층체이고, 그 제조방법의 상세한 것은 마스크 패턴 전사 공정에서 이미 설명한 바와 같다. 여기서, 중간체(21)에 대하여, 도 5d에 도시한 바와 같이 에칭을 행함으로써, 미세 마스크 구조체(16)를 제조할 수 있다. 또한, 미세 마스크 구조체(16)에 대하여 도 5e 및 도 5f에 도시한 바와 같이 에칭을 행함으로써, 피처리체(20) 상에 미세 패턴(22)을 형성하여, 요철 구조체(40)를 얻을 수 있다.중간체(21)를 미세 마스크 구조체(16)로 가공하는 방법은, 제2 마스크층(12)을 마스크로 한 제1 마스크층(13)의 에칭이다. 이에 따라, 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)에 의해 구성된 높은 종횡비를 갖는 미세 마스크 패턴(16a)이 형성된 미세 마스크 구조체(16)를 얻는다.에칭 조건은, 예컨대, 제1 마스크층(13)을 화학 반응적으로 에칭하는 관점에서, O2 가스 및 H2 가스를 선택할 수 있다. 이온 입사 성분의 증가에 의한 세로 방향 에칭률 향상이라는 관점에서, Ar 가스 및 Xe 가스를 선택할 수 있다. 에칭에 이용하는 가스는, O2 가스, H2 가스, 및 Ar 가스의 적어도 1종을 포함하는 혼합 가스를 사용한다. 특히, O2만을 사용하는 것이 바람직하다. 에칭시의 압력은, 반응성 에칭에 기여하는 이온 입사 에너지를 높이고, 에칭 이방성을 보다 향상시킬 수 있기 때문에, 0.1∼5 Pa인 것이 바람직하고, 0.1∼1 Pa이면, 보다 바람직하다. 또한, O2 가스 또는 H2 가스와 Ar 가스 또는 Xe 가스의 혼합 가스 비율은, 화학 반응성의 에칭 성분과 이온 입사 성분이 적량일 때에 이방성이 향상된다. 이 때문에, 가스의 총유량을 100 sccm으로 한 경우, 가스 유량의 비율은 99 sccm : 1 sccm∼50 sccm : 50 sccm이 바람직하고, 95 sccm : 5 sccm∼60 sccm : 40 sccm이 보다 바람직하고, 90 sccm : 10 sccm∼70 sccm : 30 sccm이 더욱 바람직하다. 가스의 총유량이 변화한 경우, 상기한 유량의 비율에 준한 혼합 가스가 된다. 에칭은 플라즈마 에칭인 것이 바람직하다. 예컨대, 용량 결합형 RIE, 유도 결합형 RIE, 또는 이온 인입 바이어스를 이용하는 RIE를 이용하여 행한다. 예컨대, O2 가스만, 또는 O2 가스와 Ar을 유량의 비율 90 sccm : 10 sccm∼70 sccm : 30 sccm 사이에서 혼합한 가스를 이용하고, 처리 압력을 0.1∼1 Pa의 범위로 설정하며, 또한 용량 결합형 RIE 또는, 이온 인입 전압을 이용하는 RIE를 이용하는 에칭 방법 등을 들 수 있다. 에칭에 이용하는 혼합 가스의 총유량이 변화한 경우, 상기한 유량의 비율에 준한 혼합 가스가 된다.또한, 패터닝된 제1 마스크층(13)을 마스크로 하여, 피처리체(20)에, 예컨대, 반응성 이온 에칭을 실시하여, 도 5e에 도시한 바와 같이, 피처리체(20)의 주면에 미세 패턴(22)을 형성한다. 마지막으로, 도 5f에 도시한 바와 같이, 피처리체(20)의 주면에 남은 제1 마스크층(13)을 제거하고, 미세 패턴(22)을 갖는 피처리체(20), 즉, 요철 구조체(40)를 얻는다.여기서, 반응성 이온 에칭은 피처리체(20)의 종류에 따라 적절히 설계할 수 있지만, 예컨대, 염소계 가스를 이용한 에칭을 들 수 있다. 염소 가스로는, BCl3 가스만, 또는 BCl3 가스 및 Cl2 가스의 혼합 가스를 이용할 수 있다. 이들 가스에 Ar 가스 또는 Xe 가스를 더욱 첨가해도 좋다. 에칭률을 향상시키기 위해, 혼합 가스의 가스 유량의 비율 99 sccm : 1 sccm∼50 sccm : 50 sccm이 바람직하고, 99 sccm : 1 sccm∼70 sccm : 30 sccm이 보다 바람직하고, 99 sccm : 1 sccm∼90 sccm : 10 sccm이 더욱 바람직하다. 에칭은 플라즈마 에칭인 것이 바람직하다. 예컨대, 용량 결합형 RIE, 유도 결합형 RIE, 또는 이온 인입 전압을 이용하는 RIE를 이용하여 행한다. 예컨대, CHF3 가스만, 또는 CF4 및 C4F8을 가스 유량의 비율 90 sccm : 10 sccm∼60 sccm : 40 sccm 사이에서 혼합한 가스를 이용하고, 처리 압력을 0.1∼5 Pa의 범위에서 설정하며, 또한, 용량 결합형 RIE 또는, 이온 인입 전압을 이용하는 RIE를 이용하는 에칭 방법 등을 들 수 있다. 또한, 예컨대, 염소계 가스를 이용하는 경우에는 BCl3 가스만, 또는 BCl3과 Cl2, 혹은 Ar을 가스 유량의 비율 95 sccm : 5 sccm∼85 sccm : 15 sccm 사이에서 혼합한 가스를 이용하고, 처리 압력을 0.1∼10 Pa의 범위에서 설정하며, 또한, 용량 결합형 RIE, 유도 결합형 RIE, 또는, 이온 인입 전압을 이용하는 RIE를 이용하는 에칭 방법 등을 들 수 있다. 또한, 예컨대, 염소계 가스를 이용하는 경우에는 BCl3 가스만, 또는 BCl3 가스 및 Cl2 가스 혹은 Ar 가스를 가스 유량의 비율 95 sccm : 5 sccm∼70 sccm : 30 sccm 사이에서 혼합한 가스를 이용하고, 처리 압력을 0.1 Pa∼10 Pa의 범위에서 설정하며, 또한, 용량 결합형 RIE, 유도 결합형 RIE, 또는, 이온 인입 전압을 이용하는 RIE를 이용하는 에칭 방법 등을 들 수 있다.003c#중간체003e# 미세 패턴(22)을 높은 정밀도로 제조하기 위해서는, 미세 마스크 구조체(16)의 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 정밀도를 반영시킨 에칭 공정을 거칠 필요가 있다. 즉, 정밀도가 높은 미세 마스크 구조체(16)가 필요하다. 정밀도가 높은 미세 마스크 구조체(16)는, 중간체(21)의 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 정밀도를 반영시킨 에칭에 의해 제조할 수 있다. 여기서, 중간체(21)의 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 정밀도는, 제2 적층체(II)의 커버 필름(10)의 요철 구조(11)의 정밀도, 제2 마스크층(12)의 배치 정밀도, 그리고 제1 마스크층(13)의 막두께 정밀도에 의해 담보된다. 즉, 고정밀도인 미세 패턴(22)을 제조하기 위해서는, 중간체(21)에 대하여 행해지는 에칭 공정에서의 불량을 감소시킬 필요가 있다.에칭 공정에서의 정밀도는, 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 배치 관계, 그리고 후술하는 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 조성에 따라 결정되지만, 에칭 공정중에, 제2 마스크층(12) 표면에 이물이 있는 경우, 이들의 정밀도를 담보하는 메카니즘은 파괴된다. 즉, 에칭 공정중의 중간체(21)의 표면(제2 마스크층(12)의 표면)의 이물을 감소시킬 필요가 있다.이러한 이물은, 중간체(21)를, 에칭 공정까지 반송하는 과정 및 에칭 공정중에 발생할 가능성이 있다. 여기서, 이물 발생의 기대치는, 전자의 중간체(21)의 반송에 의한 부분이 높은 것이 확인되었다. 특히, 환경 분위기로부터 비산, 부착되는 이물은 환경 클린도의 제어나 정전기의 제거 등의 대책을 행함으로써 대폭 저하되는 것을 알 수 있었다. 그러나, 이들 대책만으로는 이물을 한없이 0에 근접시킬 수는 없었다.여기서, 이물의 발생 요인을 탐색한 바, 중간체(21)의 단부로부터 발생하는 것이 확인되었다. 즉, 피처리체(20)의 단부도 포함시킨 전면에 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)이 전사 부여된 경우, 중간체(21)를 반송했을 때에, 중간체(21)의 외연부에 위치하는 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)이 부분적으로 파손되고, 파손된 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)이 비산하여, 중간체(21)의 제2 마스크층(12) 면 상에 부착됨으로써, 이물로서 확인되는 것을 알 수 있었다.이상의 관점에서, 중간체(21)의 보다 바람직한 상태는, 피처리체의 적어도 그 외연부의 일부에 노출부를 포함하는 상태이다. 즉, 피처리체(20)의 외연부의 한점 A로부터 외연부의 다른 한점 B를 향해 선분 AB를 그은 경우에, 적어도 점 A는 피처리체(20)에 형성되고, 점 A로부터 점 B의 방향으로서 선분 AB 중에 제2 마스크층(12) 상에 위치하는 점 C가 형성되는 상태이다. 바꾸어 말하면, 피처리체(20)는, 외연부의 일부에 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)이 없고, 그 표면이 노출된 노출부를 갖고, 상기 노출부보다 피처리체의 보다 내측에 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)이 배치된다. 이러한 구성에 의해, 미세 마스크 구조체(16)를 반송할 때의, 미세 마스크 구조체(16)의 단부로부터 생기는 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)으로 이루어지는 이물을 억제할 수 있기 때문에, 미세 패턴(22)의 정밀도를 향상시킬 수 있다. 동일한 관점에서, 피처리체의 외연부에 형성되는 노출부의 평균 길이는, 1 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 3 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 평균 길이는, 상기 노출부에 대하여, 10점의 계측을 행하여, 10점의 상가 평균치로서 산출된다. 또, 상한치는 피처리체(20)의 크기와, 미세 패턴(22)이 형성된 피처리체(20)의 용도로부터 계산되는 생산성이나 수율로부터 결정되기 때문에, 특별히 한정되지 않지만, 대략 8 mm 이하인 것이 바람직하고, 5 mm 이하인 것이 보다 바람직하고, 1 mm 이하인 것이 가장 바람직하다. 또한, 피처리체(20)는, 외연부의 일부에 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)이 없고, 그 표면이 노출된 노출부를 갖고, 상기 노출부보다 피처리체(20)의 보다 내측에 제1 마스크층(13)만이 배치되고, 더욱 내측에 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)이 배치되는 구성을 포함함으로써, 중간체(21)의 반송시에서의 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)의 파손을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 또, 가장 바람직하게는, 피처리체(20)는, (A) 외연부의 일부에 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)이 없고, 그 표면이 노출된 노출부를 갖고, (B) 상기 노출부보다 피처리체(20)의 보다 내측에 제1 마스크층(13)만이 배치되고, (C) 더욱 내측에 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)이 배치됨과 동시에, (B)의 제1 마스크층(13)은 피처리체(20)의 외연부측으로부터 (C)의 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)측으로 그 막두께가 증가하는 구성을 포함하는 것이다.이후에 설명하는 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(600)를 사용하여, 피처리체의 외연부에 형성되는 노출부의 평균 길이의 영향을 조사했다. 우선, 제1 적층체(I)를 준비하고, 스핀 코트법에 의해 피처리체인 4 인치φ의 사파이어 기판 상에 광경화성 수지를 성막했다. 그 후, 제1 적층체(I)를, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치를 사용하여 접합했다. 계속해서, UV 광을 조사하고, 제1 적층체(I)의 커버 필름을 박리했다. 본 제법으로 얻어진 중간체를 중간체(1)이라고 기재한다. 한편, 제2 적층체(II)를 준비하고, 열 나노임프린트 장치(600)를 사용하여 피처리체인 4 인치φ의 사파이어 기판에 접합하고, 그 후, UV 광을 조사하고, 마지막으로 커버 필름을 박리했다. 본 제법으로 만들어진 중간체를 중간체(2)라고 기재한다. 중간체(1) 및 중간체(2)의, 피처리체의 외연부에 형성된 노출부의 평균 길이를 측정한 바, 중간체(1)이 500 nm 이하이고, 중간체(2)는 1.2 ㎛였다. 또, 관찰은 광학 현미경과 레이저 현미경을 병용하여 행했다. 이것은, 중간체(1)의 경우, 제1 적층체(I)를 사용하기 때문에, 바꾸어 말하면 액상의 제2 마스크층을 사용하기 때문에, 피처리체(20)의 단부까지 양호하게 제2 마스크층이 유동했기 때문이다. 노출부의 평균 길이가 500 nm 이하인 중간체(1)과, 노출부의 평균 길이가 1.2 ㎛인 중간체(2)를 건식 에칭 장치까지 반송하고, 건식 에칭 장치 내에 장착하고, 그 후 처리를 하지 않고 꺼냈다. 꺼낸 중간체(1) 및 중간체(2)에 대하여, 발생한 파티클수를 카운트한 바, 중간체(1)은 중간체(2)의 5배의 파티클이 발생되어 있었다. 이상으로부터, 피처리체의 외연부에 형성되는 노출부의 평균 길이가 0 초과인 것에 의해, 파티클의 발생을 억제할 수 있는 것을 알 수 있다. 바람직하게는, 1 ㎛ 이상이다. 또한, 상기 중간체(1) 및 중간체(2)에 대하여 건식 에칭 처리를 2회 행하고, 피처리체(20)를 가공했다. 건식 에칭은, 우선, 산소 가스를 사용한 플라즈마 에칭을, 압력 1 Pa, 전력 300 W의 조건으로 행했다. 이에 따라, 제2 마스크층(12)을 에칭 마스크로 하여 제1 마스크층(13)을 가공하여, 미세 마스크 구조체(16)를 얻었다. 다음으로, 반응성 이온 에칭 장치(RIE-101iPH, 사무코 주식회사 제조)를 사용한 반응성 이온 에칭(ICP-RIE)을, BCl3 가스 및 염소 가스의 혼합 가스를 사용하여 행했다. 조건은, ICP : 150 W, BIAS : 50 W, 압력 0.2 Pa로 했다. 이에 따라, 제1 마스크층(13)을 에칭 마스크로 하여 피처리체(20)를 가공하고, 피처리체(20) 상에 미세 패턴(22)을 형성하여, 즉 요철 구조체(40)를 얻었다. 요철 구조체(40)에 대하여 광학 현미경 관찰을 행하여, 미세 패턴(22)의 매크로한 결함률을 측정했다. 또 결함률은, 중간체(1) 및 중간체(2)를 각각 5장씩 제작하고, 관찰을 행하여, 평균치로서 산출했다. 중간체(1)을 사용한 경우에는, 4 인치φ당 29.6점의 결함이 관찰되었지만, 한편, 중간체(2)를 사용한 경우에는, 4 인치φ당 6.1점의 결함이 관찰되었을 뿐이었다. 이와 같이, 피처리체(20)의 외연부에 형성되는 노출부의 평균 길이가 0 초과인 것에 의해, 파티클의 발생을 억제할 수 있고, 이에 따라 요철 구조체(40)의 결함률을 크게 저감시킬 수 있는 것을 알 수 있다.또한, 제2 적층체(II)를 사용하여 별도의 검토를 행했다. 유리 전이 온도(Tg)가 20℃ 이하인 실리콘 고무를 회전체(102)의 표면 재질로서 선정하고, 접합시의 압력을 0.01 MPa, 0.03 MPa, 0.05 MPa, 그리고 0.1 MPa로 변화시켜, 중간체(3)를 제작했다. 검토한 압력 범위 안에서는, 중간체(3)를 제작할 때의 접합시의 압력이 높아짐에 따라, 피처리체인 4 인치φ의 사파이어 기판의 외연부에 형성되는 노출부의 평균 길이는 커졌다. 이것은, 접합시의 온도를 105℃로 설정한 점에서, 열팽창과 접합압에서 기인한 제1 마스크층(13)의 잔류 응력이 영향을 준 것으로 추정된다. 구체적으로는, 접합 압력의 순서로, 피처리체(20)의 외연부에 형성된 노출부의 평균 길이는, 1.5 ㎛, 1.7 ㎛, 2.0 ㎛ 및 3.2 ㎛였다. 얻어진 중간체(3)를 건식 에칭 장치까지 반송하고, 건식 에칭 장치 내에 장착하고, 그 후 처리를 하지 않고 꺼냈다. 꺼낸 중간체(3)에 대하여, 발생한 파티클수를 카운트한 바, 이미 설명한 중간체(1)의 파티클수를 기준으로 하면, 파티클수는, 1/6, 1/7.5, 1/9, 및 1/13이었다. 또, 상기 검토에 의해 얻어진 중간체(3)에 있어서는, 피처리체(20)의 외연부에 형성된 노출부는, 피처리체(20)의 외연부 전체가 아니라, 피처리체(20)의 외연부의 약 반바퀴∼2/3바퀴에 형성되어 있었다. 또한, 피처리체(20)의 외연부로부터 제2 마스크층측을 향해 상기 노출부를 원자간력 현미경에 의해 주사 관찰한 바, (A) 노출부가 있고, (B) 계속해서 제1 마스크층(13)이 있고, (C) 마지막으로 제2 마스크층(12)이 형성되는 구성이었다. 또한 (B) 제1 마스크층(13)은, 노출부로부터 피처리체(20)의 내측을 향해, 그 막두께가 서서히 커져, 제2 마스크층(12)이 형성된 단계에서 막두께는 포화되어 있었다. 또한, 중간체(1) 및 중간체(2)와 동일하게, 건식 에칭 처리를 2회 행하여 요철 구조체(40)를 제작하고, 광학 현미경 관찰로부터 미세 패턴(22)의 매크로한 결함률을 측정했다. 또, 결함수는 중간체(3)를 각각 5장 제작하고, 그 평균치로서 산출했다. 결함수는, 노출부의 평균 길이가 커짐에 따라, 4 인치φ당 5.2점, 4.0점, 2.9점, 및 1.9점으로 감소하는 것이 확인되었다.또, 상기 검토에 있어서는, 4 인치φ의 사파이어 기판을 피처리체로서 사용한 경우를 기재했지만, 상기 피처리체의 노출부가 미치는 파티클에 대한 효과의 경향은, 2 인치φ의 사파이어 기판 또는 6 인치φ의 사파이어 기판을 사용한 경우에도, 동일하게 관찰되었다.또, 상기 중간체(21)는, 이미 설명한 제2 적층체(II)의 사용 방법 및 이하에 설명하는 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 의해 제조할 수 있다. 특히, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 접합부의 이하에 설명하는 선폭을 만족함으로써, 피처리체(20)의 노출부의 제어성이 향상되기 때문에 바람직하다. 이 선폭은, 이미 설명한 바와 같이, 접합부에서의 탄성체의 유리 전이 온도(Tg)를 만족함으로써 용이하게 실현할 수 있다.또한, 상기 설명한 중간체(21)를 보다 높은 제어성으로 제조하기 위해, 중간체(21)를 제조한 후의 제2 적층체(II)에서, 중간체(21)를 제조하는 데 사용한 개소, 바꾸어 말하면 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)이 제거된 부분에 대한 물방울의 접촉각 A와, 제2 적층체(II)의 제1 마스크층(13) 면에 대한 물방울의 접촉각 B의 차(A-B)는, 5도 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 커버 필름(10)의 요철 구조(11)로부터 제1 마스크층(13)과 피처리체(20)의 계면을 향해 전단력을 가할 수 있기 때문에, 중간체(21)의 피처리체(20)의 노출부의 제어성이 높아진다. 동일한 효과로부터, 상기 접촉각의 차(A-B)는, 10도 이상인 것이 바람직하고, 30도 이상인 것이 보다 바람직하고, 60도 이상인 것이 가장 바람직하다.003c#열 나노임프린트 장치003e# 다음으로 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 관해 설명한다. 또, 미세 패턴 형성용 필름의 상세에 관해서는 추후 설명한다.본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치는, 열 나노임프린트법에 이용된다. 열 나노임프린트법이란, 요철 구조가 표면에 형성된 몰드, 특히 나노 스케일의 요철 구조를 구비하는 몰드를, 피처리체에 열을 가하면서 접합하고, 압박함으로써, 피처리체의 표면(이하, 피처리면이라고도 함)에 요철 구조를 전사하는 전사 방법이다.본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치는, 미세 패턴 형성용 필름의 나노 스케일의 제1 마스크층의 표면을, 피처리체의 한쪽의 표면에 대향시킨 상태에서 상기 미세 패턴 형성용 필름 및 상기 피처리체를 접합하는 접합부를 구비하고, 상기 접합부는, 상기 미세 패턴 형성용 필름 또는 상기 피처리체에 대하여 실질적으로 선으로서 접촉하는 회전체를 구비한, 상기 미세 패턴 형성용 필름 또는 상기 피처리체에 대하여 실질적으로 선으로서 압박력을 가하는 압박부를 포함하고, 상기 회전체는, 적어도 그 표층이, 유리 전이 온도(Tg)가 100℃ 이하인 탄성체로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.이 구성에 의해, 압박부가 구비한 회전체는, 미세 패턴 형성용 필름 또는 피처리체에 대하여 실질적으로 선으로서 접촉하여, 면이 아니라 선으로서 압박력을 가하기 때문에, 압박력을 작게 할 수 있다. 또한, 회전체가 회전하면서 미세 패턴 형성용 필름 또는 피처리체를 압박하기 때문에, 제1 마스크층의 압박에 의한 유동을 촉진시킬 수 있음과 동시에, 외기의 혼입을 억제할 수 있기 때문에, 전사 정밀도가 향상된다. 또한, 회전체의 적어도 표층이, 유리 전이 온도가 100℃ 이하인 탄성체로 구성되어 있기 때문에, 열 나노임프린트에 사용하는 온도를 저하시킴과 동시에, 압박력의 균등성을 향상시킬 수 있다. 이 결과, 저온 또한 저압에서, 정밀도가 높은 열 나노임프린트를 실시할 수 있고, 장치의 과대화를 억제하면서, 피처리체의 크기를 용이하게 크게 할 수 있다.또한, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 있어서는, 상기 회전체는, 단면이 대략 진원형인 접합용 롤러인 것이 바람직하다.또한, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 있어서는, 상기 접합부에서 접합된 상기 미세 패턴 형성용 필름 및 상기 피처리체로부터 상기 커버 필름을 이형하여, 표면에 상기 제1 마스크층 및 상기 제2 마스크층이 전사된 상기 피처리체를 얻는 박리부를 더 구비하는 것이 바람직하다.다음으로, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 관해, 도 1에 도시한 미세 패턴 형성용 필름(I)을 이용하여, 피처리체로서 평판형의 무기 기판, 사파이어 기판, 실리콘 기판, 질화물 반도체 기판 또는 실리콘 카바이드 기판을 이용한 경우를 예로 들어 설명한다.(접합부)우선, 열 나노임프린트 장치의 접합부에 있어서는, 미세 패턴 형성용 필름의, 제1 마스크층이 형성된 표면(이하, 제1 마스크층면이라고도 함)을, 피처리체의 피처리면에 대향시킨 상태로, 미세 패턴 형성용 필름 및 피처리체가 접합된다. 이 접합부는, 미세 패턴 형성용 필름 또는 피처리체에 대하여 실질적으로 선으로서 접촉하는 회전체를 구비한, 미세 패턴 형성용 필름 및 피처리체에 대하여 실질적으로 선으로서 압박력을 가하는 압박부를 구비하고 있다.(압박부)압박부가 구비한 회전체는, 예컨대, 미세 패턴 형성용 필름의, 피처리체가 접합된 면, 즉, 제1 마스크층면과는 반대측의 면에 접하도록 배치할 수 있다. 또한, 회전체는, 피처리체의, 미세 패턴 형성용 필름이 접합된 면, 즉, 피처리면과는 반대측의 면에 접하도록 배치해도 좋다.압박부가 구비한 회전체는, 회전하면서 미세 패턴 형성용 필름에 압박력을 가하기 때문에, 피처리체의 일단부로부터 타단부를 향해 연속적으로 접촉하여, 미세 패턴 형성용 필름을 피처리체에 압박할 수 있다. 이 결과, 미세 패턴 형성용 필름을 피처리체에 접합하고, 즉, 열 나노임프린트를 할 수 있다.(회전체)다음으로, 본 실시형태에 관련된 압박부에 관해 보다 상세히 설명한다. 압박부가 구비한 회전체는, 적어도 그 표층이, 유리 전이 온도(이하, Tg라고도 함)가 100℃ 이하인 탄성체, 즉 저 Tg 탄성체로 구성된다. 이러한 구성에 의해, 열 나노임프린트법에 필요한 온도를 감소시킴과 동시에, 압력을 작게 할 수 있기 때문에, 장치의 과대화를 억제할 수 있다. 또, 압박부에서는, 회전체는, 단면이 대략 진원형인 접합용 롤러인 것이 바람직하다. 단면이 대략 진원형인 접합용 롤러인 것에 의해, 접합용 롤러의 외주에 대한 모서리부가 실질적으로 없어진다는 점에서, 저 Tg 탄성체의 탄성 변형의 균등성이 향상되고, 이에 따라 열 나노임프린트법에 필요한 온도의 균등성을 향상시키며, 또한 압력을 균등하게 가하는 것이 가능해지기 때문에, 상기 효과를 효과적으로 발현할 수 있다.탄성체의 유리 전이 온도(Tg)는, 60℃ 이하가 바람직하고, 30℃ 이하가 보다 바람직하다. Tg가 60℃ 이하인 것에 의해, 탄성 변형의 정도가 커진다는 점에서, 실질적으로 선으로서의 압박이 효과적이게 되고, 보다 저온 또한 저압에서 높은 정밀도로 열 나노임프린트를 행할 수 있다. 또한, Tg가 30도 이하인 것에 의해, 압박부의 이후에 설명하는 선폭을 만족하는 것이 용이해짐과 동시에, 열 나노임프린트의 열 분포 및 압박력 분포를 보다 양호하게 할 수 있기 때문에 바람직하다. 특히, Tg가 0℃ 이하인 것에 의해, 제1 마스크층에 대한 극도의 응력 집중을 억제할 수 있다는 점에서, 제1 마스크층과 제2 마스크층의 계면의 밀착성을 높일 수 있기 때문에, 접합성뿐만 아니라, 박리에 따르는 전사성도 크게 향상된다. 동일한 관점에서, 가장 바람직하게는, -20℃ 이하인 것이다.이러한 Tg를 만족하는 저 Tg 탄성체로는, 예컨대, 실리콘 고무, 니트릴 고무, 불소 고무, 폴리이소프렌(천연 고무), 폴리부타디엔, 폴리초산비닐, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 나일론 6, 나일론 66, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리불화비닐리덴, 폴리메타크릴산메틸, 및 폴리스티렌을 들 수 있다.여기서 회전체의 적어도 그 표층이, 상술한 바와 같이 저 Tg 탄성체에 의해 구성된다란, 이하의 2가지 경우를 포함한다. 도 9는, 본 실시형태에 관련된 회전체의 일례를 도시한 단면 모식도이다. 하나는, 회전체의 최표층이, 저 Tg 탄성체에 의해 구성되는 경우이다. 도 9a에 도시한 회전체(30)는, 비탄성체로 이루어지는 코어부(31)의 외주에 형성된 최표층(32)이 저 Tg 탄성체에 의해 구성되어 있다. 도 9b에 도시한 회전체(33)는, 비탄성체로 이루어지는 코어부(34)의 외주에 형성된 표층(35)이 저 Tg 탄성체에 의해 구성되고, 표층(35)의 외주에 형성된 최표층(36)이 저탄성체에 의해 구성되어 있다. 이 경우, 표층(35)은, 상술한 저 Tg 탄성체로 구성되고, 최외층을 구성하는 비탄성체의 두께보다 두껍다. 한편, 저탄성체란, 본 명세서에서의 탄성체보다 Tg가 높으며, 또한 Tg의 절대치가 30℃ 이상인 탄성체이다.특히, 도 9a에 도시한 바와 같이, 회전체(30)의 최표층(32)이, 저 Tg 탄성체에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 이 경우, 최표층(32)보다 내측의 층구성은 한정되지 않고, 다른 탄성체, 금속, 금속 산화물 등으로 구성되는 층이나 코어부(31)를 적절히 배치할 수 있다.또한, 도 9a에 도시한 회전체(30)의 최표층(32)의 표면에, 대전 방지 처리나 접착 방지 처리 등을 행해도 좋다.회전체(30, 33)는, 적어도 그 표층이, 저 Tg 탄성체에 의해 구성됨으로써, 열 나노임프린트에 사용하는 온도를 저하시킴과 동시에, 압박력의 균등성을 향상시킬 수 있다. 즉, 저온 또한 저압에 있어서, 정밀도가 높은 열 나노임프린트를 실시할 수 있다. 또한, 장치의 과대화를 억제하면서, 피처리체의 크기를 용이하게 크게 할 수 있다.특히, 저온 또한 저압에서, 상세한 것은 이후에 설명하는 바와 같이, 실질적으로 선으로서, 즉 선폭을 갖고 압박하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 제2 마스크층에 대한 열의 균등성이 향상됨과 동시에, 접합에서의 극도의 응력 집중을 억제할 수 있다는 점에서, 제2 마스크층과 제1 마스크층의 계면 정밀도를 높게 유지할 수 있다. 이에 따라, 미세 패턴 형성용 필름 및 피처리체로 이루어지는 적층체(제3 적층체(III))로부터, 커버 필름을 박리할 때의, 전사성이 향상된다. 따라서, 저온 또한 저압에 있어서, 정밀도가 높은 열 나노임프린트를 실시할 수 있다. 또한, 장치의 과대화를 억제하면서, 피처리체의 크기를 용이하게 크게 할 수 있다.또한, 회전체는, 적어도 그 표층이 저 Tg 탄성체로 구성되어, 탄성 변형을 일으킬 수 있다. 이 탄성 변형에 의해, 압박력을 작게 할 수 있다. 또한, 저온에서 열 나노임프린트를 행한 경우에도, 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체의 계면층의 유동성을 촉진할 수 있다는 점에서, 전사 정밀도가 향상됨과 동시에, 과대한 가압 수단, 과대한 가열 수단 그리고 과대한 냉각 수단을 필요로 하지 않는다.또한, 회전체는, 예컨대, 회전축의 둘레에 원통형의 롤을 부착한 것이어도 좋다. 또한, 후술하는 바와 같이, 회전축 자체가 가열 수단이어도 좋다. 또한, 회전축의 둘레에 가열 수단이 배치되고, 가열 기구의 둘레에 원통형의 롤을 부착한 것이어도 좋다.본 실시형태에서 회전체에 이용되는 저 Tg 탄성체의 재질은, 그 Tg가 100℃ 이하이면 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 공지 시판되는 고무나 수지 등을 사용할 수 있고, 예컨대, 실리콘 고무, 니트릴 고무, 불소 고무, 폴리이소프렌(천연 고무), 폴리부타디엔, 폴리초산비닐, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 나일론 6, 나일론 66, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리불화비닐리덴, 폴리메타크릴산메틸 및 폴리스티렌을 들 수 있다. 영률(세로 탄성률)로는, 1 Mpa 이상 100 Mpa 이하이면, 제1 마스크층 및 제2 마스크층 계면의 변형을 억제하면서 회전체의 탄성 변형을 용이하게 유발할 수 있기 때문에, 상기 설명한 저온 또한 저압에서의 열 나노임프린트의 효과가 높아진다. 동일한 관점에서, 4 Mpa 이상 50 Mpa 이하이면 보다 바람직하다. 또한, 동일한 효과로부터, 저 Tg 탄성체의 두께는, 0.1 mm 이상 10 cm 이하이면 바람직하고, 0.5 mm 이상 8 cm 이하가 보다 바람직하고, 가장 바람직하게는 3 mm 이상 1 cm 이하이다.상술한 바와 같은 회전체를 구비한 압박부는, 회전체를 회전시키면서 미세 패턴 형성용 필름 또는 피처리체에 접촉시키는 회전 수단과, 회전체를 미세 패턴 형성용 필름 및 피처리체에 압박하는 가압 수단을 구비할 수 있다. 이들 수단에 의해, 미세 패턴 형성용 필름을 피처리체에 압박할 때에 실질적으로 면이 아니라 선으로서 압박력을 가할 수 있다.(회전 수단)다음으로, 압박부의 회전 수단에 관해 설명한다. 압박부를 구비한 접합부는, 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체를 접합하고, 압박한다. 접합부에서의 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체의 접합은, 미세 패턴 형성용 필름의 반송과 동시에 행해져도 좋고, 미세 패턴 형성용 필름의 반송이 정지한 상태에서 행해져도 좋다.우선, 미세 패턴 형성용 필름의 반송과 동시에 행해지는 경우, 압박부가 구비하는 회전 수단은, 미세 패턴 형성용 필름의 반송에 따라 동기하여 회전체를 수동적으로 회전시키는 것이, 열 나노임프린트 정밀도를 향상시키기 때문에 바람직하다. 이 경우, 회전 수단은, 프리 롤러와 같이, 미세 패턴 형성용 필름의 반송에 따라 수동적으로 회전체를 회전시키는 것이나, 미세 패턴 형성용 필름의 반송 속도에 동기하도록, 회전체의 회전수를 제어하면서 수동적으로 회전시키는 것을 채용할 수 있다.한편, 미세 패턴 형성용 필름의 반송이 정지한 상태에서 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체를 접합하는 경우, 회전체는 회전축을 중심으로 회전함과 동시에, 피처리체의 주면에 평행한 면 내에서, 미세 패턴 형성용 필름의 흐름 방향 또는 그 반대의 방향으로 이동하는 것이 바람직하다. 도 10은, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 압박부를 도시한 설명도이다. 이 경우, 도 10에 도시한 바와 같이, 피처리체(20)의 주면에 평행한 면 내에서, 피처리체(20)의 피처리면 위치(St)와, 회전체(30)의 피처리면 위치(St)에 가장 가까운 점(A)을 통과하며, 또한, 피처리체(20)의 주면에 평행한 면(Sl)과의 거리(X)는, ―(마이너스) 미세 패턴 형성용 필름의 두께(T) 이상, 바람직하게는 0 ㎛ 이상이면, 접합 정밀도가 향상됨과 동시에, 탄성 변형을 이용하여, 저온 또한 저압에서의 열 나노임프린트 정밀도가 향상되기 때문에 바람직하다. 거리(X)는, 0 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 5 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하고, 10 ㎛ 이상인 것이 가장 바람직하다. 한편, 상한치는, 피처리체(20)의 두께이다. 또, 도 10 중의 화살표는, 회전체(30)의 이동 방향을 나타낸다. 또, 상기 거리(X)는, 피처리면 위치(St)를 기준면으로 한 경우에, 피처리면 위치(St)보다 피처리체(20)의 상기 위치(St)보다 반대측의 면 방향을 정(+)으로 하고 있다. 즉, 거리(X)가 부(마이너스)란, 피처리면 위치(St)를 기준으로 했을 때에, 피처리체(20)의 두께 방향으로 피처리체보다 떨어지는 방향을 말한다. 바꾸어 말하면, 거리(X)가 부(마이너스)인 경우, 미세 패턴 형성용 필름을 통지(通紙)하지 않는 상태에 있어서는, 회전체(30)를 피처리면(St)에 평행한 면 내에서 이동시킨 경우, 회전체(30)와 피처리체(20)는 접촉하지 않는다.(가압 수단)다음으로, 압박부의 가압 수단에 관해 설명한다. 상술한 바와 같이, 거리(X)가 ―(마이너스) 미세 패턴 형성용 필름(I)의 두께(T) 이상인 것에 의해, 거리(X) 및 회전체의 표층의 재질에 따라 결정되는 압력(이하, 제1 압력)을 가할 수 있기 때문에, 특별한 가압 수단은 형성하지 않아도 좋다. 그러나, 이 경우에도, 압박력의 균등성을 한층 더 향상시키기 위해, 이후에 설명하는 가압 수단을 형성하는 것이 바람직하다.압박부에는, 회전체를 미세 패턴 형성용 필름 또는 피처리체를 향해 압박하는 가압 수단을 형성할 수 있다. 이 가압 수단에 의해 미세 패턴 형성용 필름 및 피처리체에 가해지는 압력(이하, 제2 압력이라고 함)은, 회전체의 탄성 변형에 의해 분산되어, 균등한 압력이 된다. 이 때문에, 열의 균등성 및 압력의 균등성이 향상된다는 점에서, 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체의 계면의 힘 및 열의 균등성이 향상된다. 특히, 가압 수단을 형성한 경우, 상기 설명한 바와 같이 압력의 균등성을 향상시킬 수 있다. 이 때문에, 압력의 절대치를 작게 할 수 있다. 이에 따라, 제1 마스크층과 제2 마스크층의 계면의 정밀도를 적합하게 유지할 수 있기 때문에, 커버 필름을 박리하여 도 5c에 도시한 중간체(21)를 얻을 때의, 전사 정밀도 및 피처리체의 가공 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체 사이에 혼입하는 공기(에어 보이드)를, 택트를 손상시키지 않고 감소시킬 수 있다. 상기 제1 압력 및 제2 압력을 합한, 압박부에 의한 압박력은, 0.01 MPa∼5 Mpa이 바람직하고, 0.03 MPa∼2 Mpa이 보다 바람직하다.(선압)다음으로, 상술한 바와 같은 압박부에 의해, 미세 패턴 형성용 필름을 피처리체에 압박할 때에 실질적으로 선으로서 압박력이 가해지는 메카니즘에 관해 설명한다.도 11은, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 관련된 접합부가 구비하는 압박부를 도시한 사시 모식도이다. 도 11에 있어서는, 압박부(100)에 있어서, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)에 대하여 수직인 수직 방향(TD), 즉 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향을 따라 회전체(102)가 연장 설치되어 있다. 바꿔 말하면, 회전체(102)의 길이축 방향(103)은, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향, 즉 수직 방향(TD)에 대하여 평행하거나 또는 실질적으로 평행하게 되어 있다. 이 결과, 회전체(102)의 둘레면은, 미세 패턴 형성용 필름(101)에 대하여 실질적으로 선으로서 접촉한다. 즉, 실질적으로 선으로서 압박력을 가할 수 있다. 이 선이란, 회전체(102)의 한쪽의 단부면에서 그 중심(O)을 통과하는 수선(Z-a)과 회전체(102)의 둘레면의 교점(A)과, 다른쪽의 단부면에서 그 중심(O)을 통과하는 수선(Z-b)과 회전체(102)의 둘레면의 교점(B)을 연결하는 선(AB)이고, 이후에 설명하는 선폭을 갖는다. 이것을 실질적으로 선이라고 한다. 이 때문에, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)가 접합될 때에, 회전체(102)에 의해 면이 아니라 선으로 압력이 가해진다.또, 도 11에 도시한 압박부(100)에 있어서는, 회전체(102)는, 단면이 대략 진원형인 접합용 롤러이고, 원통형 또는 원기둥형의 어느 것이어도 좋다.다음으로, 「선폭」에 관해, 도 12를 참조하여 설명한다. 도 12는, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 압박부를 도시한 측면 모식도이다. 탄성 변형을 일으킨 회전체(102)를 가로 방향에서 보았을 때, 대략 진원형의 단부면의 일부분이 평평하게 된다. 이 평평하게 변형된 부분은, 회전체(102)의 길이축 방향을 따라 연속하여, 면을 형성한다. 이 평평하게 변형된 부분을 저변으로 본다. 이 저변의 끝과 단부면의 원의 중심(O)을 연결하는 2개의 선분이 이루는 각도를 Θ로 하며, 또한, 원의 반경을 d로 한 경우, 평평하게 변형된 부분의 길이, 즉 선폭은 2d sin(Θ/2)로 나타내어진다. 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)를 높은 접합 정밀도로 접합함과 동시에, 상기 설명한 효과를 발현하여 높은 정밀도로 열 나노임프린트를 행할 때의 각도 Θ는, 1° 이상 60° 이하이면 바람직하다. 이 때문에, 본 명세서에서의 선압이란, 선폭이, 각도 Θ가 60° 이하인 경우를 포함한다. 바꾸어 말하면, 수학상의 선뿐만 아니라, 상기한 조건을 만족하는 폭을 가진 선으로 압력을 가하는 경우도 포함된다. 본 실시형태에서는, 선으로 압력이 가해지는 경우에 덧붙여, 이와 같이 일정한 선폭으로 압력이 가해지는 경우도 포함시켜 「실질적으로 선으로 압력을 가한다」라고 정의한다. 상기 효과를 한층 더 발휘하는 관점에서, 각도 Θ는 3도 이상 45도 이하이면 바람직하고, 5도 이상 30도 이하인 것이 보다 바람직하다.본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치는, 상기 설명한 회전체에 의해, 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체를 압박하여, 저온 또한 저압에서 열 나노임프린트를 행할 수 있다. 여기서, 미세 패턴 형성용 필름을 피처리체에 압박할 때의, 피처리체의 그 면내 방향에 대하여 수직 방향의 진동을 억제하고, 압박시의 압력의 균등성을 향상시키기 위해, 피처리체의 피처리면과는 반대측의 면 상에 피처리체 유지부를 형성하는 것이 바람직하다.피처리체 유지부는, 피처리체의 피처리면에 접촉하지 않는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 특히, 피처리체의 피처리면 위치로부터, 미세 패턴 형성용 필름측으로 돌출되는 부위(단차) 높이가, 피처리체의 두께의 5분의 1 이하이면, 접합 정밀도가 향상되기 때문에 바람직하다. 가장 바람직하게는, 돌출 부위가 없는 상태이다. 예컨대, 감압 척은, 피처리체의 피처리면의 반대측의 면을 척면의 접촉에 의해 유지할 수 있음과 동시에, 감압을 개방함으로써 자유롭게 피처리체를 이탈시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 피처리체 유지부는, 접합시의 기포 혼입의 관점에서, 피처리체와 미세 패턴 형성용 필름이 접촉하지 않는 위치에서 피처리체를 유지하는 것이 바람직하다.피처리체 유지부에 의해, 피처리체는 고정 유지되고, 고정 유지된 피처리체의 피처리면에 대하여, 미세 패턴 형성용 필름의 제1 마스크층이, 상기 설명한 압박부에 의해 접합된다. 여기서, 이후에 설명하는 접합 프로세스를 거침으로써, 미세 패턴 형성용 필름의 피처리체에 대한 면 내의 접합 정밀도를 보다 향상시킬 수 있다. 우선, 피처리체 유지부에 의해 피처리체의 피처리면과는 반대측의 면을 고정한다. 예컨대, 감압 고정을 채용할 수 있다. 다음으로, 압박부의 회전체에 의해, 피처리체의 일단부로부터, 미세 패턴 형성용 필름의 접합을 시작한다. 그 후, 압박분만큼 회전체는, 회전하면서 피처리체의 타단부를 향해, 미세 패턴 형성용 필름의 접합이 행해진다. 여기서, 회전체가 피처리체의 타단부를 다 통과하기 전에, 피처리체의 고정을 개방한다. 예컨대, 피처리체 유지부에 의한 유지가, 감압 척인 경우, 감압을 개방한다. 이 상태에서, 압박부의 회전체는, 회전하면서 피처리체의 타단부를 통과한다. 이에 따라, 피처리체의 단부도 포함시킨 면 내에 걸쳐, 미세 패턴 형성용 필름을 접합할 수 있다.(압박 가열부)또한, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 있어서는, 회전체 및 피처리체 유지부의 적어도 한쪽에 압박 가열부를 부대하는 것이 바람직하다. 여기서, 압박 가열부는, 미세 패턴 형성용 필름 및 피처리체를 압박부에 접합하고, 압박할 때에, 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체의 계면을 가열할 목적으로 도입한다. 압박 가열부를 형성함으로써, 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체의 계면의 온도가 향상되기 때문에, 제1 마스크층의 유동성이 촉진되고, 열 나노임프린트 정밀도가 향상된다.압박 가열부는, 회전체 및 피처리체 유지부의 적어도 한쪽에 부대된다. 이 때문에, 쌍방에 부대되어도 좋다. 압박 가열부가 피처리체 유지부에 부대되는 경우, 피처리체 유지부는, 피처리체를 고정함과 동시에, 피처리체를 가열할 수 있다.회전체에 압박 가열부가 부대되는 경우, 회전체의 표층에 형성되는 저 Tg 탄성체보다 내측에, 압박 가열부를 배치하는 것이 바람직하다. 즉, 회전체는, 회전축, 압박 가열부 및 저 Tg 탄성체로 구성되어도 좋다. 여기서, 압박 가열부와 회전축이 동일해도 좋고, 또한, 예컨대, 압박 가열부와 저 Tg 탄성체 사이에, 열전도성 접착제 등을 배치할 수도 있다. 도 13은, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 있어서 압박 가열부를 부대한 회전체를 도시한 단면 모식도이다. 도 13a에 도시한 회전체(41)는, 압박 가열부(42)의 외주에, 저 Tg 탄성체(43)가 형성되어 있다. 도 13b에 도시한 회전체(44)는, 회전축(45)의 외주에 압박 가열부(46)가 형성되고, 또한 그 외주에 저 Tg 탄성체(47)가 형성된다.어느 경우에 있어서도, 회전체(41, 44)의 표층에 형성되는 저 Tg 탄성체(43, 47)를, 압박 가열부(42, 46)에 의해 가열할 수 있다. 이 가열에 의해, 저 Tg 탄성체(43, 47)의 표면의 온도가 상승하기 때문에, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 피처리체(104)에 압박할 때, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 유연성, 특히 제1 마스크층의 유동성이 향상되고, 압박 정밀도가 향상된다. 여기서, 저 Tg 탄성체(43, 47)에 의해 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)를 접합할 때의 열 분포가 양호해진다는 점에서, 압박 가열부(42, 46)의 가열 온도를 낮게 유지할 수 있다.압박 가열부의 가열 온도는, 회전체(102)의 표면의 온도가, 0℃ 이상 250℃ 이하의 범위가 되도록 가열할 수 있으면 바람직하고, 40℃ 이상 150℃ 이하가 되도록 가열할 수 있는 것이 보다 바람직하고, 60℃ 이상 130℃ 이하의 범위로 가열할 수 있는 것이 가장 바람직하다. 특히, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치를 사용한 열 나노임프린트 방법에 있어서는, 회전체의 표면의 온도(Ts)가, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 커버 필름의 융점(Tmc) 미만의 범위인 것이 바람직하다. 이러한, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 커버 필름의 융점(Tmc) 미만의 온도(Ts)를 갖는 회전체를 사용한 경우에도, 상기 설명한 Tg를 갖는 저 Tg 탄성체의 탄성 변형을 양호하게 이용할 수 있다는 점에서, 열 나노임프린트 정밀도를 향상시킬 수 있다. 즉, 과대한 가열 수단을 필요로 하지 않는다. 이에 따라, 과대한 냉각 수단을 필요로 하지 않는, 콤팩트한 장치가 된다. 특히, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 피처리체(104)에 압박할 때의, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 지나친 변형을 억제하고, 열 나노임프린트 정밀도를 향상시킨다는 관점에서, 가열 온도는, 회전체의 표면의 온도(Ts)가, 0.9Tmc 이하의 범위가 되도록 가열할 수 있는 것이 바람직하고, 0.6Tmc 이하의 범위가 되도록 가열하는 것이 보다 바람직하고, 0.5Tmc 이하의 범위가 되도록 가열하는 것이 가장 바람직하다. 또, 커버 필름의 재료와 요철 구조의 재료가 상이한 경우, 커버 필름의 재료에 대한 융점과 요철 구조의 재료에 대한 융점의 보다 낮은 쪽의 융점이, 상기 융점(Tmc)이다.다음으로, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 관해 보다 상세히 설명한다.003c#제1 실시형태003e# 도 14는, 제1 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치를 도시한 모식도이다. 열 나노임프린트 장치(200)는, 장척의 미세 패턴 형성용 필름(101)이 풀려나오는 송출 롤러(202)를 구비한다. 송출 롤러(202)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 소정의 속도로 송출한다. 이 송출 롤러(202)와 쌍을 이루어, 송출된 미세 패턴 형성용 필름(101)을 권취하는 권취 롤러(203)가 설치되어 있다. 권취 롤러(203)의 회전수와 송출 롤러(202)의 회전수는 미세 패턴 형성용 필름(101)의 송출 속도와 권취 속도가 동기하도록 제어되어도 좋지만, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 텐션을 제어하기 위해, 댄서 롤러, 토크 모터 또는 텐션 컨트롤러 등을 이용할 수 있기 때문에, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 기구는 채용하는 텐션 제어 방식에 따라 적절히 설계할 수 있다. 또, 송출 롤러(202) 및 권취 롤러(203)에는 각각 구동부를 연결할 수 있다.송출 롤러(202)보다 흐름 방향(MD)의 더욱 후단에는, 접합부(201)가 형성되어 있다. 접합부(201)는, 회전체(102)를 구비한 압박부(100)를 구비하고 있다. 회전체(102)에 관해서는, 이미 설명한 바와 같다. 제1 실시형태에 있어서는, 회전체(102)의 표층을 실리콘 고무로 했다. 또, 실리콘 고무로는 그 유리 전이 온도(Tg)가 20℃ 이하인 것을 채용했다. 또한, 접합 분위기를 제전하는 제전기(도시되지 않음)를 별도로 설치했다.이 회전체(102)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향에 걸쳐 연장 설치되어 있다. 회전체(102)의 단면 형상은 대략 진원형이다. 회전체(102)의, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향의 길이는, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 접합하는 피처리체(104)의 크기보다 크면 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 2 인치 약간 위, 4 인치 약간 위, 6 인치 약간 위, 혹은 8 인치 약간 위이다. 또한, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향으로 복수의 피처리체(104)를 배치하고, 동시에 미세 패턴 형성용 필름(101)을 피처리체(104)에 접합하기 위해, 회전체(102)는 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향 전체에 걸쳐 연장 설치되면 바람직하다. 제1 실시형태에 있어서는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭으로서, 2.1 인치, 4.5 인치, 및 6.5 인치의 3종류를 실시했다. 이들 미세 패턴 형성용 필름(101) 중 어느 것에 대해서도, 회전체(102)의 폭 방향의 길이는 300 mm로 했다.회전체(102)에 의한, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)의 접합은, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송과 동시에 행해져도 좋고, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송이 정지한 상태에서 행해져도 좋다. 제1 실시형태에 있어서는, 미세 패턴 형성용 필름(101)이 정지한 상태에서 접합을 행했다.미세 패턴 형성용 필름(101)의 피처리체(104)에 대한 압박이, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송과 동시에 행해지는 경우, 회전체(102)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 지장을 초래하지 않도록 회전하는 것이 바람직하다. 이 때문에, 회전체(102)의 회전 수단은, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 따라 수동적으로 회전체(102)를 회전시키는 것이어도 좋고, 능동적으로 회전시키는 것이어도 좋다. 특히, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 따라 수동적으로 회전하는 것이 접합 정밀도를 향상시키기 때문에 바람직하다. 이 경우, 회전체(102)의 회전 수단에는, 프리 롤러와 같이 수동적으로 회전체(102)를 회전시키는 것이나, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 속도에 동기하도록, 회전체(102)의 회전수를 제어하면서 수동적으로 회전시키는 것을 채용할 수 있다.한편, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송이 정지한 상태에서 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)를 접합하는 경우, 회전체(102)는 회전축을 중심으로 회전함과 동시에, 피처리체(104)의 주면에 평행한 면 내에서, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)과는 반대의 방향 또는 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)에 평행한 방향으로 이동하는 것이 바람직하다.이 경우, 이미 설명한 거리(X)의 범위를 만족함으로써, 접합 정밀도를 향상시킬 수 있다. 제1 실시형태에 있어서는, 거리(X)는 마이너스 30 ㎛, 마이너스 20 ㎛, 마이너스 10 ㎛, 0 ㎛, 10 ㎛, 30 ㎛ 및 100 ㎛의 범위에서 행했다. 또, 커버 필름의 노출되는 면으로부터 제1 마스크층의 표면까지의 거리인 미세 패턴 형성용 필름(101)의 두께는, 104 ㎛인 것을 사용했다.또한, 회전체(102)에 의해, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)를 압박할 때의 압박력은, 거리(X)가 ―미세 패턴 형성용 필름(101)의 두께 이상인 경우, 특별히 가압 수단을 형성하지 않아도 압력을 가할 수 있다. 그러나, 압박력을 균등하게 가하는 관점에서, 별도로, 가압 수단(204)을 형성하는 것이 바람직하다. 가압 수단(204)을 형성함으로써, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104) 사이에 혼입하는 공기(에어 보이드)를, 택트를 손상시키지 않고 감소시킨다는 관점에서, 회전체(102)에 가압 수단을 형성하는 것이 바람직하다. 이 접합을 위한 압박력은, 0.01 MPa∼5 Mpa이 바람직하고, 0.03 MPa∼2 Mpa이 보다 바람직하다.제1 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(200)의 접합부(201)에 있어서는, 상기 설명한 압박부(100)의 회전체(102)에 의해, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)를 압박하여, 저온 또한 저압에서 열 나노임프린트를 행할 수 있다. 여기서, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 피처리체(104)에 압박할 때, 피처리체(104)의 그 면내 방향에 대하여 수직 방향의 진동을 억제하고, 압박시의 압력의 균등성을 향상시키기 위해, 피처리체(104)의 미세 패턴 형성용 필름(101)과 접하는 면과는 반대측의 면 상에 피처리체 유지부(205)를 형성하는 것이 바람직하다.피처리체 유지부(205)의 유지 기구는, 피처리체(104)의 피처리면에 접촉하지 않는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 피처리체 유지부(205)는, 이미 설명한 기구를 채용할 수 있다. 또한, 피처리체(104)를 유지하는 방법은, 이미 설명한 바와 같이, 피처리체(104)와 미세 패턴 형성용 필름(101)이 접촉하지 않는 위치에서 피처리체(104)를 유지하는 것이 바람직하다. 또, 제1 실시형태에 있어서는, 감압(흡인) 척을 채용했다.또한, 제1 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(200)에 있어서는, 회전체(102) 및 피처리체 유지부(205)의 적어도 한쪽에, 상술한 압박 가열부를 부대하는 것이 바람직하다. 여기서, 압박 가열부는, 미세 패턴 형성용 필름(101) 및 피처리체(104)를 회전체(102)로 압박할 때, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)의 계면을 가열할 목적으로 도입한다. 압박 가열부를 형성함으로써, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)의 계면의 온도가 향상되기 때문에, 열 나노임프린트 정밀도가 향상된다. 또, 제1 실시형태에 있어서는, 회전체(102) 및 피처리체 유지부(205)의 쌍방에 압박 가열부를 형성하고, 회전체(102)의 표면을 90℃∼130℃에서 가열하고, 피처리체 유지부(205)의 표면을 80℃∼150℃의 범위에서 가열하여 실시했다.접합부(201)보다 흐름 방향(MD) 후단이며, 권취 롤러(203)보다 전단에는, 박리부(206)가 형성되어 있다. 또, 권취 롤러(203)와 회전체(102) 사이에는, 후술하는 에너지선 조사부 등을 병설하기에 충분한 간격을 형성하면 바람직하다. 박리부(206)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)로 이루어지는 적층체(207)로부터, 커버 필름을 박리할 수 있으면 특별히 한정되지 않는다. 즉, 적층체(207)에 있어서, 피처리체(104)는 고정되고 그 주면에 대하여 수직 방향의 이동을 거의 일으키지 않음과 동시에, 커버 필름이 피처리체(104)로부터 분리된다. 특히, 박리부(206)가, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름을 이용하여 박리할 수 있는 것이면, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 비틀림을 보다 억제함과 동시에, 전사 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 어느 피처리체(104)(A)의 압박과, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 별도의 피처리체(104)(B)로부터의 박리를 동시에 행할 수 있기 때문에, 장치의 과대화를 억제하면서, 택트를 향상시킬 수 있다. 또한, 박리부(206)에 있어서, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향이 변화함으로써, 커버 필름을 박리하는 것이 바람직하고, 후술하는 바와 같은 박리용 롤러나 박리용 에지를 이용할 수 있다.또, 적층체(207)는, 도 3b 및 도 5a에 도시한 제3 적층체(III)에 상당한다. 적층체(207)를 구성하는 피처리체(104)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)에 접합되어, 일체로 되어 있다.박리부(206)에서의 박리력은, 적어도 피처리체(104)의 피처리면에 대하여 수직이며, 또한, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 성분을 포함한다. 예컨대, 적층체(207)의 피처리체(104)의 노출되는 면을 유지하여 고정하고, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)이 롤러 또는 에지에 의해 변화함으로써, 높은 전사 정밀도로 커버 필름을 박리할 수 있다.(박리부)도 15는, 제1 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 박리부에 의한 커버 필름의 박리를 도시한 모식도이다. 도 15a 및 도 15b는, 미세 패턴 형성용 필름(101)/피처리체(104)로 이루어지는 적층체(207)가 반송됨과 동시에, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)이 변화함으로써, 커버 필름이 피처리체(104)로부터 박리되는 경우를 도시하고 있다. 피처리체(104)는, 도면 중 화살표 A로 나타내는 방향으로 이동한다.도 15a에서는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)이, 곡률 반경이 0 초과인 곡률을 갖는 박리용 에지(301)에 의해 변화하고 있다. 한편, 도 15b에서는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)이, 원통형의 박리용 롤러(302)에 의해 변화하고 있다. 어느 경우에 있어서도, 피처리체(104)의 피처리면과는 반대의 면(이하, 노출면이라고도 함)을 고정 수단에 의해 유지하여, 피처리체(104)를 고정하는 것이, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 커버 필름의 박리시에 피처리체(104)의 물리적인 안정성이 향상되기 때문에 바람직하다.도 16은, 제1 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 박리부에 의한 미세 패턴 형성용 필름의 박리를 도시한 모식도이다. 도 16a 및 도 16b에서는, 적층체(207)는 정지되어 있고, 이동용 롤(401) 및 박리용 롤(402)로 이루어지는 박리부(206)가, 피처리체(104)의 피처리면에 평행 또한 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)에 평행한 방향으로 이동함으로써, 커버 필름이 박리되는 경우를 도시하고 있다. 보다 구체적으로는, 이동용 롤(401)이, 도면 중 화살표 B로 나타내는 바와 같이, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)과는 반대측으로 이동한다. 이 이동에 따라, 박리용 롤(402)도 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)과는 반대측으로 이동하여, 커버 필름이 박리된다.박리부(206)에서의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 방향 변화에 관해 더욱 상세히 설명한다. 도 17은, 제1 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 박리부에서의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 방향 변화에 관해 설명하기 위한 설명도이다. 도 17에 도시한 바와 같이, 박리부(206)를 통과하기 전의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD-1)이 만드는 면과, 박리부(206)를 통과한 후의 미세 패턴 형성용 필름(101)(커버 필름)의 흐름 방향(MD-2)이 만드는 면이 이루는 각 θ1을, 박리 방향의 변화량으로서 정의할 수 있다. 이 각도 θ1은 박리각이다. 박리각(θ1)은, 15도 이상 170도 이하인 것이 바람직하다. 15도 이상인 것에 의해, 제1 마스크층과 커버 필름의 계면에 가해지는 박리 응력을 작게 할 수 있기 때문에, 열 나노임프린트법에 의해 얻어지는 중간체(21)에 대한 부하(박리 응력)가 저감되기 때문에, 전사 정밀도가 향상된다. 한편, 170도 이하인 것에 의해, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 관련된 부하가 저하되기 때문에, 반송 정밀도가 향상된다. 동일한 이유로부터, 박리각(θ1)은, 30도 이상 160도 이하인 것이 보다 바람직하고, 60도 이상 160도 이하인 것이 가장 바람직하다. 또, 박리각(θ1)이 90도 이상인 것에 의해, 장치의 과대화를 억제할 수 있다. 보다 콤팩트한 장치를 설계하는 관점에서, 박리각(θ1)은, 100도 이상인 것이 바람직하고, 110도 이상인 것이 보다 바람직하고, 125도 이상인 것이 가장 바람직하다. 또, 박리부(206)를 통과하기 전의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD-1)이 만드는 면은, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 박리 전의 피처리체(104)의 피처리면과 대략 평행이다.여기서, 피처리체(104)의 노출면을 탈착 가능하게 고정할 수 있는 고정 수단을 더욱 형성함으로써, 박리부(206)에 의한 박리시의, 피처리체(104)의 물리적 밸런스가 양호해지기 때문에, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 비틀림이나 열 나노임프린트에 의해 얻어지는 요철 구조의 결손을 보다 억제할 수 있다. 고정 수단은, 예컨대, 감압 척, 정전 척, 외주연부(外周緣部)를 파지하는 것, 또는, 당업자에게 주지된 카세트 지지 방식의 것이다. 또, 제1 실시형태에 있어서는 감압(흡인) 척을 채용함과 동시에, 정전기를 억제할 목적으로, 제전기(도시되지 않음)를 박리부(206)의 주변에 장착했다.상기 설명한 회전체(102)를 구비한 압박부(100)에 의해, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)가 압박되어, 미세 패턴 형성용 필름(101)/피처리체(104)로 이루어지는 적층체(207)가 얻어진다. 또한, 압박부(100)를 구비한 접합부(201)와 박리부(206)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)을 따라, 서로 이격되어 배치되어 있다. 즉, 적층체(207)를 박리부(206)까지 반송하고, 박리부(206)에 있어서 적층체(207)로부터 미세 패턴 형성용 필름(101)의 커버 필름을 박리한다. 여기서, 적층체(207)의 반송은, 적층체(207)의 피처리체(104)의 노출면을 유지하고, 반송하는 피처리체 반송 수단을 별도로 형성하는 것에 의해서도 실현할 수 있지만, 장치의 과대화를 억제하는 관점에서, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름을 이용하여 반송하는, 바꾸어 말하면 미세 패턴 형성용 필름(101)을 피처리체(104)의 캐리어 필름으로서 기능시키는 것이 바람직하다.일반적으로는 워크(피처리체(104))와 캐리어(미세 패턴 형성용 필름(101))는 별개의 이동 기구에 의해 이동 및 반송되지만, 본 실시형태에 관해서는, 워크는 캐리어의 반송에 의해 이동할 수 있다. 즉, 워크와 캐리어가 일체화된 상태를 거칠 수 있다. 이에 따라, 워크의 반송 기구를 별도로 설치할 필요가 없어진다는 점에서, 장치의 콤팩트 설계가 가능해짐과 동시에, 접합부(201)로부터 박리부(206)까지의 사이에, 임의의 구성 요소, 예컨대 에너지선 조사부를 용이하게 도입할 수 있다.즉, 도 14에 있어서는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의, 회전체(102)가 설치된 측의 면과는 반대측의 면, 즉 제1 마스크층면 상에, 피처리체(104)가 배치되고, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 따라, 피처리체(104)도 이동한다. 또한, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 앞뒤가 반대(제1 마스크층면이 아래 방향)인 상태로 반송할 때, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 상측에 회전체(102)를 배치하고, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 하측, 즉, 제1 마스크층면 상에 피처리체(104)를 배치하여, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)를 압박한다. 이 경우, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 접합된 피처리체(104)는, 공중에 매달린 상태로 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 따라 이동할 수 있다.미세 패턴 형성용 필름(101)의 표면 상에 보호층이 형성되어 있는 경우, 접합부(201)에서 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)를 접합하기 전에 보호층을 제거할 필요가 있다. 이 경우, 송출 롤러(202)보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단에, 미세 패턴 형성용 필름(101)으로부터 보호층(도 4 중 14)을 박리하는 보호층 박리 롤러부가 형성된다. 보호층 박리 롤러에는, 보호층 박리 롤러보다 보호층의 흐름 방향의 후단에, 보호층을 권취하여 회수하는 보호층 권취 롤러가 병설된다. 보호층 박리 롤러는, 구동부를 구비하지 않는 프리 롤러로서 형성하든, 구동부를 부대한 롤러이든, 미세 패턴 형성용 필름(101)으로부터 보호층을 박리 가능하면 특별히 한정되지 않는다. 한편, 보호층 권취 롤러는, 미세 패턴 형성용 필름(101)으로부터 박리된 보호층을 권취하여 회수하는 역할을 담당하기 때문에, 구동부를 부대하는 것이 바람직하다. 구동부에 의해 회전하는 보호층 권취 롤러의 회전수는, 보호층의 비틀림이나 미세 패턴 형성용 필름(101)의 비틀림, 사행 등을 억제하도록, 필름 텐션의 관점에서 적절히 설계할 수 있다. 또한, 보호층 박리 롤러는, 회전체(102)에 가까운 위치에 설치되면, 보호층을 박리하여 노출된 표면의 이물의 부착을 억제하고, 이 결과, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)의 접합 정밀도가 향상되기 때문에 바람직하다.상기 설명한 접합부(201)에서의 미세 패턴 형성용 필름의 피처리체(104)에 대한 접합시에, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 피처리체(104)에 대한 접합 정밀도를 보다 향상시킨다는 관점에서, 제전기를 설치할 수 있다. 제전기를 설치함으로써, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 제1 마스크층면 상, 또는 피처리체(104)의 피처리면 상에 부착되는 파티클을 억제할 수 있다는 점에서, 제1 마스크층에 대한 파티클 유래의 응력 집중을 억제할 수 있고, 이에 따라 전사 정밀도를 향상시킬 수 있다.다음으로, 접합부(201)와 박리부(206) 사이에 형성되는 임의의 다른 구성 요소에 관해 설명한다.(에너지선 조사부)접합부(201)와 박리부(206) 사이에, 에너지선 조사부를 형성할 수 있다. 에너지선 조사부에서는, 접합부(201)에서 얻어진 적층체(207)에 대하여 에너지선을 조사한다. 이 때문에, 에너지선 조사부는, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 향해 에너지를 조사해도 좋고, 피처리체(104)를 향해 에너지를 조사해도 좋고, 그 양쪽이어도 좋다. 특히 적어도 피처리체(104)를 향해 에너지를 조사함으로써, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)의 계면 강도를 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하다.에너지선 조사부는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향에 대하여 미세 패턴 형성용 필름(101)의 필름폭의 적어도 50% 이상의 길이의 영역, 및 그 흐름 방향의 일부의 영역에 대하여 에너지선을 조사할 수 있다. 특히, 에너지선 조사부는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향에 대하여 미세 패턴 형성용 필름(101)의 필름폭의 적어도 75% 이상의 길이의 영역에 대하여 에너지선을 조사할 수 있으면, 생산성이 향상됨과 동시에, 환경 대응성이 향상되기 때문에 바람직하다. 보다 바람직하게는, 85% 이상이다. 또한, 환경 대응성 및 과대한 설비화를 억제하는 관점에서, 150% 이하가 바람직하고, 110% 이하이면 보다 바람직하다.여기서, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향의 길이를 W, 피처리체의 폭 방향의 길이를 w, 에너지선 조사부의 폭 방향의 조사 길이를 We로 했을 때, w/W003c#1인 것이 전제이고, 각각의 길이의 관계가, w/W003c#We/W≤1.5인 것이, 환경 대응성 및 과대한 설비를 억제하는 관점에서 바람직하고, w/W003c#We/W≤1.1인 것이 보다 바람직하다.에너지선은, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 구성하는 재질에 따라 적절히 선정할 수 있기 때문에, 특별히 한정되지 않지만, UV-LED 광원, 메탈 할라이드 광원, 고압 수은등 광원 등을 채용할 수 있다. 또한, 에너지선을 조사하기 시작하고부터 조사를 끝내기까지의 적산 광량은, 500 mJ/cm2∼5000 mJ/cm2의 범위이면, 열 나노임프린트의 전사 정밀도가 향상되기 때문에 바람직하다. 보다 바람직하게는 800 mJ/cm2∼2500 mJ/cm2이다. 또한, 이후에 설명하는 연속적 접합인 경우, 에너지선 조사 기구는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향으로 복수대 설치해도 좋다. 이 경우, 모든 에너지선 조사 기구의 에너지선원을 동일하게 해도 좋고, 또한, 에너지선 스펙트럼이 상이한 에너지선 조사 기구를 설치할 수도 있다. 또한, 이후에 설명하는 단속적 접합인 경우, 에너지선의 조사 범위는, 피처리체의 100% 이상인 것이 바람직하고, 에너지선의 조사 범위 내에서의 조도 분포를 고려하면, 150% 이상인 것이 보다 바람직하다.(적층체 가열부)박리부(206)보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD) 전단이며, 또한, 에너지선 조사부보다 흐름 방향(MD) 후단에는, 적층체(207)를 가열하는 적층체 가열부를 형성할 수 있다. 적층체 가열부를 형성함으로써, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)의 계면 강도를 향상시킬 수 있기 때문에, 열 나노임프린트 정밀도가 향상된다. 적층체 가열부에 의한 가열 온도는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 특성에 따라 적절히 선정할 수 있기 때문에, 특별히 한정되지 않지만, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 융점(Tmc) 미만이면, 장치의 과대화를 억제할 수 있음과 동시에, 열 나노임프린트 정밀도가 향상되기 때문에 바람직하다. 특히, 피처리체(104)의 가열 온도가, 30℃∼200℃의 범위가 되도록 가열할 수 있으면 바람직하고, 60℃∼130℃이면 보다 바람직하다. 가열 온도는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송의 관점에서, 대략, Tmc의 0.6배 이하이면 바람직하다. 이와 같이 가열 조건하에서 적층체(207)의 가열이 행해진다.(냉각부)또한, 박리부(206)보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 전단이며, 또한, 적층체 가열부보다 흐름 방향(MD)의 후단에, 적층체(207)를 냉각시키는 냉각부를 형성할 수 있다. 냉각부를 형성함으로써, 커버 필름을 박리할 때의, 박리성을 향상시킬 수 있다. 여기서, 제1 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(200)에 있어서는, 냉각부가 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)에 대하여, 접합부(201)와 이격되어 형성된다. 또한, 제1 실시형태에서는, 상술한 바와 같은 회전체(102)를 채용하고 있다는 점에서, 열 나노임프린트에 필요한 온도를 낮게 유지하고 있다. 이 때문에, 냉각부의 과대화를 억제할 수 있다. 냉각부는, 적층체(207)에 대하여 공기를 분사하는 정도이면 된다. 냉각부는, 적어도 피처리체(104)의 온도가 120℃ 이하가 되도록 냉각시키면, 박리성을 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 미세 패턴 형성용 필름(101)의 특성에 따라 최적의 피처리체(104)의 냉각 후의 온도는 결정되지만, 대략, 5℃ 이상 60℃ 이하가 바람직하고, 18℃ 이상 30℃ 이하가 보다 바람직하다.다음으로, 접합부(201)보다 흐름 방향(MD) 전단에 형성되는 임의의 다른 구성 요소에 관해 설명한다.(반송부)접합부(201)보다 흐름 방향(MD) 전단에, 반송부를 형성할 수 있다. 여기서, 반송부는, 격납된 피처리체(104)를 꺼내어, 접합부(201)의 회전체(102)의 위치까지 피처리체(104)를 반송한다. 반송부는, 접합시의 피처리체(104)의 피처리체 유지부로서 기능시킬 수도 있다. 여기서, 반송부에서의 피처리체(104)의 고정은, 피처리체(104)의 노출면을 탈착 가능하게 고정할 수 있는 고정 수단에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 고정 수단은, 예컨대, 감압 척, 정전 척, 외주연부를 파지하는 것, 또는 당업자에게 주지된 카세트 지지 방식의 것이다.(전처리부)반송부보다 흐름 방향(MD)의 전단측에는, 전처리부를 형성할 수 있다. 전처리부에서는, 피처리체의 주면, 즉 피처리면을 전처리할 수 있다. 전처리부로는, 예컨대, UV-O3 처리 기구, 엑시머 처리 기구, 산소 애싱 기구, 실란 커플링재막 성막 기구 및 수지층 성막 기구를 들 수 있다. 특히, UV-O3 처리 기구 또는 엑시머 처리 기구를 채용함으로써, 과대한 설비화를 억제할 수 있다.다음으로, 박리부보다 흐름 방향(MD)의 후단에 형성되는 임의의 구성 요소에 관해 설명한다.(회수부)박리부보다 흐름 방향(MD)의 후단에는, 회수부를 형성할 수 있다. 회수부는, 박리부 상에서 미세 패턴 형성용 필름(101)이 박리된 피처리체(104)를 회수한다. 이 회수부는, 미세 패턴 형성용 필름(101)이 박리된 피처리체(104)를 유지하면서, 다음 처리를 위한 장치나 일시적인 보관 장치까지 반송한다. 회수부에 의한 피처리체(104)의 유지는, 피처리체(104)의 외주연부를 파지하는 것이나, 피처리체(104)의 미세 패턴 형성용 필름(101)이 접합되어 있던 면과는 반대측의 면, 즉 노출면을 지지함으로써 실현할 수 있다. 또한, 회수부로서, 당업자에게 주지된 카세트 지지 방식을 채용할 수도 있다.(에너지선 조사부, 가열부, 냉각부)박리부(206)보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단이며, 또한, 회수부에 의해 전단에 에너지선 조사부를 형성할 수 있다. 에너지선 조사부에 의해 미세 패턴 형성용 필름(101)이 박리되고, 표면에 요철 구조가 전사된 피처리체(104), 즉 도 5c에 도시한 미세 마스크 구조체(16)에 상당하는 것에, 에너지선을 조사함으로써, 피처리체(104)를 안정화하는 것이 가능해져, 다음 처리에서의 적용도나 보존 안정성이 향상된다. 또, 에너지선 조사부 대신에 가열부를 형성해도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또, 가열부를 형성한 경우, 가열부보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단이며 또한 회수부보다 전단에 냉각부를 형성할 수 있다. 또한, 박리부보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단이며, 회수부보다 전단에, 에너지선 조사부, 가열부, 냉각부의 순으로 형성할 수도 있다.또, 상기 제1 실시형태에 있어서는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 제1 마스크층 표면과 직접 접하는 롤러는, 그 표면을 경면 마무리한 롤러를 사용했다.003c#제2 실시형태003e# 도 18은, 제2 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치를 도시한 모식도이다. 이하의 설명에서는, 제1 실시형태에서 설명한 것과 동일한 구성의 부재에 관해서는, 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.제2 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(300)에 있어서는, 제1 실시형태와 달리, 커트부(501)를 구비하고 있다.(커트부)도 18에 도시한 바와 같이, 접합부(201)보다 흐름 방향(MD)의 후단이며, 권취 롤러(203)보다 전단에는, 커트부(501)가 형성되어 있다. 또, 회전체(102)와 커트부(501) 사이, 또는, 권취 롤러(203)와 커트부(501) 사이에는, 에너지선 조사부 등의 임의의 구성 요소를 병설하기에 충분한 간격을 형성하는 것이 바람직하다.커트부(501)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)이 접합된 피처리체(104), 즉 적층체(207)에 대하여, 피처리체(104)의 외주보다 외측에 위치하는 미세 패턴 형성용 필름(101)을 완전히 또는 부분적으로 재단한다. 도 19는, 제2 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 커트부에 의한 재단 위치를 도시한 평면 모식도이다. 도 19에 도시한 바와 같이, 미세 패턴 형성용 필름(101)/피처리체(104)로 이루어지는 적층체(207)에 대하여, 피처리체(104)의 외주보다 외측을 커트부(501)에 의해 재단한다. 도 19 중의 1점 파선에 의해, 재단 위치(502)를 나타낸다.여기서, 재단은, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 적층체(207)가 완전히 분리되도록, 피처리체(104)보다 외측에 설정한 재단 위치(502)에서 미세 패턴 형성용 필름(101)을 완전히 오려내도 좋다. 또한, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 적층체(207)가 분리되지 않도록, 재단 위치(502)에서 미세 패턴 형성용 필름(101)을 부분적으로 재단해도 좋다. 예컨대, 도 19에 도시한 재단 위치(502)의 외측의 미세 패턴 형성용 필름(101a)과, 재단 위치(502)의 내측의, 적층체(207)를 구성하는 미세 패턴 형성용 필름(101b)이, 부분적으로 연결되도록 재단할 수 있다. 예컨대, 재봉선 모양으로 재단하는 방법이나, 재단 위치(502)의 외측의 미세 패턴 형성용 필름(101a)과 내측의 미세 패턴 형성용 필름(101b)이, 1개소 이상에서 연결된 채로 남기고, 그 이외의 부분을 재단하는 방법을 채용할 수 있다.재단 후의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 정밀도의 관점에서, 도 19에 도시한 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향의 재단폭(I)과 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭(W)은, I003c#W의 관계를 만족하는 것이 바람직하고, I≤0.99W를 만족하는 것이 보다 바람직하고, I≤0.95W를 만족하는 것이 가장 바람직하다.도 19에 있어서는, 커트부(501)에 의한 재단 형상을 원형으로 모식적으로 그리고 있지만, 재단 형상은, n각형(n≥3) 또는 모서리가 둥글려진 n각형(n≥3)을 채용할 수 있다. 또, n이 한없이 커진 경우가 원형이다. 특히, 재단성과 커트부(501)를 통과한 후의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 정밀도의 관점에서, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)에 대하여 평행한 선을 중심으로 한 선대칭인 재단 형상인 것이 바람직하다.커트부(501)는, 적어도, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 절단하는 재단날부(501a)와, 적층체(207)를 지지하는 지지부(501b)로 구성된다. 재단날부(501a)는, 적층체(207)의 피처리체(104)의 상측에 위치하고, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)에 수직인 방향(상하 방향)을 따라 이동한다. 또한, 지지부(501b)는, 적층체(207)를 미세 패턴 형성용 필름(101)의 하측에서 지지하고, 특히, 적층체(207)가 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)에 수직인 방향으로 진동하는 것을 억제한다. 재단날부(501a)가, 지지부(501b)에서 지지된 적층체(207)를 향해 이동하여, 재단이 행해진다.접합부(201)를 거쳐 얻어진 적층체(207)는 커트부(501)까지 반송되어 재단이 행해진다. 여기서, 커트부(501)에 의해 미세 패턴 형성용 필름(101)을 재단 위치(502)에서 완전히 재단한 경우, 재단 위치(502)의 외측의 미세 패턴 형성용 필름(101a)과, 재단된 적층체(207)를 구성하는 미세 패턴 형성용 필름(101b)이 연결되어 있지 않기 때문에, 별도로 형성되는 반송부(도시되지 않음)에 의해, 적층체(207)를 반송할 필요가 있다.한편, 커트부(501)에 의해 재단 위치(502)에서 부분적으로 재단한 경우, 재단 위치(502)의 외측의 미세 패턴 형성용 필름(101a)과, 재단된 적층체(207)를 구성하는 미세 패턴 형성용 필름(101b)은 부분적으로 연결되어 있다. 이 미세 패턴 형성용 필름(101a)과 미세 패턴 형성용 필름(101b)이 연결되어 있는 부분을 접속부라고 한다. 이 접속부가 남아 있기 때문에, 재단된 미세 패턴 형성용 필름(101a)의 반송에 따라, 적층체(207)도 이동한다. 또, 제2 실시형태에 있어서는, 접속부를 형성한 경우에는, 접속부의 폭은 2 mm 이하로 하고, 접속부의 점수는 4점과 2점의 2종류를 실시했다.여기서, 접합부(201)로부터 커트부(501)까지의 사이, 적층체(207)의 반송은, 적층체(207)의 피처리체를 고정하는 고정 수단을 별도로 형성하는 것에 의해서도 실현할 수 있다. 그러나, 장치의 과대화를 억제하는 관점에서, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름을 이용하여 반송하는, 바꾸어 말하면 제1 실시형태에서 설명한 바와 같이, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 피처리체의 캐리어로서 기능시키는 것이 바람직하다.제1 실시형태와 동일하게, 제2 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(300)에 있어서도, 접합부(201)와 커트부(501) 사이에, 에너지선 조사부, 적층체 가열부 및 냉각부를 도입할 수 있다. 또한, 접합부(201)보다 흐름 방향(MD)의 전단에는, 반송부 및 전처리부를 도입할 수 있다.(분리부)또한, 제2 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(300)에 있어서는, 제1 실시형태에서의 박리부(206)를 대신하여 분리부를 형성할 수 있다.커트부(501)에 의해 적층체(207)의 미세 패턴 형성용 필름(101)을, 재단 위치(502)에서 부분적으로 재단한 경우, 적층체(207)가 절단된 미세 패턴 형성용 필름(101a)과 적층체(207)의 미세 패턴 형성용 필름(101b) 사이에는 접속부가 있어, 부분적으로 연결되어 있기 때문에, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 따라, 적층체(207)도 이동한다. 즉, 도 18에 도시한 바와 같이, 커트부(501)보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단에 분리부(503)를 형성함으로써, 미세 패턴 형성용 필름(101a)과 적층체(207)를 분리할 수 있다.분리부(503)는, 미세 패턴 형성용 필름(101a)과 적층체(207)를 분리할 수 있으면 특별히 한정되지 않는다. 즉, 분리부(503)에 있어서, 적층체(207)는, 수직 방향의 이동이 거의 고정됨과 동시에, 미세 패턴 형성용 필름(101a)으로부터, 적층체(207)가 분리된다. 특히, 반송되는 미세 패턴 형성용 필름(101a)의 흐름을 이용하여 분리할 수 있는 분리부(503)이면, 미세 패턴 형성용 필름(101a)의 비틀림을 보다 억제함과 동시에, 적층체(207)의 미세 패턴 형성용 필름(101b)과 피처리체(104)의 계면에 대한 집중 응력을 억제할 수 있다. 또한, 접합부(201)에서의 미세 패턴 형성용 필름(101)과 어느 피처리체(104)(A)의 압박과, 분리부(503)에서의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 별도의 피처리체(104)(B)의 분리를 동시에 행할 수 있기 때문에, 장치의 과대화를 억제하면서, 택트를 향상시킬 수 있다.또한, 분리부(503)에 있어서, 미세 패턴 형성용 필름(101a)의 흐름 방향(MD)이 변화함으로써, 적층체(207)를 분리하는 것이 바람직하고, 후술하는 바와 같은 분리용 롤러나 분리용 에지를 이용할 수 있다. 예컨대, 적층체(207)의 피처리체(104)의 노출면을 유지(고정)하고, 미세 패턴 형성용 필름(101a)의 흐름 방향(MD)이 분리용 에지 또는 분리용 롤러에 의해 변화함으로써, 적층체(207)를, 높은 정밀도로 분리할 수 있다.분리부(503)는, 구체적으로는, 제1 실시형태에서 도 15 및 도 16을 참조하여 설명한 박리부(206)와 동일한 구성이어도 좋다.분리부(503)에서의 부분적으로 재단된 미세 패턴 형성용 필름(101)의 방향 변화는, 제1 실시형태에 있어서 도 17을 이용하여 설명한 박리각(θ1)을, 분리각(θ1)으로 바꿔 읽음으로써 정의할 수 있다. 즉, 도 17에 도시한 바와 같이, 분리부(503)를 통과하기 전의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD-1)이 만드는 면과, 분리부(503)를 통과한 후의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD-2)이 만드는 면이 이루는 각 θ1을 분리 방향의 변화량으로서 정의한다. 이 각도 θ1은 분리각이다. 분리각(θ1)은, 15도 이상 170도 이하인 것이 바람직하다. 15도 이상인 것에 의해, 적층체(207)의 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)의 계면에 가해지는 분리 응력을 작게 할 수 있기 때문에, 열 나노임프린트법의 전사 정밀도가 향상된다. 한편 170도 이하인 것에 의해, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 관련된 부하가 저하되기 때문에, 반송 정밀도가 향상된다. 동일한 이유로부터, 분리각(θ1)은, 30도 이상 160도 이하인 것이 보다 바람직하고, 60도 이상 160도 이하인 것이 가장 바람직하다. 또, 분리각(θ1)이 90도 이상인 것에 의해, 장치의 과대화를 억제할 수 있다. 보다 콤팩트한 장치를 설계하는 관점에서, 분리각(θ1)은, 100도 이상인 것이 바람직하고, 110도 이상인 것이 보다 바람직하고, 125도 이상인 것이 가장 바람직하다. 또, 분리 통과 전의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD-1)이 만드는 면은, 분리 전의 피처리체(104)의 피처리면과 대략 평행이다.커트부(501) 혹은 분리부(503)보다 흐름 방향(MD)의 후단에는, 제1 실시형태와 동일하게, 회수부를 형성할 수 있다. 또한, 회수부보다 흐름 방향(MD)의 후단에는, 제1 실시형태와 동일하게, 에너지선 조사부, 가열부 및 냉각부를 형성할 수 있다.003c#제3 실시형태003e#이하, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 관해 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치는, 제1 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(200)와 동일하게 박리부(206)를 갖는 것이다. 상기 실시형태와 동일한 구성의 부재에 관해서는, 동일한 번호를 붙이고 설명을 생략한다.도 20은, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치를 도시한 모식도이다. 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(600)는, 장척의 미세 패턴 형성용 필름(101)이 풀려나오는 송출 롤러(202)를 구비한다. 송출 롤러(202)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 소정의 속도로 송출한다. 이 송출 롤러(202)와 쌍을 이루어, 송출된 미세 패턴 형성용 필름(101)을 권취하는 권취 롤러(203)가 설치되어 있다.또, 상기 제3 실시형태에 있어서는, 제1 실시형태와 동일하게, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 제1 마스크층 표면과 직접 접하는 롤러는, 그 표면을 경면 마무리한 롤러를 사용했다.(보호층의 박리)미세 패턴 형성용 필름(101) 상에 보호층(601)이 형성되는 경우, 송출 롤러(202)보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단에는, 미세 패턴 형성용 필름(101)으로부터 보호층(601)을 박리하는 보호층 박리 롤러부(602)가 형성된다. 송출 롤러(202)의 근방에 댄서 롤러를 설치한 경우에는, 보호층 박리 롤러부(602)는, 댄서 롤러보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단에 형성된다. 보호층 박리 롤러부(602)에는, 보호층(601)의 흐름 방향의 후단에, 보호층(601)을 권취하여 회수하는 보호층 권취 롤러(603)가 병설되어 있다. 보호층 박리 롤러부(602)는, 구동부를 구비하지 않는 프리 롤러이든, 구동부를 부대한 롤러이든, 미세 패턴 형성용 필름(101)으로부터 보호층(601)을 박리 가능하면 특별히 한정되지 않는다. 한편, 보호층 권취 롤러(603)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)으로부터 박리된 보호층(601)을 권취하여 회수하는 역할을 담당하기 때문에, 구동부를 부대하는 것이 바람직하다. 구동부에 의해 회전하는 보호층 권취 롤러(603)는, 송출 롤러(202)로부터 송출되는 미세 패턴 형성용 필름(101)의 속도와 동기해도 좋고, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 휨이나 사행과 같은 반송 불량을 억제하기 위해, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 텐션 제어를, 보호층 권취 롤러(603)의 구동에 토크 모터를 사용하거나, 보호층 권취 롤러(603)와 보호층 박리 롤러부(602) 사이에 댄서 롤러를 설치할 수 있다. 토크 모터나 댄서 롤러를 설치함으로써, 보호층(601)에 일정한 텐션을 가할 수 있다. 또한, 보호층 박리 롤러부(602)는, 접합부(201)의 회전체(102)에 가까운 위치에 형성되면, 보호층(601)을 박리하여 노출된 미세 패턴 형성용 필름(101)의 표면의 이물의 부착을 억제하고, 그 결과, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)의 표면의 접합 정밀도가 향상되기 때문에 바람직하다.도 20에 도시한 바와 같이, 미세 패턴 형성용 필름(101) 상에 보호층(601)이 있는 경우에는, 보호층 박리 롤러부(602)보다 흐름 방향(MD)의 더욱 후단에, 피처리체 유지부(205)가 형성된다. 미세 패턴 형성용 필름(101)이 보호층(601)을 구비하지 않는 경우에는 송출 롤러(202)보다 흐름 방향(MD)의 더욱 후단에, 피처리체 유지부(205)를 설치할 수 있다.여기서, 피처리체 유지부(205)에 의해 유지된 피처리체(104)의 피처리면과, 회전체(102)보다 흐름 방향(MD)의 전단에서의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 제1 마스크층면은, 기울기를 갖는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 도 21을 이용하여 설명한다. 도 21은, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에서의 접합부에서의 미세 패턴 형성용 필름과 피처리체의 관계를 도시한 모식도이다. 도 21에 도시한 바와 같이, 미세 패턴 형성용 필름(101)은, 송출 롤러(202)로부터 송출된다. 송출 롤러(202)보다 후단에는, 가이드 롤러(701), 댄서 롤러(702), 가이드 롤러(703)가 배치되어 있다. 미세 패턴 형성용 필름(101)은, 가이드 롤러(703)에 의해 흐름 방향(MD)이 바뀐다. 또한, 가이드 롤러(703)보다 후단에 위치하는 회전체(102)에 의해 흐름 방향(MD)이 바뀐다. 즉, 가이드 롤러(703)와 회전체(102) 사이에서는, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)는 서로 비평행인 상태로 되어 있다. 이러한 상태를 만듦으로써, 회전체(102)를 사용하여, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)를 접합할 때의 기포의 혼입을 억제하는 것이 가능해진다. 여기서, 가이드 롤러(703)와 회전체(102) 사이에서는, 피처리체(104)의 피처리면에 평행한 면 내에서, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 제1 마스크층면과, 피처리체(104)의 피처리면이 이루는 각도 θ2는, 0도 초과 80도 이하이면, 접합성이 향상되기 때문에 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.1도 이상 60도 이하이고, 0.2도 이상 30도 이하인 것이 가장 바람직하다.(단속적 접합, 연속적 접합)회전체(102)에 의해, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 제1 마스크층면과 피처리체(104)의 피처리면이 접합 및 압박될 때, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송은 정지한다. 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송이 정지되고, 회전체(102)가 흐름 방향(MD)과는 반대 방향으로 또한 피처리체(104)의 피처리면과 평행한 면 내에서 이동한다. 이에 따라, 피처리체 유지부(205)에 의해 고정된 피처리체(104)와 미세 패턴 형성용 필름(101)이 접합된다. 그 후, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송이 재개된다. 여기서, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송의 재개와 대략 동시에, 또는 재개 전에, 피처리체 유지부(205)로부터 피처리체(104)는 탈착된다. 즉, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 재개에 의해, 피처리체(104)는 미세 패턴 형성용 필름(101)에 의해 반송되게 된다. 계속해서, 미세 패턴 형성용 필름(101) 상의 피처리체(104)가, 회전체(102)의 초기 위치를 통과한 후에, 회전체(102)가 초기 위치로 되돌아간다.또는, 접합 후, 회전체(102)가 초기 위치로 되돌아가고, 그 후, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송이 재개된다. 여기서, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송의 재개와 대략 동시에, 또는 재개 전에, 피처리체 유지부(205)로부터 피처리체(104)는 탈착된다. 즉, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 재개에 의해, 피처리체(104)는 미세 패턴 형성용 필름(101)에 의해 반송되게 된다.상기 설명한 바와 같이, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송의 재개 전에, 피처리체 유지부(205)로부터 피처리체(104)가 탈착됨으로써, 피처리체(104)의 단부도 포함시킨 면 내에 대한 미세 패턴 형성용 필름(101)의 접합 정밀도가 향상되기 때문에 바람직하다. 보다 구체적으로는, 우선, 피처리체 유지부(205)에 의해 피처리체(104)의 피처리면과는 반대측의 면을 고정한다. 예컨대, 감압 고정을 채용할 수 있다. 다음으로, 압박부(100)의 회전체(102)에 의해, 피처리체(104)의 일단부로부터, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 접합을 시작한다. 그 후, 압박분만큼 회전체(102)는, 회전하면서 피처리체(104)의 타단부를 향해, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 접합이 행해진다. 여기서, 회전체(102)가 피처리체(104)의 타단부를 다 통과하기 전에, 피처리체의 고정을 개방한다. 예컨대, 피처리체 유지부(205)에 의한 유지가, 감압 척인 경우, 감압을 개방한다. 이 상태에서, 회전체(102)는, 회전하면서 피처리체(104)의 타단부를 통과한다. 이에 따라, 피처리체(104)의 단부도 포함시킨 면 내에 걸쳐, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 접합할 수 있다.상기 설명한 바와 같은 단속적인 접합을, 이하, 단속적 접합이라고 한다. 또, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 피처리체(104)에 대한 접합 및 압박은, 상술한 단속적 접합뿐만 아니라, 연속적 접합으로 행할 수도 있다. 연속적 접합이란, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송이, 각 공정에서 정지하지 않고, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 피처리체(104)에 대한 접합이, 연속적으로 행해지는 경우를 말한다. 연속적 접합은, 회전체(102)의 위치가 고정되고, 또는, 이동하고, 피처리체 유지부(205)가 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)으로 이동함으로써 행해진다.단속적 접합 또는 연속적 접합의 어느 경우에도, 회전체(102)는 회전축을 중심으로 회전하는 것이 바람직하다. 이 경우, 회전체(102)와, 피처리체(104)의 관계는, 이미 도 10을 참조하여 설명한 거리(X)의 범위를 만족하는 것이 바람직하다.회전체(102)는, 피처리체(104)의 피처리면에 대하여 평행하게 이동하여, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)가 접합 및 압박된다. 미세 패턴 형성용 필름(101)의 피처리체(104)에 대한 접합이 단속적 접합인 경우, 피처리체 유지부(205)가 정지한 상태에서, 회전체(102)가 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)에 평행하며 또한 반대 방향으로 이동한다. 이 때, 피처리체(104)의 피처리면과 미세 패턴 형성용 필름(101)이 회전체(102)에 의해 접합 및 압박된다. 그 후, 피처리체(104)는 피처리체 유지부(205)로부터 이탈하고, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 일체가 되어 반송된다. 즉, 미세 패턴 형성용 필름(101)은, 피처리체(104)의 캐리어로서 기능한다. 계속해서, 미세 패턴 형성용 필름(101) 상의 피처리체(104)가 회전체(102)의 초기 위치를 통과한 후에, 회전체(102)가 초기 위치로 되돌아간다.또한, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 피처리체(104)에 대한 접합이 연속적 접합인 경우에는, 회전체(102)는 고정되거나, 또는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)과는 반대 방향으로 이동한다. 전자의 경우, 피처리체 유지부(205)의 이동 속도는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 속도와 동기하여, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 속도가 접합·압박 속도가 된다. 한편, 후자의 경우, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 속도와, 회전체(102)의 이동 속도의 상대 속도차가 미세 패턴 형성용 필름(101)의 접합·압박 속도가 되고, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 속도로부터 상기 접합·압박 속도를 올릴 수 있다. 또한, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 피처리체(104)에 대한 접합이 연속적 접합인 경우, 후술하는 박리부(206)에서의 박리 속도는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 속도와 동일해지기 때문에, 접합·압박 속도가 박리 속도보다 고속일 필요가 있는 경우에 유효하다.회전체(102) 상에서는, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)의 피처리면이 대면한 상태이며 또한 서로 접촉한 상태가 된다. 이 상태에서, 회전체(102)가 이동함으로써, 미세 패턴 형성용 필름(101) 및 피처리체(104)가, 회전체(102)와 피처리체 유지부(205) 사이에 끼워져 압력이 가해진 상태가 된다. 이 결과, 미세 패턴 형성용 필름(101) 및 피처리체(104)는 접합·압박된다.회전체(102)의 가압 수단으로는, 도 20에 도시한 가압 수단(204)과 같이, 회전체(102)를 하측으로부터 미세 패턴 형성용 필름(101)을 향해 압박하는 것이어도 좋고, 피처리체 유지부(205)에 의해 피처리체(104) 및 미세 패턴 형성용 필름(101)을 상측으로부터 회전체(102)를 향해 압박하는 것이어도 좋고, 이들 양쪽이어도 좋다.또한, 회전체(102)와 피처리체 유지부(205)의 적어도 한쪽에는, 압박 가열부(도시되지 않음)가 부대되어 있다.또한, 회전체(102)에 의해 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)를 압박할 때, 도 12를 참조하여 설명한 각도 Θ는, 1도 이상 60도 이하이면, 저온 또한 저압에서의 열 나노임프린트 정밀도가 향상되기 때문에 바람직하다. 제3 실시형태에 있어서는, 각도 Θ는, 1도 이상 10도 이하로 설정하고 있다.또한, 회전체(102)에는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 지장을 초래하지 않는 정도로, 회전체(102)의 회전 마찰을 저감하는 회전 보조부(도시되지 않음)를 연결해도 좋다. 회전 보조부는, 예컨대, 회전체(102)의 회전축에 연결된 베어링이다.접합부(201)보다 흐름 방향(MD)의 후단이며, 권취 롤러(203)보다 전단에는, 후술하는 에너지선 조사부를 병설하기에 충분한 간격을 두고, 박리부(206)가 형성되어 있다. 박리부(206)는, 박리용 롤러(604)를 구비하고 있다. 박리용 롤러(604)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향 전체에 걸쳐 연장 설치되어 있다. 또한, 박리용 롤러(604)의 단면 형상은, 대략 진원형이다. 박리용 롤러(604)의, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향의 길이는, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 박리하는 적층체(207)의 크기, 즉 피처리체(104)의 크기보다 크면 특별히 한정되지 않는다. 특히, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향으로 복수의 피처리체(104)를 배치하고, 동시에 미세 패턴 형성용 필름(101)을 적층체(207)로부터 박리하기 위해, 박리용 롤러(604)는 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향 전체에 걸쳐 연장 설치되면 바람직하다. 또한, 박리용 롤러(604)의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향에 대한 길이는, 접합부(201)의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향에 대한 길이 이상이면 바람직하다. 특히, 과대한 설비화를 억제하는 관점에서, 박리용 롤러(604)의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향에 대한 길이와, 접합부(201)의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향에 대한 길이는, 대략 동등하면 보다 바람직하다.또한, 박리용 롤러(604)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 따라 수동적으로 회전하는 것이 박리의 정밀도를 향상시키기 때문에 바람직하다. 박리용 롤러(604)의 회전 기구에는, 프리 롤러에 의한 회전 기구나, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 동기, 즉, 송출 롤러(202) 또는 권취 롤러(203)가 구동부에 의한 회전에 동기한 회전 기구를 채용할 수 있다.또한, 박리용 롤러(604)는, 예컨대, 회전축의 둘레에 원통형의 롤을 부착한 것이고, 이 롤의 표면의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 수지나 고무 등의 탄성체인 것이, 박리의 정밀도를 향상시킬 수 있다는 점에서 바람직하다.또한, 박리용 롤러(604)에는, 피처리체(104)를 고정하는 고정 수단(605)이 병설되어 있다. 고정 수단(605)은, 피처리체(104)의 피처리면과는 반대측의 노출면을 유지하도록 되어 있다.박리부(206)에 있어서, 도 17을 참조하여 설명한 바와 같이, 박리각(θ1)은, 15도 이상 170도 이하인 것에 의해, 열 나노임프린트법에 의해 얻어지는 요철 구조에 대한 부하(박리 응력)가 저감되고, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 관련된 부하가 저하되기 때문에 바람직하다. 제3 실시형태에 있어서는, 박리각(θ1)을 95도 이상 150도 이하의 범위에서 설정하고 있다.회전체(102)와 박리부(206) 사이에는, 에너지선 조사부(610)가 형성되어 있다. 에너지선 조사부(610)는, 피처리체(104)측에 형성되고, 피처리체(104)를 향해 에너지선이 조사된다.여기서, 에너지선은, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 구성하는 재질에 따라 적절히 선정할 수 있기 때문에, 특별히 한정되지 않지만, 제3 실시형태에 있어서는, UV-LED 광원을 선정하고, 에너지선을 조사하기 시작하고부터 조사를 끝내기 까지의 적산 광량을, 800 mJ/cm2∼2000 mJ/cm2의 범위로 하고 있다.송출 롤러(202)보다 흐름 방향(MD)의 전단측에는, 전처리부(도시되지 않음)를 형성할 수 있다. 전처리부에서는, 피처리체 유지부에서 유지되는 피처리체(104)의 피처리면을 전처리할 수 있다.한편, 박리부(206)보다 흐름 방향(MD)의 후단에는, 상기 설명한 회수부(도시되지 않음)를 형성할 수 있다. 제3 실시형태에 있어서는, 고정 수단(605)이 회수부를 겸하도록 하고 있다. 즉, 박리부(206)에 있어서 미세 패턴 형성용 필름(101)을 피처리체(104)로부터 박리할 때, 피처리체(104)의 노출면을 고정 수단(605)에 의해 고정하고, 커버 필름을 박리한 후에, 고정 수단(605)에 의해 피처리체(104)를 유지하고, 고정 수단(605)을 이동시킴으로써 피처리체(104)를 회수한다.또한, 박리부(206)보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 전단 이며, 또한, 에너지선 조사부(610)보다 후단에, 적층체 가열부(611)를 형성했다. 적층체 가열부(611)를 형성함으로써, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)의 계면을 안정화하는 것이 가능해진다. 적층체 가열부(611)에 의한 가열 온도는, 이미 설명한 바와 같이 피처리체(104)의 온도가, 30℃∼200℃의 범위가 되도록 가열할 수 있으면 바람직하다. 제3 실시형태에 있어서는, 피처리체(104)의 온도가 80℃ 이상 130℃ 이하의 범위가 되도록 가열 온도를 설정하고 있다.또한, 박리부(206)보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 전단이며, 또한, 적층체 가열부(611)보다 후단에, 냉각부(612)를 형성했다. 냉각부(612)를 형성함으로써, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 박리성을 향상시킬 수 있다. 냉각부(612)에서는, 이미 설명한 바와 같이, 피처리체(104)의 온도가 120℃ 이하가 되도록 냉각시키면, 박리성을 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 제3 실시형태에 있어서는, 상기 온도가 30℃ 이하가 될 때까지, 바람을 분사함으로써 냉각시키고 있다.또, 박리부(206)보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단이며, 또한, 회수부에 의해 전단에, 도시하지 않은 다른 에너지선 조사부를 형성할 수 있다. 다른 에너지선 조사부에 의해, 피처리체(104)의 표면에 열 나노임프린트에 의해 전사된 요철 구조를 안정화하는 것이 가능해져, 전사 이후의 처리에서의 요철 구조의 적용도나 보존 안정성이 향상된다. 또, 다른 에너지선 조사부 대신에 다른 가열부를 형성해도 동일한 효과를 얻을 수 있다.도 22는, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 변형예를 도시한 모식도이다. 도 22에 도시한 바와 같이, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(600)는, 박리용 롤러(604) 대신에, 박리용 에지(620)를 구비하고 있어도 좋다.도 23은, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 변형예를 도시한 모식도이다. 도 23은, 도 20에 도시한 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(600)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 제1 마스크층면을 하측을 향하게 하고, 피처리체(104)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)에 대하여 하측으로부터 대면시켜, 접합하는 구성으로 변경한 것을 도시하고 있다.도 24는, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 변형예를 도시한 모식도이다. 도 24에 도시한 바와 같이, 도 22에 도시한 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(600)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 제1 마스크층면을 하측을 향하게 하고, 피처리체(104)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)에 대하여 하측으로부터 대면시켜, 접합하는 구성으로 변경한 것을 도시하고 있다.도 25는, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 변형예를 도시한 모식도이다. 도 25에 도시한 바와 같이, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(600)는, 박리용 롤러(604) 대신에, 이동용 롤러(631) 및 박리용 롤러(632)를 구비하고 있어도 좋다.이동용 롤러(631) 및 박리용 롤러(632)에 의한 미세 패턴 형성용 필름(101)의 박리는, 도 16a 및 도 16b를 참조하여 설명한 바와 같다.도 26은, 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 변형예를 도시한 모식도이다. 도 26에 도시한 바와 같이, 도 25에 도시한 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(600)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 제1 마스크층면을 하측을 향하게 하고, 피처리체(104)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)에 대하여 하측으로부터 대면시켜, 접합하는 구성으로 변경한 것을 도시하고 있다.제3 실시형태에 있어서도, 제1 실시형태 및 제2 실시형태와 동일하게, 미세 패턴 형성용 필름의 제1 마스크층 표면이 직접 접하는 롤은, 그 표면을 경면 마무리한 롤인 것이 바람직하다. 또한, 접합부에는, 정전기를 억제하기 위해 제전기를 설치할 수 있다. 마찬가지로, 박리부(206)에도 제전기를 설치할 수 있다.(열 나노임프린트 방법)이상과 같은 구성으로 이루어지는 제3 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(600)를 이용한 열 나노임프린트 방법에 관해 설명한다.우선, 송출 롤러(202)로부터 미세 패턴 형성용 필름(101)을 반출하고, 권취 롤러(203)로 권취함으로써, 보호층 박리 롤러부(602), 접합부(201)의 순으로 미세 패턴 형성용 필름(101)을 반송한다.보호층(601)을, 보호층 박리 롤러부(602)에 있어서 미세 패턴 형성용 필름(101)으로부터 박리하고, 보호층 권취 롤러(603)에 권취하여, 회수한다.한편, 피처리체(104)를, 격납고(도시되지 않음)로부터 꺼낸다. 피처리체(104)는, 전처리부(도시되지 않음)에 의해 피처리체(104)의 피처리면 상에 전처리를 행해도 좋다. 제3 실시형태에 있어서는, UV-O3 처리, 에어 블로우 및 제전 처리를 순차적으로 행한다.다음으로, 피처리체(104)는, 피처리체 유지부(205)에 의해 유지한다. 제3 실시형태에 있어서는, 감압 흡착에 의해 유지하고 있다. 다음으로, 피처리체(104)는 피처리체 유지부(205)에 의해 회전체(102)의 앞으로 반송된다. 제3 실시형태에 있어서는, 피처리체 유지부(205)는, 감압 흡착 수단(205a)을 구비하고, 이 감압 흡착 수단(205a)을 상측을 향하게 한 상태에서 피처리체 유지부(205) 상에 피처리체(104)를 배치하고, 흡착 고정한다. 계속해서, 피처리체 유지부(205)가 이동 및 상하 반대가 되도록 회전함으로써, 회전체(102)의 앞까지 피처리체(104)를 반송하고, 정지한다. 이 때, 피처리체(104)의 피처리면과, 미세 패턴 형성용 필름(101)이, 접촉하지 않고 기울기를 갖고 대향한 상태가 된다.그 후, 회전체(102)가 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)과는 반대 방향으로 이동하거나, 또는, 미세 패턴 형성용 필름(101)이 반송되고 있는 상태에서 피처리체 유지부(205)가 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 속도와 동일한 속도로 이동한다. 이에 따라, 피처리체 유지부(205)와 회전체(102)에 의해, 피처리체(104)와 미세 패턴 형성용 필름(101)이 사이에 끼워진다.계속해서, 미세 패턴 형성용 필름(101)은, 회전체(102)에 의한 압박력을 받아, 피처리체(104)에 대하여 압박된다. 이 때, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 표면과, 피처리체(104)의 표면이 서로 대면한 상태로 되어 있다. 제3 실시형태에 있어서는, 회전체(102)에 의해 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)를 압박할 때, 도 12를 참조하여 설명한 각도 Θ는, 1도 이상 10도 이하로 설정하고 있다.이 때, 피처리체(104)를, 압박 가열부에 의해 가열한다. 제3 실시형태에 있어서는, 피처리체 유지부(205) 및 회전체(102)의 쌍방에 압박 가열부를 부대시키고, 이 압박 가열부에 의해 피처리체 유지부(205)의 피처리체(104)와 접하는 면 및 회전체(102)의 표면의 온도를, 60도∼130도의 범위에서 가열하고 있다.여기서는, 압박 가열부에 의해 가열된 피처리체(104)에, 회전체(102)에 의해 실질적으로 선으로서의 압력을 가하면서 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)를 접합 및 압박함으로써, 저온 또한 저압에서 열 나노임프린트를 양호하게 행할 수 있다.이 결과, 접합부(201)에서의 회전체(102)에 의한 접합 및 압박에 의해, 미세 패턴 형성용 필름(101)/피처리체(104)로 구성되는 적층체(207)가 얻어진다.접합 및 압박이 완료되면, 피처리체 유지부(205)는, 피처리체(104)를 해방하고, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 의해, 적층체(207)가 에너지선 조사부(610)로 이동한다.다음으로, 적층체(207)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 의해, 에너지선 조사부(610)의 조사 영역까지 반송하고, 에너지선을 조사한다. 에너지선의 조사는, 단속적 접합인 경우, 에너지선 조사부(610)의 조사 영역 아래에서 미세 패턴 형성용 필름(101)이 정지함으로써 행해진다. 한편, 연속적 접합인 경우, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 반송함으로써, 적층체(207)에 에너지선이 조사된다.제3 실시형태에 있어서는, 에너지선은, 피처리체(104)를 향해 조사된다. 또한, 광원으로서 365 nm의 중심 파장을 갖는 UV-LED 광원을 선정하고, 적산 광량이 800 mJ/cm2∼2000 mJ/cm2가 되도록 설정하고 있다.계속해서, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 반송함으로써, 적층체(207)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단을 향해, 적층체 가열부(611)로 반송한다. 적층체 가열부(611)에서는, 제3 실시형태에 있어서는, 피처리체(104)의 온도가 80℃ 이상 130℃ 이하의 범위가 되도록 설정하고 있다.또한, 제3 실시형태에 있어서는, 적층체(207)를 한쌍의 평판(도시되지 않음)으로 사이에 끼우고, 각 평판을 함께 가열함으로써, 적층체(207)의 가열을 행하고 있다.계속해서, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 반송함으로써, 적층체(207)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단을 향해 냉각부(612)로 반송한다. 제3 실시형태에 있어서는, 적층체(207)의 온도가 30℃ 이하가 될 때까지, 바람을 분사함으로써 냉각시키고 있다.또한, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 반송함으로써, 적층체(207)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단을 향해, 박리부(206)까지 반송한다. 이 박리부(206)에서, 적층체(207)로부터 커버 필름을 박리한다.단속적 접합의 경우, 도 25 및 도 26을 이용하여 설명한, 박리부(206)가 이동용 롤러(631) 및 박리용 롤러(632)를 구비한 열 나노임프린트 장치(600)를 이용한다. 즉, 적층체(207)의 피처리체(104)의 노출면을 고정 수단(605)에 의해 흡착 유지하고, 적층체(207)와 미세 패턴 형성용 필름(101)이 정지한 상태에서, 이동용 롤러(631)가, 도면 중 화살표 B로 나타내는 바와 같이, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 이송 방향(MD)과는 반대 방향으로 이동함으로써, 박리용 롤러(632)도 마찬가지로 이동하여, 적층체(207)로부터 커버 필름이 박리된다. 그 후, 미세 패턴 형성용 필름(101)은, 권취 롤러(203)에 의해 권취된다.한편, 연속적 접합의 경우, 예컨대, 도 23 및 도 24를 이용하여 설명한, 박리부(206)가 박리용 에지(620)를 구비하고 있는 열 나노임프린트 장치(600)를 이용한다. 즉, 적층체(207)의 피처리체(104)의 노출면을 고정 수단(605)으로 흡착 유지하고, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 속도와 동일한 속도로 또한 미세 패턴 형성용 필름(101)의 이송 방향(MD)에 평행한 방향으로 고정 수단(605)을 이동한다. 한편, 미세 패턴 형성용 필름(101)은 박리용 에지(620)에서 흐름 방향(MD)이 변화한다. 이에 따라, 적층체(207)에 있어서, 피처리체(104)가 미세 패턴 형성용 필름(101)으로부터 박리된다. 피처리체(104)는, 고정 수단(605)에 의해 유지된 채로 회수부(621)까지 이동한다. 한편, 미세 패턴 형성용 필름(101)은, 권취 롤러(203)에 의해 권취된다.이와 같이 하여, 박리부(206)에 있어서, 적층체(207)로부터 커버 필름이 박리되고, 열 나노임프린트에 의해 전사 부여된 요철 구조가 형성된 피처리체(104), 즉, 도 5c에 도시한 중간체(21)가 얻어진다.또, 제3 실시형태에 있어서는, 단속적 접합의 경우, 박리부(206)의 직전까지 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 의해 이동한 적층체(207)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 정지에 따라 정지한다. 계속해서, 고정 수단(605)이 피처리체(104)의 바로 위까지 이동하고, 계속해서 피처리체(104)를 향해 하강하여, 피처리체(104)를 감압 고정하고 있다.마지막으로, 제1 마스크층 및 제2 마스크층이 형성된 피처리체(104)를 회수부에 의해 회수한다. 도 20, 도 23, 도 25 및 도 26에 도시한 열 나노임프린트 장치(600)에 있어서는, 고정 수단(605)을 회수부로서 병용하고 있다.이상, 제3 실시형태에 관해 설명했지만, 각 구성 요소의 배치는, 직선적인 배치 외에, 원 형상으로 배치함으로써, 장치의 과대화를 억제할 수 있다.003c#제4 실시형태003e#이하, 제4 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 관해 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 27은, 제4 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치를 도시한 모식도이다. 상술한 실시형태와 동일한 구성으로 이루어지는 부재에 관해서는 동일한 번호를 붙이고, 설명을 생략한다.제4 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(800)는, 도 18을 이용하여 설명한 커트부(501)를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.열 나노임프린트 장치(800)는, 장척의 미세 패턴 형성용 필름(101)이 풀려나오는 송출 롤러(202)를 구비한다. 송출 롤러(202)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 소정의 속도로 송출한다. 이 송출 롤러(202)와 쌍을 이루어, 송출된 미세 패턴 형성용 필름(101)을 권취하는 권취 롤러(203)가 설치된다. 권취 롤러(203)의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 권취 기구는, 제2 실시형태에서 설명한 바와 같다.미세 패턴 형성용 필름(101)에 보호층(601)이 형성되는 경우, 송출 롤러(202)보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단에, 상술한 실시형태에서 설명한 것과 동일하게, 보호층 박리 롤러부(602) 및 보호층 권취 롤러(603)를 설치할 수 있다.보호층 박리 롤러부(602)보다 흐름 방향(MD)의 더욱 후단에는, 접합부(201)가 형성되어 있다. 접합부(201)는, 상술한 제3 실시형태와 동일하게, 회전체(102) 및 가압 수단(204)을 포함하는 압박부(100)를 구비하고 있다. 또한, 보호층 박리 롤러부(602)와 접합부(201) 사이에는, 피처리체 유지부(205)가 형성되어 있다. 피처리체 유지부(205)의 유지 기구는, 상술한 제3 실시형태에서 설명한 것과 동일한 기구를 채용할 수 있다.여기서, 접합부(201)보다 흐름 방향(MD)의 전단에 있어서, 피처리체 유지부(205)에 의해 유지된 피처리체(104)의 피처리면과 미세 패턴 형성용 필름(101)은, 상술한 제3 실시형태에서 설명한 것과 동일하게 기울기를 갖는 것이 바람직하다.회전체(102)에 의한 미세 패턴 형성용 필름(101)의 요철 구조면과 피처리체(104)의 피처리면의 접합 및 압박은, 단속적 접합 혹은 연속적 접합에 상관없이, 상술한 제3 실시형태에서 설명한 것과 동일하게 행할 수 있다.또한, 회전체(102)와 피처리체 유지부(205)의 적어도 한쪽에, 압박 가열부(도시되지 않음)를, 제3 실시형태와 동일하게 형성할 수 있다. 제4 실시형태에 있어서도, 제3 실시형태와 동일하게, 회전체(102) 및 피처리체 유지부(205)의 양쪽에 압박 가열부를 형성하고 있다.또한, 피처리체(104)를, 격납고(도시되지 않음)로부터 꺼내어, 전처리부(도시되지 않음)에 의해 피처리체(104)의 피처리면에 전처리를 행해도 좋다. 제4 실시형태에 있어서는, 엑시머 처리, 에어 블로우 및 제전 처리를 순차적으로 행하고 있다.회전체(102)보다 흐름 방향(MD)의 후단이며, 권취 롤러(203)보다 전단에는, 커트부(501)가 형성되어 있다. 또, 회전체(102)와 커트부(501) 사이, 또는, 권취 롤러(203)와 커트부(501) 사이는, 후술하는 에너지선 조사부 등을 병설하기에 충분한 간격을 형성하면 바람직하다.여기서, 회전체(102)로부터 커트부(501)까지의 사이에 있어서, 미세 패턴 형성용 필름(101)/피처리체(104)로 이루어지는 적층체(207)의 반송은, 적층체(207)의 피처리체(104)의 노출면을 고정하는 고정 수단을 별도로 형성하는 것에 의해서도 실현할 수 있다. 그러나, 제3 실시형태와 동일하게, 장치의 과대화를 억제하는 관점에서, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름을 이용하여 반송하는, 바꾸어 말하면 미세 패턴 형성용 필름(101)을 피처리체(104)의 캐리어로서 기능시키는 것이 바람직하다.커트부(501)는, 이미 설명한 바와 같이, 미세 패턴 형성용 필름(101)이 접합된 피처리체(104)에 대하여, 피처리체(104)의 외주보다 외측에 위치하는 미세 패턴 형성용 필름(101)을 완전히 또는 부분적으로 절단한다. 제4 실시형태에 있어서는, 부분적으로 재단하는 형식을 채용하고 있다. 보다 구체적으로는, 제4 실시형태에 있어서는, 커트부(501)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 절단하는 재단날부(501a)와, 적층체(207)를 지지하는 지지부(501b)로 구성되어 있다. 재단날부(501a)에는, 피처리체(104)보다 크며, 또한, 외주 형상이 피처리체(104)와 대략 상사 형상인 재단날(504)을 사용하고 있다. 재단날(504)에 점대칭으로 4개소의 칼날이 없는 부분을 형성하고 있다. 즉, 커트부(501)에 의해 재단된 미세 패턴 형성용 필름(101)은, 재단 위치의 외측(도 19 중 101a)과 내측(도 19 중 101b) 사이에, 피처리체(104)를 중심으로 점대칭으로 4개소의 부분적인 접속부를 남기고 재단된다. 또한, 이미 설명한 바와 같이, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송 정밀도의 관점에서, 제4 실시형태에 있어서는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭 방향의 재단폭(I)은, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 폭(W)에 대하여, 0.8W∼0.99W 사이가 되도록 설정한다.커트부(501)는, 또한, 예컨대 스폰지로 구성되는 대략 원기둥형의 탄성체(505)를 구비하고 있다. 탄성체(505)의 두께는 재단날(504)보다 크다. 또한, 탄성체(505)에는, 원형으로 홈부(505a)가 형성되어 있다. 이 홈부(505a) 내에 재단날(504)이 그 전체를 수용 가능하게 매몰되어 장착되어 있다. 이에 따라, 탄성체(505)가 외부로부터 압력을 받아 압축되면, 재단날(504)의 날끝이 외부로 돌출되도록 되어 있다. 커트부(501)는 도시하지 않은 구동 수단에 의해 승강 가능하게 되어 있다.또한, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 사이에 끼우고, 재단날부(501a)의 반대측에는, 적층체(207)를 피처리체(104)측으로부터 지지하는 금속제의 지지대(506)가 설치되어 있다. 지지대(506)는, 예컨대 고정되어 있다. 상술한 재단날부(501a)의 탄성체(505) 및 지지대(506)에 의해, 지지부(501b)가 구성되고, 적층체(207)의 상하의 면을 협지한다. 보다 구체적으로는, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 재단할 때에, 커트부(501)가 하강하고, 지지대(506)는 고정된다. 이 때문에, 적층체(207)를 상하로부터 끼워넣을 수 있다. 더욱 커트부(501)의 하강에 의해, 탄성체(505)의 탄성 변형이 생기고, 재단날부(501a)가 미세 패턴 형성용 필름(101)으로 눌려 들어간다. 즉, 커트부(501)의 하강에 의해, 탄성체(505)에 압력이 가해져, 탄성체(505)가 압축되고, 재단날(504)이 돌출된다. 이 결과, 미세 패턴 형성용 필름(101)이 재단된다.상술한 바와 같이, 커트부(501)에 의해, 적층체(207)의 미세 패턴 형성용 필름(101)을 부분적으로 재단한다. 즉, 도 19에 도시한 바와 같이, 피처리체(104) 상의 미세 패턴 형성용 필름(101a)과, 피처리체(104) 상의 미세 패턴 형성용 필름(101b)은, 접속점을 갖는다. 이 때문에, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 더욱 후단으로의 적층체(207)의 반송은, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 의해 행할 수 있다.커트부(501)보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 전단에, 에너지선 조사부를 형성할 수 있다. 에너지선 조사부에 관해서는, 이미 설명한 바와 같다. 제4 실시형태에 있어서는, 에너지선은, 피처리체(104)를 향해 조사하고 있다. 또한, 광원으로서 365 nm의 중심 파장을 갖는 UV-LED 광원을 선정하고, 적산 광량이 800 mJ/cm2∼2000 mJ/cm2가 되도록 설정하고 있다.커트부(501)보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단에는, 분리부(503)를 형성할 수 있다. 분리부(503)를 형성함으로써, 부분적으로 재단된 미세 패턴 형성용 필름(101b)/피처리체(104)로 이루어지는 적층체(207)를, 미세 패턴 형성용 필름(101a)으로부터 완전히 분리하고, 적층체(207)를 연속적으로 얻을 수 있다.분리부(503)는, 이미 제2 실시형태에 있어서 설명한 바와 같은 구성이다. 제4 실시형태에 있어서는, 적층체(207)의 피처리체(104)의 노출면을 유지(고정)하고, 부분적으로 재단된 미세 패턴 형성용 필름(101a)의 흐름 방향(MD)이, 박리용 롤러(503a)에 의해 변화함으로써, 미세 패턴 형성용 필름(101a)으로부터 적층체(207)를 분리한다.제4 실시형태에 있어서는, 도 17을 참조하여 설명한 분리각(θ1)은, 95도 이상 170도 이하의 범위로 설정하고 있다.또한, 분리부(503)에 있어서는, 피처리체(104)의 노출면을 탈착 가능하게 고정할 수 있는 고정 수단을 더욱 형성함으로써, 상기 분리부(503)에 의한 분리시의 적층체(207)의 물리적 밸런스가 양호해지기 때문에, 미세 패턴 형성용 필름(101a)의 비틀림이나 열 나노임프린트에 의해 얻어지는 요철 구조의 결손을 보다 억제할 수 있다. 고정 수단은, 감압 척, 정전 척, 외주연부를 파지하는 방식, 또는 당업자에게 주지된 카세트 지지 방식을 채용할 수 있다.분리부(503)보다 흐름 방향(MD)의 후단에는, 회수부(도시되지 않음)를 형성할 수 있다. 회수부는, 적층체(207)를 회수한다. 이 회수부는, 적층체(207)를 유지하면서, 다음 처리를 위한 장치나 일시적인 보관 장치까지 반송한다. 회수부에 의한 적층체(207)의 유지는, 피처리체(104)의 노출면 또는 미세 패턴 형성용 필름(101)의 노출면을 지지함으로써 실현할 수 있다. 제4 실시형태에 있어서는, 분리부(503)에 있어서 사용한 고정 수단을 회수 수단으로서 병용하고 있다. 즉, 분리부(503)에 있어서는, 고정 수단(801)이 피처리체(104)의 표면을 고정하고, 적층체(207)가 분리된다. 계속해서, 고정 수단(801)의 흡착 고정을 유지한 상태에서, 고정 수단(801)이 이동하고, 적층체(207)를 회수한다.또한, 제4 실시형태에 있어서는, 도 28 및 도 29에 도시한 바와 같이, 분리부(503)보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단에 또한, 추가로 다른 구성 요소를 부가할 수 있다.도 28은, 제4 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 변형예를 도시한 모식도이다. 도 28에 도시한 바와 같이, 열 나노임프린트 장치(800)는, 분리부(503)에서 미세 패턴 형성용 필름(101a)으로부터 분리된 적층체(207)를 반송하는 반송부(810)를 구비하고 있다. 반송부(810)는, 한쌍의 컨베이어 롤(811, 812)에, 컨베이어 벨트(813)를 가설한 컨베이어이다.반송부(810)의 컨베이어 종단 부근에는 박리부(814)가 형성되어 있다. 박리부(814)는, 고정 수단(815)에 의한 적층체(207)를 구성하는 피처리체(104)의 노출면의 흡착 고정과, 컨베이어 롤(812) 상에서의 컨베이어 벨트(813)의 곡률(이하, 컨베이어 종단의 곡률이라고 함)을 이용하여, 피처리체(104)로부터 미세 패턴 형성용 필름(101b)을 박리한다.이와 같이 컨베이어 종단의 곡률을 이용하는 경우, 반송부(810)에 의한 적층체(207)의 반송 속도에 동기한 속도로, 고정 수단(815)이 피처리체(104)를 유지하면서 적층체(207)의 흐름 방향에 평행하게 이동함과 동시에, 미세 패턴 형성용 필름(101b)은 컨베이어 벨트(813)에 의해 유지된다. 그리고, 고정 수단(815)/피처리체(104)/미세 패턴 형성용 필름(101b)/컨베이어 벨트(813)로 이루어지는 적층체가 컨베이어 종단의 곡률에 침입하여, 박리가 행해진다. 이에 따라, 미세 패턴 형성용 필름(101b)의 박리성이 양호해진다. 여기서, 고정 수단(815)을 복수 형성하며, 또한, 모든 고정 수단(815)이 동일한 동작을 반복해서 행하는 것이, 양산의 관점에서 바람직하다.도 28에 도시한 바와 같이, 박리부(814)보다 전단에는, 반송부(810)를 따라, 에너지선 조사부(820), 가열부(821) 및 냉각부(822)를 형성할 수 있다.가열부(821)에서는, 제4 실시형태에 있어서는, 피처리체(104)의 가열 온도를 90℃ 이상 140℃ 이하의 범위로 설정한다. 또한, 가열부(821)에서는, 적층체(207)를 한쌍의 평판으로 사이에 끼우고, 각각의 평판을 함께 가열함으로써, 가열을 행한다.또한, 냉각부(822)에서는, 제4 실시형태에 있어서는, 적층체(207)의 온도가 30℃ 이하가 될 때까지, 바람을 분사함으로써 냉각시키고 있다.박리부(814)에서 미세 패턴 형성용 필름(101b)이 박리된 피처리체(104)는, 별도로 형성된 회수부(도시되지 않음)에 의해 회수된다. 회수부의 기구는 이미 설명한 바와 같다.도 29는, 제4 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치의 변형예를 도시한 모식도이다. 도 29에 도시한 바와 같이, 열 나노임프린트 장치(900)는, 분리부(503)에서 미세 패턴 형성용 필름(101a)으로부터 분리된 적층체(207)를 유지한 채로 반송하는, 복수의 가동식 고정 수단(831)으로 구성되는 반송부(830)를 구비하고 있다. 또, 도 29에 도시한 열 나노임프린트 장치(900)는, 도 18에 도시한 제2 실시형태와 동일하게, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 요철 구조면이 상측을 향하고, 피처리체(104)의 피처리면이 하측을 향한 상태에서 처리되는 구성으로 되어 있다.반송부(830)에 의한 적층체(207)의 반송 경로 상에는, 에너지선 조사부(820), 가열부(821) 및 냉각부(822)가 순차적으로 형성되어 있다.반송부(830)의 종단에는, 박리부(832)가 형성되어 있다. 이 박리부(832)에 의해, 피처리체(104)의 노출면을 고정 수단(831)에 의해 유지하고, 정지한 상태에서, 미세 패턴 형성용 필름(101b)을 유지하고, 미세 패턴 형성용 필름(101b)을 피처리체(104)의 면내 방향으로의 이동이 가해지도록 박리한다. 박리부(832)로는, 이미 설명한 박리부(206)와 동일한 것을 채용할 수 있다.제4 실시형태에 있어서도, 제1∼제3 실시형태와 동일하게, 미세 패턴 형성용 필름의 제1 마스크층 표면이 직접 접하는 롤은, 그 표면을 경면 마무리한 롤인 것이 바람직하다. 또한, 접합부(201)에는, 정전기를 억제하기 위해 제전기를 설치할 수 있다. 마찬가지로, 박리부(832)에도 제전기를 설치할 수 있다.이상, 제4 실시형태에 관해 설명했지만, 각 구성 요소의 배치는, 직선적인 배치 외에, 원 형상으로 배치함으로써, 장치의 과대화를 억제할 수 있다.003c#제5 실시형태003e#이하, 제5 실시형태에 관해 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 30은, 제5 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치를 도시한 모식도이다. 제3 실시형태와 동일한 구성으로 이루어지는 부재에 관해서는 동일한 번호를 붙이고, 설명을 생략한다.제5 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(1000)는, 장척의 미세 패턴 형성용 필름(101)이 풀려나오는 송출 롤러(202)를 구비한다. 송출 롤러(202)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 소정의 속도로 송출한다. 이 송출 롤러(202)와 쌍을 이루어, 송출된 미세 패턴 형성용 필름(101)을 권취하는 권취 롤러(203)가 형성되어 있다.미세 패턴 형성용 필름(101)에 보호층(601)이 형성되어 있는 경우, 송출 롤러(202)보다 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)의 후단에, 보호층 박리 롤러부(602) 및 보호층 권취 롤러(603)를 설치할 수 있다.보호층 박리 롤러부(602)보다 흐름 방향(MD)의 더욱 후단에는, 접합부(201)가 형성되어 있다. 접합부(201)에 있어서, 회전체(102)에는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 지장을 초래하지 않는 정도로 회전체(102)의 회전 마찰을 저감하는 회전 보조부(1009)를 연결할 수 있다. 회전 보조부(1009)는, 예컨대, 회전체(102)의 회전축에 연결된 베어링이다. 이 회전 보조부(1009)는 없어도 상관없다.또한, 접합부(201)와 피처리체 유지부(205)의 적어도 한쪽에 압박 가열부를 형성할 수 있다. 제5 실시형태에 있어서는 양쪽에 압박 가열부(도시되지 않음)를 형성하고 있다.접합부(201)는, 도 30에 도시한 바와 같이, 송출 롤러(202)보다 높은 위치에 배치되어 있다. 이에 따라, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)이, 비스듬한 상측 방향으로부터 수평 방향으로 방향 전환된다. 즉, 접합부(201)는, 가이드 롤러로서도 기능하고 있다.접합부(201)보다 흐름 방향(MD)의 후단이며, 권취 롤러(203)보다 전단에는, 후술하는 에너지선 조사부(1002)를 병설하기에 충분한 간격을 두고, 박리용 롤러(604)가 설치되어 있다.박리용 롤러(604)에는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 지장을 초래하지 않는 정도로 박리용 롤러(604)의 회전 마찰을 저감하는 회전 보조부(1001)를 연결할 수 있다.박리용 롤러(604)는, 도 30에 도시한 바와 같이, 권취 롤러(203)보다 높은 위치에 배치되어 있다. 이에 따라, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD)이, 수평 방향으로부터 경사 하측으로 방향 전환된다. 즉, 박리용 롤러(604)는, 가이드 롤러로서도 기능하고 있다.이와 같이, 접합부(201)와 박리용 롤러(604) 사이에서는, 미세 패턴 형성용 필름(101)이 대략 수평 상태로 반송된다.접합부(201)와 박리용 롤러(604) 사이로서, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 피처리체(104)와는 반대측에는, 에너지선 조사부(1002)가 형성되어 있다.열 나노임프린트 장치(1000)에 있어서는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 피처리체(104)에 대한 접합면이 수직 방향 상측을 향하고 있다. 그리고, 접합부(201), 에너지선 조사부(1002) 및 박리용 롤러(604)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 하측, 즉, 피처리체(104)와는 반대측에 배치되어 있다.또한, 제5 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(1000)는, 피처리체 반입부(1003)를 구비하고 있다. 이 피처리체 반입부(1003)는, 전처리부(1004)에 피처리체(104)를 반입하고, 그 표면을, 제1 실시형태와 동일하게 전처리한다. 피처리체(104)를 지지할 필요가 있기 때문에, 피처리체(104)의 외주연부를 파지하는 것이 바람직하지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.또한, 제5 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(1000)는, 피처리체 반입부(1003)로부터 피처리체(104)를 수취하는 피처리체 유지부(205)를 구비한다. 이 피처리체 유지부(205)는, 수취한 피처리체(104)를 접합부(201)의 상측까지 이동하고, 미세 패턴 형성용 필름(101)에, 전처리된 면을 하측으로 하여 적재한다.피처리체 유지부(205)에서는, 감압 척(도시되지 않음)에 의해 피처리체(104)를 착탈 가능하게 고정된다. 피처리체 유지부(205)로는, 감압 척 외에, 정전 척 등을 들 수 있다. 또한, 피처리체(104)의 외주연부를 파지하는 것이나, 당업자에게 주지된 카세트 지지 방식을 채용한 것이어도 좋다.또한, 제5 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(1000)는, 커버 필름을 박리함으로써 얻어지는 피처리체, 즉 중간체(1005)를 회수하는 회수부(1006)를 구비한다. 회수부(1006)에서는, 감압 척(도시되지 않음)에 의해 중간체를 착탈 가능하게 고정한다. 고정 수단으로는, 감압 척 외에, 정전 척 등을 들 수 있다. 또한, 중간체(1005)의 외주연부를 파지하는 것이나, 당업자에게 주지된 카세트 지지 방식을 채용한 것이어도 좋다.이 제5 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(1000)에 있어서는, 피처리체(104)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)에 의해 그 흐름 방향(MD)을 따라, 회전체(102), 에너지선 조사부(1002), 및 박리용 롤러(604) 상을 순차적으로 반송되어, 접합, 에너지선 조사 및 박리의 각 처리가 실시된다.우선, 회전체(102) 상에서는, 미세 패턴 형성용 필름(101)과, 피처리체(104)의 피처리면이 대면하며 또한 서로 접촉한 상태로 반송된다. 그리고, 회전체(102)에는, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 피처리체(104)의 전처리면을 향해 압박하는 가압 수단(204)이 형성되어 있고, 가압 수단(204)에 의한 압박력이 미세 패턴 형성용 필름(101) 및 피처리체(104)에 대하여 가해진다. 이 때, 압박 가열부에 의해 피처리체(104)는 소정 온도로 가온되기 때문에, 피처리체(104)와의 밀착성이 발현된다. 이 결과, 미세 패턴 형성용 필름(101) 및 피처리체(104)의 접합 및 압박이 실질적으로 선으로서 행해지고, 미세 패턴 형성용 필름(101)/피처리체(104)로 구성되는 적층체(207)가 얻어진다.이 때에, 피처리체 유지부(205)는, 피처리체(104)를 지지하고 있다. 이와 같이, 제5 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(1000)에서는, 회전체(102), 피처리체 유지부(205), 압박 가열부, 및 가압 수단(204)에 의해 접합부(201)를 구성하고 있다. 이 접합부(201)에 의해, 미세 패턴 형성용 필름(101) 및 피처리체(104)에 실질적으로 선으로 압력을 가함으로써, 이들의 접합을 실현하고 있다.또, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)의 접합·압박 조건, 방법, 피처리체 유지부(205)의 기구는, 제1 실시형태에 기재한 바와 같다.또, 피처리체 유지부(205)에 지지되어 있는 피처리체(104)는, 피처리체(104)가 전부 접합부(201)를 통과한 후, 혹은 다 통과하기 직전에, 그 지지를 해방한다. 즉, 피처리체(104)의 일주면이 전부 미세 패턴 형성용 필름(101)과 접합된 후, 혹은 그 직전에, 피처리체 유지부(205)의 피처리체(104)의 유지는 해방되고, 미세 패턴 형성용 필름(101)/피처리체(104)로 이루어지는 적층체(207)만이, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름에 의해 이동하여, 에너지선 조사부(1002)쪽으로 반송된다.에너지선 조사부(1002)보다 흐름 방향(MD)의 후단에는, 가열부(1007) 및 냉각부(1008)가 순차적으로 배치되어 있다. 또한, 박리용 롤러(604)보다 흐름 방향(MD) 후단이며, 또한, 회수부(1006)보다 전단에, 에너지선 조사부(1010)를 형성할 수 있다. 에너지선 조사부(1010)로부터 중간체에 에너지선을 조사함으로써, 제1 마스크층을 안정화하는 것이 가능해져, 도시하지 않은 다음 처리에서의 적용도나 보존 안정성이 향상된다. 또, 에너지선 조사부(1010) 대신에 가열부를 형성해도 동일한 효과를 얻을 수 있다.한편, 제5 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(1000)에 있어서는, 중간체(1005)는, 감압 척(도시되지 않음)에 의해 회수부(1006)에 고정되고, 그 상태에서, 박리용 롤러(604) 상에서, 미세 패턴 형성용 필름(101)으로부터 중간체(1005)가 박리된다. 이와 같이, 제5 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(1000)에서는, 박리용 롤러(604) 및 회수부(1006)로 박리부가 구성되어 있다. 박리부에 관해서는, 제1 실시형태∼제4 실시형태에 기재한 바와 같다.다음으로, 상술한 제5 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(1000)를 이용한 열 나노임프린트 전사에 관해 설명한다. 도 31a∼도 31c, 및 도 32a∼도 32c는, 제5 실시형태에 관련된 전사 방법에서의 열 나노임프린트 장치의 동작을 도시한 모식도이다.도 31a에 도시한 바와 같이, 송출 롤러(202)로부터 미세 패턴 형성용 필름(101)을 반출하고, 권취 롤러(203)에 의해 권취함으로써, 보호층 박리 롤러부(602), 회전체(102), 박리용 롤러(604)의 순으로 미세 패턴 형성용 필름(101)을 반송한다. 다음으로, 보호층(601)을, 보호층 박리 롤러부(602)에 있어서 미세 패턴 형성용 필름(101)으로부터 박리하고, 보호층 권취 롤러(603)에 권취하여, 회수한다.피처리체(104)를, 격납하는 도시하지 않은 격납고로부터, 도 31a에 도시한 바와 같이, 피처리체 반입부(1003)에 의해 전처리부(1004)에 반입한다. 피처리체 반입부(1003)는, 피처리체(104)의 전처리면측으로부터 접근하여, 피처리체(104)의 외주연부를 파지한다.계속해서, 도 31b에 도시한 바와 같이, 피처리체(104)를, 피처리체 반입부(1003)로부터, 피처리체 유지부(205)로 전달한다. 이 때에, 피처리체 반입부(1003)는, 180도 회전하여, 피처리체(104)의 전처리면과는 반대측을 피처리체 유지부(205) 방향을 향하게 하고, 이것에 접촉시킨다. 이 상태에서, 감압 척(도시되지 않음)이 피처리체(104)를 피처리체 유지부(205)에 고정한다.다음으로, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송과 함께, 도 31c에 도시한 바와 같이, 피처리체(104)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 위까지 반송한다. 계속해서, 피처리체(104)는, 접합부(201)의 위까지 이동해 간다. 피처리체 유지부(205)에 포함되는 압박 가열부에 의해 피처리체(104)는 가열되고, 접합부(201) 상에서, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)를 접촉함과 동시에, 가압 수단(204)에 의한 압박력을 받아, 피처리체(104)와 미세 패턴 형성용 필름(101)은 접합되어, 미세 패턴 형성용 필름(101)/피처리체(104)로 구성되는 적층체(207)가 얻어진다. 그 후, 피처리체 유지부(205)의 감압 척은 해방되고, 피처리체 유지부(205)는 피처리체(104)로부터 떨어진다. 또, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)의 접합 및 압박은, 상기 설명한 바와 같이 연속적 접합이어도 좋고, 단속적 접합이어도 좋다.압박 가열부에 의한 가열 조건은, 이미 설명한 범위를 적용할 수 있다.다음으로, 도 32a에 도시한 바와 같이, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 접합된 상태의 피처리체(104)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송에 따라, 에너지선 조사부(1002)의 조사 영역까지 반송하고, 에너지선을 조사한다. 에너지선의 조사는, 이미 설명한 조건을 채용할 수 있다.또한, 도 30에 있어서는, 에너지선 조사부(1002)는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 피처리체(104)와는 반대측에 형성되어 있지만, 제5 실시형태에 있어서는, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 피처리체측에 형성할 수도 있다.계속해서, 도 32b에 도시한 바와 같이, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송과 함께, 적층체(207)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD) 후단을 향해, 가열부(1007)로 반송한다. 가열부(1007)에서는, 적층체(207)를 가열함으로써, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 제1 마스크층의 안정성이 향상되고, 미세 패턴 형성용 필름(101)과 피처리체(104)의 계면의 안정성을 향상시키는 것이 가능해지고, 이에 따라, 이후의 미세 패턴 형성용 필름(101)의 박리성을 향상시킬 수 있다. 또, 가열부(1007)의 기구 및 조건은 이미 설명한 범위를 채용할 수 있다.계속해서, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송과 함께, 적층체(207)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD) 후단을 향해, 냉각부(1008)로 반송한다. 냉각부(1008)를 형성함으로써, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 박리할 때의 박리성을 향상시킬 수 있다. 냉각부(1008)의 기구 및 조건은 이미 설명한 범위를 채용할 수 있다.또한, 도 32b에 도시한 바와 같이, 적층체(207)를, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 반송과 함께, 미세 패턴 형성용 필름(101)의 흐름 방향(MD) 후단을 향해, 박리용 롤러(604)의 위까지 반송한다. 여기서, 박리용 롤러(604) 상에 피처리체(104)가 도달하기 전에, 피처리체(104)의 노출되는 면은, 회수부(1006)에 의해 지지된다. 회수부(1006)에 의해 지지된 피처리체(104)는, 박리용 롤러(604)의 둘레면 상에 있어서, 적층체(207)로부터 미세 패턴 형성용 필름(101)의 커버 필름을 박리한다. 박리된 미세 패턴 형성용 필름(101)은, 권취 롤러(203)에 의해 권취된다. 이 결과, 그 표면에 요철 구조가 형성된 피처리체, 즉 중간체(1005)가 얻어진다. 마지막으로, 도 32c에 도시한 바와 같이 중간체(1005)를 회수부(1006)에 의해 회수한다.이상 설명한 바와 같이 제5 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(1000) 및 그것을 이용한 전사 방법에 의하면, 상술한 제3 실시형태와 동등한 효과가 얻어진다. 또한, 제5 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(1000)에 의하면, 피처리체(104)를 접합부(201), 에너지선 조사부(1002), 박리용 롤러(604)로 순차 반송하는 수단으로서, 미세 패턴 형성용 필름(101)을 이용함으로써, 중간체(1005)를 연속적으로 얻을 수 있다. 또한, 제5 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치(1000)를 사용함으로써, 에너지선 조사부(1002)의 배치 자유도가 향상된다.003c#에칭 공정003e# 이상 제1 실시형태 내지 제5 실시형태에서 설명한 마스크 패턴 전사 공정을 거친 후, 도 3c에 도시한, 제2 마스크층(12)/제1 마스크층(13)/피처리체(20)로 이루어지는 중간체(21)에 대하여, 에칭 공정을 실시하여 요철 구조체를 형성한다. 이 때, 이미 설명한, 소정의 노출부를 피처리체(20)의 외연부에 포함하는 중간체(21)를 사용함으로써, 미세 마스크 구조체(16)의 결함률을 저감시킬 수 있고, 이에 따라 요철 구조체(40)의 결함률을 저감시킬 수 있다. 소정의 노출부를 피처리체(20)의 외연부에 포함하는 중간체(21)는, 제1 실시형태 내지 제5 실시형태에서 설명한 마스크 패턴 전사 공정을 거침으로써, 특히, 표층에 저 Tg 탄성체를 구비하는 회전체(102)를 사용함으로써, 높은 제어성으로 제조할 수 있다. 에칭 공정은, 제1 마스크층 에칭 공정, 피처리체 에칭 공정의 순으로 구성된다. 에칭 조건은, 재료에 따라 여러가지로 설계할 수 있지만, 예컨대, 다음과 같은 에칭 방법을 들 수 있다.(제1 마스크층 에칭)제1 마스크층 에칭은, 제2 마스크층을 에칭 마스크로서 기능시킨, 제1 마스크층의 에칭이고, 건식 에칭을 사용할 수 있다. 제1 마스크층(13)의 에칭에 이용하는 가스는, O2 가스, H2 가스, 및 Ar 가스의 적어도 1종을 포함하는 혼합 가스를 사용한다. 특히, O2만을 사용하는 것이 바람직하다. 제1 마스크층(13)을 화학 반응적으로 에칭하는 관점에서, 에칭에 이용하는 가스로서, O2 가스 및 H2 가스를 선택할 수 있다. 또한, 이온 입사 성분의 증가에 의한 세로 방향 에칭률 향상이라는 관점에서, 에칭에 이용하는 가스로서, Ar 가스 및 Xe 가스를 선택할 수 있다.에칭시의 압력은, 반응성 에칭에 기여하는 이온 입사 에너지를 높이고, 에칭 이방성을 보다 향상시킬 수 있기 때문에, 0.1∼5 Pa인 것이 바람직하고, 0.1∼1 Pa이면 보다 바람직하다.또한, O2 가스와, H2 가스, Ar 가스, 혹은 Xe 가스의 혼합 가스 비율은, 화학 반응성의 에칭 성분과 이온 입사 성분이 적량일 때에, 이방성이 향상되기 때문에, 99 sccm : 1 sccm∼50 sccm : 50 sccm이 바람직하고, 95 sccm : 5 sccm∼60 sccm : 40 sccm이 보다 바람직하고, 90 sccm : 10 sccm∼70 sccm : 30 sccm이 더욱 바람직하다.제1 마스크층 에칭은 플라즈마 에칭이면, 제1 마스크층의 가공 정밀도가 향상되기 때문에 바람직하다. 플라즈마 에칭은, 용량 결합형 RIE, 유도 결합형 RIE 혹은 이온 인입 바이어스를 이용하는 RIE를 이용하여 행한다. 예컨대, 산소 가스만, 혹은 산소 가스와 아르곤 가스를 90 sccm : 10 sccm∼70 sccm : 30 sccm 사이에서 혼합한 가스를 이용하고, 처리 압력을 0.1∼1 Pa의 범위로 설정하며, 또한, 용량 결합형 RIE, 유도 결합형 RIE, 혹은 이온 인입 전압을 이용하는 RIE를 이용하는 에칭 방법 등을 들 수 있다.도 2b에 도시한 미세 패턴 형성용 필름(I)에서는, 제2 마스크층(12) 중에 포함되는 증기압이 낮은 성분(예컨대, Ti, Zr, Ta 등을 금속 원소로서 갖는 졸겔 재료)이, 제1 마스크층(13)을 에칭할 때에, 제1 마스크층(13)의 측벽을 보호하는 역할을 수행하고, 그 결과, 두께가 있는 제1 마스크층(13)을 용이하게 에칭할 수 있게 된다.제2 마스크층(12)을 마스크로 하여 제1 마스크층(13)을 에칭함으로써, 제1 마스크층(13)의 에칭률에 비해 제2 마스크층(12)의 에칭률 쪽이 작기 때문에, 제1 마스크층(13)에 잔막 두께 분포가 있었다 하더라도, 에칭 공정에서 제1 마스크층(13)의 잔막 두께 분포가 흡수되어, 제1 마스크층(13)으로 구성되는 마스크의 높이를 고르게 하는 것이 가능해진다.(피처리체 에칭 공정)피처리체 에칭 공정은, 제1 마스크층(13)을 에칭 마스크로 하여 피처리체(20)를 에칭하는 공정이고, 습식 에칭과 건식 에칭의 어느 것이나 채용할 수 있다. 특히, 피처리체(20)의 가공 자유도를 크게 한다는 점에서, 건식 에칭을 채용하는 것이 바람직하다. 건식 에칭시의 제1 마스크층(13)의 에칭 마스크 내성을 향상시킨다는 관점에서, 염소계 가스나 플론(flon)계 가스를 이용한 에칭을 행할 수 있다. 염소계 가스에, 산소 가스, 아르곤 가스 혹은 산소 가스와 아르곤 가스의 혼합 가스를 첨가해도 좋다.플론계 가스로는, 예컨대, CxHzFy의 화학식으로 기재 가능한 가스 중, x=1∼4, y=1∼8, 또한 z=0∼3의 가스를 사용할 수 있다. 이와 같은 가스는 단체로 사용해도 좋고, 복수 혼합하여 사용해도 좋다.또한, 플론계 가스(CxHzFy : x=1∼4, y=1∼8, z=0∼3의 범위의 정수)의 C와 F의 비율(y/x)이 상이한 플론계 가스 2종을 혼합하고, 피처리체(20)의 에칭 측벽을 보호하는 플루오로카본막의 퇴적량을 증감시킴으로써, 테이퍼 형상의 각도를 구별하여 만들 수 있다. 피처리체(20)의 마스크 형상을, 건식 에칭에 의해, 보다 정밀하게 제어하는 경우, F/C≥3의 플론 가스와, F/C003c#3의 플론 가스의 유량의 비율을, 95 sccm : 5 sccm∼60 sccm : 40 sccm으로 하는 것이 바람직하고, 70 sccm : 30 sccm∼60 sccm : 40 sccm이면, 보다 바람직하다. 예컨대, CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F6, C4F8, CH2F2 및 CH3F를 들 수 있다. 또한, 피처리체(20)의 에칭률을 향상시키기 위해, 플론계 가스에, Ar 가스, O2 가스 및 Xe 가스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1 이상의 가스를, 가스 유량 전체의 50% 이하 혼합한 가스를 사용할 수도 있다. 플론계 가스와 Ar 가스의 혼합 가스와, O2 가스 혹은 Xe 가스의 혼합 가스는, 반응성 에칭 성분과 이온 입사 성분이 적량인 경우에, 피처리체(20)의 에칭률이 향상된다는 관점에서, 가스 유량의 비율 99 sccm : 1 sccm∼50 sccm : 50 sccm이 바람직하고, 보다 바람직하게는 95 sccm : 5 sccm∼60 sccm : 40 sccm, 더욱 바람직하게는 90 sccm : 10 sccm∼70 sccm : 30 sccm이다. 또한, 이하에 설명하는 염소계 가스와 혼합하여 사용할 수도 있다.염소계 가스로는, 예컨대, Cl2, BCl3, CCl4, PCl3, SiCl4, HCl, CCl2F2 및 CCl3F를 들 수 있다. 또한, 난(難)에칭 피처리체의 에칭률을 향상시키기 위해, 염소계 가스에 산소 가스, 아르곤 가스 혹은 산소 가스와 아르곤 가스의 혼합 가스를 첨가해도 좋다. 염소계 가스와 Ar 가스의 혼합 가스와, O2 가스 혹은 Xe 가스의 혼합 가스는, 반응성 에칭 성분과 이온 입사 성분이 적량인 경우에, 피처리체(20)의 에칭률이 향상된다는 관점에서, 가스 유량의 비율 99 sccm : 1 sccm∼50 sccm : 50 sccm이 바람직하고, 보다 바람직하게는 99 sccm : 1 sccm∼80 sccm : 20 sccm, 더욱 바람직하게는 99 sccm : 1 sccm∼90 sccm : 10 sccm이다.에칭시의 압력은 반응성 에칭에 기여하는 이온 입사 에너지가 커지고, 피처리체(20)의 에칭률이 향상되기 때문에, 0.1∼20 Pa인 것이 바람직하고, 0.1∼10 Pa인 것이 보다 바람직하다.플라즈마 에칭은 용량 결합형 RIE, 유도 결합형 RIE, 혹은 이온 인입 전압을 이용하는 RIE를 이용하여 행한다. 예컨대, 플론계 가스를 이용하는 경우에는 CHF3 가스만, 혹은 CF4와 C4F8을 가스 유량의 비율 90 sccm : 10 sccm∼60 sccm : 40 sccm 사이에서 혼합한 가스를 이용하고, 처리 압력을 0.1∼5 Pa의 범위에서 설정하며, 또한, 용량 결합형 RIE, 유도 결합형 RIE, 혹은 이온 인입 전압을 이용하는 RIE를 이용하는 에칭 방법 등을 들 수 있다. 또한, 예컨대, 염소계 가스를 이용하는 경우에는 BCl3 가스만, 혹은 BCl3과 Cl2, 혹은 Ar을 가스 유량의 비율 95 sccm : 5 sccm∼85 sccm : 15 sccm 사이에서 혼합한 가스를 이용하고, 처리 압력을 0.1∼10 Pa의 범위에서 설정하며, 또한, 용량 결합형 RIE, 유도 결합형 RIE, 혹은 이온 인입 전압을 이용하는 RIE를 이용하는 에칭 방법 등을 들 수 있다.(미세 패턴 형성용 필름의 제조방법)다음으로, 본 발명의 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름의 제조방법에 관해 설명한다.도 33은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름의 제조방법의 각 공정을 도시한 단면 모식도이다. 이하의 공정 (1-1)∼(1-6)을 순서대로 행함으로써, 제2 마스크층을 구비한 제1 적층체(I)를 제조할 수 있다. 또, 이하의 공정은, 롤 투 롤로 행하는 것이 바람직하다.공정(1-1) : 지지 기재(110) 상에 경화성 수지 조성물(111)을 도포하는 공정(수지를 도공하는 공정, 도 33a 참조).공정(1-2) : 도포한 경화성 수지 조성물(111)을, 이형 처리를 실시한 마스터 몰드(112)에 압박하는 공정(수지를 주형에 압박하는 공정, 도 33b 참조).공정(1-3) : 지지 기재(110)측으로부터 광조사를 행하여, 경화성 수지 조성물(111)을 광 라디칼 중합시켜 경화물층(113)을 얻는 공정(수지를 광경화시키는 공정, 도 33c 참조).공정(1-4) : 경화물층(113)을 마스터 몰드(112)로부터 박리하고, 마스터 몰드(112)의 패턴 형상의 반전 형상을 구비한 요철 구조를 얻는 공정(경화물층(113)을 주형으로부터 박리하는 공정, 커버 필름(A)을 얻는 공정, 도 33d 참조).공정(1-5) : 경화물층(113)의 요철 구조 상에, 희석한 제2 마스크층 재료(114)를 도공하는 공정(도 33e 참조).공정(1-6) : 용제를 건조 제거하여, 제2 마스크층을 구비한 제1 적층체(I)를 얻는 공정(도 33f 참조).상술한 공정(1-1)∼(1-6)을 거침으로써, 지지 기재(110) 및 경화물층(113)으로 이루어지는 커버 필름(A)과, 제2 마스크층(12)으로 구성된 제1 적층체(I)가 얻어진다.공정(1-5)에 있어서, 특히, 이후에 설명하는 lcv=0으로 하기 위해서는, 다음의 (1)∼(4)에 나타내는 모든 조건을 만족하는 것이 필요하다. (1) 희석 용제가 알콜, 에테르, 케톤 등의 수계 용제인 것. (2) 커버 필름(A)의 개구율이 45% 이상, 바람직하게는 55% 이상, 가장 바람직하게는 65% 이상인 것. (3) 커버 필름(A)의 요철 구조 표면의 물에 대한 접촉각 CA가 CA≥80°, 바람직하게는 CA≥90°, 더욱 바람직하게는 CA≥ 95°이며, 또한, (4) 커버 필름(A)의 Es/Eb의 값이 1003c#Es/Eb≤30000인 것.또, 도 33에 있어서, 마스터 몰드(112)는 평판형으로 도시되어 있지만, 원통형의 롤이면 바람직하다. 원통형의 표면에 미세 구조가 구비된 롤을 마스터 몰드(112)로서 사용함으로써, 제1 적층체(I)를 연속 프로세스로 제조하는 것이 가능해진다. 즉, 제1 적층체(I)를 장척형의 필름, 예컨대, 폭 300 mm 길이 200 m나 폭 500 mm 길이 500 m의 성형물로서 제조할 수 있다.도 34는, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름의 제조방법의 각 공정을 도시한 단면 모식도이다. 공정(1-4)에서 얻어진 커버 필름(A)을 주형으로 하여, 도 34에 도시한 바와 같이 커버 필름(B)을 제작하고, 이 커버 필름(B)을 사용하여 상기 공정(1-4) 이후를 행해도 좋다.공정(2-1) : 지지 기재(115) 상에 경화성 수지 조성물(116)을 도포하는 공정(수지를 도포하는 공정, 도 34a 참조).공정(2-2) : 도포한 경화성 수지 조성물(116)을 커버 필름(A)에 압박하는 공정(수지를 주형에 압박하는 공정, 도 34b 참조).공정(2-3) : 커버 필름(A)의 지지 기재(110)측과, 다른 한쪽의 지지 기재(115)측의 양쪽, 또는 어느 한쪽으로부터 광조사를 행하여, 경화성 수지 조성물(116)을 광 라디칼 중합시켜 경화물층(117)을 얻는 공정(수지를 광경화시키는 공정, 도 34c 참조).공정(2-4) : 경화물층(117)을 커버 필름(A)으로부터 박리하고, 마스터 몰드(112)의 패턴 형상과 동일한 형상을 구비한 요철 구조를 얻는 공정(경화물로부터 주형을 박리하는 공정, 커버 필름(B)을 얻는 공정, 도 34d 참조).공정(1-1), (2-1)에서의 도공 방법으로는, 롤러 코트법, 그라비아 코트법, 바 코트법, 다이 코트법, 분무 코트법, 에어 나이프 코트법, 플로우 코트법, 커튼 코트법 등을 들 수 있다.공정(1-6) 후에, 커버 필름을 씌우고(합하고), 권취하는 공정을 가해도 좋다. 또한, 공정(1-6) 후에, 광조사를 행하여, 제2 마스크층(12) 중에 포함되는 경화성 부위를, 부분적으로 광중합시켜도 좋다.제2 마스크층(12)에 졸겔 재료를 포함하는 경우, 공정(1-6)은, 용제 건조 외에, 졸겔 재료의 축합도 겸하고 있다. 또한, 졸겔 재료를 제2 마스크층(12)에 포함하는 경우, 권취한 후에 양생하는 공정을 가해도 좋다. 양생은, 실온∼120℃ 사이에서 행하는 것이 바람직하다. 특히, 실온∼105℃이면 바람직하다.공정(1-1)∼(1-4)에서 제작되는 커버 필름(A)의 요철 구조 중에, 도공 개선 구조를 포함해도 좋다. 도공 개선 구조는, 원하는 마스크를 제작하기 위한 기본 구조를 끼워넣도록 배치되어 있고, 도공 개선 구조의 피치는, 기본 구조보다 큰 것이 바람직하다. 특히, 도공 개선 구조 중의 피치가, 기본 구조측으로부터, 필름 단부로, 서서히 커지는 것이 바람직하다.이후에 설명하는 lcc 및 lcv를 만족하는 구조를 형성하기 위해서는, 다음에 나타내는 구조 및 무기 재료를 이용하는 것이 바람직하다.도 35는, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름에서의 필러 형상의 요철 구조를 도시한 단면 모식도이다. 제1 적층체(I)의 요철 구조(11)가 필러 형상인 경우, 하나의 볼록부(11b)의 정상부를 형성하는 면에서의, 최장 선분의 길이(lx)가 서브미크론 스케일이면, 희석 도공한 제2 마스크층 재료가, 계의 에너지를 감소시키도록, 효율적으로 오목부(11a) 내부에 충전되는 결과, 이후에 설명하는 lcv를 작게 할 수 있기 때문에 바람직하다. 특히, 최장 선분의 길이가 500 nm 이하이면, 상기 효과를 한층 더 발휘할 수 있기 때문에 바람직하고, 보다 바람직하게는 300 nm 이하, 가장 바람직하게는 150 nm 이하이다. 또, 하나의 볼록부(11b)의 정상부를 형성하는 면이란, 각 볼록부(11b)의 정상부 위치를 통과하는 면과, 하나의 볼록부(11b)의 정상부가 교차하는 면을 의미한다.도 35a에 도시한 바와 같이, 볼록부(11b)는, 바닥부의 면적 쪽이 정상부의 면적보다 큰 구조, 즉, 볼록부(11b)가 경사를 갖는 구조이면, 상기 효과를 보다 발휘할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 도 35b에 도시한 바와 같이, 볼록부(11b)의 정상부와 경사부는, 연속적으로 매끄럽게 연결되어 있으면, 상기 효과를 한층 더 발휘할 수 있기 때문에 바람직하다.도 36은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름에서의 홀 형상의 요철 구조를 도시한 상면도이다. 제1 적층체(I)의 요철 구조(11)가 홀 형상인 경우, 하나의 홀(A)와, 홀(A)에 가장 근접하는 홀(B)에 있어서, 홀(A)의 개구 안쪽부와, 홀(B)의 개구 안쪽부를 연결하는, 최단 선분(ly)의 길이가 서브미크론 스케일이면, 희석 도공한 제2 마스크층 재료가, 계의 에너지를 감소시키도록, 효율적으로 오목부(11a) 내부에 충전되는 결과, 이후에 설명하는 lcv를 작게 할 수 있기 때문에 바람직하다. 특히, 최단 선분의 길이가 500 nm 이하이면, 상기 효과를 한층 더 발휘할 수 있기 때문에 바람직하고, 보다 바람직하게는 400 nm 이하, 가장 바람직하게는 300 nm 이하이다. 그 중에서도, 최단 선분의 길이는, 150 nm 이하이면 바람직하고, 더욱 바람직하게는 100 nm 이하, 가장 바람직하게는 0 nm이다. 또, 최단 선분의 길이가 0 nm란, 홀(A)와 홀(B)의 개구 안쪽부의 일부가 서로 중복되는 상태를 의미하고 있다.또한, 피치 P 및 피치 S는 모두 상기 효과를 보다 발휘하기 위해, 1200 nm 이하인 것이 바람직하고, 800 nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 500 nm 이하인 것이 가장 바람직하다. 또한, 전사성의 관점에서 피치는 200 nm 이상이면 바람직하다. 요철 구조(11) 상에 제2 마스크층(12)을 도공하고, 오목부(11a) 내부에 제2 마스크층(12)을 충전할 때에, 개구율이 45% 이상이면, 피치 200 nm 내지 800 nm의 범위 내에 있는 경우에는, 제2 마스크층(12)은 요철 구조(11)를 인식할 수 있고, 오목부(11a) 내부에 형성되는 제2 마스크층(12)의 가상 액적의 곡률 반경을 극대화하도록, 구조 내부로 젖어들어 퍼지기 때문에 바람직하다. 가상 액적이란, 요철 구조(11)의 오목부(11a) 내부에 존재하는 것으로 가정한, 제2 마스크층(12)의 액적을 의미한다. 또한, 개구율이 65% 이상이면, 상기 효과에 덧붙여, 요철 구조(11)의 볼록부(11b) 상으로부터 오목부(11a) 내부 방향으로의 포텐셜이 작용하여 오목부(11a) 내에 액적이 충전된 후에, 볼록부 상으로 제2 마스크층(12)의 액적이 이동하는 것을 회피할 수 있기 때문에, 보다 바람직하다. 또한, 상기 효과를 한층 더 발휘하기 위해, 개구율은, 70% 이상이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 개구율은, 75% 이상이고, 80% 이상이면 더욱 바람직하다.또한, 홀 개구부의 면적이 홀 바닥부의 면적보다 크면, 상기 효과를 보다 발휘할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 개구 안쪽과 오목부(11a)의 측면은, 연속적으로 매끄럽게 연결되어 있으면, 상기 효과를 한층 더 발휘할 수 있기 때문에 바람직하다.제2 마스크층(12)을 구성하는 무기 재료 중에, 희석 도공 후의 용제 휘발 과정에서 양태가 변화하는 재료를 포함하면, 재료 자체의 면적을 작게 한다는 드라이빙 힘(driving force)도 동시에 작용하기 때문에, 보다 효과적으로 무기 재료가 오목부(11a) 내부에 충전되는 결과, lcv를 작게 할 수 있기 때문에 바람직하다. 양태의 변화란, 예컨대, 발열 반응이나, 점도가 커지는 변화를 들 수 있다. 예컨대, 졸겔 재료를 포함하면, 용제 휘발 과정에서, 공기 중의 수증기와 반응하여, 졸겔 재료가 중축합한다. 이에 따라, 졸겔 재료의 에너지가 불안정화되기 때문에, 용제 건조에 따라 저하되는 용제 액면(용제와 공기 계면)으로부터 멀어지고자 하는 드라이빙 힘이 작용하고, 그 결과, 졸겔 재료가 양호하게 오목부 내부에 충전되고, 이후에 설명하는 lcv가 작아진다.도 37은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름의 제조방법의 각 공정을 도시한 단면 모식도이다. 상기 공정(1-1)∼(1-6)에 계속해서, 공정(1-7) 및 공정(1-8)을 행함으로써 제2 적층체(II)를 제작할 수 있다. 또, 이하의 공정은, 롤 투 롤로 행하는 것이 바람직하다.공정(1-7) : 제1 적층체(I)(커버 필름(B)/제2 마스크층(12)으로 이루어지는 적층체) 상에, 희석한 제1 마스크층 재료(120)를 도공하는 공정(도 37a 참조).공정(1-8) : 용제를 건조 제거하고, 제1 마스크층(13)을 형성하여, 제2 적층체(II)를 얻는 공정(도 37b 참조).상술한 공정(1-7)∼(1-8)을 거침으로써, 지지 기재(110) 및 경화물층(113)으로 이루어지는 커버 필름(B)과, 제2 마스크층(12)과, 제1 마스크층(13)으로 구성된 제2 적층체(II)가 얻어진다.공정(1-7)에서의 도공 방법으로는, 롤러 코트법, 바 코트법, 다이 코트법, 분무 코트법, 에어 나이프 코트법, 플로우 코트법, 커튼 코트법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다. 또한, 제1 마스크층 재료는, 용제 희석하여 사용하고, 그 후, 건조 공정을 거쳐도 좋다. 또한, 공정(1-8) 후에, 커버 필름을 씌우고(합하고), 권취하는 공정을 가해도 좋다.제2 적층체(II)에서, 제2 마스크층(12)과 제1 마스크층(13)의 계면 형상은, 평평해도 좋고 만곡되어 있어도 좋다. 만곡되어 있는 형상으로는, 제2 마스크층(12)이 제1 마스크층(13)측으로 볼록형으로 팽창되어 있는 형상이나, 제1 마스크층(13)이 제2 마스크층(12)측으로 볼록형으로 팽창되어 있는 형상 등을 들 수 있다. 또한, 제1 마스크층(13)측으로부터 제2 마스크층(12)측으로의 볼록형의 팽창 1개와, 제2 마스크층(12)측으로부터 제1 마스크층(13)측으로의 볼록형의 팽창 2개를 갖는 구조 등도 들 수 있다.상술한 바와 같이 하여 제조된 제2 적층체(II)를 사용함으로써, 피처리체(20) 상에 종횡비가 높은 미세 마스크 패턴(16a)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 피처리체(20)의 표면에 미세 패턴(22)을 형성할 수 있다. 제2 적층체(II)를 사용한 중간체(21), 미세 마스크 구조체(16), 미세 패턴(22)의 제조방법은, 제1 실시형태∼제5 실시형태를 포함하여 이미 설명한 바와 같다.003c#미세 패턴 형성용 필름의 상세설명003e#다음으로, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 적합하게 사용되는 미세 패턴 형성용 필름에 관해 상세히 설명한다. 미세 패턴 형성용 필름은, 나노 스케일의 요철 구조가 형성된 커버 필름과, 요철 구조의 오목부 내부에 형성된 제2 마스크층과, 요철 구조 및 제2 마스크층을 덮도록 형성된 제1 마스크층을 구비한다.도 38은, 본 실시형태에 관련된 미세 패턴 형성용 필름을 도시한 모식 단면도이다. 미세 패턴 형성용 필름(1100)은, 일주면 상에 나노 스케일의 요철 구조(1102)가 형성된 커버 필름(1101)의 요철 구조(1102)의 오목부 내부에 제2 마스크층(1103)이 형성되고, 제2 마스크층(1103) 및 요철 구조(1102)를 덮도록 제1 마스크층(1104)이 형성된 장척의 필름형체이면 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 이하에 기재하는 미세 패턴 형성용 필름(1100)을 사용할 수 있다.또, 상술한 미세 패턴 형성용 필름(101)과의 대응 관계는 이하와 같다. 회전체(102)에 의해 피처리체(104)에 접합되는 면은, 제1 마스크층(1104)의 표면이다. 또한, 박리부(206)에 있어서 박리되는 것은, 요철 구조(1102)를 갖는 커버 필름(1110)이고, 피처리체(104) 상에 제1 마스크층(1104) 및 제2 마스크층(1103)으로 이루어지는 요철 구조가 전사된다.커버 필름(1101)이 구비하는 나노 스케일의 요철 구조(1102)는, 특정 방향으로 연장되는 단수(예컨대, 라인형) 또는 복수(예컨대, 도트형)의 볼록부(1102a)가, 특정 방향에 직교하는 방향을 따라, 서로 소정의 나노 스케일의 간격을 이격하여 형성되어 있다. 볼록부(1102a)는, 미세 패턴 형성용 필름(1100)의 두께 방향을 따른 단면시(직교 방향에 수직인 단면에서 보았을 때)에 있어서, 요철 구조(1102)의 주면에 대하여 수직인 방향으로 돌출되어 있다. 볼록부(1102a) 사이에는, 오목부(1102b)가 형성되어 있다. 이 볼록부(1102a) 및 오목부(1102b)로 요철 구조(1102)를 구성하고 있다. 미세 패턴 형성용 필름(1100)에서의 요철 구조(1102)의 형상은, 특별히 한정되지 않지만, 복수의 울타리형체가 배열된 라인 앤드 스페이스 구조, 복수의 도트(볼록부, 돌기)형 구조가 배열된 도트 구조, 복수의 홀(오목부)형 구조가 배열된 홀 구조 등을 들 수 있다. 도트 구조나 홀 구조는 예컨대, 원뿔, 원기둥, 사각뿔, 사각기둥, 2중 링형, 다중 링형 등의 구조를 들 수 있다.피처리체를 에칭할 때의 제1 마스크층(1104)의 에칭 마스크로서의 성능을 고려하면, 요철 구조(1102)는, 홀 형상인 것이 바람직하다. 또한, 홀 형상인 것은, 제2 마스크층(1103)을, 요철 구조(1102)의 요철 구조면 상에 직접 도공할 때의 도공성이나, 요철 구조(1102)의 내구성(물리적 파괴에 대한 내성)의 관점에서도, 바람직하다.여기서 「필러 형상」이란, 「기둥형체(뿔형체)가 복수 배치된 형상」이고, 「홀 형상」이란, 「기둥형(뿔형)의 구멍이 복수 형성된 형상」이다. 또한, 요철 구조(1102)에 있어서, 볼록부(1102a)끼리의 거리가 50 nm 이상 5000 nm 이하이고, 볼록부(1102a)의 높이가 10 nm 이상 2000 nm 이하인 것이 바람직하다. 용도에 따라 다르기도 하지만, 볼록부(1102a)끼리의 인접 거리(볼록부(1102a)의 정점끼리의 간격)가 작고, 볼록부(1102a)의 높이(오목부(1102b)의 바닥으로부터 볼록부(1102a)의 정점까지의 높이)가 큰 것이 바람직하다. 여기서, 볼록부(1102a)란, 요철 구조(1102)의 평균 높이보다 높은 부위를 말하며, 오목부(1102b)란, 요철 구조(1102)의 평균 높이보다 낮은 부위를 말하는 것으로 한다.또한, 도 39에 도시한 바와 같이, 면 내에서 직교하는 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2)에 대하여, 제1 방향(D1)으로 피치 P로 볼록부(1102a)(또는 오목부(1102b))가 배열되며, 또한, 제2 방향(D2)으로 피치 S로 볼록부(1102a)(또는 오목부(1102b))가 배열되고, 또한, 제2 방향(D2)으로 열을 이루는 볼록부(1102a)(또는 오목부(1102b))의 제1 방향(D1)의 위상차 α의 규칙성이 낮은, 주기성과 비주기성을 더불어 갖는 배열이어도 좋다. 피치 P 및 피치 S는, 상정하는 용도에 따라 적절히 설계할 수 있기 때문에, 피치 P와 피치 S가 동일하며, 또한, 위상차 α의 규칙성이 높아도 좋다.또한, 도 39에 있어서는, 볼록부(1102a)(또는 오목부(1102b))가 중복을 갖지 않고 독립된 상태로 그려져 있지만, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)의 적어도 어느 한쪽으로 배열되는 볼록부(1102a)(또는 오목부(1102b))가 중복되어 있어도 좋다. 또, 위상차 α란, 인접하는 열(제1 방향(D1))에 있어서 가장 근접하는 볼록부(11b)의 중심을 통과하는 선분(제2 방향(D2))의 거리를 말한다. 보다 구체적으로는, 예컨대, 도 39에 도시한 바와 같이, 제1 방향(D1)으로 열을 이루는, 제(N) 열의 어느 볼록부(1102a)(또는 오목부(1102b)) 중심을 통과하는 제2 방향(D2)의 선분과, 볼록부(1102a)(또는 오목부(1102b))로부터 가장 가까운 거리에 있는, 제(N+1) 열의 어느 볼록부(1102a)(또는 오목부(1102b))의 중심을 통과하는 제2 방향의 선분과의 거리를 의미한다.예컨대, LED의 사파이어 기판이나 GaN 기판, 혹은 Si 기판 표면의 가공을 행하는 경우, 피처리체(20)(도 3a 참조)로서 사파이어 기판이나 GaN 기판, 혹은 Si 기판을 선정하고, 요철 구조(1102)의 요철 구조 형상은, 피치가 50 nm∼1000 nm, 높이가 50 nm∼1000 nm인, 나노 스케일로 정규 배열을 이루며, 또한, 마이크로 스케일의 큰 주기성을 갖는 홀 형상인 것이 바람직하다.요철 구조(1102)의 형상이 홀 형상인 경우, 하나의 홀(A)와, 홀(A)에 가장 근접하는 홀(B)에 있어서, 홀(A)의 개구 안쪽부와, 홀(B)의 개구 안쪽부를 연결하는, 최단 선분의 길이가 서브미크론 스케일이면, 제2 마스크층(1103)의 배치 정밀도가 향상되기 때문에 바람직하다. 특히, 최단 선분의 길이가, 500 nm 이하이면, 상기 효과를 한층 더 발휘할 수 있기 때문에 바람직하고, 보다 바람직하게는 400 nm 이하, 가장 바람직하게는 300 nm 이하이다. 그 중에서도, 최단 선분의 길이는, 150 nm 이하이면 바람직하고, 더욱 바람직하게는 100 nm 이하, 가장 바람직하게는 0 nm이다. 또, 최단 선분의 길이가 0 nm란, 홀(A)와 홀(B)의 개구 안쪽부의 일부가 서로 중복되는 상태를 의미하고 있다.또한, 후술하는 요철 구조(1102)의 오목부(1102b)의 내부에 대한 제2 마스크층(1103)의 배치성을 높인다는 관점에서, 요철 구조(1102)의 개구율은 45% 이상이면 바람직하고, 개구율이 50% 이상이면 바람직하고, 개구율이 55% 이상이면 보다 바람직하고, 개구율이 65% 이상이면, 보다 바람직하다. 개구율은, 70% 이상이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 개구율은, 75% 이상이고, 80% 이상이면 더욱 바람직하다.또한, 홀 개구부의 면적이, 홀 바닥부의 면적보다 크면, 상기 효과를 보다 발휘할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 개구 안쪽과 오목부 측면은, 연속적으로 매끄럽게 연결되어 있으면, 상기 효과를 한층 더 발휘할 수 있기 때문에 바람직하다.또, 요철 구조(1102)와 평행한 면 내에서, 요철 구조(1102) 상의 단위 면적(Sc) 하에 포함되는, 오목부의 면적(Sh)의 비율이 개구율이다. 예컨대, 개구경(φ)이 430 nm, x축 방향의 피치가 398 nm, y축 방향의 피치가 460 nm, 높이(h)가 460 nm인 원기둥형 오목부가 육방 최밀 충전 배열로 배열된 요철 구조(1102)인 경우, Sh/Sc는 0.79(79%)가 된다. 마찬가지로, 예컨대 개구경(φ)이 180 nm, x축 방향의 피치가 173 nm, y축 방향의 피치가 200 nm, 높이(h)가 200 nm인 원기둥형 오목부가 육방 최밀 충전 배열로 배열된 요철 구조(1102)에 대해서는, (Sh/Sc)는 0.73(73%)이 된다. 마찬가지로, 예컨대, 개구경(φ)이 680 nm, x축 방향의 피치가 606 nm, y축 방향의 피치가 700 nm, 높이(h)가 700 nm인 원기둥형 오목부가 육방 최밀 충전 배열로 배열된 요철 구조(1102)에 대해서는, (Sh/Sc)는 0.86(86%)이 된다.또한, 요철 구조(1102)의 높이 혹은 깊이(h)와, 오목부 개구폭 혹은 볼록부 바닥부 직경(φ)의 비율(h/φ)로 나타내어지는 종횡비는, 0.1 이상 3.0 이하의 범위가 바람직하다. 종횡비는, 전사 정밀도의 관점에서 0.1 이상의 범위가 바람직하고, 0.5 이상이 보다 바람직하다. 또한, 종횡비는, 제2 마스크층(1103)의 전사 정밀도의 관점에서 2.5 이하인 것이 바람직하다.미세 패턴 형성용 필름(1100)은, 커버 필름(1101) 상에 요철 구조(1102)를 별도로 형성하고 있지만, 커버 필름(1101)의 일주면 상에 나노 스케일의 요철 구조(1102)가 형성되면 특별히 한정되지 않고, 커버 필름(1101)을 직접 가공하여 요철 구조를 형성한 것이어도 좋다. 그러나, 열 나노임프린트 장치에 의해, 요철 구조가 형성된 피처리체를 연속적이고 효율적으로 얻는다는 관점에서, 커버 필름(1101) 상에 별도로 요철 구조(1102)를 형성한 것이 바람직하다. 또, 이하의 설명에 있어서는, 커버 필름(1101) 상에 요철 구조(1102)를 별도로 형성한 경우, 커버 필름(1101)을 지지 기재라고 표현한다.지지 기재 상에 별도로 형성되는 요철 구조(1102)의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 연속적 또한 균질인 나노 스케일의 요철 구조(1102)를 구비한 커버 필름(1101)을 제조한다는 관점에서, 실리콘으로 대표되는 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 이루어지는 수지 또는 불소 함유 수지로 구성되어 있거나, 요철 구조(1102) 상에 이형층이 형성되어 있으면 특별히 한정되지 않지만, 불소 함유 수지로 구성되는 것이 보다 바람직하다. 불소 함유 수지는, 불소 원소를 함유하고 있으며, 또한, 물에 대한 접촉각이 90도보다 크면 특별히 한정되지 않는다. 다만, 제2 마스크층(1103)을 피처리체에 전사할 때의 전사 정밀도의 관점에서, 물에 대한 접촉각은 95도 이상이 보다 바람직하고, 100도 이상이 더욱 바람직하다. 광경화성 수지 및 광중합 개시재를 포함하는 것이 바람직하다. 특히, 광경화성 수지, 광중합 개시재 및 불소계 첨가재로 구성되는 것이 바람직하다. 불소계 첨가재로는 특별히 한정되지 않고, 내마모성, 내흠집성, 지문 부착 방지, 방오성, 레벨링성이나 발수 발유성 등의 표면 개질제 등을 사용할 수 있지만, 불소계 첨가재 분자 중에 광중합성기를 구비하는 것이 바람직하다.커버 필름(1101)에 이용되는 지지 기재로는, 굴곡성을 갖는 재료가 바람직하고, 예컨대, 박막 유리, 박막 세라믹, 박막 금속 등의 박막 무기 재료, 및 플라스틱 등의 유기 재료를 불문하고 사용할 수 있다. 특히, 굴곡성을 갖고 연속 생산성이 우수한 시트, 필름, 박막, 직물, 부직포 등을 포함하는 것이 특히 바람직하다. 굴곡성을 갖는 재질로는, 예컨대, 폴리메타크릴산메틸 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리스티렌 수지, 시클로올레핀 수지(COP), 가교 폴리에틸렌 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 변성 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르케톤 수지 등의 비정질 열가소성 수지나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 방향족 폴리에스테르 수지, 폴리아세탈 수지, 폴리아미드 수지 등의 결정성 열가소성 수지나, 아크릴계, 에폭시계, 우레탄계 등의 자외선(UV) 경화성 수지나 열경화성 수지를 들 수 있다. 또한, 자외선 경화성 수지나 열경화성 수지와, 유리 등의 무기 기판, 상기 열가소성 수지, 트리아세테이트 수지를 조합하거나, 또는 단독으로 이용하여 지지 기재를 구성할 수도 있다. 특히, 접합성의 향상, 또한, 연속적으로 피처리체(20)를 가공한다는 점에서, 지지 기재는 필름(릴형)인 것이 바람직하다.커버 필름(1101)의 지지 기재와 요철 구조(1102)의 접착성을 향상시키기 위해, 요철 구조(1102)를 형성하는 커버 필름(1101)의 일주면 상에, 요철 구조(1102)와의 화학 결합이나, 침투 등의 물리적 결합을 위한 접착 용이 코팅, 프라이머 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리, UV/오존 처리, 고에너지선 조사 처리, 표면 조화 처리, 다공질화 처리 등을 실시해도 좋다.(불소계 첨가재)광중합성기를 동일 분자 내에 구비하는 불소계 첨가재로는, 불소 함유 (메트)아크릴레이트로서, 하기 화학식(1)로 표시되는 불소 함유 우레탄(메트)아크릴레이트를 들 수 있고, 하기 화학식(1)에 표시되는 첨가재를 사용함으로써, 후술하는 Es/Eb를 만족하는 것이 가능해지기 때문에 바람직하다. 이러한 우레탄(메트)아크릴레이트로는, 예컨대, 다이킨 공업사 제조의 「오프츠루 DAC(상표)」를 이용할 수 있다.상기 화학식(1) 중에서, R1은, 하기 화학식(2)를 나타내고, R2는 하기 화학식(3)을 나타낸다. (화학식(2) 중, n은, 1 이상 6 이하의 정수이다.) (화학식(3) 중, R은, H 또는 CH3이다.)또한, 요철 구조(1102)의 표면부의 불소 농도(Es)는, 커버 필름(1101) 상에 형성된 요철 구조(1102)를 구성하는 수지층 중의 평균 불소 농도(Eb)보다 크게 하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 요철 구조(1102) 표면은 자유 에너지가 낮기 때문에 제1 마스크층(1104)과의 이형성이 우수하며, 또한, 나노미터 사이즈의 요철 형상을 반복해서 수지/수지 전사할 수 있는 이형성이 우수함과 동시에, 베이스 필름 부근에서는 자유 에너지를 높게 유지함으로써, 접착성을 향상시킬 수 있다.또한, 요철 구조(1102)를 구성하는 수지 중의 평균 불소 원소 농도(Eb)와 요철 구조(1102)의 표면부의 불소 원소 농도(Es)의 비(Es/Eb)는, 1003c#Es/Eb≤30000을 만족함으로써, 상기 효과를 더욱 발휘하기 때문에 보다 바람직하다. 특히, (Es/Eb)는, 3≤Es/Eb≤1500, 10≤Es/Eb≤100의 범위가 됨에 따라, 보다 이형성이 향상되기 때문에 바람직하다.또, 상기하는 가장 넓은 범위(1003c#Es/Eb≤30000) 안에 있고, 20≤Es/Eb≤200의 범위이면, 요철 구조(1102)의 표면부의 불소 원소 농도(Es)가, 요철 구조(1102) 중의 평균 불소 농도(Eb)보다 충분히 높아지고, 수지 표면의 자유 에너지가 효과적으로 감소하기 때문에, 제1 마스크층 수지나, 후술하는 제2 마스크층(1103)과의 이형성이 향상된다.또한, (Es/Eb)는, 26≤Es/Eb≤189의 범위이면, 요철 구조(1102)의 표면의 자유 에너지를 보다 낮게 할 수 있고, 반복 전사성이 양호해지기 때문에 바람직하다. 또한, (Es/Eb)는, 30≤Es/Eb≤160의 범위이면, 요철 구조 표면의 자유 에너지를 감소시킴과 동시에, 수지의 강도를 유지할 수 있고, 반복 전사성이 보다 향상되기 때문에 바람직하고, 31≤Es/Eb≤155이면 보다 바람직하다. (Es/Eb)는, 46≤Es/Eb≤155이면, 상기 효과를 한층 더 발현할 수 있기 때문에 바람직하다.또, 요철 구조(1102)의 표면측 영역이란, 예컨대, 요철 구조(1102)의 노출되는 표면으로부터, 커버 필름(1101)의 반대의 면측을 향해, 대략 1∼10% 두께 방향으로 침입한 부분, 또는 두께 방향으로 2 nm∼20 nm 침입한 부분을 의미한다.상술한 Es는, XPS법에 의해 정량할 수 있다. XPS법의 X선의 침입 길이는 수nm로 얕기 때문에, Es 값을 정량함에 있어서 적합하다. 다른 해석 수법으로서, 투과형 전자 현미경을 사용한 에너지 분산형 X선 분광법(TEM-EDX)을 이용하여, (Es/Eb)를 산출할 수도 있다.한편, 상술한 Eb는, 주입량으로부터 계산할 수 있다. 또는, 가스 크로마토그래프 질량 분석계(GC/MS)로 측정할 수 있다. 예컨대, 요철 구조(1102)를 물리적으로 박리하여 가스 크로마토그래프 질량 분석에 가함으로써, 평균 불소 원소 농도를 동정할 수 있다. 한편, 요철 구조(1102)를 물리적으로 박리한 세그먼트를, 플라스크 연소법으로 분해하고, 계속해서 이온 크로마토그래프 분석에 가하는 것에 의해서도, 수지 중의 평균 불소 원소 농도(Eb)를 동정할 수 있다.요철 구조를 구성하는 재료에 관해서는 후술한다.미세 패턴 형성용 필름(1100)은, 상술한 커버 필름(1101)의 요철 구조(1102)의 오목부(1102b)의 내부에, 요철 구조(1102)를 구성하는 재료와는 상이한 재료에 의해 형성되는 제2 마스크층(1103)이 배치되고, 또한, 요철 구조(1102) 및 제2 마스크층(1103)을 덮도록 제1 마스크층(1104)이 형성된다. 이러한 제2 마스크층(1103)에 의해, 피처리체(104)에 요철 구조를 전사 형성한 후에, 전사 형성된 요철 구조(제2 마스크층(1103) 및 제1 마스크층(1104)으로 구성되는 요철 구조)를 마스크로 하여 피처리체(104)를 가공할 때의, 가공 정밀도나 용이성이 향상된다. 또한, 피처리체(104) 상에 형성되는 요철 구조의 볼록부 상부의 물성과 볼록부 하부의 물성을 달리하는 것이 가능해져, 광학 디바이스에 대한 광추출용 피처리체나, 센싱 용도용 피처리체 등에 적용하는 것이 가능해진다.다음으로, 미세 패턴 형성용 필름(1100)의 제2 마스크층(1103) 및 제1 마스크층(1104)의 배치를 설명하기 위해 사용하는 용어에 관해 설명한다.도 40에서의 위치(S)는, 요철 구조(1102)의 볼록부(1102a)의 정상부의 위치를 의미한다. 또, 요철 구조(1102)의 높이에 불균일성이 있는 경우에는, 위치(S)는, 각 볼록부(1102a)의 정상부 위치의 면내 평균의 위치를 의미한다. 평균수로는, 10점 이상이 바람직하다.도 40에서의 위치(Scc)는, 요철 구조(1102)의 오목부(1102b)의 내부에 형성된 제2 마스크층(1103)의 표면(도 38에 도시한 제2 마스크층(1103)과 제1 마스크층(1104)의 계면 위치)의 위치를 의미한다. 오목부(1102b)의 내부의 제2 마스크층(1103a)의 표면의 위치에 불균일성이 있는 경우에는, 위치(Scc)는, 오목부(1102b)의 제2 마스크층(1103a)의 표면 위치의 면내 평균의 위치를 의미한다. 평균수로는, 10점 이상이 바람직하다.또한, 오목부(1102b) 내부의 제2 마스크층(1103)의 표면이 곡면을 형성하는 경우로서, 이 곡면이 아래로 볼록한 곡면을 형성하는 경우에는, 제2 마스크층(1103)의 두께가 가장 얇은 장소를 위치(Scc)로 한다. 즉, 제2 마스크층(1103)이 오목부(1102b)의 내면벽에 부분 부착되어 있는 경우에도, 제2 마스크층(1103)의 가장 낮은 곳을 위치(Scc)로 한다. 또한, 이 곡면이 위로 볼록한 곡면을 형성하는 경우에는, 제2 마스크층(1103)의 두께가 가장 두꺼운 장소를 위치(Scc)로 한다.도 40에서의 위치(Scv)는, 요철 구조(1102)의 볼록부(1102a)의 정상부에 형성된 제2 마스크층의 정상면 위치(도 38에 도시한 제2 마스크층(1103)과 제1 마스크층(1104)의 계면 위치)를 의미한다. 제2 마스크층(1103b)의 정상면 위치에 불균일성이 있는 경우에는, 위치(Scv)는, 볼록부(1102a) 상의 제2 마스크층(1103b)의 정상면 위치의 면내 평균의 위치를 의미한다. 평균수로는, 10점 이상이 바람직하다.도 40에서의 거리(lcc)는, 위치(S)와 위치(Scc)의 거리를 의미한다. 즉, 요철 구조(1102)의 면 내에서의 복수의 볼록부(1102a)의 요철 구조(1102)의 높이(h)로부터, 오목부(1102b) 내의 제2 마스크층(1103a)의 두께를 뺀 값을 의미한다. 따라서, 면 내에서 위치(S)나 위치(Scc)에 불균일성이 있는 경우에는, 요철 구조(1102)의 높이(h)의 평균치와 제2 마스크층(1103a)의 두께의 평균치의 양쪽, 또는 어느 한쪽을 이용한다. 이 거리(lcc)는, 마스크 패턴을 피처리체(20)에 전사한 후에, 마스크 패턴을 가공하고, 고 종횡비의 마스크 패턴(미세 마스크 패턴)(16a)을 얻는다는 관점에서, lcc003c#1.0h를 만족하는 범위에 있는 것이 바람직하다.제2 마스크층(1103)의 건식 에칭 내성 및 전사 용이성의 관점에서, lcc≤0.9h가 바람직하다. 보다 바람직하게는 lcc≤0.7h이고, 더욱 바람직하게는 lcc≤0.6h이다.한편, 면 내에서의 lcc의 불균일성을 작게 한다는 관점에서, lcc는, 0003c#lcc를 만족하는 범위에 있는 것이 바람직하고, 0.02h≤lcc가 더욱 바람직하다. 더욱 바람직하게는 0.05h≤lcc이고, 특히 0.1h≤lcc가 바람직하다.이러한 제2 마스크층(1103)의 lcc의 범위를 만족함으로써, 미세 패턴 형성용 필름(1100)을 피처리체에 접합할 때의 압박력을 낮게 할 수 있기 때문에, 압박 공정과 에너지선 조사 공정을, 독립적으로 행할 수 있다.도 40에서의 거리(lcv)는, 위치(S)와 위치(Scv)의 거리를 의미한다. 즉, 요철 구조(1102)의 볼록부(1102a) 상의 면 내에서의 제2 마스크층(1103b)의 두께를 의미한다. 따라서, 면 내에서 위치(S)나 위치(Scv)에 불균일성이 있는 경우에는, 제2 마스크층(1103b)의 두께의 평균치를 이용한다. 건식 에칭에 의한 제2 마스크층(1103b)의 폭 감소의 관점에서, lcv는, lcv≤0.05h인 것이 바람직하다. 또, lcv≤0.02h이면, 건식 에칭에 의한 lcv의 막두께를 갖는 제2 마스크층(1103b)을 제거하는 것이 한층 더 용이하기 때문에 바람직하고, lcv≤0.01h이면 보다 바람직하다. 건식 에칭에 의한 lcv의 막두께를 갖는 제2 마스크층을 제거할 필요가 없다는 점에서, lcv=0인 것이 가장 바람직하다.요철 구조가 형성된 피처리체의 표면에 형성되는 것은, 제2 마스크층(1103)/제1 마스크층(1104)이고, 그 때문에, 피처리체 상에는, 요철 구조를 구비한 제2 마스크층(1103) 및 제1 마스크층(1104)이 형성되게 된다. 또, 제2 마스크층(1103)을 구성하는 재료는, Ti, Si, Zr, 및 Zn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 원소를 포함하면 바람직하고, 또한, 광중합성기를 구비하는 분자와 금속 알콕시드로 대표되는 졸겔 재료를 포함하면 바람직하다. 예컨대, Ti이나 Zr을 금속종에 갖는 금속 알콕시드와 광중합성기를 구비하는 실란 커플링재, 및 광중합 개시재 등으로 구성되면 바람직하다.요철 구조(1102)의 볼록부 정상부 위치(S)와 제1 마스크층(1104)의 노출되는 면(혹은 보호층과 접촉하는 면)의 거리(lor)는, 요철 구조(1102)의 피치(P)와, 0.05≤lor/P≤5의 관계를 만족한다. 상술한 바와 같이, 피치는 50 nm∼1000 nm이면 바람직하기 때문에, 요철 구조(1102)의 볼록부 정상부 위치(S)와 제1 마스크층(1104)의 노출되는 면(혹은 보호층과 접촉하는 면)의 거리(lor)는, 2.5 nm 이상 5000 nm 이하이면 바람직하다. 특히, 본 실시형태에 관련된 열 나노임프린트 장치에 의해, 거리(lor)가, 5 nm 이상 1000 nm 이하라는 얇은 상태에 있어서도, 피처리체(104) 상에 용이하게 접합하는 것이 가능해지고, 제2 마스크층(1103) 및 제1 마스크층(1104)을 전사하는 것이 가능해진다. 특히, 접합 정밀도, 접합 속도, 박리 정밀도, 박리 속도를 향상시킨다는 관점에서, 상기 설명한 장치 사양 외에, 상기 거리(lor)가 5 nm 이상 1000 nm 이하이면 바람직하고, 10 nm 이상 800 nm 이하이면 보다 바람직하다. 또한, 상기 가장 넓은 범위(2.5 nm 이상 5000 nm) 안에 있어서, 요철 구조(1102)의 볼록부(1102a)의 정상부 상에 배치되는 제2 마스크층(1103b)의 미세 패턴 형성용 필름(1100)의 접합성에 대한 영향의 관점에서, lcv003c#lor≤1500 nm의 범위인 것이 바람직하고, lcv+100 nm≤lor≤1000 nm의 범위인 것이 보다 바람직하고, 더욱 바람직하게는 lcv+150 nm≤lor≤1000 nm의 범위이다. 건식 에칭시의 물리적 안정성의 관점에서, 제1 마스크층(1104)의 두께는, lcv+200 nm≤lor≤700 nm의 범위인 것이 가장 바람직하다. 특히, lcv=0에 있어서는, 접착(접합)성 및, 피처리체에 대한 가공성이 향상되기 때문에 바람직하다. 이 경우, lcv=0에서의 제1 마스크층(1104)(lor)의 두께는, 위치(S)와 제1 마스크층(1104)의 노출되는 표면 위치(Sb)의 거리가 된다.건식 에칭에 의한, 제2 마스크층(1103)의 에칭률(Vm1)과, 제1 마스크층(1104)의 에칭률(Vo1)의 비율(Vo1/Vm1)은, 제2 마스크층(1103)을 마스크로 하여 제1 마스크층(1104)을 에칭할 때의 가공 정밀도에 영향을 미친다. Vo1/Vm1003e#1은, 제2 마스크층(1103)이 제1 마스크층(1104)보다 에칭되기 어려운 것을 의미하기 때문에, 클수록 바람직하다. 제2 마스크층(1103)의 도공성의 관점에서, Vo1/Vm1≤150인 것이 바람직하고, Vo1/Vm1≤100이 보다 바람직하다. 내에칭성의 관점에서, 3≤Vo1/Vm1인 것이 바람직하고, 10≤Vo1/Vm1인 것이 보다 바람직하고, 15≤Vo1/Vm1인 것이 더욱 바람직하다.상기 범위를 만족함으로써, 제2 마스크층(1103)을 마스크로 하여, 두께가 있는 제1 마스크층(1104)을 용이하게 건식 에칭에 의해 미세 가공할 수 있다. 또한, 제1 마스크층(1104)에 막두께 분포가 있었다 하더라도, 제1 마스크층(1104)의 에칭률에 비해 제2 마스크층(1103)의 에칭률 쪽이 작기 때문에, 제1 마스크층(1104)의 막두께 분포를 흡수하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 건식 에칭 미세 가공된 제2 마스크층(1103) 및 제1 마스크층(1104)으로 이루어지는, 종횡비가 높은 마스크 패턴(미세 마스크 패턴)(16a)을, 피처리체(20) 상에 형성할 수 있다. 이러한, 종횡비가 높은 마스크(제2 마스크층(1103) 및 제1 마스크층(1104))를 이용함으로써, 피처리체(20)를 용이하게 건식 에칭 가공할 수 있다.한편, 제1 마스크층(1104)의 에칭시의 에칭 이방성(가로 방향의 에칭률(Vo//)과, 세로 방향의 에칭률(Vo⊥)의 비율(Vo⊥/Vo//)은, Vo⊥/Vo//003e#1이 바람직하고, 보다 클수록 바람직하다. 제1 마스크층(1104)의 에칭률과, 피처리체(20)의 에칭률의 비율에 따라 다르기도 하지만, Vo⊥/Vo//≥2인 것이 바람직하고, Vo⊥/Vo//≥3.5인 것이 보다 바람직하고, Vo⊥/Vo//≥10인 것이 더욱 바람직하다. 또, 세로 방향이란, 제1 마스크층(1104)의 막두께 방향을 의미하며, 가로 방향이란, 제1 마스크층(1104)의 면 방향을 의미한다.피치가 서브미크론 이하의 영역에서는, 피처리체(20)를 용이하게 건식 에칭하기 위해서는, 제1 마스크층(1104)의 폭을 크게 유지할 필요가 있다. 상기 범위를 만족함으로써, 건식 에칭 후의 제1 마스크층(1104)의 폭(줄기의 굵기)을 크게 유지할 수 있기 때문에 바람직하다.건식 에칭에 의한, 피처리체(20)의 에칭률(Vi2)과, 제1 마스크층(1104)의 에칭률(Vo2)의 비율(Vo2/Vi2)은, 작을수록 바람직하다. Vo2/Vi2003c#1이면, 제1 마스크층(1104)의 에칭률 쪽이, 피처리체(20)의 에칭률보다 작기 때문에, 피처리체(20)를 용이하게 가공할 수 있다. 제1 마스크층(1104)의 도공성 및, 에칭 정밀도의 관점에서, Vo2/Vi2≤3인 것이 바람직하고, Vo2/Vi2≤2.5이면 보다 바람직하다. Vo2/Vi2≤2이면, 제1 마스크층(1104)을 얇게 할 수 있기 때문에 보다 바람직하다. Vo2/Vi2003c#1이면, 가장 바람직하다.제1 마스크층(1104)은, 피처리체(104)와의 밀착성의 관점에서, 반응성 희석재 및 중합 개시재를 포함하면 바람직하고, 특히, 바인더 수지, 반응성 희석재 및 중합 개시재를 포함하면 보다 바람직하다. 특히, 적어도 측쇄에 벤젠 골격을 갖는 부위를 포함하는 바인더 수지, (메트)아크릴레이트, 및 광중합 개시재를 포함하면 바람직하다.또한, 피처리체(104)의 재질은, 용도에 따라 적절히 선택할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 합성 석영이나 용융 석영으로 대표되는 석영, 무알칼리 유리, 저알칼리 유리, 소다석회 유리로 대표되는 유리, 실리콘 웨이퍼, 니켈판, 사파이어, 다이아몬드, SiC 기판, 마이카 기판, 반도체 기판(질화물 반도체 기판 등), ZnO, 및 ITO를 들 수 있다. 유연성이 있는 미세 패턴 형성용 필름을 선정한 경우, 곡률을 갖는 외형을 갖는 피처리체(20)(예컨대, 렌즈 형상, 원통 형상, 원기둥 형상 또는 구 형상)를 선정할 수도 있다. 예컨대, LED의 내부 양자 효율 및 광추출 효율을 개선하는 경우에는, 사파이어나 Si를 들 수 있다. 또한, 광추출 효율 개선을 목적으로 하여, GaN으로 대표되는 질화물 반도체를 선택할 수도 있다. 또한, 반사 방지 기능(투과율 증가 기능)을 부여할 목적으로, 공지 시판되는 유리를 선택할 수도 있다.또한, 피처리체(20)의 형상은, 평판형 또는 렌즈형이지만, 접합 정밀도, 접합 속도를 향상시킨다는 관점에서 평판형인 것이 바람직하다. 평판형 피처리체로는 예컨대, 2 인치φ 사파이어 웨이퍼, 4 인치φ 사파이어 웨이퍼, 6 인치φ 사파이어 웨이퍼 등을 들 수 있다.요철 구조(1102)를 구성하는 재료 중, 광중합 가능한 라디칼 중합계의 수지로는, 불소 비함유의 (메트)아크릴레이트, 불소 함유 (메트)아크릴레이트 및 광중합 개시제의 혼합물인 경화성 수지 조성물을 이용하는 것이 바람직하다. 이 경화성 수지 조성물을 이용함으로써, 표면 자유 에너지가 낮은 소수성 계면 등에 상기 조성물을 접촉시킨 상태에서 상기 조성물을 경화시키면, 요철 구조(1102)의 표면부의 불소 원소 농도(Es)를, 요철 구조(1102)를 구성하는 수지 중의 평균 불소 원소 농도(Eb)보다 크게 할 수 있고, 또 수지 중의 평균 불소 원소 농도(Eb)를 보다 작게 하도록 조정할 수 있다.(A) (메트)아크릴레이트(메트)아크릴레이트로는, 후술하는 (B) 불소 함유 (메트)아크릴레이트 이외의 중합성 모노머이면 제한은 없지만, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 모노머, 비닐기를 갖는 모노머, 알릴기를 갖는 모노머가 바람직하고, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 모노머가 보다 바람직하다. 그리고, 이들은 불소 비함유의 모노머인 것이 바람직하다. 또, (메트)아크릴레이트는 아크릴레이트 또는 메타아크릴레이트를 의미한다.또한, 중합성 모노머로는, 중합성기를 복수 구비한 다작용성 모노머인 것이 바람직하고, 중합성기의 수는, 중합성이 우수한 점에서 1∼4의 정수가 바람직하다. 또한, 2종류 이상의 중합성 모노머를 혼합하여 이용하는 경우, 중합성기의 평균수는 1∼3이 바람직하다. 단일 모노머를 사용하는 경우에는, 중합 반응 후의 가교점을 늘리고, 경화물의 물리적 안정성(강도, 내열성 등)을 얻기 위해, 중합성기의 수가 3 이상의 모노머인 것이 바람직하다. 또한, 중합성기의 수가 1 또는 2인 모노머의 경우, 중합성수가 상이한 모노머와 병용하여 사용하는 것이 바람직하다.(메트)아크릴레이트 모노머의 구체예로는, 하기의 화합물을 들 수 있다. 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 모노머로는, (메트)아크릴산, 방향족계의 (메트)아크릴레이트[페녹시에틸아크릴레이트, 벤질아크릴레이트 등], 탄화수소계의 (메트)아크릴레이트[스테아릴아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 알릴아크릴레이트, 1,3-부탄디올디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 등], 에테르성 산소 원자를 포함하는 탄화수소계의 (메트)아크릴레이트[에톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트 등], 작용기를 포함하는 탄화수소계의 (메트)아크릴레이트[2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 4-히드록시부틸비닐에테르, N,N-디에틸아미노에틸아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트, N-비닐피롤리돈, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트 등], 실리콘계의 아크릴레이트 등. 그 외에는, EO 변성 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, ECH 변성 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, PO 변성 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, EO 변성 인산트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, PO 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, EO 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 알킬 변성 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨폴리(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트, 알킬 변성 디펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨에톡시테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(메트)아크릴레이트, 디메틸올디시클로펜탄디(메트)아크릴레이트, 디(메트)아크릴화이소시아누레이트, 1,3-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, EO 변성 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, ECH 변성 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 알릴옥시폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, EO 변성 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, PO 변성 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 변성 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, EO 변성 비스페놀 F 디(메트)아크릴레이트, ECH 변성 헥사히드로프탈산디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 히드록시피발산네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, EO 변성 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, PO 변성 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 카프로락톤 변성 히드록시피발산에스테르네오펜틸글리콜, 스테아르산 변성 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, ECH 변성 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, ECH 변성 프탈산디(메트)아크릴레이트, 폴리(에틸렌글리콜-테트라메틸렌글리콜)디(메트)아크릴레이트, 폴리(프로필렌글리콜-테트라메틸렌글리콜)디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 실리콘디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(디)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 변성 트리메틸올프로판디(메트)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리글리세롤디(메트)아크릴레이트, EO 변성 트리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디비닐에틸렌요소, 디비닐프로필렌요소, 2-에틸-2-부틸프로판디올아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실카르비톨(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 아크릴산 다이머, 벤질(메트)아크릴레이트, 부탄디올모노(메트)아크릴레이트, 부톡시에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, EO 변성 크레졸(메트)아크릴레이트, 에톡시화페닐(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 이소아밀(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 이소미리스틸(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 메톡시디프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메틸(메트)아크릴레이트, 메톡시트리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜벤조에이트(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 파라쿠밀페녹시에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, ECH 변성 페녹시아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시헥사에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시테트라에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, EO 변성 호박산(메트)아크릴레이트, tert-부틸(메트)아크릴레이트, 트리브로모페닐(메트)아크릴레이트, EO 변성 트리브로모페닐(메트)아크릴레이트, 트리도데실(메트)아크릴레이트, 이소시아누르산 EO 변성 디- 및 트리-아크릴레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트 등을 들 수 있다. 알릴기를 갖는 모노머로는, p-이소프로페닐페놀, 비닐기를 갖는 모노머로는, 스티렌, α-메틸스티렌, 아크릴로니트릴, 비닐카르바졸 등을 들 수 있다. 또, EO 변성이란 에틸렌옥사이드 변성을, ECH 변성이란 에피클로로히드린 변성을, PO 변성이란 프로필렌옥사이드 변성을 의미한다.(B) 불소 함유 (메트)아크릴레이트 불소 함유 (메트)아크릴레이트로는, 폴리플루오로알킬렌쇄 및/또는 퍼플루오로(폴리옥시알킬렌)쇄와, 중합성기를 갖는 것이 바람직하고, 직쇄형 퍼플루오로알킬렌기, 또는 탄소원자-탄소원자 사이에 에테르성 산소 원자가 삽입되며 또한 트리플루오로메틸기를 측쇄에 갖는 퍼플루오로옥시알킬렌기가 더욱 바람직하다. 또한, 트리플루오로메틸기를 분자 측쇄 또는 분자 구조 말단에 갖는 직쇄형의 폴리플루오로알킬렌쇄 및/또는 직쇄형의 퍼플루오로(폴리옥시알킬렌)쇄가 특히 바람직하다.폴리플루오로알킬렌쇄는, 탄소수 2∼탄소수 24의 폴리플루오로알킬렌기가 바람직하다. 또한, 폴리플루오로알킬렌기는, 작용기를 갖고 있어도 좋다.퍼플루오로(폴리옥시알킬렌)쇄는, (CF2CF2O) 단위, (CF2CF(CF3)O) 단위, (CF2CF2CF2O) 단위 및 (CF2O) 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 퍼플루오로(옥시알킬렌) 단위로 이루어지는 것이 바람직하고, (CF2CF2O) 단위, (CF2CF(CF3)O) 단위, 또는 (CF2CF2CF2O) 단위로 이루어지는 것이 보다 바람직하다. 퍼플루오로(폴리옥시알킬렌)쇄는, 불소 함유 중합체의 물성(내열성, 내산성 등)이 우수한 점에서, (CF2CF2O) 단위로 이루어지는 것이 특히 바람직하다. 퍼플루오로(옥시알킬렌) 단위의 수는, 불소 함유 중합체의 이형성과 경도가 높다는 점에서, 2∼200의 정수가 바람직하고, 2∼50의 정수가 보다 바람직하다.중합성기로는, 비닐기, 알릴기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 에폭시기, 디옥타센기, 시아노기, 이소시아네이트기 또는 식 -(CH2)aSi(M1)3-b(M2)b로 표시되는 가수 분해성 실릴기가 바람직하고, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기가 보다 바람직하다. 여기서, M1은 가수 분해 반응에 의해 수산기로 변환되는 치환기이다. 이러한 치환기로는, 할로겐 원자, 알콕시기, 아실옥시기 등을 들 수 있다. 할로겐 원자로는, 염소원자가 바람직하다. 알콕시기로는, 메톡시기 또는 에톡시기가 바람직하고, 메톡시기가 보다 바람직하다. M1로는, 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기가 보다 바람직하다. M2는, 1가의 탄화수소기이다. M2로는, 알킬기, 1 이상의 아릴기로 치환된 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 아릴기 등을 들 수 있고, 알킬기 또는 알케닐기가 바람직하다. M2가 알킬기인 경우, 탄소수 1∼탄소수 4의 알킬기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다. M2가 알케닐기인 경우, 탄소수 2∼탄소수 4의 알케닐기가 바람직하고, 비닐기 또는 알릴기가 보다 바람직하다. a는 1∼3의 정수이고, 3이 바람직하다. b는 0 또는 1∼3의 정수이고, 0이 바람직하다. 가수 분해성 실릴기로는, (CH3O)3SiCH2-, (CH3CH2O)3SiCH2-, (CH3O)3Si(CH2)3- 또는 (CH3CH2O)3Si(CH2)3-이 바람직하다.중합성기의 수는, 중합성이 우수한 점에서 1∼4의 정수가 바람직하고, 1∼3의 정수가 보다 바람직하다. 2종 이상의 화합물을 이용하는 경우, 중합성기의 평균수는 1∼3이 바람직하다.불소 함유 (메트)아크릴레이트는, 작용기를 가지면 투명 기판과의 밀착성이 우수하다. 작용기로는, 카르복실기, 설폰산기, 에스테르 결합을 갖는 작용기, 아미드 결합을 갖는 작용기, 수산기, 아미노기, 시아노기, 우레탄기, 이소시아네이트기, 이소시아누르산 유도체를 갖는 작용기 등을 들 수 있다. 특히, 카르복실기, 우레탄기, 이소시아누르산 유도체를 갖는 작용기의 적어도 하나의 작용기를 포함하는 것이 바람직하다. 또, 이소시아누르산 유도체에는, 이소시아누르산 골격을 갖는 것으로, 질소원자에 결합하는 적어도 하나의 수소원자가 다른 기로 치환되어 있는 구조의 것이 포함된다. 불소 함유 (메트)아크릴레이트로는, 플루오로(메트)아크릴레이트, 플루오로디엔 등을 이용할 수 있다. 불소 함유 (메트)아크릴레이트의 구체예로는, 하기의 화합물을 들 수 있다.플루오로(메트)아크릴레이트로는, CH2=CHCOO(CH2)2(CF2)10F, CH2=CHCOO(CH2)2(CF2)8F, CH2=CHCOO(CH2)2(CF2)6F, CH2=C(CH3)COO(CH2)2(CF2)10F, CH2=C(CH3)COO(CH2)2(CF2)8F, CH2=C(CH3)COO(CH2)2(CF2)6F, CH2=CHCOOCH2(CF2)6F, CH2=C(CH3)COOCH2(CF2)6F, CH2=CHCOOCH2(CF2)7F, CH2=C(CH3)COOCH2(CF2)7F, CH2=CHCOOCH2CF2CF2H, CH2=CHCOOCH2(CF2CF2)2H, CH2=CHCOOCH2(CF2CF2)4H, CH2=C(CH3)COOCH2(CF2CF2)H, CH2=C(CH3)COOCH2(CF2CF2)2H, CH2=C(CH3)COOCH2(CF2CF2)4H, CH2=CHCOOCH2CF2OCF2CF2OCF3, CH2=CHCOOCH2CF2O(CF2CF2O)3CF3, CH2=C(CH3)COOCH2CF2OCF2CF2OCF3, CH2=C(CH3)COOCH2CF2O(CF2CF2O)3CF3, CH2=CHCOOCH2CF(CF3)OCF2CF(CF3)O(CF2)3F, CH2=CHCOOCH2CF(CF3)O(CF2CF(CF3)O)2(CF2)3F, CH2=C(CH3)COOCH2CF(CF3)OCF2CF(CF3)O(CF2)3F, CH2=C(CH3)COOCH2CF(CF3)O(CF2CF(CF3)O)2(CF2)3F, CH2=CFCOOCH2CH(OH)CH2(CF2)6CF(CF3)2, CH2=CFCOOCH2CH(CH2OH)CH2(CF2)6CF(CF3)2, CH2=CFCOOCH2CH(OH)CH2(CF2)10F, CH2=CFCOOCH2CH(OH)CH2(CF2)10F, CH2=CHCOOCH2CH2(CF2CF2)3CH2CH2OCOCH=CH2, CH2=C(CH3)COOCH2CH2(CF2CF2)3CH2CH2OCOC(CH3)=CH2, CH2=CHCOOCH2CyFCH2OCOCH=CH2, CH2=C(CH3)COOCH2CyFCH2OCOC(CH3)=CH2 등의 플루오로(메트)아크릴레이트를 들 수 있다(다만, CyF는 퍼플루오로(1,4-시클로헥실렌기)를 나타낸다).플루오로디엔으로는, CF2=CFCF2CF=CF2, CF2=CFOCF2CF=CF2, CF2=CFOCF2CF2CF=CF2, CF2=CFOCF(CF3)CF2CF=CF2, CF2=CFOCF2CF(CF3)CF=CF2, CF2=CFOCF2OCF=CF2, CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF=CF2, CF2=CFCF2C(OH)(CF3)CH2CH=CH2, CF2=CFCF2C(OH)(CF3)CH=CH2, CF2=CFCF2C(CF3)(OCH2OCH3)CH2CH=CH2, CF2= CFCH2C(C(CF3)2OH)(CF3)CH2CH=CH2 등의 플루오로디엔을 들 수 있다.(불소 함유 (메트)아크릴레이트)또, 본 발명에서 이용하는 불소 함유 (메트)아크릴레이트는, 상기 화학식(1)로 표시되는 불소 함유 우레탄(메트)아크릴레이트이면, 수지 중의 평균 불소 원소 농도(Eb)를 낮게 한 상태에서, 효과적으로 요철 구조 표면부의 불소 원소 농도(Es)를 높게 할 수 있고, 피처리체에 대한 접착성과 이형성을 한층 더 효과적으로 발현할 수 있기 때문에, 보다 바람직하다. 이러한 우레탄(메트)아크릴레이트로는, 예컨대, 다이킨 공업사 제조의 「오프츠루 DAC」를 이용할 수 있다.불소 함유 (메트)아크릴레이트는, 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. 또한, 내마모성, 내흠집성, 지문 부착 방지, 방오성, 레벨링성이나 발수 발유성 등의 표면 개질제와의 병용도 할 수 있다. 예컨대, 네오스사 제조의 「후타젠트」(예컨대, M 시리즈 : 후타젠트 251, 후타젠트 215M, 후타젠트 250, FTX-245M, FTX-290M ; S 시리즈 : FTX-207S, FTX-211S, FTX-220S, FTX-230S ; F 시리즈 : FTX-209F, FTX-213F, 후타젠트 222F, FTX-233F, 후타젠트 245F ; G 시리즈 : 후타젠트 208G, FTX-218G, FTX-230G, FTS-240G ; 올리고머 시리즈 : 후타젠트 730FM, 후타젠트 730LM ; 후타젠트 P 시리즈 : 후타젠트 710FL, FTX-710HL 등), DIC사 제조의 「메가팍」(예컨대, F-114, F-410, F-493, F-494, F-443, F-444, F-445, F-470, F-471, F-474, F-475, F-477, F-479, F-480SF, F-482, F-483, F-489, F-172D, F-178K, F-178RM, MCF-350SF 등), 다이킨사 제조의 「오프츠루TM」(예컨대, DSX, DAC, AES), 「에프톤TM」(예컨대, AT-100), 「젯플TM」(예컨대, GH-701), 「유니다인TM」, 「다이프리TM」, 「오프토에스TM」, 스미토모 스리엠사 제조의 「노벡 EGC-1720」, 플루오로 테크놀로지사 제조의 「플루오로사프」 등을 들 수 있다.불소 함유 (메트)아크릴레이트는, 분자량(Mw)이 50∼50000인 것이 바람직하고, 상용성의 관점에서 분자량(Mw)이 50∼5000인 것이 바람직하고, 분자량(Mw)이 100∼5000인 것이 보다 바람직하다. 상용성이 낮은 고분자량을 사용할 때에는 희석 용제를 사용해도 좋다. 희석 용제로는, 단일 용제의 비점이 40℃∼180℃인 용제가 바람직하고, 60℃∼180℃가 보다 바람직하고, 60℃∼140℃가 더욱 바람직하다. 희석제는 2종류 이상 사용도 좋다.용제 함량은, 적어도 경화성 수지 조성물 중에서 분산되는 양이면 되고, 경화성 조성물 100 중량부에 대하여 0 중량부 초과∼50 중량부가 바람직하다. 건조 후의 잔존 용제량을 한없이 제거하는 것을 배려하면, 용제 함량은 0 중량부 초과∼10 중량부가 보다 바람직하다.특히, 레벨링성을 향상시키기 위해 용제를 함유하는 경우에는, (메트)아크릴레이트 100 중량부에 대하여, 용제 함량이 0.1 중량부 이상 40 중량부 이하이면 바람직하다. 용제 함량이 0.5 중량부 이상 20 중량부 이하이면, 광중합성 혼합물의 경화성을 유지할 수 있기 때문에 보다 바람직하고, 1 중량부 이상 15 중량부 이하이면, 더욱 바람직하다. 광중합성 혼합물의 막두께를 얇게 하기 위해 용제를 함유하는 경우에는, (메트)아크릴레이트 100 중량부에 대하여, 용제 함량이 300 중량부 이상 10000 중량부 이하이면, 도공 후의 건조 공정에서의 용액 안정성을 유지할 수 있기 때문에 바람직하고, 300 중량부 이상 1000 중량부 이하이면 보다 바람직하다.(C) 광중합 개시제광중합 개시제는, 광에 의해 라디칼 반응 또는 이온 반응을 야기하는 것으로, 라디칼 반응을 야기하는 광중합 개시제가 바람직하다. 광중합 개시제로는, 하기의 광중합 개시제를 들 수 있다.아세토페논계의 광중합 개시제 : 아세토페논, p-tert-부틸트리클로로아세토페논, 클로로아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 히드록시아세토페논, 2,2-디메톡시-2'-페닐아세토페논, 2-아미노아세토페논, 디알킬아미노아세토페논 등. 벤조인계의 광중합 개시제 : 벤질, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 벤질디메틸케탈 등. 벤조페논계의 광중합 개시제 : 벤조페논, 벤조일안식향산, 벤조일안식향산메틸, 메틸-o-벤조일벤조에이트, 4-페닐벤조페논, 히드록시벤조페논, 히드록시프로필벤조페논, 아크릴벤조페논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 퍼플루오로벤조페논 등. 티오크산톤계의 광중합 개시제 : 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 디메틸티오크산톤 등. 안트라퀴논계의 광중합 개시제 : 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논. 케탈계의 광중합 개시제 : 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈. 그 밖의 광중합 개시제 : α-아실옥심에스테르, 벤질-(o-에톡시카르보닐)-α-모노옥심, 아실포스핀옥사이드, 글리옥시에스테르, 3-케토쿠마린, 2-에틸안트라퀴논, 캠퍼퀴논, 테트라메틸티우람술피드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일퍼옥사이드, 디알킬퍼옥사이드, tert-부틸퍼옥시피발레이트 등. 불소원자를 갖는 광중합 개시제 : 퍼플루오로tert-부틸퍼옥사이드, 퍼플루오로벤조일퍼옥사이드 등의 공지 관용의 광중합 개시제를 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.광중합성 혼합물은, 광증감제를 포함하고 있어도 좋다. 광증감제의 구체예로는, n-부틸아민, 디-n-부틸아민, 트리-n-부틸포스핀, 알릴티오요소, s-벤지스이소티우로늄-p-톨루엔술피네이트, 트리에틸아민, 디에틸아미노에틸메타크릴레이트, 트리에틸렌테트라민, 4,4'-비스(디알킬아미노)벤조페논, N,N-디메틸아미노안식향산에틸에스테르, N,N-디메틸아미노안식향산이소아밀에스테르, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 트리에틸아민, 트리에탄올아민 등의 아민류와 같은 공지 관용의 광증감제의 1종 혹은 2종 이상과 조합하여 이용할 수 있다.시판되고 있는 개시제의 예로는, BASF 재팬(주) 제조의 「Irgacure(등록 상표)」(예컨대, Irgacure 651, 184, 500, 2959, 127, 754, 907, 369, 379, 379EG, 819, 1800, 784, O26E01, O26E02)나 「Darocur(등록 상표)」(예컨대, Darocur 1173, MBF, TPO, 4265) 등을 들 수 있다.광중합 개시제는, 1종만을 단독으로 이용해도 좋고, 2종류 이상을 병용해도 좋다. 2종류 이상 병용하는 경우에는, 불소 함유 (메트)아크릴레이트의 분산성 및 광중합성 혼합물의 요철 구조 표면부 및 내부의 경화성의 관점에서 선택하면 된다. 예컨대, α 히드록시케톤계 광중합 개시제와 α 아미노케톤계 광중합 개시제를 병용하는 것을 들 수 있다. 또한, 2종류 병용하는 경우의 조합으로는, 예컨대, BASF 재팬(주) 제조의 「Irgacure」끼리, 「Irgacure」와 「Darocur」의 조합으로서, Darocur 1173과 Irgacure 819, Irgacure 379와 Irgacure 127, Irgacure 819와 Irgacure 127, Irgacure 250과 Irgacure 127, Irgacure 184와 Irgacure 369, Irgacure 184와 Irgacure 379EG, Irgacure 184와 Irgacure 907, Irgacure 127과 Irgacure 379EG, Irgacure 819와 Irgacure 184, Darocur TPO와 Irgacure 184 등을 들 수 있다.(제2 마스크층)제2 마스크층(1103)의 재료에 관해서는, 용제에 희석 가능한, 무기 전구체, 무기 축합체, 금속 산화물 필러, 금속 산화물 미립자 등을 사용할 수 있다. 제2 마스크층(1103)은, 미세 패턴 형성용 필름(1100)을 사용하고, 마스크를 형성하고 싶은 피처리체(20)에 마스크를 전사할 때의 전사 정밀도의 관점에서, 광중합 가능한 광중합성기와 열중합 가능한 중합성기의 양쪽, 또는 어느 한쪽을 포함하면 특히 바람직하다. 또한, 제2 마스크층(1103)은, 건식 에칭 내성의 관점에서, 금속 원소를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 제2 마스크층(1103)은, 금속 산화물 미립자를 포함함으로써, 피처리체(20)를 건식 에칭할 때의 가공이, 보다 용이해지기 때문에 바람직하다.희석 용제로는, 특별히 한정되지 않지만, 단일 용제의 비점이 40℃∼200℃인 용제가 바람직하고, 60℃∼180℃가 보다 바람직하고, 60℃∼160℃가 더욱 바람직하다. 희석제는 2종류 이상을 사용해도 좋다.또한, 용제 희석한 무기 재료의 농도는, 단위 면적 상에 도공된 도포막의 고형분량이, 단위 면적 상(또는 단위 면적 하)에 존재하는 요철 구조(1102)의 공극(오목부(1102b))의 체적 이하가 되는 농도이면, 특별히 한정되지 않는다.제2 마스크층(1103)에 포함되는 광중합성기로는, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 아크릴옥시기, 메타크릴옥시기, 아크릴기, 메타크릴기, 비닐기, 에폭시기, 알릴기, 옥세타닐기 등을 들 수 있다.또한, 제2 마스크층(1103)에 포함되는 금속 원소로는, 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 크롬(Cr), 아연(Zn), 주석(Sn), 붕소(B), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종인 것이 바람직하다. 특히, 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 크롬(Cr), 실리콘(Si)인 것이 바람직하다.제2 마스크층(1103)을 형성하는 재료는, 졸겔 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 졸겔 재료를 포함함으로써, 건식 에칭 내성이 양호한 제2 마스크층(1103)을, 요철 구조(1102)의 내부(오목부(1102b))에 대한 충전이 용이해질 뿐만 아니라, 제1 마스크층(1104)을 건식 에칭할 때의, 세로 방향의 건식 에칭률(Vr⊥)과, 가로 방향의 건식 에칭률(Vr//)의 비율(Vr⊥/Vr//)을 크게 할 수 있다. 졸겔 재료로는, 단일의 금속종을 갖는 금속 알콕시드만을 이용해도 좋고, 상이한 금속종을 갖는 금속 알콕시드를 병용해도 좋지만, 금속종 M1(다만, M1은, Ti, Zr, Zn, Sn, B, In 및 Al으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 원소)을 갖는 금속 알콕시드와, 금속종 Si를 갖는 금속 알콕시드의, 적어도 2종류의 금속 알콕시드를 함유하는 것이 바람직하다. 또는, 무기 재료로서, 이들 졸겔 재료와, 공지된 광중합성 수지의 하이브리드도 사용할 수 있다.무기 재료는, 건식 에칭시의 물리적 파괴를 억제하는 관점에서, 축합과 광중합의 양쪽, 혹은 어느 한쪽에 의한 경화 후의 상분리가 작은 것이 바람직하다. 여기서, 상분리는, 투과형 전자 현미경(TEM)의 콘트라스트로 확인하는 것이 가능하다. 제2 마스크층(1103)의 전사성의 관점에서, TEM의 콘트라스트로부터, 상분리 사이즈가 20 nm 이하인 것이 바람직하다. 물리적 내구성 및, 건식 에칭 내성의 관점에서, 상분리 사이즈는 15 nm 이하인 것이 바람직하고, 10 nm 이하이면, 보다 바람직하다. 또, 상분리를 억제하는 관점에서, 졸겔 재료 중에, 광중합성기를 구비하는 실란 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다.또한, 제2 마스크층(1103)으로서의 건식 에칭 내성의 관점에서, 졸겔 재료는, 금속종이 상이한, 적어도 2종류의 금속 알콕시드를 포함하는 것이 바람직하다. 금속종이 상이한 2종류의 금속 알콕시드의, 금속종의 조합으로는, 예컨대, Si와 Ti, Si와 Zr, Si와 Ta 등을 들 수 있다. 건식 에칭 내성의 관점에서, Si를 금속종에 갖는 금속 알콕시드의 몰농도(CSi)와, Si 이외의 금속종 M1을 갖는 금속 알콕시드의 몰농도(CM1)의 비율 CM1/CSi는, 0.2∼15인 것이 바람직하다. 도공 건조시의 안정성의 관점에서, CM1/CSi는 0.5∼15인 것이 바람직하다. 물리적 강도의 관점에서, CM1/CSi는 5∼8인 것이 보다 바람직하다.제2 마스크층(1103)은, 제2 마스크층(1103)의 전사 정밀도와 건식 에칭 내성의 관점에서, 무기의 세그멘트와 유기의 세그멘트를 포함하는 하이브리드인 것이 바람직하다. 하이브리드로는, 예컨대, 무기 미립자와, 광중합(혹은 열중합) 가능한 수지의 조합이나, 무기 전구체와 광중합(혹은 열중합) 가능한 수지나, 유기 폴리머와 무기 세그멘트가 공유 결합으로 결합한 분자, 등을 들 수 있다. 무기 전구체로서 졸겔 재료를 사용하는 경우에는, 실란 커플링제를 포함하는 졸겔 재료 외에, 광중합 가능한 수지를 포함하는 것을 의미한다. 하이브리드의 경우, 예컨대, 금속 알콕시드, 광중합성기를 구비한 실란 커플링재, 라디칼 중합계 수지 등을 혼합할 수 있다. 보다 전사 정밀도를 높이기 위해, 이들에 실리콘을 첨가해도 좋다. 또한, 건식 에칭 내성을 향상시키기 위해, 졸겔 재료 부분은, 미리 예비 축합을 행해도 좋다. 실란 커플링제를 포함하는 금속 알콕시드와, 광중합성 수지의 혼합 비율은, 건식 에칭 내성과 전사 정밀도의 관점에서, 3 : 7∼7 : 3의 범위가 바람직하다. 보다 바람직하게는 3.5 : 6.5∼6.5 : 3.5의 범위이다. 하이브리드에 사용하는 수지는, 광중합 가능하면, 라디칼 중합계든, 양이온 중합계든 특별히 한정되지 않는다.제2 마스크층(1103)을 구성하는 광중합 가능한 라디칼 중합계의 수지로는, 상기에 열거한 요철 구조를 구성하는 광중합 가능한 라디칼 중합계의 수지로부터, 불소 함유 (메트)아크릴레이트를 제외한 것을 이용하는 것이 바람직하다.제2 마스크층(1103)을 구성하는 광중합 가능한 양이온 중합계의 수지는, 적어도 양이온 경화성 모노머와, 광산 발생제를 포함하는 조성물을 의미한다. 양이온 경화성 수지 조성물에서의 양이온 경화성 모노머란, 양이온 중합 개시제의 존재하에서, 예컨대, UV 조사나 가열 등의 경화 처리를 행함으로써 경화물이 얻어지는 화합물이다. 양이온 경화성 모노머로는, 에폭시 화합물, 옥세탄 화합물, 및 비닐에테르 화합물을 들 수 있고, 에폭시 화합물로는, 지환식 에폭시 화합물, 및 글리시딜에테르를 들 수 있다. 이들 중에서도 지환식 에폭시 화합물은, 중합 개시 속도가 향상되고, 옥세탄 화합물은 중합률의 향상 효과가 있기 때문에, 사용하는 것이 바람직하고, 글리시딜에테르는 양이온 경화성 수지 조성물의 점도를 저하시켜, 도공성에 효과가 있기 때문에 사용하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 지환식 에폭시 화합물과 옥세탄 화합물을 병용하는 것이고, 더욱 바람직하게는 지환식 에폭시 화합물과 옥세탄 화합물의 중량 비율이 99 : 1∼51 : 49의 범위에서 병용하는 것이다.양이온 경화성 모노머의 구체예로는, 이하의 것을 들 수 있다. 지환식 에폭시 화합물로는, 예컨대, 3',4'-에폭시시클로헥산카르복실산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, 3',4'-에폭시-6'-메틸시클로헥산카르복실산-3,4-에폭시-6'-시클로헥실메틸, 비닐시클로헥센모노옥사이드1,2-에폭시-4-비닐시클로헥산, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란을 들 수 있다.글리시딜에테르로는, 예컨대, 비스페놀 A 글리시딜에테르, 비스페놀 F 글리시딜에테르, 수소첨가 비스페놀 A 글리시딜에테르, 수소첨가 비스페놀 F 글리시딜에테르, 1,4-부탄디올글리시딜에테르, 1,6-헥산디올글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 글리시딜메타크릴레이트, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필에틸디에톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다.옥세탄 화합물로는, 예컨대, 3-에틸-3-(페녹시메틸)옥세탄, 디[1-에틸(3-옥세타닐)]메틸에테르, 3-에틸-3알릴옥시메틸옥세탄, 3-에틸-3-(2-에틸헥실옥시메틸)옥세탄, 3-에틸-3-[3-(트리에톡시실릴)프로폭시]메틸옥세탄 등을 들 수 있다.비닐에테르로는, 2-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르, 2-히드록시부틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 트리에틸렌글리콜디비닐에테르, 시클로헥산디메탄올디비닐에테르, 1,4-부탄디올디비닐에테르 등을 들 수 있다.광산 발생제는, 광조사에 의해 광산을 발생하면, 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 술포늄염, 요오드늄염과 같은 방향족 오늄염을 들 수 있다. 광산 발생제로는, 예컨대, 술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질트리페닐포스포늄헥사플루오로포스페이트, 벤질피리디늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐요오드늄헥사플루오로포스페이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 벤조인토실레이트, 아데카옵토마-sp-170(ADEKA사 제조), 아데카옵토마-sp-172(ADEKA사 제조), WPAG-145(와코 쥰야쿠 공업사 제조), WPAG-170(와코 쥰야쿠 공업사 제조), WPAG-199(와코 쥰야쿠 공업사 제조), WPAG-281(와코 쥰야쿠 공업사 제조), WPAG-336(와코 쥰야쿠 공업사 제조), WPAG-367(와코 쥰야쿠 공업사 제조), CPI-100P(산아프로사 제조), CPI-101A(산아프로사 제조), CPI-200K(산아프로사 제조), CPI-210S(산아프로사 제조), DTS-102(미도리 화학사 제조), TPS-TF(도요 합성 공업사 제조), 및 DTBPI-PFBS(도요 합성 공업사 제조)를 들 수 있다.희석한 무기 재료를, 요철 구조의 요철 구조면 상에 직접 도공했을 때의 습윤성이 나쁜 경우에는, 무기 재료에 계면 활성제나 레벨링재를 첨가해도 좋다. 이들은, 공지 시판되는 것을 사용할 수 있지만, 동일 분자 내에 광중합성기를 구비하고 있는 것이 바람직하다. 첨가 농도는, 도공성의 관점에서, 무기 재료 100 중량부에 대하여, 40 중량부 이상이 바람직하고, 60 중량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 건식 에칭 내성의 관점에서, 500 중량부 이하인 것이 바람직하고, 300 중량부 이하이면 보다 바람직하고, 150 중량부 이하이면 더욱 바람직하다.한편, 무기 재료와 제1 마스크층(1104)의 전사 정밀도를 향상시킨다는 관점에서, 계면 활성제나 레벨링재를 첨가하는 경우에는, 이들의 첨가 농도는, 무기 재료 100 중량부에 대하여, 20 중량부 이하인 것이 바람직하고, 15 중량부 이하이면 보다 바람직하고, 10 중량부 이하이면 더욱 바람직하다. 이들 계면 활성제나 레벨링재는, 특히, 카르복실기, 우레탄기, 이소시아누르산 유도체를 갖는 작용기의, 적어도 하나의 작용기를 포함하는 것이, 상용성의 관점에서 바람직하다. 또, 이소시아누르산 유도체에는, 이소시아누르산 골격을 갖는 것으로, 질소원자에 결합하는 적어도 하나의 수소원자가 다른 기로 치환되어 있는 구조의 것이 포함된다. 이들을 만족하는 것으로서, 예컨대, 다이킨 공업사 제조의 오프츠루 DAC를 들 수 있다. 첨가제는, 용제에 녹인 상태에서, 마스크제와 혼합하는 것이 바람직하다.(제1 마스크층)미세 패턴 형성용 필름(1100)을, 제1 마스크층(1104)을 통해 가공 대상인 피처리체(20)에 접합하고 접착한 후에, 제1 마스크층(1104)을 경화시키고, 그 후 커버 필름을 박리하는 것에 의해서도, 용이하게 제2 마스크층(1103)을 피처리체(20) 상에 전사할 수 있다. 여기서, 미세 패턴 형성용 필름(I)을 이용하는 경우에 사용하는 제1 마스크층(1104)과, 미세 패턴 형성용 필름의 제1 마스크층(1104)은 동일한 특성을 만족하고, 동일한 재료로 구성된다.제1 마스크층(1104)은, 상술한 선택비를 만족하면 특별히 한정되지 않는다. 특히, 에너지선의 조사에 의해 경화되면 바람직하다. 제1 마스크층(1104)을 구성하는 재료로서, 상기에 열거한 요철 구조를 구성하는 광중합 가능한 라디칼 중합계의 수지로부터, 불소 함유 (메트)아크릴레이트를 제외한 것이나, 상기에 열거한 제2 마스크층(1103)을 구성하는 광중합 가능한 양이온 중합계의 수지, 기타 공지된 시판되는 광중합성 혹은 열중합성 수지나, 부분적으로 가교하고, 열압착이 가능한 수지를 사용할 수 있다.제2 마스크층(1103)과 제1 마스크층(1104)은, 화학적으로 결합하는 것이, 전사 정밀도의 관점에서 바람직하다. 그 때문에, 제2 마스크층(1103)이 광중합성기를 포함하는 경우에는, 제1 마스크층(1104)도 광중합성기를 포함하고, 제2 마스크층(1103)이 열중합성기를 포함하는 경우에는, 제1 마스크층(1104)도 열중합성기를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 제2 마스크층(1103) 중의, 졸겔 재료와의 축합에 의해, 화학 결합을 생성하기 위해, 제1 마스크층(1104)에 졸겔 재료를 포함해도 좋다. 광중합 방식으로는, 라디칼계와 양이온계가 존재하지만, 경화 속도와 건식 에칭 내성의 관점에서, 라디칼계만, 혹은 라디칼계와 양이온계의 하이브리드계가 바람직하다. 하이브리드의 경우, 라디칼 중합계 수지와 양이온 중합계 수지를, 중량 비율로, 3 : 7∼7 : 3으로 혼합하는 것이 바람직하고, 3.5 : 6.5∼6.5 : 3.5이면 보다 바람직하다.건식 에칭시의, 제1 마스크층(1104)의 물리적 안정성과, 핸들링의 관점에서, 경화 후의 제1 마스크층(1104)의 유리 전이 온도(Tg)는, 30℃∼300℃인 것이 바람직하고, 60℃∼250℃이면 보다 바람직하다.제1 마스크층(1104)과 피처리체(20), 및 제1 마스크층(1104)과 제2 마스크층(1103)의 밀착성의 관점에서, 제1 마스크층(1104)의 비중법에 의한 수축률은, 5% 이하이면 바람직하다.또한, 미세 패턴 형성용 필름(1100)에서의 요철 구조(1102), 제2 마스크층(1103) 및 제1 마스크층(1104)으로 이루어지는 적층체를 사용하여, 피처리체(20)에 미세 패턴 형성용 필름을 접합할 때의 핸들링의 관점에서, 제1 마스크층(1104)은, 열압착 가능한 수지이면 바람직하다. 이 경우, 상기 적층체를 제작하고, 커버 필름(1101)을 합하여 권취 회수할 수 있다. 이 롤을 풀어내어, 원하는 피처리체(20)에 열압착에 의해 용이하게 접합할 수 있다. 이러한 사용 방법은, 미세 패턴 형성용 필름(1100)을 이용함으로써, 나노임프린트(전사)의 전사재의 충전이나 박리와 같은 노하우를 배제할 수 있고, 또한, 특수한 장치를 필요로 하지 않는 것을 의미한다.열압착할 수 있는 수지로는, 200℃ 이하에서 압착 가능한 수지가 바람직하고, 150℃ 이하에서 압착 가능하면 보다 바람직하다. 열압착 가능한 수지를, 요철 구조(1102) 및 제2 마스크층(1103) 상에 적층하고, 요철 구조(1102), 제2 마스크층(1103) 및 제1 마스크층(1104)으로 구성되는 적층체로 하는 것을 들 수 있다. 열압착 가능한 수지로는, 제2 마스크층(1103)과의 접착성의 관점에서, 감광성 수지를 포함하면 보다 바람직하다. 특히 바인더 폴리머, 광중합성 모노머, 광중합성 개시제를 포함하는 것이 바람직하다. 열압착 및 전사 정밀도의 관점에서, 바인더 폴리머와 광중합성 모노머의 비는, 9 : 1∼1 : 9가 바람직하고, 보다 바람직하게는 7 : 3∼3 : 7, 가장 바람직하게는 6 : 4∼4 : 6이다. 또한, 건식 에칭 내성의 관점에서, 바인더 폴리머는 화학식(4)에 나타내는 부위를 포함하는 것이 바람직하다.또, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 여러가지로 변경하여 실시하는 것이 가능하다. 상기 실시형태에 있어서, 첨부 도면에 도시되어 있는 크기나 형상 등에 관해서는, 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘하는 범위 내에서 적절히 변경하는 것이 가능하다.산업상 이용 가능성이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 커버 필름의 표면에 형성된 요철 구조를, 제1 마스크층을 통해 피처리체에 전사할 때에, 제1 마스크층의 막두께 분포를 양호하게 하고, 전사 정밀도를 향상시키며, 또한 효율적으로 전사 가능하고, 과대한 설비를 필요로 하지 않는 열 나노임프린트 장치를 제공한다는 효과를 갖고, 특히, LED에 관한 광추출 효율 향상용 기재, 내부 양자 효율 향상용 기재, 광추출 효율 및 내부 양자 효율 향상용 기재의 제조에서의 요철 구조 가공 기술에 유용하다.본 출원은, 2012년 5월 8일 출원의 일본 특허 출원 제2012-106937호 및 2012년 6월 14일 출원의 일본 특허 출원 제2012-135005호에 기초한다. 이들의 내용은 전부 여기에 포함시켜 둔다.
	제목: [사설] 대기업 국내 유턴 파격 지원해 일자리 창출해야 LG전자가 대기업 중에 처음으로 멕시코와 중국에 있는 생산기지를 국내로 옮기는 리쇼어링에 나서기로 하여 반가운 소식을 전한 가운데, 정부는 국내로 유턴한 기업들이 우수 인재를 확보할 수 있도록 수도권에 공장을 세우는 것을 허용하고 세금 감면뿐만 아니라 공장 이전 비용까지 지원하는 등 더 많은 기업들이 해외 공장을 국내로 이전하도록 도와야 한다.	주어진 문장에 적절한 제목을 생성하고, 내용을 요약해주세요. 문장: LG전자가 대기업 중에 처음으로 멕시코와 중국에 있는 생산기지를 국내로 옮기는 리쇼어링에 나서기로 한 것은 고용 창출 측면에서 반가운 소식이 아닐 수 없다. LG전자는 연산 30 만대 규모의 멕시코 몬테레이 세탁기 공장을 6 월부터 창원으로 이전하고, 중국 생산기지도 순차적으로 옮기는 방안을 추진하고 있다. 한국이 인건비는 높지만 생산성이 높은 데다 원화값 하락으로 수출 채산성을 맞출 수 있고, 컨테이너선 운반 비용도 낮아져 리쇼어링으로 인한 비용이 크게 증가하지 않는다는 점이 고려됐다. 해외 공장의 국내 유턴은 고용 창출 효과가 크다는 점에서 장려할 만한 일이다. 글로벌 경기 침체와 내수 불황으로 기업 채용이 점점 줄고 있는 점을 감안할 때 기업들의 리쇼어링은 고용 절벽을 해소하는 하나의 해법이 될 수 있다. 미국과 일본 등 선진국들은 해외 생산기지를 국내로 이전하는 기업에 파격적 지원을 아끼지 않고 있다. 세금 감면은 물론 공장 이전 비용까지 지원한다. 이에 포드는 18 조원을 미국 본토에 투자해 수천 개 일자리를 만들었고, 일본에서는 혼다와 파나소닉 등이 리쇼어링 계획을 밝히기도 했다. 한국도 해외 진출 기업의 국내 복귀 지원에 관한 법률을 2013 년 8 월 제정해 법인세와 소득세, 자본재 수입에 대한 관세를 최대 100% 감면하는 등 지원책을 내놓았다. 하지만 지난해 말까지 국내로 복귀한 기업은 76 개에 불과했다. 이 중 대기업은 한 곳도 없었다. 그 이유는 세금 감면 혜택을 받기 위해서는 유턴 이후에도 동일 업종을 유지해야 하고 수도권 공장 설립을 막는 등 규제가 많기 때문이다. 대기업은 해외 공장을 완전히 청산해야 하는 조건까지 붙는다. 정부는 실업 문제를 해결하는 차원에서 기업 리쇼어링 지원 정책을 전면 재검토해야 한다. 국내로 유턴한 기업들이 우수 인재를 확보할 수 있도록 수도권에 공장을 세우는 것을 과감하게 허용하고, 대기업에 대한 지원도 확대해야 한다. 세금 감면뿐만 아니라 공장 이전 비용까지 지원하는 미국 등 선진국 정책을 적극 벤치마킹해 더 많은 기업들이 해외 공장을 국내로 이전하도록 유도해야 한다. 이는 침체된 내수를 살리고, 일자리도 창출하는 묘수이기도 하다.
	제목: SOC 예산 축소, 건설업 일자리 악영향 ‘증명’ SOC 예산 축소와 각종 부동산 정책으로 건설업 일자리는 1년 전보다 2만 5000개가 줄어들었고 이는 30대와 40대의 일자리가 줄어든 것에도 직접적으로 관계가 된다.	주어진 문장에 적절한 제목을 생성하고, 내용을 요약해주세요. 문장: SOC 예산 축소와 각종 부동산 정책이 건설업 일자리에 악영향을 미쳤다는 것이 통계로 증명됐다. 도매 및 소매업과 보건·사회복지 서비스업을 중심으로 전체 일자리가 늘어났지만, 건설업은 되려 줄었다. 5일 통계청이 발표한 '2018년 기준 일자리행정통계 결과'에 따르면 지난해 국내 일자리는 총 2342만개로 1년 전보다 26만개(1.1%) 증가한 것으로 집계됐다. 일자리는 취업자 수와 달리 노동자가 점유한 고용위치를 뜻하는 것이다. 예를 들어 한 사람이 두 개의 일을 하고 있다면 일자리 수는 두 개로 집계된다. 행정자료를 종합한 이번 지표에는 사회보험에 가입하지 않았거나 근로소득을 신고하지 않은 노동자는 집계에서 빠졌다. 일자리 행정통계는 전년 대비 일자리 증감을 표현하는 다른 지표와 달리 해당 연도에 창출된 일자리와 소멸된 일자리의 차이를 일자리의 증감으로 표현한다. 산업별 구성비를 보면, 제조업이 전체의 20.0%(468만개)로 가장 많은 비중을 차지했다. 뒤를 이어 도소매업 12.8%(301만개), 건설업 8.9%(207만개), 보건업 및 사회복지서비스업 8.3%(196만개) 등의 순이다. 산업별 일자리 증감을 살펴보면 건설업은 1년 전보다 일자리가 2만5000개 줄어들었다. 신규 일자리는 34만2000개 늘어났지만 소멸된 일자리가 36만7000개로 더 많았기 때문이다. 지난해 6만4000개의 일자리가 감소한 제조업의 다음으로 일자리 감소폭이 크다. 종합건설업의 경우 7000개의 일자리가 줄었다. 전문직별 공사업은 1만8000개 감소했다. 올해 들어 가시적으로 드러난 건설업의 취업자 수 감소가, 일자리의 생성과 소멸을 기준으로 보면 지난해에 이미 시작되었던 셈이다. 건설업 일자리의 감소 배경을 보면 기업생성으로 6만9000개의 일자리를 새로 만들었고 사업확장을 통해 27만3000개의 일자리를 새로 창출됐다. 하지만, 소멸된 기업으로 5만2000개의 일자리가, 사업 축소로 313만5000개의 일자리가 사라진 것이다. 즉 2017년 8.2 대책과 2018년 9.13 대책 등 각종 부동산을 옥죄는 정책과 문재인 정부의 SOC 축소 기조로 지난해 20조원 아래로 떨어진 SOC 예산으로 일감이 줄어든 건설사들이 허리띠를 졸라맨 것이다. 건설업 일자리 감소는 30대와 40대 일자리가 줄어드는 것에도 직접적인 영향을 미쳤다. 지난해 30대 일자리는 총 517만개로 전년보다 8만개 감소했다. 40대 일자리는 5만개 줄어든 606만개였다. 박진우 통계청 행정통계과장은 "지난해 제조업하고 건설업이 좀 안 좋았다보니 30대와 40대쪽에서 일자리 감소가 있었다"고 말했다. 건설업계 관계자는 "SOC 예산이 줄어들면서 공공공사도 급감해 건설사들이 플랜트와 토목 인력을 중심으로 구조조정을 단행했다"며 "내년 SOC 예산이 늘어난다고는 하지만 주택 경기가 갈수록 악화될 것으로 보이기 때문에 일자리가 갑자기 증가하기는 힘들 것"이라고 설명했다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	즉, 의료사고의 최소화를 위해 수술 후 사후 모니터링할 수 있는 방안이 요구되고, 사후 모니터링에 있어 가장 정확한 방법은 수술 된 복강 내부를 다시 관찰하여 모니터링하는 것인데, 현재 이를 진행할 수 있는 방안들이 전혀 전무한 실정이다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 기존의 개복 수술과는 달리 피부의 절개 부분을 최소화하는 복강경 수술이 개발되면서 이를 이용한 시술이 날로 증가하고 있다. 복경경 수술이 개복 수술과는 달리 수술 후 통증이 적고, 장 운동의 조기 회복 및 음식물의 조기 섭취가 가능하며, 입원 기간이 짧고 정상 상태로의 복귀가 빠르고 특히 절개 범위가 좁아 미용 효과가 우수하다는 장점을 가지고 있기 때문이다.복강경 수술은 트로카(Trocar)를 이용하여 환자의 복부에 작은 구멍을 다수 개 내고 해당 구멍에 삽입된 트로카를 통해 예컨대, 내시경 등의 수술기구를 복강의 수술부위로 삽입한 후 내시경을 통해 복강의 수술부위를 관찰하면서 수술하는 방식으로서, 담낭 절제술, 담도 결석 제거술, 간결석 제거술, 충수돌기 절제술, 일반 외과 수술 등에까지 널리 이용되고 있다.복강경 수술에 이용되고 있는 트로카는 수술부위로 삽입된 후 각종 수술도구의 작업 공간을 제공하게 되는 투관(Trocar Sleeve)과, 상기 투관 내에 삽입되어 수술부위를 천공시키는 투침(Trocar Needle)으로 구성된다.투관에 체결된 상태의 투침을 이용하여 수술부위를 천공시킨 후 삽입된 투침을 투관에서 제거하게 되면, 투관이 피부에 삽입된 상태에서 수술도구의 작업 공간을 제공하게 된다. 즉 투관의 내부 공간을 통해 다양한 수술 도구들이 삽입되어 수술 작업이 이루어지게 되고, 투침을 수술 부위 천공 후에는 재사용되는 일이 없다.이러한 이유로 트로카의 경우, 수술부위 천공 후 버려지는 투침보다는 수술부위에 삽입된 상태를 유지하면서 다양한 수술기구들의 작업 공간을 제공하게 되는 투관에 다양한 기능을 부가하여 편의성을 높이는 트로카 관련된 기술들이 개발되고 있는 실정이다.참고로 특허등록 제10-0851844호(2008.08.06 등록)『수술작업의 안정성을 확보한 필터 내장형 트로카』, 제10-1037617호(2011.05.23 등록) 『직경 확장 이탈방지수단을 구비한 트로카』등 에서 확인되는 바와 같이 기존 트로카 관련된 기술의 대부분은 투관에 집중되어 있다.투관에의 기술 집중은 트로카 사용 과정을 고려해보면 쉽게 예견될 수 있는 것으로, 투침의 경우 수술부위를 천공한 이후로는 재 사용되는 예가 없기 때문이다.한편 복강경 수술 진행은 일반적으로 네 군데 정도로 트로카를 환자의 복부에 삽입하여 진행되는데, 수술 부위를 중심으로 전방 뷰(view)와 후방 뷰(view) 모두를 확인하기 위해서 카메라 등의 촬영 도구를 두 개 이상을 사용하는 것은 현실적으로 바람직하지 않다. 즉, 두 개 이상의 촬영 도구 사용을 위해서는 수술부위에 삽입된 둘 이상의 트로카를 사용해야 하고, 이 경우 남은 두 개 정도의 트로카만으로는 수술 작업을 위한 가스 주입 및 가스 배출을 위한 도구, 그리고 수술 진행을 위한 도구들의 삽입을 위한 여력이 안되기 때문이다.따라서 수술 현장에서는 내부 촬영을 위한 트로카로는 하나밖에 확보가 안되어 시술자는 수술 진행에 있어 수술 상황에 대한 정확한 영상 정보를 인지하지 못하고, 이로 인해 수술 안정성 내지 정확도가 떨어져 의도치 않는 의료사고가 발생하는 등의 문제가 생기게 된다.뿐만 아니라 수술이 완료되면 환자는 회복기간을 거쳐 퇴원하게 되는데, 퇴원단계에서 진행된 수술이 이상 없이 잘 되었는지 정확히 판단할 수 있는 방안이 의료계에서는 실제로 마련되어 있지는 않다.수술 상태를 판단할 수 있는 가장 정확한 방법은 수술한 복강 내부를 다시 확인하는 방법인데 수술이 완료되어 봉합된 절개 부위를 다시 절개하여 복강 내부를 확인할 수는 없기 때문이다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	이 역시 칸막이와 바닥 사이, 칸막이와 칸막이 사이 혹은 칸막이와 천장 사이에 틈이 발생하여, 옆 공간에서 발생하는 소리가 차단이 되지 않아 파티션의 목적을 온전히 달성할 수 없다.이를 해결하기 위하여 문틈 밀폐장치가 개발되어 있다.출입문과 문틀 사이의 문틈에 밀폐용 패킹을 설치하는 방법, 출입문의 일측에 펌핑 공간부를 설치하여 문이 닫힐 때 출입문과 문틀사이에서 압력을 받아 펌핑 공간부가 공기를 유출함으로써 출입문의 상,하,좌,우 측면에 설치된 밀폐부가 팽창하여 밀폐하는 방법 등이 있다.그러나 이러한 방법은 다음과 같은 문제점을 가지고 있다.첫째, 출입문이 개방 되었을 때 상, 하, 좌, 우 측면에 구비된 밀폐부가 수축을 하였지만 약간이라도 돌출되어 있는 경우, 출입문을 폐쇄시 그 밀폐부가 문틀 혹은 바닥과 접촉하여 출입문을 폐쇄하는데 방해를 받고 또한 미관상 좋지 못하다.둘째, 출입문이 폐쇄시 밀폐부가 팽창하여 문틈을 밀폐하지만 시간이 경과함에 따라 밀폐부의 공기는 조금씩 줄어들 것이며 밀폐효과는 줄어든다.이에 따라 출입문을 폐쇄시 바닥이나 문틀에 걸리지 않고 자연스럽게 폐쇄를 할 수 있고, 출입문이 폐쇄된 상태에서 밀폐 상태가 온전히 지속할 수 있는 기술 개발이 요구된다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 주거 공간 및 사무실에는 일정한 공간을 형성하기 위하여 출입문을 설치한다. 그 출입문의 일측이 문틀에 경첩으로 연결되어 출입문을 회전함에 따라 출입문의 개폐가 이루어지는 여닫이문, 출입문을 좌우로 이동하여 출입문의 개폐가 이루어지는 미닫이문, 하나의 축을 중심으로 회전을 계속 하면서 출입문의 개폐가 이루어지는 회전문등이 있다. 그런데 주거용 및 사무실 출입문의 경우 출입문을 폐쇄하면 외부와 차단되기는 하지만, 출입문과 문틀 혹은 출입문과 바닥 사이의 틈을 통해 외부 공기가 유입되거나 내부 공기가 유출되어 에너지 손실이 발생하며, 외부 소음을 완전히 차단하지 못하게 된다.또한 식당, 회의실등에서는 손님의 명수, 회의 참석인원에 따라 공간을 파티션하여 사용하며 이때 병풍 모양의 칸막이를 사용한다.
	셋째, 역사과의 핵심 성취기준은 정부의 역사교육 강화 정책과 연계되어야 한다. 그동안 발표된 일련의 역사교육 강화 정책은 학생들의 올바른 역사 인식을 제고하고 학교 내 역사 수업의 개선에서 학생 중심 참여 수업을 강조하였다. 또한 수능 한국사의 필수화 및 절대 평가는 고등학교 졸업자가 가져야 할 한국사 기본 지식의 이해와 역사적 사고력을 평가하는 것을 목표로 설정하였다. 이러한 역사교육의 방향은 이번에 설정한 핵심 성취기준의 적 용과도 관련된다. 그러므로 교과 전반에 따른 핵심 성취기준의 적용과 함께 역사교육 강화를 연결 지으면 정책 효과를 제고하면서 행․재정적인 비용에 대비한 효율성도 제고할 수 있을 것이다.	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 2009 개정 교육과정에 따른 고등학교 역사과 핵심 성취기준 개발 연구 요약문: 역사과의 핵심 성취기준은 역사교육 강화 정책과 연계해야 한다. 그동안 학생 중심 수업을 강조하고 수능 한국사 필수화를 추진한 것에 핵심 성취기준을 적용한다면 효율성을 높일 수 있다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	중국은 일본이 제2차 세계대전에서 패전할 때까지 한국독립운동의 주요 무대였다고 할 수 있다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 일본은 明治維新 이후 주변 국가를 침략함으로써 국가의 곤경에서 탈피하는 것을 기본 국책으로 삼아 왔다. 따라서 부단히 주변국들에게 그 침략의 촉각을 곤두세웠으며, 당연히 그 첫 번째 대상은 한국이 되었다. 일본이 점차 한국침략에 속도를 내면서 한국 민중의 반일운동 또한 그에 맞춰 전개되었다. 1882년의 玉午軍亂부터 1894년의 東學農民戰爭, 그리고 이후의 의병봉기까지 한국의 민중들은 일본의 침략에 대한 항쟁을 멈추지 않았다. 그러나 일본이 한국을 강제 병합한 후, 잔혹하게 무단통치를 자행하면서 한국 내의 反日復國圖爭의 조건이 악화되어 수많은 애국지사들이 멀리 異國他鄕으로 떠나기 시작했다. 그들은 중국, 러시아, 미국 등지에서 애국단체를 조직하고 독립투쟁을 계속 전개해 나갔다. 그 중에서도 중국은 지리와 문화 등의 요 소로 한국인이 독립운동을 전개할 수 있는 가장 이상적인 지역으로 꼽혔다. 당시 중국 최대의 도시 上海에는 한국의 애국지사들이 수립한 대한민국임시정부가 중국 내 각지 독립운동을 체계적이고 통합적으로 지도해 나가고 있었다. 중국의 기타 주요도시인 北京, 天津, 廣州, 南京 등지에도 많은 한국의 애국지사들이 거주하였는데, 그들 역시 각종 독립운동단체를 조직하고 다양한 독립운동을 전개해 나갔다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 제공하세요.	실질	이 문제에서는 주어진 텍스트 내의 <MASK>로 표시된 부분에 들어갈 적절한 단어를 예측해야 합니다. <MASK>가 위치한 문장의 전체 문맥을 분석하여, 문장의 나머지 내용과 일관되게 <MASK>에 들어갈 가장 적합한 단어를 답하세요. #텍스트: 최근 뇌경색의 뇌 손상기전으로 새롭게 부각된 부분 중의 하나로 염증반응을 들 수 있다. 백혈구가 뇌경색부위에서 발견된다는 점은 결코 새로울 것이 없는, 이미 오래전에 알려진 사실이다. 이러한 백혈구가 뇌경색에서 새롭게 부각된 것은 최근 재관류 손상(reper -fusion injury)에서 다형백혈구에 의한 염증반응이매우 중요한 역할을 한다는 것이 알려지면서라 할 수 있다. 즉, 다형백혈구가 모세혈관을 막아 no reflow 현상을 일으키고, 혈관수축물질(vasoconstric -tive mediator)을 분비하여 혈관의 수축을 일으키며, 여러 가지 단백분해효소(proteases)를 분비하여 뇌 <MASK>을 파괴시키고, 산소자유기(oxygen free ra-dicals )와 같은 독성물질을 분비하여 허혈손상에 관여한다는 것이다. 다형백혈구가 이와 같은 염증반응을 일으키기 위해서는 혈관내로부터 뇌 <MASK> 내로 이동하여야만 하는데, 현재까지 뇌경색에서 백혈구가 얼마나 빠른 시간에 뇌 조직으로 침투하는지는 잘 알려져 있지 않다. Lindsberg등은 뇌경색 후 15시간에서 18일 사이에 사망한 환자들의 부검뇌에서 백혈구 수를 병리학적으로 세었는데, 15시간 후에 사망한 환자의 뇌경색 부위에서 이미 다형백혈구가 증가하였다고 하였다. 그러나 사람에서는 현실적으로 뇌경색 후 수 시간 내의 이른 시간에 뇌 조직을 직접 병리학적으로 검사하기가 어렵기 때문에 실제 얼마나 빠른 시간에 백혈구가 뇌 조직에 침투하는지 알기는 어렵다.
	본고는 북한의 핵무기 운용전략을 고찰해 보고 이에 대응하기 위한 우리의 핵억제전략은 어떻게 발전되어야 할 것인가에 대한 질문에 답을 찾고자 한다. 핵위협과 핵전략은 한국에게는 생소한 개념이다. 따라서 이와 관련한 연구는 아직까지 매우 제한적이다. 특히, 북한이 아직 핵무기를 작전에 배치하지 않고 있으며, 자신의 핵능력과 핵전략을 정확히 공개하지 않고 있기 때문에 북한의 핵운용전략에 대한 평가는 어렵고 조심스러울 수밖에 없다. 그럼에도 불구하고 우리는 북한이 수년 내에 핵무기를 작전에 배치할 수 있을 것이라는 사실을 고려할 때 북한의 핵무기 운용전략을 평가하는 것은 중요하다. 우리가 대북 핵억제전략을 구축하기 위해서는 북한의 핵무기 운용전략에 대한 이해가 필요하다. 현재 한미는 북한의 핵위협에 대응하기 위해 미국의 확장억제 보장을 강화하고 맞춤형 억제전략을 마련하고 있다. 또한 한국도 독자적인 대북 억제능력을 강화하기 위해 노력하고 있다. 이러한 우리의 노력은 북한 핵무기 운용전략에 기반을 둔 적절한 대북 핵억제전략을 요구한다. 본고는 핵억제전략의 일반적 특성과 고려사항, 북한의 핵무기 운용전략, 한국의 대북 핵억제전략, 핵억제전략의 발전방향을 논의하고자 한다.	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 북한의 핵운용전략과 한국의 대북 핵억제전략 요약문: 북한이 아직 핵무기를 작전배치하고 있지 않지만 수년 내에 배치할 것으로 보고 북한의 핵무기 운용전략을 평가하고 북한의 핵위협에 대응하기 위한 억제전략을 마련하고 있다.
	수색동은 서울특별시 은평구의 법정동으로, 한강 하류에 위치해 있습니다. 이름은 '물치'와 '무르치'라는 우리말에서 유래되었으며, 한자로는 '수색', '수생리'로 쓰여집니다. 수색동은 1394년부터 1914년까지 한성부 성저십리에 소재했고, 그 후 1914년부터 1949년까지 안양동에 속했습니다. 1949년에 서울특별시 서대문구에 편입되었으며, 1979년에 은평구로 이전되었습니다. 수색동은 수색로와 접하고 있으며, 주변에는 일산, 행신 지구 등 신도시들이 있습니다. 또한 동쪽으로는 증산동이 위치해 있고, 남쪽으로는 상암동과 성산동, 중동이 이어져 있으며, 서쪽으로는 고양시 덕양구 대덕동, 화전동이 있습니다. 수석역이 있는 경의선 철도 정차역도 근처에 위치해 있습니다.	수색동은 어느 구에 위치해요?
	제목: 다도해해상국립공원 샛길·특정도서 출입 집중 단속 다도해해상국립공원부서사무소는 10월 27일까지 불법산행을 조장하는 사례를 사전차단하기 위해서 국립공원 내 샛길 및 특정도서 등의 출입행위를 집중 단속하는 '특별단속팀'을 구성해 집중단속에 들어간다고 밝혔다.	주어진 문장에 적절한 제목을 생성하고, 내용을 요약해주세요. 문장: 국립공원공단 ‘특별단속팀’ 구성 10월27일까지 가동 다도해해상국립공원서부사무소는 “국립공원 내 샛길 및 특정도서 등의 출입행위를 집중 단속하는 ‘특별단속팀’을 구성해 집중 단속에 들어간다”고 3일 밝혔다. 특별 단속기간은 산행객이 몰리는 10월 27일까지다. 특별단속팀은 최근 산악회 카페·개인 블로그·사회관계망서비스(SNS) 등에서 국립공원 출입금지 구역에 대한 사진과 정보가 공유되는 등 불법 산행을 조장하는 사례가 늘고 있어, 이를 사전에 차단하기 위해 전국 국립공원에서 운영중이다. 최근 3년(2016~2018)간 전국 국립공원 내 자연공원법 위반행위는 총 7553건으로 그 중 39%인 2957건이 출입금지 위반행위로 나타났다. 출입금지 과태료는 1차 10만원, 2차 30만원, 3차 50만원을 부과한다. 같은 기간 전국 국립공원 내 안전사고 552건(사망48, 부상504) 중 샛길 등 출입금지구역에서 전체의 20%에 달하는 110건(사망7, 부상103)이 발생해 안전사고 예방을 위해서라도 샛길 및 특정도서 등을 출입하는 행위에 대한 강력한 계도·단속이 필요하다는 게 국립공원 사무소의 설명이다. 또한 국립공원 연구원 연구결과 샛길 등 출입금지구역에 대한 출입행위는 야생동물의 서식지 간 이동 제한과 조류의 번식 성공률을 낮게 하는 등 자연생태계에도 영향을 미치고 있는 것으로 확인됐다. 다도해해상국립공원서부사무소 관계자는 “자연생태계 보전은 물론 건전하고 안전한 국립공원 탐방문화 확립을 위해 탐방객들의 적극적인 협조가 필요하다”고 말했다. /정병호 기자 jusbh@kwangju.co.kr
	미국의 1월 주택가격은 상승하였으나 기대에는 미치지 못하였다. 20개 대도시권 1월 S&P/Case Shilled 종합지수는 전년 동월 대비 5.7% 상승하였으며 이는 로이터 이코노미스트들의 추정치인 5.8%에 조금 못 미치는 수준이었다. S&P 다우 존스 지우 위원회 회장 David M. Blither은 주택가격이 인플레이션율의 두 배 이상으로 계속 증가한다고 전하며 낮은 재고와 적은 공급이 가격을 상승시키는 반면, 자금조달이 젊은 층과 주택 첫 구매자와 같은 잠재적인 구매자들에게 계속해서 걱정거리가 될 것이라고 전했다. 한편 오리건 주의 샌프란시스코, 시애틀, 포틀랜드 3 도시는 전년 동월 대비 가장 높은 증가를 보였다. (출처 : http://www.reuters.com/)	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 부동산시장 조사분석 VOL.8 (겨울호.2015.01) 요약문: 미국의 1월 주택가격은 상승하였지만 기대에는 미치지 못했다. 주택가격은 낮은 재고와 적은 공급이 가격을 상승시키므로 젊은층과 주택 첫구매자와 같은 잠재적인 구매자들에게는 걱정거리가 될 것이다.
	유시민 이사장은 천호선 재단 이사와 함께한 고칠레오 3화를 유튜브와 '팟빵' 등을 통해 공개했는데, 이날 공개된 영상에는 '2017년 음식점 10곳을 열면 9곳 폐업'이라는 제목의 보도에 대해 제목도 내용도 이해가 안된다고 지적하고 성공(폐업)률 계산은 전체 음식점을 분모로 사용해서 나누는 방식을 사용해야 한다고 설명했다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 고칠레오 3화 공개···"높은 폐업 비율, 최저임금 인상 영향 주장 성립 안 해"고칠레오 3화 공개···"높은 폐업 비율, 최저임금 인상 영향 주장 성립 안 해"유시민 사람사는세상 노무현재단 이사장과 천호선 재단 이사가 22일 오전 공개한 팟캐스트 '고칠레오'를 통해 문재인 정부의 최저임금 인상으로 인해 자영업자들이 대거 폐업했다는 보도가 '가짜뉴스'라고 말했다. [서울경제] 유시민 노무현재단 이사장이 22일 팟캐스트 '고칠레오'를 통해 문재인정부의 최저임금 인상 때문에 자영업자들이 대거 폐업했다는 보도는 '가짜뉴스'라고 말했다. 유 이사장은 천호선 재단 이사와 함께 촬영한 '고칠레오' 3화를 이날 유튜브와 '팟빵' 등을 통해 공개했다. 유 이사장은 영상에서 '2017년 음식점 10곳을 열면 9곳 폐업'이라는 제목의 보도와 관련해 "제목들도 이해가 안 되고 내용도 이해가 안 된다"고 지적했다. 그는 "(2017년 국세통계연보를 보면) 원래 있는 식당이 70만개가 있고, (한 해 동안) 18만개가 생겼는데 그중에서 16만 몇천개가 문을 닫았다"며 "그 결과 72만2,000개가 남아있는 것인데 마치 모든 식당 10개 중 9개가 망한 것처럼 (보도됐다)"고 지적했다. 천 이사는 "식당이 원래 100개가 있었는데 10개가 창업했고, 9개가 폐업했다고 사업 성공률을 10%밖에 안 된다고 하면 가짜뉴스"라고 분석했다. 전체 음식점을 분모로 폐업한 업체 수를 나누는 방식을 사용하는 것이 적절하며, 단지 창업한 업체 수와 폐업 수만으로 성공률을 계산하는 것은 오류라는 것이다. 유 이사장은 "2017년의 폐업 비율이 제일 높았다고 해도 원인이 문재인정부의 최저임금 인상 때문이라는 주장은 성립 안 하는 것 아니냐"며 "2018년에 이뤄진 급격한 최저임금 인상이 음식점에 미친 영향을 확인하려면 (통계가 나오는) 금년 8월까지 기다려야 한다"고 설명했다.
	이규환은 1904년 2월 18일에 태어난 대구 출신의 일제 강점기와 대한민국 영화 감독이다. 어릴 때 경성부로 이주하여 자랐으며, 우미관을 돌아다니며 찰리 채플린의 작품을 보며 성장했다. 1919년에 대구 계성고등학교에 재학 중이던 당시 3·1 운동으로 인해 밀양군의 시골 마을에서 2년 동안 피신 생활을 하게 되었다. 이 경험은 이규환의 영화 작품에 향토적 화면을 반영했다. 피신 생활 중에 영화감독이 되겠다는 열망을 품고 1922년에 일본으로 건너가 도쿄에서 영화 공부를 했다. 1928년에는 상하이로 가서 전창근과 이경손을 만나 교류했다. 다시 일본으로 돌아와 교토 시의 신코키네마에서 조감독으로 일했다. 1932년에 귀국하여 제작한 작품 '임자 없는 나룻배'는 좋은 평가를 받았다. 이후 1937년에는 성봉영화원을 설립하고 로컬리즘 색채가 강한 '나그네'를 내놓아 주목을 받았다. 성봉영화원이 조선영화주식회사로 통합된 뒤 이 회사에 들어가지 않고 만주로 떠나 일제 강점기 말기의 군국주의 영화 제작에는 거의 참여하지 않았다. 1944년부터 강제징용으로 노역을 하던 중 태평양 전쟁 종전을 맞았다. 전후 대한민국 영화 부흥의 기폭제로 평가받는 한국 전쟁 후 연출한 '춘향전'(1955)은 민족주의, 서정적 리얼리즘, 향토색으로 주로 설명된다.	이규환은 어떤 출신인가요?
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 제공하세요.	전애은	이 문제에서는 주어진 텍스트 내의 <MASK>로 표시된 부분에 들어갈 적절한 단어를 예측해야 합니다. <MASK>가 위치한 문장의 전체 문맥을 분석하여, 문장의 나머지 내용과 일관되게 <MASK>에 들어갈 가장 적합한 단어를 답하세요. #텍스트: 지금까지 승무원과 관련된 연구를 3가지로 분류해 보았다. 첫째, 항공사의 근무환경에 따른 승무원의 심리적인 측면에 관한 연구이다(김종옥·김현철, 2015; 박혜영, 2015; 서동희·김학수, 2017; 이종호, 2017). 둘째는 승무원과 고객 간의 영향 관계에 관한 연구이다(강혜경·<MASK>·박소연, 2014; 서명선, 2016; 유정선, 2017). 셋째, 앞서 2가지 연구유형을 제외한 연구들로 정책이나 법제 등과 같은 거시적인 연구들이 있었다(안은정, 황호 원, 2014; 황호원, 2015). 최근에는 저비용항공사와 대형항공사 간의 비교하는 연구가 발표되기 시작하였다(맹연호·이동명, 2014; 이휘영, 2017). 따라서 본 연구는 항공사 승무원의 이미지적합성이 고객의 태도 및 충성도에 미치는 영향을 저비용항공사와 대형항공사의 차이를 검증하는 것이다. 저비용항공사와 대형항공사의 이미지적합성에 따라 고객의 태도와 충성도에 미치는 영향에 차이가 있을 것으로 보고, 항공사 간의 차별화 전략의 관점에서 접근하였다. 또한, 승무원의 이미지가 가지고 있는 의미와 상품 속성과의 적합성 정도에 따라 고객들의 태도가 어떻게 달라지는지 살펴보고, 또한 어떠한 심리적 메커니즘이 작용하는지 파악하기 위하여 충성도를 보았다. 추가적으로 항공사의 차별화된 관점을 파악하기 위하여 같은 계열 기업의 “ㅈ”의 저비용항공사와 “ㄷ”의 대형항공사와 비교하여 측정하였다. 이러한 결과는 궁극적으로 항공사의 이미지가 중요시하는 상품에 차별화를 하고자 할 때 실무적인 관점에서 시사점을 도출하는데 그 의의가 있다.
	대결! 궁극의 맛은 츠치야마 시게루의 일본 만화이며, 2011년에 출간된 일본 영화로, 설날 요리 쟁탈전이 진행됩니다. 이 싸움에서 승리하면 방 사람들의 설날 요리 중 원하는 음식을 선택할 수 있습니다. 이 작품은 한국어 1권 2권 3권 4권으로 발매되었으며, 2011년 9월 23일에 개봉했습니다. 주인공 켄타는 마에다 테츠가 감독과 함께 출연합니다. 또한, 츠가루 백년식당의 나가오카 타스쿠가 주연을 맡았습니다. 이 작품은 '잊을 수 없는 음식'과 '잊을 수 없는 사람'이라는 캐치프레이즈를 가지고 있습니다. 이 작품은 2018년 7월 14일에 방송되었습니다.	츠치야마 시게루의 일본 만화와 영화인 대결에 대해 알려줘.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	보행자 인간에게는 물리적으로 관찰하기 어려운 사회적 거리(Social Distance)가 존재한다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 최근 로봇은 공항, 쇼핑몰 등 공공장소에 보급되고 있다. 공공장소에는 여러 장애물과 보행자가 존재한다. 로봇은 이를 피해 원하는 목적지까지 빠르고 안전하게 이동해야 한다. 현재 로봇은 인간과 공존하고 커뮤니케이션하는 객체로 발전하고 있다. 이렇게 인간과 상호작용하는 로봇을 소셜로봇이라 한다. 기존 로봇연구들은 인간을 포함한 동적 장애물과 임의의 안전거리(Safety Margin)를 두고 주행하는 효율성 관점의 경로계획 알고리즘 개발에 집중해 왔다. 그러나, 시대적 변화에 따라 로봇은 효율성뿐만 아니라 인간 친화적 관점의 연구도 필요한 시점으로 주변 환경을 이해하는 능력이 필요하다. 로봇이 인간을 이해한다는 것은 인간의 특성을 파악하고, 상호작용하는 개체로 판단한다는 의미이다. 특히, 소셜로봇이 주행할 때에는 보행자의 특성을 파악하고 스트레스 지수까지 고려한, 특별한 자율주행 알고리즘 개발이 필요하다.
	본 연구에서는 콘텐츠 이용시간의 특성을 파악하기 위해서 통계청에서 제공하는 ｢한국생활시간조사｣ 자료를 사용하였다. 생활시간조사는 국민들의 생활양식을 구체적으로 파악하기 위해 하루 24시간 중 국민들이 어떠한 행동을 어느 시간대에 하고 있고 특정 행동에 할당하는 시간량은 얼마인가를 조사하였으며, 국민의 생활방식(life style)과 삶의 질을 파악 하는데 유용한 자료이다. 이는 무급 가사노동에 소요된 시간을 파악하여 가사노동의 경제적 가치를 분석하고, 국민계정체계에 가계위성계정을 편입시키기 위한 기초자료로 제공되며, 각종 노동, 복지, 문화, 교통 관련정책수립이나 학문 연구의 기초자료로 사용된다. 본 조사는 1999년 9월 제1회 조사를 실시한 이후 5년 주기로 조사가 진행된다.	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 콘텐츠 분야 소비트렌트 분석 : 이용시간 분석을 중심으로 요약문: 각종 노동, 복지, 문화, 교통 관련정책수립이나 학문 연구의 기초자료로 사용된다. 본 조사는 1999년 9월 제1회 조사를 실시한 이후 5년 주기로 조사가 진행된다.
	필립스는 여러 가지 의미를 가질 수 있습니다. 첫째, 네덜란드의 다국적 기업으로 전자 제품을 생산하며, 대한민국의 LG 필립스와 네덜란드의 필립스 사이에 합작회사가 있습니다. 둘째, 필립스 스타디온은 네덜란드의 축구 경기장입니다. 셋째, 필립스 레코드는 네덜란드의 레코드 레이블입니다. 넷째, 필립스 곡선은 필립스 레코드와 실업률 간의 상충 관계를 나타내는데, 이것은 곡선 형태로 표현됩니다. 다섯째, 윌리엄 대니얼 필립스는 미국의 물리학자였습니다. 여섯째, 필립스는 1950년대 로큰롤의 발전에 중요한 역할을 했던 미국의 음반 프로듀서입니다. 일곱째, 토드 필립스는 미국의 영화 감독, 프로듀서, 각본가이며, 배우로도 유명합니다. 여덟째, 루 다이아몬드 필립스는 미국의 야구 선수이자 메이저 리그 보스턴 레드삭스의 선수입니다. 아홉째, 미셸 필립스는 미국의 가수이자 배우입니다. 열째, 마크 필립스는 영국의 승마 선수입니다. 열한째, 비지 필립스는 미국의 배우이자 모델, 가수입니다. 열두째, 레슬리 필립스는 영국의 배우입니다. 열세 번째, 그레이엄 필립스는 영국의 배우입니다. 열네 번째, 피터 필립스는 영국의 왕족이며, 네이선 필립스는 영국의 음악가입니다. 열십 번째, 치나 필립스는 미국의 가수이자 배우입니다. 열한 번째, 몰리 필립스는 영국의 피겨 스케이팅 선수입니다. 열두 번째, 토머스 필립스는 영국의 군인입니다. 열셋 번째, 존 필립스는 미국의 배우입니다. 열넷 번째, 애비 필립스는 잉글랜드의 배우입니다. 열여섯 번째, 잭 필립스는 전 일본 프로 야구 히로시마 도요 카프의 선수입니다. 열일곱 번째, 시안 필립스는 영국의 배우입니다. 열여덟 번째, 제프 대니얼 필립스는 미국의 배우입니다. 열아홉 번째, 필립스 판 마르닉스는 피오나 필립스는 잉글랜드의 저널리스트, 방송인, 사회자입니다. 열십 번째, 조시 필립스는 조시 필립스(Josh Phillips)라는 이름으로 알려진 미국의 범죄인입니다. 열한 번째, 옌디 필립스는 자메이카의 미인 대회 우승자이자 모델, 사회자입니다.	필립스는 무엇에 관련된 단어인가요?
	라이나전성기재단은 자동심장충격기(AED) 보급과 올바른 심폐소생술을 위한 교육을 병행하여, 위급상황시 누구나 인명구조에 힘쓸 수 있는 문화를 만드는데 노력하고 있다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 라이나전성기재단은 자동심장충격기(AED) 보급과 전 국민 심폐소생술 습득을 위해 2016년부터 '하트히어로'라는 캠페인을 진행 중이라고 20일 밝혔다. 먼저 자동심장충격기의 보급을 위해 2017년 100대, 2018년 91대를 민간에 설치하고 올해 역시 31대를 추가 설치해 총 222대를 사회 곳곳에 기부했고, 연말까지 300대 설치를 목표로 하고 있다. 자동심장충격기가 필요한 노인복지관, 어린이집, 편의점, 마을회관, 관광지 등 사람이 많이 모이고 심정지 발생 가능성이 높은 곳을 우선으로 설치했다. 자동심장충격기는 유사시 빠르고 쉽게 사용 할 수 있도록 곳곳에 비치하고 사용법을 학습해 두면 효과가 배가된다. 하지만 법적으로 설치가 의무화된 곳이 한정적이고 비용도 비싸 쉽게 보급화 되지는 못한다는 지적도 나온다. 위급상황 발생시 올바른 사용을 위해 심폐소생술과 AED 사용 교육 또한 병행하고 있다. 지금까지 교육을 통해 5900여명의 일반인이 교육을 수료했다. 또 라이나생명의 전 임직원과 TMR 역시 모두 교육을 이수했으며 2년이 지난 올해도 수료증 갱신과 신규 입사자의 교육을 위해 7월 23일부터 전체 임직원에 대한 교육을 시작했다. 홍봉성 라이나전성기재단 이사장은 "심정지 환자를 살리는데 필요한 4분의 기적은 오직 사람들의 관심에 달려있다"며 "위급상황 발생시 누구라도 앞장서 처치 할 수 있는 문화를 위해 지속적으로 교육과 기기보급에 힘쓸 것"이라고 밝혔다.
	흉상어목은 상어들의 가장 크고 다양한 목으로, 청새리상어, 두툽상어, 복상어, 흉상어, 귀상어 등 다양한 종류의 상어들이 포함되어 있습니다. 이 중에서 흉상어목에 속하는 상어들은 특별한 순막이 있고, 2개의 등지느러미와 1개의 뒷지느러미, 그리고 5줄의 아가미 새열을 가지고 있습니다. 그러나 최근 DNA 연구에 따르면 흉상어목의 전통적인 분류군이 단계통군이 아니라는 것이 알려져 있습니다. 예를 들어, 흉상어과에는 레몬상어, 뱀상어, 흉상어 등 총 12속 52종이 포함되어 있습니다. 또한, 헤미갈레우스과에는 4속 8종, 렙토카리아스과에는 1속 1종, 표범상어과에는 3속 7종, 귀상어과에는 2속 9종, 까치상어과에는 9속 40여 종 등이 포함됩니다.	흉상어목에 속하는 상어들의 특징은 무엇인가요?
	제목: 롯데백화점 광주점 12~13일, 롯데아울렛 13일 휴무 롯데 백화점 광주점과 광주지역 롯데아울렛이 추석 연휴 휴무일을 공지하고 점포별로 다양한 이벤트와 행사를 마련하고 있다고 전했고 광주지역 롯데마트 4개점은 의무휴무일로 지정된 날만 쉬고 설 연휴기간은 정상영업을 한다고 알렸다.	주어진 문장에 적절한 제목을 생성하고, 내용을 요약해주세요. 문장: 롯데백화점 광주점과 광주지역 롯데아울렛이 추석 연휴 휴무일을 공지했다. 롯데쇼핑은 “롯데백화점 광주점은 오는 12~13일, 롯데아울렛 수완점·광주월드컵점·남악점은 13일 하루 쉰다”고 10일 밝혔다. 롯데백화점 광주점의 경우 14~15일에는 오후 8시 30분까지 30분 연장 영업한다. 롯데아울렛 3곳은 14~15일 오후 10시까지 정상 영업할 예정이다. 특히 추석이후 연휴기간인 토~일 양일간 가족단위 고객들이 백화점과 아울렛을 많이 찾을걸로 예상됨에 따라 점포별로 다양한 이벤트와 행사를 준비하고 있다. 롯데아울렛 광주월드컵점은 12일 추석맞이 민속놀이 한마당을 진행한다. 오후 2시부터 5시까지 제기차기, 투호던지기, 대형윷놀이를 진행하며, 참여고객에게 선착순으로 사은품도 증정한다. 15일에는 미스트롯에 참가했던 주주자매의 트로트 미니 공연이 1층 정문에서 오후 2시와 4시에 총 2차례 진행 될 예정이며, 당일 광주월드컵경기장에서 진행되는 광주FC 홈경기 관람고객대상 이벤트도 진행된다. 롯데백화점 광주점에서는15일 오후 2시부터 11층 문화센터에서 신나는 마술쇼가 진행되며, 참가비는 1인 1천원으로 당일 선착순 100명에 한하여 접수 가능하다. 또한 롯데아울렛 남악점에서는 15일 오후 3시부터 롯데백화점 앱 체험쿠폰 제시고객 대상으로 전통 꽃 팔찌 만들기 이벤트를 진행한다. 한편 광주지역 롯데마트 4개점(상무점, 수완점, 월드컵점, 첨단점) 은 유통산업발전법에 따라 매월 둘째·넷째 주 일요일이 의무휴무일로 지정돼 있어 설 연휴기간은 정상영업을 한다. /백희준 기자 bhj@kwangju.co.kr
	면허받은 자동차운송사업자가 사업계획을 변경하고자 할 때에는 경미한 사항을 제외하고는 교통부장관의 인가를 받도록 규정하고 있고 시외버스운송사업계획에 포함된 운행계통은 어디까지나 면허받은 노선만 해당하므로 원래 면허받은 노선을 벗어나는 결과과 되는 사업계획의 변경인가처분은 사업계획변경의 범위를 넘어 새로운 여객자동차운송사업면허를 한 것으로 규정에 위배된다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 가. 행정처분의 상대방이 아닌 제3자는 행정심판법 제18조 제3항의 청구기간 내에 심판청구를 제기하지 아니하였다 하더라도 그 심판청구기간 내에 심판청구가 가능하였다는 특별한 사정이 없는 한 같은 조항 단서에서 규정하고 있는 기간을 지키지 못한 정당한 사유가 있는 때에 해당한다고 보아 심판청구기간의 제한을 받지 아니한다. 나. 구 자동차운수사업법(1989.12.30. 법률 제4190호로 개정 전) 제13조, 구 자동차운수사업법시행규칙(1987.9.19. 교통부령 제865호로 개정 전) 제21조는 면허받은 자동차운송사업자가 그 사업계획을 변경하고자 할 때에는 경미한 사항을 제외하고는 교통부장관의 인가를 받도록 규정하고 있고 시외버스운송사업계획에 포함된 위 시행규칙 제12조 제1항 제8호 소정의 운행계통이라 함은 어디까지나 면허받은 노선 안에서의 기점, 경유지 및 종점을 의미하는 것일 뿐이어서 그 기점, 경유지 및 종점을 변경함으로써 원래 면허받은 노선을 벗어나는 결과가 되는 사업계획의 변경인가는 실질상 새로운 여객자동차운송사업의 면허에 해당한다 할 것인바, 노선이 기점 부산, 경유지 고속도로, 종점 언양으로 된 자동차운송사업면허에 대하여 경유지에 신평을 추가하고 언양을 지나 고속도로를 경유하여 대구 북부정류장까지 운행계통을 연장하는 내용의 사업계획변경을 인가한 처분은 사업계획변경의 범위를 넘어 새로운 여객자동차운송사업면허를 한 것으로서 위 각 규정에 위배된다.
	테라비트는 테라와 비트가 결합된 컴퓨터 데이터의 단위로, 1,000,000,000,000(10¹²)을 의미합니다. 하나의 테라비트는 125,000,000,000 바이트이며, 테라비트와 테라바이트를 혼동할 수 있지만, 이는 기가비트와 기가바이트를 축약한 것과 같은 단위입니다. 테라비트와 테라바이트의 차이점은 뒤의 알파벳에 따라 용량이 달라집니다. 또한, 컴퓨터와 관련된 이진 접두어인 테비비트가 존재하며, 1 테비비트는 1,099,511,627,776 비트입니다. 1테라비트는 약 0.909 테비비트에 해당하며, 고속의 네트워크 속도나 고용량 메모리 표시 등에 사용됩니다. 로컬 영역 네트워크용 NIC에서는 초당 전송하는 데이터의 기가비트 양을 Gbps 또는 Mbps 단위로 표시합니다.	테라비트와 테라바이트의 용량 차이가 무엇인가요?
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 제공하세요.	있다	이 문제에서는 주어진 텍스트 내의 <MASK>로 표시된 부분에 들어갈 적절한 단어를 예측해야 합니다. <MASK>가 위치한 문장의 전체 문맥을 분석하여, 문장의 나머지 내용과 일관되게 <MASK>에 들어갈 가장 적합한 단어를 답하세요. #텍스트: 보드 게임은 게임판 상에서 게임말이나 카드를 놓고 일정한 규칙에 따라 진행하는 게임을 의미한다. 이러한 보드 게임은 다양한 종류의 게임을 포함하며, 이중 마블 게임은 블루마블류, 모노폴리류의 게임을 의미하는 것으로서, 두개의 주사위를 던져 나온 숫자의 합만큼 게임판 위의 게임말을 움직이고, 게임말이 도착한 영역에 해당하는 행동을 취하는 형태로 게임이 진행된다. 게임말이 도는 영역은 각국의 수도 등을 포함하며, 소유권에 해당하는 국가증서에는 해당지역에 대한 간단한 정보가 기입되어 <MASK>.이와 같은 보드 게임을 진행하기 위한 보드 게임장치는 게임판과 게임말 등을 포함하며, 이 중 게임판은 일반적으로 사각형의 게임판을 이용한다. 하지만, 기존의 보드 게임장치는 게임판의 부피가 커 보관 시 공간을 많이 차지하는 문제가 <MASK>. 또한, 기존의 보드 게임장치는 게임판 상에 건축물이 놓여지는 형태이며, 이에 따라, 건축물이 게임판 상에 고정되지 않아 게임중 게임판에 충격이 가해질 경우 건축물이 게임판 상에서 움직이거나 떨어지는 문제점이 <MASK>.
	음주운전 처벌을 강화하자는 일명 '윤창호법'을 발의한 당사자인 이용주 민주평화당 의원이 지난달 31일 음주 운전을 한 것이 발각되자 당장이라도 법을 승인시킬 것처럼 야단이었던 국회가 사고가 터지자 갑자기 꿀 먹은 벙어리가 되었다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 면허정지 수준의 음주 상태에서 운전을 하다 지난달 31 일 적발된 이용주 민주평화당 의원을 향해 국민 분노가 쏟아진다. 이 의원은 음주운전이 적발되기 불과 열흘 전 음주운전 처벌을 강화하자는 일명 '윤창호법'을 발의한 당사자다. 그런데도 그 자신과 소속당은 물론 여야 막론한 국회 전체가 모른 척 눈을 감고 있다. 국회가 정말 이렇게 국민을 우습게 봐도 되는 것인지 따져 묻지 않을 수 없다. '윤창호법'은 지난 9 월 군 복무 중 휴가를 나온 윤씨가 음주운전 사고를 당해 뇌사 상태에 빠지면서 긴급 발의됐다. 이 법안은 음주운전자를 살인죄로 처벌하는 등의 처벌 기준 강화가 골자다. 최근 국회는 당장이라도 법을 통과시킬 것처럼 야단이었는데, 이 의원 사고가 터지자 갑자기 꿀 먹은 벙어리가 된 것이다. 민생을 고민해 입법하는 것이 국회의 본업이건만 오죽 변변찮았으면 20 대 청년들이 나섰겠나 싶다. 여론에 등떠밀려 평화당은 이번 주 안에 이 의원에 대한 징계 수위를 결정하겠다고 한다. 가뜩이나 의석수가 적으니 제명만은 불가하다는 내부 의견도 벌써 들린다. 오는 15 일 여는 국회 윤리특별위원회도 이 의원의 징계 여부를 검토한다. 음주운전은 타인의 생명을 위협하는 명백한 범죄 행위다. 팔이 안으로 굽는 눈속임 결론으로는 국민 공분만 살 뿐이다. 공천 심사에서 음주운전 전과가 있으면 불이익을 주도록 당헌·당규를 바꾸라는 여론이 빗발친다. 여야 모두 새겨듣기 바란다. 그제 여야정 협의체에서도 5 당 대표들은 윤창호법 등 음주운전 처벌 강화 법안을 올해 정기국회에서 처리하겠다고 장담했다. 절실한 민생 법안을 당리당략으로 또 표류시키지나 않는지 국민은 똑똑히 지켜보고 있다.
	영광 설매리 석조불두상은 전라남도 영광군 군남면 설매리에 위치한 석조불두상으로, 2001년에 전라남도의 유형문화재 제230호로 지정되었습니다. 이 불상은 바위 위에 불상 머리만 조각하여 세워져 있어 독특한 형태를 가지고 있습니다. 네모나고 다소 넓은 얼굴의 이 불상은 명상에 잠긴 듯한 눈을 하고 있어 근엄하고 장중한 느낌을 줍니다. 또한, 민머리의 머리 위에 넓고 큰 육계가 있는 부처의 얼굴은 눈두덩이가 유난히 크며, 이마는 다소 좁은 듯합니다. 불두의 뒷면은 평면적으로 처리되었지만, 앞면의 조각 솜씨는 매우 정교하고 뛰어나며, 목 부분의 밑쪽으로 꼭지가 달려 있어 불상 머리를 더욱 안전하게 올려 놓았음을 시사합니다. 이 설매리 석조불두상은 통일신라 말과 고려 전기에 만들어진 것으로 추정되며, 전체 높이가 190cm 정도인 거대한 불상 머리상으로 우리나라 조각사상 비슷한 예는 찾아보기 어렵습니다. 명상에 잠긴 큰 얼굴은 뛰어난 조각솜씨를 보여주고 있어 예술적, 학술적 가치가 매우 클 수 있습니다.	영광 설매리 석조불두상은 어디에 위치해 있나요?
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	2008).본 발명자들은 생쥐에게 적절한 연상 매개 미각혐오(representation-mediated taste aversion) 행동실험 방법을 완성시켜, 이 방법으로, 정신분열증 모델 생쥐 중 하나인 포스포리파제 Cβ1 (PLCβ1) 유전자가 녹-아웃 (knock-out)된 수컷 생쥐에서 현실 검증능력 장애를 확인함으로써 본 발명을 완성하였다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 망상 및 환각은 중증 정신분열증 및 여러 정신질환의 증상 중 하나로 이는 현실 검증능력 장애(impaired reality testing)와 연관된다. 현실 검증능력이란 외부의 현실과 내적인 환상을 구별할 수 있는 능력으로 이의 부재가 곧 망상 및 환각이라는 증상으로 나타나는 것이다(Sadock and Sadock 2011).동물을 이용한 현실 검증 능력 실험은, 1981년 Holland의 랫트를 이용한 연상 매개 미각혐오 학습(representation-mediated taste aversion)을 통해 처음 제시되었다(Holland 1981). 파블로프 조건화 실험 (Pavlovian conditioning) 안에서 '학습 초기(early stage, minimal training)에는 특정 음식(맛)에 연관된 조건화 자극(conditioned stimulus)이 음식(맛)을 감각수준에서 연상시켜 음식을 직접 맛 본 것과 같은 착각을 일으킨다.'는 가설에서 나아가 '학습 후기(later stage, extended training)에는 같은 조건화 자극이 음식(맛)을 연상시키되, 그 연상이 감각이 아닌 다른 수준의 연상(expectancy; 보상 기대)이기 때문에, 음식을 맛 본 것과 같은 착각은 형성되지 않는다.'는 것을 보여주었다. 구체적으로 Holland의 연상 매개 미각혐오 학습(representation-mediated taste aversion) 실험은 랫트를 이용해 소리(조건화자극; conditioned stimulus)와 음식을 연결하는 학습을 최소한으로 시행한 후 소리만을 주고나서 구역질을 일으켰을 때 다음 날 그 음식을 회피하는 행동을 보이지만, 소리와 음식을 연결하는 학습을 연장시킨 경우에는 소리만 주고 복통을 일으켰을 때 다음 날 음식을 회피하는 행동을 보이지 않음을 밝힌 것이다. 이 실험은 최근 현실 검증능력 장애(impaired reality testing) 증상을 확인할 수 있는 행동실험 방법으로 정신분열증 랫트 모델에서 증명되었다(McDannald, Whitt et al. 2011). 음식을 직접 구역질과 연결시켰을 경우, 정상 랫트와 정신분열증 모델 랫트 둘 다 음식에 혐오감을 보였지만, 음식(맛)을 매개하는 조건화자극에 구역질을 연결시켰을 때는 정상 랫트와는 달리 정신분열증 모델 랫트에서만 조건화자극에 의해 연상된 음식(맛)과 실제 음식(맛)이 구별되지 않아 음식(맛)과 구역질 사이의 연관을 학습하게 되어 연상 매개 미각혐오 행동을 보이는 것이었다. 그러나 이 연구에서의 연상 매개 미각혐오(representation-mediated taste aversion) 실험은 학습조건에 따른 행동변화, 즉 조건화자극-음식 사이의 연관훈련의 양(e.g. 최소한 및 연장)에 따른 영향을 구체적으로 확인하지 않았다는 중대한 결점을 지니며, 소리를 조건화자극으로 하는 연관학습 훈련 방법은 생쥐에게는 적용하기 어려운 실정이다. 포스포리파제 Cβ1 (PLCβ1) 유전자가 녹-아웃 (knock-out)된 생쥐는 정신분열증의 주요 증상에 관련된 행동형질을 보이는 동물모델로서, 운동성 (locomotor activity) 증가, 놀람 반응 (startle response)의 PPI (prepulse inhibition) 손상, 이발 (barbering) 및 집짓기 (nesting) 활동 결여, 사회적으로 열성인 형질, 학습 손상 및 작업기억 (working memory)의 결여를 보여준다(Koh, Kim et al.
	제목: 남구, 이웃사랑 실천 기부금·물품 6억원 넘어서 올 한해 광주 남구에 모인 물품과 후원금의 규모가 6억원이 넘어섰다고 하며 후원금은 개인 및 기업체 등과 정기 후원등을 통해 현금 및 현물로 후원이 이루어 졌다고 파악했다.	주어진 문장에 적절한 제목을 생성하고, 내용을 요약해주세요. 문장: 희망주택 리모델링 사업·정기후원 등 오선우 기자 지난 5월23일 광주 남구 사직동 홍모(89) 할머니집 앞에서 남구·복지호민관 관계자들이 '희망주택 리모델링 100호점 착공식'을 가지고 있다. 광주 남구 제공 편집에디터 광주 남구(구청장 김병내) 관내에서 이웃사랑 실천 활동이 활발하게 이뤄지고 있다. 4일 남구에 따르면 올 한해 남구청에 접수된 각종 후원 물품 및 후원금의 규모가 11월 말 기준으로 6억1373만원 가량에 달하는 것으로 집계됐다. 남구는 어려운 이웃들을 돕기 위해 기부자가 희망하는 후원 방식에 따라 크게 3가지 형태로 각종 후원금 및 물품을 모집·지원하고 있다. 복지정책과에 접수된 ‘2019년 현금 및 현물 후원 접수 현황 자료’에 따르면 관내 기업체를 비롯해 시민사회단체, 동호회, 의료기관, 공공기관 등에서 총 95차례에 걸쳐 현금 2억9776만원과 1억4602만원 상당의 현물을 후원한 것으로 나타났다. 모인 현금과 쌀을 비롯한 연탄, 연극 티켓, 먹거리, 생활용품 등 현물은 취약계층 세대의 주거환경 개선을 위한 희망주택 리모델링 사업을 비롯해 관내 사회복지시설 및 어려운 이웃들에게 든든한 버팀목이 되는 용도로 지원됐다. 매월 한차례씩 3만원 이상 일정 금액을 후원하는 착한 가게와 착한 가정도 사랑의 온도를 높이는데 한몫했다. 현재 남구 관내 16개 동에는 착한 가게 245곳과 착한 가정 40곳에서 정기 후원에 나서고 있으며, 11월 말까지 모아진 후원금은 각각 6542만원과 979만원 수준인 것으로 파악되고 있다. 이와 함께 개인 후원자 소유의 금융계좌에서 일정 금액을 자동이체하는 CMS 납부 방식을 통해 남구 가족사랑 연합 모금회 계좌에 쌓인 후원금도 9474만원에 달하고 있다. 남구 관계자는 “올해도 변함없이 따뜻한 마음을 전해준 기업체 및 봉사단체, 주민 등 모든 후원자분들께 진심으로 감사하다”며 “지역사회 구성원들의 나눔 활동은 우리사회의 어두운 곳을 밝게 비추는 사랑의 열매로 결실을 맺고 있다”고 전했다. 오선우 기자
	제목: '김진용 인천경제청장 중도사퇴'에 송도 지역사회 갈등 확산 김진용 인천경제자유구역청장의 중도 사퇴가 지역사회 갈등으로까지 번지고 있는데 7개 주민단체는 시청 앞에서 기자회견을 열고 김 경제청장의 사퇴는 송도경제자유구역의 사망 선고라고 목소리를 높였고 이들은 김 청장이 계속 송도의 성장을 돕도록 허락해주길 바란다고 말했다.	주어진 문장에 적절한 제목을 생성하고, 내용을 요약해주세요. 문장: 조윤진 송도연합회 "청라주민 경질요구 잘못… 김청장이 계속 일하도록 해야" 주장 임기를 절반 남짓 남긴 채 이뤄진 김진용 인천경제자유구역청장의 중도 사퇴가 지역사회 갈등으로까지 번지고 있다. 28일 송도국제도시 주민단체 연합회에 따르면 최근 올댓송도를 비롯한 7개 주민단체는 시청 앞에서 기자회견을 열고 "김 경제청장의 사퇴는 곧 송도경제자유구역의 사망 선고"라며 목소리를 높였다. 이를 보여주듯 기자회견장에는 장례식을 연상시키는 검은 옷과 검은 마스크 차림의 송도주민 70여 명이 '송도는 침울 불안'이라는 피켓을 들고 참여했다. 송도연합회는 "청라는 LH가 개발하고 송도는 경제청이 개발하는 상황에서 청라총연이 경제청장 경질을 요구하는 것은 송도에 내정간섭 하는 일"이라며 "이제는 도저히 청라를 송도의 친구로 인정할 수 없으며 인천경제자유구역에서 독립하길 바란다"고 주장했다. 기자회견에 참여한 김성훈 올댓송도 대표는 "의욕적이고 열정적인 경제청장이 갖가지 현안을 풀어갈 수 있도록 기회를 줬기에 참아왔지만 반대로 경제청장 경질로 송도 각종사업이 뿌리 채 흔들리는 책임은 모두 인천시가 져야할 것"이라고 강조했다. 여기에 IFFZ 외국인 자문위원회와 외국인 주민사회 대표도 함께 발언에 나서면서 힘을 보탰다. 이들은 "(김 청장이 있는) 인천경제청이 생긴 후 외국인 주민들은 처음으로 정부 내에 우리를 시민이자 지역사회의 진정한 일원으로 생각하는 사람이 있다고 느꼈다"며 "김 청장이 계속 송도의 성장을 돕도록 허락해주길 바란다"고 말했다. 한편, 기자회견이 끝난 후 박 시장에게 항의문서와 장미꽃을 전달하는 과정에서 실랑이가 벌어지기도 했다. 청사에 들어서려는 주민들과 이를 저지하려는 청원 경찰들 사이에서 갈등이 일면서 시청 정문이 아수라장이 됐고, 이에 경찰이 중재에 나서면서 상황이 일단락됐다.
	청풍체 하림조는 우륵이 남긴 185곡 중 유일하게 전승되었으며, 대한민국의 악조의 시초입니다. 가야금에 소속되어 있으며, 하림조는 고선궁이라고도 알려져 있습니다. 조현법은 제2현이 하5, 제7현이 궁, 제12현이 상5, 모두 고선음입니다. 제3현은 하4, 제8현은 상1, 모두 유빈음입니다. 제4현은 하3, 제9현은 상2, 모두 남려음입니다. 제1현과 제5현은 하2, 제10현은 상3, 모두 응종음입니다. 하림조는 고선, 유빈, 남려, 응종, 대려의 5음 음계로 구성되어 있습니다. 하림조의 악조명은 청고선을 궁으로 하는 sol 선법과 청태주를 궁으로 하는 la 선법을 의미합니다. 하림조는 악학궤범에 실린 신라 3현 악기들의 조현법에서 하림조는 청풍체로 분류됩니다. 신라 진흥왕은 551년에 낭성 하림궁을 순수하면서 우륵을 불러 하림조를 탄주한 후, 하림조는 청풍의 고유명사로 고증되었습니다.	하림조는 대한민국의 악조의 시초인가요?
	2022년 FIFA 월드컵은 카타르에서 열릴 예정이며, 2022년 11월 21일부터 12월 18일까지 개최됩니다. 이번 대회는 아시아와 중동에서 두 번째로 개최되는 월드컵이며, 카타르는 2002년 대한민국과 일본이 공동 개최한 월드컵 이후 첫 번째로 개최국이 되었습니다. 그러나 카타르 정부가 FIFA에게 500만 달러의 뇌물을 주고 개최국 자격을 얻은 것에 대한 논란이 있었습니다. 2018년 4월 12일, 남미 축구 연맹(CONMEBOL)은 FIFA에게 2026년 FIFA 월드컵 참가국 수를 32개국에서 48개국으로 확대할 것을 요구했지만, FIFA는 해당 결정을 유보했습니다. 이에 따라 FIFA와 카타르는 2019년 6월에 열릴 FIFA 평의회, FIFA 총회에서 이웃 나라와의 공동 개최를 모색할 예정입니다. 2022년 FIFA 월드컵은 총 32개 티켓 중에 오직 개최국인 카타르에게만 자동 진출권이 주어지며, 아직 예선 티켓을 분배하지 않았습니다. 지역예선 추첨식은 2019년 7월에 카타르 도하에서 진행될 예정이며, 유럽, 남미, 아시아, 아프리카, 오세아니아, 루사일 도하 도하 알코르 루사일 국립 경기장, 도하 포트 경기장, 알베이트 경기장 등 총 13개 지역에서 예선 경기가 치러질 예정입니다. 카타르는 유치 과정에서 중동의 더운 기후 문제에 대해 모든 경기장에 에어컨을 설치하겠다는 파격적인 공약으로 대응했습니다. 그러나 2022년 동계 올림픽과 일정이 중복되는 문제로 동계 스포츠 단체에서 반발하였고, 유럽의 축구 리그 시기와 겹쳐 유럽 축구 리그에 방해가 된다는 이야기도 있어 카타르로선 큰 난관을 헤쳐나가야 하는 실정이었습니다. 2022년 FIFA 월드컵 본선 조추첨은 2022년 4월, 카타르 도하에서 개최될 예정이며, 월드컵 본선에 진출하는 아시아 국가는 개최국 카타르가 있는 A조를 제외한 B조 ~ H조에 배정됩니다.	2022년 FIFA 월드컵은 어디에서 개최될 예정이며, 언제 개최될 것인가?
	한국에서 쓰고 있던 저학년 장편동화 『수학의 왕 바코』를 노리치 체류기간 동안 완성해 넘기고 한국의 편집자와 메일로 의견을 주고받으며 고쳐 써 최종본을 확정했다. 이 작품은 내년 봄에 사계절 출판사에서 출간될 예정이다. 봄, 여름, 가을, 겨울을 테마로 옴니버스 형식으로 쓰고 있던 저학년 동화의 ‘여름’ 편을 완성했고, ‘여름’편을 내년 봄 잡지에 발표할 예정이다. 추후 한 권의 책으로 묶어 출간될 것이다. 단편 「안녕」을 썼다. 계간지 『열린아동문학』에서 동화 청탁이 들어와 이 작품을 보냈다. 2016년 겨울 호에 발표될 예정이다. 그 밖에 몇 편의 작품을 진행하고 있다. 이 작품들은 내용이 아직 완전히 숙성되지 않아 시간을 두고 고쳐야 한다.	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 한국문화예술위원회 기획형 해외레지던스 참가후기(2013~2016) 요약문: 저학년 장편동화 『수학의 왕 바코』는 봄, 여름, 가을, 겨울 테마의 옴니버스 형식이며 동화 ‘여름’편을 내년 봄 잡지에 발표할 예정이고 그 밖에 몇 편의 작품을 진행하고 있다.
	에너지정책 및 절약법(EPCA)을 통해 수출금지를 원칙으로 하는 미국산 원유 수출규제가 처음 도입된 1975년 이후 지금까지 39년 동안, 이에 대한 논란은 끊이지 않았다. 비록 미국의 원유 수출규제가 에너지 안보라는 명분으로 도입되었지만, 미국에서 생산된 원유를 자국 내에 묶어두면 정제과정에서 부가가치가 창출되어 더 많은 순이익을 창출하고 있는 상황에서, 일종의 무역장벽으로 간주되어 전적으로 보호무역주의에 입각한 것이라 비판을 받을 소지가 다분했다. 특히 기본적으로 관세 및 무역에 관한 일반협정(General Agreement on Tariffs and Trade: GATT)이나 세계무역기구(World Trade Organization: WTO)로 대표되는, 자유무역주의 원칙에 따른 현대의 무역규범에 어긋난다는 점에서, 원유 수출규제의 기본적인 금지기조는 국내외적으로 규제완화에 대한 요구에 직면할 수밖에 없는 것은 당연지사(當然之事)였다.	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 미국 원유 수출자유화의 영향 및 시사점 요약문: 미국산 원유 수출규제는 규제 도입 이후 현재까지 많은 논란이 되고 있으나, 현대에 들어서는 WTO 등의 자유무역주의 원칙을 따르는 무역규범에 어긋난다는 점에서, 국내외적으로 규제완화에 대한 요구에 직면할 수밖에 없다.
당신은 인공지능 비서입니다. 주어진 원문을 바탕으로 주어진 질문에 가장 적절한 답변을 생성하세요.	그러나, 중재 상태는 제 2 클라이언트 장치가 제 1 클라이언트 장치와 동일한 연속적인 메모리 위치들을 즉시 액세스함을 보장할 수 없으며, 따라서 인터리빙된 메모리 아키텍처(memory architecture)의 이득들(예컨대, 메모리 뱅크 경쟁의 감소)을 위태롭게 한다.방법들 및 시스템들이 다수의 클라이언트 장치들을 가진 컴퓨터 시스템들에서 메모리 뱅크 경쟁을 감소시키거나, 또는 제거하기 위해 요구된다.	다음 텍스트에서 제공된 문맥을 정확히 이해하고, 마지막 문장을 자연스럽고 문맥에 맞게 완성하세요. 문장은 이전 내용과 논리적으로 연결되어야 합니다. #텍스트: 증가하는 프로세싱 속도(processing speed) 및 볼륨(volume)에 대한 요구로 인해, 많은 컴퓨터 시스템들(computer systems)은 다수의 클라이언트 장치들(client devices)(예로서, 컴퓨팅 장치들(computing devices))을 이용한다. 다수의 클라이언트 장치들을 가진 통상적인 컴퓨터 시스템들에서, 각각의 클라이언트 장치들은 시스템 버스(system bus)를 통해 다수의 메모리 장치들과 통신할 수 있다. 시스템 버스에 있어서의 비효율성의 근원은 클라이언트 장치들이 메모리 장치의 동일한 메모리 뱅크(여기에서 "메모리 뱅크 경쟁(memory bank contention)"으로도 불리우는)로부터 연속적인 데이터 전달들을 요청할 때 메모리 장치의 복구 시간 기간과 관련된다. 복구 시간 기간은 메모리 장치로의 제 1 액세스(access) 및 바로 다음의 제 2 액세스 사이에서 메모리 장치에 의해 드러난 지연 시간을 나타낸다. 메모리 장치는 데이터를 액세스하지만, 복구 시간 기간 동안 어떤 데이터도 시스템 버스 상에서 전달될 수 없으며, 따라서 시스템 버스에 있어서의 비효율성을 초래한다.시스템 버스는 단지 한 번에 하나의 클라이언트 장치에 의해 사용될 수 있기 때문에, 버스 효율성을 향상시키기 위한 하나의 접근법은 시스템 버스 상에서의 다수의 메모리 장치들 내에서의 메모리 어드레스들(memory addresses)을 인터리빙(interleaving)하는 것을 수반한다. 메모리 어드레스들이 시스템 버스 상에서 인터리빙될 때, 연속적인 메모리 저장 위치들(예컨대, 연이은 어드레스들을 가진 메모리 위치들)은 별개의 메모리 장치들에 배치된다. 별개의 메모리 장치들에 연속적인 메모리 위치들을 배치함으로써, 주어진 메모리 장치에 대한 복구 시간 기간으로 인한 효과들, 및 그에 따른 메모리 뱅크 경쟁이 감소될 수 있다.그러나, 다수의 클라이언트 장치들을 가진 컴퓨터 시스템에서, 다수의 메모리 장치들 내에서의 메모리 어드레스들을 인터리빙하는 것은 시스템 버스의 최적의 사용으로 이어지지 않을 수 있다. 특히, 시스템 버스는 통상적으로 클라이언트 장치들 중 어떤 것이 다수의 메모리 장치들 내에서 인터리빙된 메모리 어드레스들 및 시스템 버스를 액세스할 수 있는지를 결정하기 위해 중재 상태(arbitration state)에 들어간다. 예를 들면, 중재 상태는 제 1 클라이언트 장치가 제 2 클라이언트 장치 이전에 다수의 메모리 장치들 내에서의 연속적인 메모리 위치들 및 시스템 버스를 액세스하도록 허용할 수 있다.
	반대로 인증지표의 척도가 약하고 심사 과정이 우수하면 컨설팅은 큰 의미가 없게 될 것이다	주어진 문장 뒤에 자연스럽게 이어질 문장을 생성해주세요. 문장: 인증제를 논의하는 데에 하나의 패키지처럼 따라붙는 것이 컨설팅이다. 컨설팅이란 인증된 기관의 계약 이행에 대한 모니터링 과정에서 이루어지는 것보다는 비인증기관을 인증기관만큼 능력을 끌어올리기 위한 것으로 규정할 때에 인증 심사를 통해 피기관의 역량을 강화하거나 끌어올리기 위해 실시하는 과정이다. 문제는 이 둘의 관계가 때로는 보완이 아니라 상쇄 관계(trade-off)가 될 수 있다는 것이다. 인증의 지표 척도와 심사 방식을 강화하면 이 기준에 적합한 기관의 수는 적어질 수밖에 없다. 그리고 적합하지 않은 기관을 대상으로 컨설팅을 할 경우 자본의 여력이나 재투자할 능력이 없는 기관의 경우는 컨설팅을 받아들일 수 없어 인증을 포기하게 될 것이다.
	우파 집권세력이 만든 역사관에 영향을 받은 극우들이 혐오 발언과 혐오 행동을 하는 극우 행동주의에 불길함을 느낀다면 우파 이데올로그들은 침묵해서는 안된다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 지난해 4월 재·보궐선거 당선으로 원내에 재진입한 김무성 의원이 정권의 2인자로 부상할 때 집중한 활동은 미래가 아니라 과거에 관한 것이었다. 그는 지난해 9월 근현대사 역사교실 출범식에서 좌파와의 역사전쟁을 선언했다. 김문수 보수혁신위원장도 질세라 한발 더 나아갔다. 그는 전 초등학교의 이순신·세종대왕 동상을 없애고 그 자리에 이승만·박정희 동상을 세울 것을 촉구했다. 이런 유별난 이념적 색채는 정신세계를 좌우하는 기관의 책임자에게서도 나타난다. 이들은 이승만 건국신화를 퍼뜨리며 해방 직후 좌우 대결 상황을 재현하려 노력했다. 그런 활동이 일베와 같은 사이버 극우의 역사관에 미친 영향을 알 수 없지만, 두 세력의 역사관은 큰 차이가 없다. 물론 서북청년회와 같은 백색 테러 단체를 찬양하고 재건하는 속도를 고려하면 큰 차이가 생길 가능성이 있다. 사이버 세상에서 거리로 나온 극우들은 혐오 발언에 만족하지 못하고 혐오 행동에 나서고 있기 때문이다. 지난 10일 한 재미동포의 토크콘서트 현장에서 일베 활동을 했던 고교 3년생이 '종북 응징'을 한다며 사제 폭탄을 터뜨린 게 좋은 예다. 우파 이데올로그와 김무성·김문수의 건국신화론이 폭력을 미화할 수도 있다는 사실을 예감하고 신중히 처신했더라도 이런 10대의 행동을 막지 못할 수 있다. 그러나 적어도 서북청년단을 흉내낸 이 행동의 배경에 집권세력과 같은 역사관이 있을 것이라는 의심을 받지는 않았을 것이다. 이번 '거사(?)'는 미약했지만, 연쇄적 모방 행동이 나타날 수 있고, 그 결과, 큰 비극이 발생할 수 있다. 그런 걱정을 할 만한 환경을 집권세력이 조성해왔다. 이 극우 행동주의에 그런 불길한 조짐을 느낀다면 우파 이데올로그들은 침묵하면 안된다. 최소한 지식인으로서도 한마디 할 수 있을 것이다. 물론 과거가 아니라 미래를 위해서 말이다.
	요즘 컨설팅 업체 케임브리지 애널리티카의 페이스북을 이용한 개인정보유출 및 심리전에 대해 페이스북이 알고도 묵인했다는 폭로가 나와 사용자들의 분노와 정치적 논란을 사고 있는데, 페이스북이 이러한 위기를 극복할 수 있을지 궁금하다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 안혜리 논설위원 우리는 지구라는 물리적 공간 위에 발 붙이고 사는 동시에 페이스북이라는 가상공간 속에 산다. 세계 인구의 4분의 1이 넘는 21억 명이 페이스북을 이용하고 있으니 결코 과장된 표현이 아니다. 지금 벌어지고 있는 현상만 보면 많은 사람들은 이미 '아니오'라고 답을 정한 것 같다. 주식을 내던져 페이스북이 18일(현지시간) 하루 새 미 증시에서 네이버와 카카오 시총을 합한 것만큼인 364억 달러(39조원)나 까먹게 만들었고, 창업자인 마크 저커버그 최고경영자(CEO)가 그토록 집착하는 가입자 수 역시 흔들어놓겠다는 의도를 숨기지 않는다. 소셜네트워크서비스(SNS) 상에선 벌써 미투(#metoo) 캠페인처럼 페이스북을 탈퇴하자는 #deletefacebook 움직임이 막 불 붙기 시작했으니 말이다. 사건의 발단은 2016년으로 거슬러 올라간다. 런던의 데이터 기반 컨설팅 업체 케임브리지 애널리티카(CA)는 우리가 페이스북에서 흔히 접하는 성격 테스트 형식을 빌려 무려 5000만 명의 페이스북 이용자 개인 정보를 빼낸 후 영국 브렉시트 투표와 미국 대선 향방을 바꿔놓는 정보심리전을 펼쳤다. 문제는 단순한 정보유출이 아니라 '페이스북이 이를 알고도 묵인했다'는 주장이 나왔다는 점이다. 지난 주말 영국 가디언은 내부고발자의 이같은 증언을 담아 내보냈다. 페이스북은 몰랐다고 발뺌하며 17일에야 뒤늦게 CA의 페이스북 계정을 폐쇄한다고 밝혔다. 하지만 이용자의 신뢰를 배반한 죗값을 지금 치르고 있다. 사실 이용자 개인정보를 활용한 '은밀한 알고리즘'을 통해 페이스북이 민감한 여론의 향방까지 쥐락펴락한다는 건 업계에선 공공연한 비밀이었다. 월가를 거쳐 IT업계에 종사했던 하버드대 수학박사 출신 캐시 오닐이 쓴 『대량살상 수학무기』에도 비슷한 사례가 등장한다. 2012년 미 대선 당시 정치적 성향이 강한 200만 명을 임의로 선정해 정치 뉴스를 지속적으로 노출했더니 투표 참여율이 비 실험대상자에 비해 3%나 더 높았다는 자체 실험 결과 내용이다. 페이스북이 마음만 먹으면 알고리즘 조작으로 특정 정당이나 대통령까지 바꿔놓을 수도 있다는 가설만으로도 많은 독자를 섬뜩하게 했다. 그런데 CA는 이 음흉한 가정을 정말 현실 정치판에 그대로 적용한 것이다. 내부고발자인 크리스토퍼 와일리는 2014년에도 트럼프 정부 초기 수석 전략가였던 스티브 배넌의 극우매체 브레이트바트에서 배넌과 함께 페이스북 이용자 개인정보를 빼내 여러 심리전을 펼쳤다는 사실도 폭로했다. 미국과 영국 의회가 저커버그를 진상 조사 청문회에 출석시키겠다고 벼르고 있는 만큼 페이스북은 이용자의 분노뿐 아니라 정치적 시련도 감당해야할 상황에 맞닥뜨렸다. 사진 페이스북 캡처 이 위기가 페이스북의 좌초로까지 이어질지, 아니면 중독성 강한 미디어답게 살아남을지 궁금하다. 사족이지만 페이스북의 비밀을 폭로하는 가디언 기사를 나는 계속 페이스북을 통해 읽고 있다.
	텍스트마이닝은 말 그대로 텍스트에서 의미를 찾아내는 것을 말하며, 컴퓨터로 문자가 지닌 의미와 구조를 분석하는 자연어 처리(Natural Language Processing) 기술을 이용해 다양한 SNS 플랫폼에서 자발적으로 생성되고 있는 수십억 건의 메시지를 분석하여 사회 현상을 찾아내는 것을 가능하게 하였다	주어진 문장 뒤에 자연스럽게 이어질 문장을 생성해주세요. 문장: 사람들은 소셜 네트워킹 서비스(SNS)를 통해 자신의 경험이나 신념, 선호하는 것들에 대해 자유롭게 이야기하고, 다른 이들과 이야기를 공유 및 전파하여 사회 전반에 큰 영향력을 행사하고 있다. 이러한 변화로, SNS를 통해 유통되고 있는 사람들의 이야기를 수집해 그안에 담긴 의미 있는 메시지를 분석하려는 시도와 함께 소셜 분석(Social Analytics)이 등장하였다. 소셜 분석은 블로그는 물론 트위터, 페이스북과 같이 다양한 소셜 미디어를 통해 표현되는 자발적인 메시지들을 분석하여 사람이 해석할 수 있는 형태로 추출하는 기술을 말한다. 소셜 분석의 대표적인 기술 중의 하나는 텍스트마이닝이다.
	12일 쿠쿠전자는 일반 블렌더 보다 성능이 뛰어난 모터를 탑재하여 껍질까지 곱게 블렌딩 가능한 '쿠쿠 몬스터블렌더 EX'를 선보였다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: 쿠쿠전자는 '쿠쿠 몬스터블렌더 EX(CFM-E200XB)'를 출시했다고 12일 밝혔다. 쿠쿠 몬스터블렌더 EX(익스트림)은 최대 3만5000RPM의 모터를 탑재한 초고속 블렌더로 일반 블렌더 대비 강력하고 빠른 모터 성능을 자랑한다. 과일과 야채의 껍질까지 곱게 블렌딩 되기 때문에 목넘김이 부드럽고 영양소까지 풍부한 건강 음료를 손쉽고 빠르게 만들 수 있다. 블렌더 용기 바닥에 굴곡진 형태의 특수 웨이브 디자인을 적용, 블렌더 안에서 재료가 갈릴 때 여러 개 토네이도를 형성해 균일하고 고운 최상의 블렌딩 효과를 제공한다. 블렌딩 성능뿐 아니라 안전성도 쿠쿠 몬스터블렌더 EX(익스트림)의 장점 중 하나다. 친환경 소재인 스테인리스로 만든 8중 칼날은 더욱 강력하고 세밀한 블렌딩을 돕는다, 스테인리스 모터 또한 견고함을 자랑하며 부식 걱정 없이 위생적이고 청결하게 쓸 수 있다. 용기에는 아기들이 사용하는 젖병에 사용될 만큼 안전한 친환경 소재인 트라이탄(Tritan)을 적용, 환경호르몬 검출 우려 없이 안심하고 사용할 수 있다. 편리하고 간편한 사용을 위한 직관적인 디스플레이도 쿠쿠 몬스터블렌더 EX에서 눈 여겨 볼 점이다. 전면부에 부착된 조그다이얼은 한 손으로 가볍게 돌려 블렌딩의 강도를 세밀하게 조절할 수 있으며, 스무디, 아이스, 주스 3가지로 구분된 자동모드 버튼만 누르면 음료의 종류와 질감에 맞게 블렌딩이 되어 편리하다. 쿠쿠전자 관계자는 "쿠쿠 몬스터블렌더 EX는 강력한 토네이도 블렌딩으로 건강 음료부터 빙수까지 집에서도 다양한 카페 메뉴를 만들 수 있어 올 여름 무더위에 밖에 나가지 않아도 집에서 손쉽게 홈카페를 즐길 수 있도록 도와주는 제품"이라며, "더위에 지친 소비자들이 재료 본연의 신선한 맛과 영양을 그대로 살린 건강 음료로 여름철 다양한 즐거움을 만끽하기 바란다"고 전했다.
	만에 하나 향후 지상군 전면 투입이 이루어지면 미국은 다시 부시 정부 때와 같은 소프트파워 상실을 경험하게 될 것으로 예측하고 있다	주어진 문장 뒤에 자연스럽게 이어질 문장을 생성해주세요. 문장: 현재 지상군 투입을 통해 일단 군사적으로 ISIL의 거점을 타격하고 궤멸시켜 테러의 확산을 중단시켜야 한다는 의견이 점증하고 있으나, 오바마 행정부는 지상군 파견을 포함한 전면전으로 진전되는 것을 반대하고 있다. 오바마의 중동정책 기조는 아프간 전쟁과 이라크 전쟁을 경험하면서 막대한 전비와 인명피해를 감수하고도 여전히 테러리즘은 창궐하고 있고, 탈레반도 건재하고 있다는 경험적 성찰에 근거한다. 그렇기 때문에 현재 다시 지상군 증파를 통해 ‘테러와의 전쟁’을 다시 벌인다 해도 과연 상황의 궁극적(지속가능한) 안정화가 가능할 것인지에 관해 회의적인 것이다. 이러한 맥락에서 현재 미국 정부는 ‘최소개입 원칙’을 지키며 국제공조를 강조하고 있다.
	“1960년대에 들어와 한국 경제는 급속한 성장을 보이기 시작했으나 낙후된 기술로말미암아 공업발전에 한계가 있었다. 수출증대에 총력이 기울여졌지만 국제시장에서 경쟁에 이기려면 도입된 선진기술의 소화는 물론, 새로운 기술의 개발이 시급했다.” 1970년대 들어와 정부는 ‘과학기술입국’을 내세우고 다양한 정책을 펼쳐나갔다. 이처럼 1960~70년대 과학이 우리 경제에 미친 영향은 실제로 매우 컸으며 긴요했다. 이 시대들을 경험한, 오늘날 60대 이상에서 과학에 대한 관심도가 71%로 세대별 중 가장 높다는 사실에서도 과학이 경제와 긴밀하게 관련돼 있었다는 것을 알 수 있다.	주어진 제목과 요약문에 대한 정보를 토대로, 요약되기 전 문장을 유추해서 생성해주세요. 제목: 국민 과학마인드 제고 방안 수립 요약문: 1960년대 한국 경제는 발전을 위해 신기술 개발이 시급했고 1970년대에 '과학기술입국'을 내세워 정책을 펼친 것과 같이 과학은 경제에 미치는 영향력이 크다.
	조길형 충주시장이 합동조문단을 구성하여 중원산단 화재사고에서 실종된 지 20일이 경과하여 인정사망자로 확인된 A씨의 빈소를 찾아 조문하고 유가족을 위로하였으며, 충주시는 A씨 유족에게 시민안전보험금을 지급할 예정이다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: - 충주의료원 장례식장 빈소 방문해 조문 조길형 충주시장이 중원산단 화재사고에서 실종된 지 20일 만에 인정사망자로 확인된 A(51)씨의 빈소를 찾아 조문하고 유가족을 위로했다. 충주시는 중원산단 폭발·화재 사고에서 실종된 A씨가 19일 인정사망자로 처리되어 충주의료원 장례식장에 빈소를 마련함에 따라, 조길형 충주시장을 비롯한 관계부서 공무원들로 합동조문단을 구성해 유가족 위로에 최선을 다하고 있다. A 씨의 장례는 20일부터 3일간 충주의료원 장례식장에서 치러진다. '인정사망'은 수해·화재 그 밖의 사변으로 인해 사망한 것이 확실한 경우에 그 조서를 집행한 관공서가 이를 사망으로 인정하는 제도이다. 충주시는 지난달 30일 밤에 발생한 중원산업단지 공장 폭발·화재에서 실종된 근로자 A씨를 찾기 위해 매일 수백여 명의 인력을 투입해 대규모의 수색을 이어왔다. 하지만 실종 20일째가 되는 9월 18일까지 A씨를 발견하지 못했으며, 실종자 가족에게 화재발생 이후 수색활동 전개상황 등을 알리고 상의한 결과, 대규모 인력을 투입하는 수색활동을 종료하기로 결정했다고 전했다. 시 관계자는 "상심이 크실 유가족에게 다시 한 번 진심어린 위로의 말씀을 드린다"며, "이번 사고로 인한 피해와 시민들의 상처가 빨리 아물 수 있도록 앞으로도 최선을 다할 것"이라고 말했다. 한편, 충주시는 A씨 유족에게 시민안전보험금을 지급할 계획이며, 중원산단 사고로 인한 기업들의 피해 복구를 위해 중소기업육성기금 특별지원, 피해접수 창구 상시 운영 등을 시행하고 있다. 시민안전보험은 충주시가 지난 3월부터 시행중인 제도로서 시민이 일상생활 중 예상치 못한 각종 재난·사고 및 강도피해를 당할 경우 경제적 어려움에 대처할 수 있도록 보험사를 통해 보험금을 지급하는 제도이다. cbsmit@
	제목: 권영진 대구시장, 시도지사협의회서 공원일몰제 관련 정부 재정지원 요청 권영진 대구시장은 2020년 7월 장기미집행 도시공원 공원지정 해제를 앞두고 국민에게 지속적 공원 서비스를 제공할 수 있도록 공원용지 보상비 50%를 지원해 달라며 정부의 재정지원 및 제도 개선을 촉구했다.	주어진 문장에 적절한 제목을 생성하고, 내용을 요약해주세요. 문장: [홍준헌 기자 hjh@imaeil.com] 지난 18일 제주도에서 열린 시도지사협의회에 참석한 권영진 대구시장. 대구시 제공 2020년 7월 장기미집행 도시공원 공원지정 해제(공원일몰제)를 앞두고 권영진 대구시장이 정부의 재정지원 및 제도 개선을 촉구했다. 권 시장은 지난 18일 제주도에서 열린 '제41차 대한민국시도지사협의회 총회'에서 공원일몰제 관련해 "정부가 공원용지 보상비 50%를 지원해 달라"고 요청하면서 "문제해결을 위한 전체 시·도가 결집할 필요가 있다"고 강조했다. 내년 7월 장기미집행 도시공원이 실효되면 전국적으로 난개발로 인한 도시경관 및 환경 훼손이 우려되는 데다, 공원시설인 도로 및 산책로 단절로 시민들의 여가생활 환경이 악화되는 등 사회적 파장이 예견된다. 하지만 열악한 지방자치단체의 재정 여건으로는 공원 실효에 대처하는 데 한계가 있는 상황이다. 따라서 본격적으로 공원지정 해제가 시작되면 상당 규모의 숲이나 공원, 산책로가 사라질 위기다. 권 시장은 "현재 민간공원 특례제도는 땅을 매입하는 책임이 지방정부에 있고 민간업자는 예치금만 걸어놓으면 되는 상황이기 때문에 매입과 관련한 갈등이 있고 시간적 제약과 불확실성 등으로 인한 많은 어려움이 있다"면서 "국민에게 지속적으로 공원 서비스를 제공할 수 있도록 중앙정부가 공원용지 보상비 일부(50%)를 국비로 지원해 달라"고 강조했다. 아울러 권 시장은 지자체 장기미집행 공원 매입에 따라 발생한 채무는 예산대비 채무비율에 포함하지 말고, 장기미집행 공원 실효 대상에서 국·공유지는 제외하는 등의 중앙 정부 차원의 제도 보완도 요구했다. 이런 권 시장의 주장에 대해 이날 모인 시·도지사들은 "협의회 차원에서 공동 건의안건으로 다뤄 정부에 신속하게 건의하고 대응하자"고 손을 잡았다.
	미쉐린 가이드에서 3스타를 받은 네덜란드의 세계적인 셰프 야콥 장 보어마가 호텔신라의 사회공헌 활동인 '맛있는 제주만들기' 프로젝트에 참여하기 위해 지난 1일 제주도에 방문했다.	주어진 문장을 적절하게 요약해주세요. 문장: '식자재 박사' 야콥 쟝 보어마, 호텔신라 '맛있는 제주만들기' 식당 방문 호텔신라의 대표 사회공헌 활동 '맛있는 제주만들기' 식당에 6년 연속 미쉐린 3스타를 받은 세계적인 셰프가 방문해 특급 요리비법을 전수했다. 호텔신라(대표 이부진)는 네덜란드의 야콥 쟝 보어마(Jacob Jan Boerma) 셰프가 지난 1일 '맛있는 제주만들기' 16호점 '제주콩순옥'을 방문해 대표 메뉴를 맛보고 요리 비법을 전수하는 뜻 깊은 시간을 가졌다고 밝혔다. 이날 '제주콩순옥' 영업주 차순옥 씨와 박영준 제주신라호텔 셰프는 야콥 쟝 보어마 셰프에게 제주흑돼지 갈비찜, 순두부찌개 등 대표 메뉴와 함께 제주산 식자재를 활용한 톳무침, 우뭇가사리 무침, 호박버섯볶음 등 상차림을 선보였다. 한편 네덜란드의 대표적인 셰프인 야콥 쟝 보어마는 '유럽의 식자재 박사'로 불리며 제철 식자재의 맛을 잘 살리는 것으로 유명하다. 야콥 셰프의 레스토랑 '드 리스트(De Leest)'는 네덜란드 Top 500 레스토랑 중 2위를 차지했다. 이어 세계적인 미식가이드 '골트 & 밀라우(Gault & Millau)'로부터 2010년 '올해의 셰프'에 선정되기도 했다. 또 2013년 미쉐린 3스타 등급을 받은 후 지금까지 그 명성을 이어오고 있다. 미쉐린 3스타 셰프와 '맛있는 제주만들기'의 특별한 만남이 이뤄진 '제주콩순옥'은 지난 2016년 11월 재개장한 서귀포시 대정읍 소재의 16호점으로 제주 고유 식자재를 기본으로 한국의 맛을 선보이고 있는 식당이다.

Subsets and Splits

No community queries yet

The top public SQL queries from the community will appear here once available.