en stringlengths 4 1.48k | translation stringlengths 3 1.77k | target_lang stringclasses 11
values | domain stringclasses 42
values | complexity stringclasses 3
values |
|---|---|---|---|---|
The negotiations between the two countries reached a stalemate. | రెండు దేశాల మధ్య చర్చలు ప్రతిష్టంభనకు చేరుకున్నాయి. | te | news | moderate |
The artist's unique style is easily recognizable. | కళాకారుడి ప్రత్యేక శైలి సులభంగా గుర్తించబడుతుంది. | te | general | simple |
The project's success depended on effective communication and collaboration. | ప్రాజెక్ట్ విజయం సమర్థవంతమైన కమ్యూనికేషన్ మరియు సహకారంపై ఆధారపడి ఉంది. | te | technical | moderate |
The ancient civilization left behind a rich legacy of art and architecture. | పురాతన నాగరికత కళ మరియు వాస్తుశిల్పం యొక్క గొప్ప వారసత్వాన్ని వదిలివేసింది. | te | general | moderate |
The company is committed to sustainable practices and environmental responsibility. | కంపెనీ స్థిరమైన పద్ధతులు మరియు పర్యావరణ బాధ్యతకు కట్టుబడి ఉంది. | te | news | moderate |
The reactor produces 1000 MW power or 10^9 J/s. | రియాక్టర్ 1000 MW శక్తిని లేదా 10^9 J/s ఉత్పత్తి చేస్తుంది. | te | technical | moderate |
If the reactor is to function for 10 yr, find the total mass of uranium required. | రియాక్టర్ 10 సంవత్సరాల పాటు పనిచేయాలంటే, అవసరమైన మొత్తం యురేనియం ద్రవ్యరాశిని కనుగొనండి. | te | technical | moderate |
One uranium atom liberates 200 MeV of energy. | ఒక యురేనియం పరమాణువు 200 MeV శక్తిని విడుదల చేస్తుంది. | te | technical | simple |
The element curium 96 248 Cm has a mean life of 10^13 s. | మూలకం క్యూరియం 96 248 Cm సగటు జీవితకాలం 10^13 సెకన్లు. | te | technical | moderate |
Calculate the power output from a sample of 10^20 Cm atoms. | 10^20 Cm పరమాణువుల నమూనా నుండి శక్తి ఉత్పత్తిని లెక్కించండి. | te | technical | moderate |
The reaction involved in a -decay is 96 248 Cm ® 94 244 Pu + 2 4 He. | α-క్షయంలో పాల్గొనే ప్రతిచర్య 96 248 Cm ® 94 244 Pu + 2 4 He. | te | technical | complex |
Find the values of A and Z in the above process. | పై ప్రక్రియలో A మరియు Z విలువలను కనుగొనండి. | te | technical | moderate |
The alpha particle produced in the above process is found to move in a circular track. | పై ప్రక్రియలో ఉత్పత్తి చేయబడిన ఆల్ఫా కణం వృత్తాకార మార్గంలో కదులుతున్నట్లు కనుగొనబడింది. | te | technical | complex |
Find the energy (in MeV) released during the process. | ప్రక్రియ సమయంలో విడుదలయ్యే శక్తిని (MeVలో) కనుగొనండి. | te | technical | moderate |
It is proposed to use the nuclear fusion reaction in a nuclear reactor. | అణు రియాక్టర్లో అణు సంయోగం ప్రతిచర్యను ఉపయోగించాలని ప్రతిపాదించబడింది. | te | technical | moderate |
How many grams of deuterium fuel will be needed per day? | రోజుకు ఎన్ని గ్రాముల డ్యూటీరియం ఇంధనం అవసరం అవుతుంది? | te | technical | moderate |
Mass defect in the given nuclear reaction. | ఇచ్చిన అణు ప్రతిచర్యలో ద్రవ్యరాశి లోపం. | te | technical | moderate |
Find the minimum kinetic energy of an a -particle to cause the reaction. | ప్రతిచర్యకు కారణమయ్యే α-కణం యొక్క కనిష్ట గతి శక్తిని కనుగొనండి. | te | technical | complex |
Since, the masses are given in atomic mass units, it is easiest to proceed. | ద్రవ్యరాశిని పరమాణు ద్రవ్యరాశి యూనిట్లలో ఇచ్చినందున, కొనసాగడం చాలా సులభం. | te | technical | moderate |
Neon- 23 decays in the following way. | నియాన్- 23 ఈ విధంగా క్షీణిస్తుంది. | te | technical | simple |
Find the minimum and maximum kinetic energy that the beta particle can have. | బీటా కణం కలిగి ఉండే కనిష్ట మరియు గరిష్ట గతి శక్తిని కనుగొనండి. | te | technical | moderate |
The mean lives of an unstable nucleus in two different decay processes are 1620 yr and 405 yr. | రెండు వేర్వేరు క్షీణత ప్రక్రియలలో అస్థిర కేంద్రకం యొక్క సగటు జీవితం వరుసగా 1620 సంవత్సరాలు మరియు 405 సంవత్సరాలు. | te | technical | complex |
Find out the time during which three-fourth of a sample will decay. | నమూనాలో మూడు వంతులు క్షీణించడానికి ఎంత సమయం పడుతుందో తెలుసుకోండి. | te | technical | moderate |
In the chemical analysis of a rock the mass ratio of two radioactive isotopes is found to be 100:1. | ఒక శిల యొక్క రసాయన విశ్లేషణలో రెండు రేడియోధార్మిక ఐసోటోపుల ద్రవ్యరాశి నిష్పత్తి 100:1గా కనుగొనబడింది. | te | technical | complex |
Calculate the age of the rock. | శిల వయస్సును లెక్కించండి. | te | technical | simple |
Complete the following reactions. | కింది ప్రతిచర్యలను పూర్తి చేయండి. | te | technical | simple |
Consider two decay reactions. | రెండు క్షీణత ప్రతిచర్యలను పరిగణించండి. | te | technical | simple |
Are both the reactions possible? | రెండు ప్రతిచర్యలు సాధ్యమేనా? | te | technical | simple |
Obtain the binding energy of a nitrogen nucleus from the following data. | కింది డేటా నుండి నత్రజని కేంద్రకం యొక్క బంధన శక్తిని పొందండి. | te | technical | moderate |
Give your answer in units of MeV. | మీ సమాధానాన్ని MeV యూనిట్లలో ఇవ్వండి. | te | technical | simple |
How much energy will be released if we form 8 16 O nucleus? | 8 16 O కేంద్రకాన్ని ఏర్పరిస్తే ఎంత శక్తి విడుదలవుతుంది? | te | technical | moderate |
Assuming the splitting of U 235 nucleus liberates 200 MeV energy, find the energy liberated in the fission of 1 kg of U 235. | U 235 కేంద్రకం యొక్క విభజన 200 MeV శక్తిని విడుదల చేస్తుందని భావిస్తే, 1 kg U 235 యొక్క విచ్ఛిత్తిలో విడుదలయ్యే శక్తిని కనుగొనండి. | te | technical | complex |
Calculate the kinetic energy of Ti recoil atoms. | Ti తిరోగమన పరమాణువుల గతి శక్తిని లెక్కించండి. | te | technical | moderate |
If a 92 235 U reactor is continuously operating it at a power level of 100 MW power, how long will it take for 1 kg of uranium to be consumed in this reactor? | ఒక 92 235 U రియాక్టర్ నిరంతరం 100 MW శక్తి స్థాయిలో పనిచేస్తుంటే, ఈ రియాక్టర్లో 1 kg యురేనియం వినియోగించడానికి ఎంత సమయం పడుతుంది? | te | technical | complex |
Calculate the Q-values of the following fusion reactions. | కింది ఫ్యూజన్ ప్రతిచర్యల Q-విలువలను లెక్కించండి. | te | technical | moderate |
Is such a fusion energetically favourable? | అటువంటి ఫ్యూజన్ శక్తి పరంగా అనుకూలంగా ఉందా? | te | technical | moderate |
When fission occurs, several neutrons are released and the fission fragments are beta radioactive, why? | విచ్ఛిత్తి జరిగినప్పుడు, అనేక న్యూట్రాన్లు విడుదలవుతాయి మరియు విచ్ఛిత్తి ముక్కలు బీటా రేడియోధార్మికంగా ఉంటాయి, ఎందుకు? | te | technical | complex |
The count rate observed from a radioactive source at t second was N 0 and at 4t second it was N 0 / 16. | t సెకను వద్ద రేడియోధార్మిక మూలం నుండి గమనించిన కౌంట్ రేటు N 0 మరియు 4t సెకను వద్ద అది N 0 / 16. | te | technical | complex |
The half-lives of a radioactive sample are 30 years and 60 years for two decay processes. | ఒక రేడియోధార్మిక నమూనా యొక్క అర్ధ జీవితాలు రెండు క్షీణత ప్రక్రియలకు 30 సంవత్సరాలు మరియు 60 సంవత్సరాలు. | te | technical | moderate |
Consider the nuclear fission reaction W -> X + Y. | W -> X + Y అనే కేంద్రక విచ్ఛిత్తి ప్రతిచర్యను పరిగణించండి. | te | technical | moderate |
What is the Q-value (energy released) of the reaction? | ప్రతిచర్య యొక్క Q-విలువ (విడుదలైన శక్తి) ఎంత? | te | technical | moderate |
If the binding energy per nucleon for X, A and B are 7.4 MeV, 8.2 MeV and 8.2 MeV respectively, the energy released will be | X, A మరియు B లలో ఒక్కో న్యూక్లియాన్ బంధన శక్తి వరుసగా 7.4 MeV, 8.2 MeV మరియు 8.2 MeV అయితే, విడుదలయ్యే శక్తి | te | technical | complex |
The energy released by the fission of a single uranium nucleus is 200 MeV. | ఒక యురేనియం కేంద్రకం యొక్క విచ్ఛిత్తి ద్వారా విడుదలయ్యే శక్తి 200 MeV. | te | technical | moderate |
A radioactive isotope is being produced at a constant rate A. | ఒక రేడియోధార్మిక ఐసోటోప్ స్థిరమైన రేటు A వద్ద ఉత్పత్తి చేయబడుతోంది. | te | technical | moderate |
The isotope has a half-life T. | ఐసోటోప్ అర్ధ జీవితం T కలిగి ఉంది. | te | technical | simple |
The conduction band allows electrons to move freely under a small electric field. | చిన్న విద్యుత్ క్షేత్రం ప్రభావంలో ఎలక్ట్రాన్లు స్వేచ్ఛగా కదలడానికి వాహక పట్టీ అనుమతిస్తుంది. | te | technical | moderate |
Semiconductors become slightly conductive at room temperature. | అర్థవాహకాలు గది ఉష్ణోగ్రత వద్ద కొద్దిగా వాహకంగా మారతాయి. | te | technical | simple |
Unlike conductors, the resistance of semiconductors decreases with increasing temperature. | వాహకాల మాదిరిగా కాకుండా, ఉష్ణోగ్రత పెరిగేకొద్దీ అర్థవాహకాల నిరోధకత తగ్గుతుంది. | te | technical | moderate |
The energy band gap of silicon is 1.1 eV. | సిలికాన్ యొక్క శక్తి బ్యాండ్ గ్యాప్ 1.1 eV. | te | technical | simple |
In a good conductor, the conduction band overlaps with the valence band. | ఒక మంచి వాహకంలో, వాహక పట్టీ వ్యాలెన్స్ పట్టీతో అతివ్యాప్తి చెందుతుంది. | te | technical | moderate |
Intrinsic semiconductors have a valency of 4. | అంతర్గత అర్థవాహకాలు 4 యొక్క వ్యాలెన్సీని కలిగి ఉంటాయి. | te | technical | simple |
Pure germanium, silicon, or carbon are intrinsic semiconductors. | స్వచ్ఛమైన జెర్మేనియం, సిలికాన్ లేదా కార్బన్ అంతర్గత అర్థవాహకాలు. | te | technical | moderate |
At room temperature, some covalent bonds break due to thermal agitation. | గది ఉష్ణోగ్రత వద్ద, కొన్ని సహసంయోజనీయ బంధాలు ఉష్ణ కదలిక కారణంగా తెగిపోతాయి. | te | technical | moderate |
A valence electron is shifted to the conduction band, leaving a hole. | ఒక వ్యాలెన్స్ ఎలక్ట్రాన్ వాహక పట్టీకి మార్చబడుతుంది, ఒక రంధ్రం ఏర్పడుతుంది. | te | technical | moderate |
The conductivity of an intrinsic semiconductor is very poor. | అంతర్గత అర్థవాహకం యొక్క వాహకత్వం చాలా తక్కువగా ఉంటుంది. | te | technical | simple |
Extrinsic semiconductors are created by mixing impurities. | అపద్రవ్యాలను కలపడం ద్వారా బాహ్య అర్థవాహకాలు సృష్టించబడతాయి. | te | technical | moderate |
P-type semiconductors have holes as majority charge carriers. | పి-రకం అర్థవాహకాలు మెజారిటీ చార్జ్ వాహకాలుగా రంధ్రాలను కలిగి ఉంటాయి. | te | technical | moderate |
N-type semiconductors have electrons as majority charge carriers. | ఎన్-రకం అర్థవాహకాలు మెజారిటీ చార్జ్ వాహకాలుగా ఎలక్ట్రాన్లను కలిగి ఉంటాయి. | te | technical | moderate |
Electrons move in the opposite direction of the electric field. | ఎలక్ట్రాన్లు విద్యుత్ క్షేత్రానికి వ్యతిరేక దిశలో కదులుతాయి. | te | technical | simple |
Holes move in the same direction as the electric field. | రంధ్రాలు విద్యుత్ క్షేత్రం వలె అదే దిశలో కదులుతాయి. | te | technical | simple |
The energy gap is least for Ge, followed by Si, and highest for C. | శక్తి అంతరం Geకి తక్కువగా ఉంటుంది, ఆ తర్వాత Si మరియు Cకి ఎక్కువగా ఉంటుంది. | te | technical | moderate |
A p-n junction is formed by placing a p-type semiconductor on an n-type semiconductor. | పి-రకం అర్థవాహకాన్ని ఎన్-రకం అర్థవాహకంపై ఉంచడం ద్వారా పి-ఎన్ జంక్షన్ ఏర్పడుతుంది. | te | technical | complex |
The depletion region has a very low density of either p or n type carriers. | క్షీణత ప్రాంతంలో పి లేదా ఎన్ రకం వాహకాల సాంద్రత చాలా తక్కువగా ఉంటుంది. | te | technical | complex |
Forward biasing increases the diffusion of electrons and holes. | ఫార్వర్డ్ బయాసింగ్ ఎలక్ట్రాన్లు మరియు రంధ్రాల వ్యాప్తిని పెంచుతుంది. | te | technical | moderate |
A p-n junction diode can act as a rectifier. | పి-ఎన్ జంక్షన్ డయోడ్ ఒక దిద్దేదిగా పనిచేస్తుంది. | te | technical | simple |
The emitter-base junction is forward biased. | ఎమిటర్-బేస్ జంక్షన్ ఫార్వర్డ్ బయాస్ చేయబడింది. | te | technical | simple |
Electrons will diffuse from the emitter to the base. | ఎలక్ట్రాన్లు ఉద్గారిణి నుండి బేస్ కు వ్యాప్తి చెందుతాయి. | te | technical | simple |
A transistor can be operated in three different modes. | ట్రాన్సిస్టర్ను మూడు వేర్వేరు మోడ్లలో ఆపరేట్ చేయవచ్చు. | te | technical | moderate |
In common emitter mode, the emitter is kept at zero potential. | సాధారణ ఉద్గారిణి మోడ్లో, ఉద్గారిణిని సున్నా సంభావ్యత వద్ద ఉంచుతారు. | te | technical | moderate |
Let us consider the working of a p-n-p transistor in common base mode. | సాధారణ బేస్ మోడ్లో p-n-p ట్రాన్సిస్టర్ పనితీరును పరిశీలిద్దాం. | te | technical | moderate |
Holes are in majority in the emitter (p-type). | ఎమిటర్ (p-రకం) లో రంధ్రాలు మెజారిటీలో ఉన్నాయి. | te | technical | moderate |
Since the emitter-base is forward biased, holes move toward the base. | ఎమిటర్-బేస్ ఫార్వర్డ్ బయాస్ చేయబడినందున, రంధ్రాలు బేస్ వైపు కదులుతాయి. | te | technical | complex |
Few of them combine with electrons in the base and the rest go to the collector. | వాటిలో కొన్ని బేస్లోని ఎలక్ట్రాన్లతో కలిసిపోతాయి మరియు మిగిలినవి కలెక్టర్కు వెళ్తాయి. | te | technical | complex |
Since the base-collector is reverse biased, holes coming from the base move toward the terminal of the collector. | బేస్-కలెక్టర్ రివర్స్ బయాస్ చేయబడినందున, బేస్ నుండి వచ్చే రంధ్రాలు కలెక్టర్ టెర్మినల్ వైపు కదులుతాయి. | te | technical | complex |
They combine with an equal number of electrons entering from the collector terminal. | అవి కలెక్టర్ టెర్మినల్ నుండి ప్రవేశించే సమాన సంఖ్యలో ఎలక్ట్రాన్లతో కలుస్తాయి. | te | technical | complex |
Suppose 5 holes enter from emitter to base. | ఎమిటర్ నుండి బేస్కు 5 రంధ్రాలు ప్రవేశిస్తాయని అనుకుందాం. | te | technical | moderate |
This deficiency of 5 holes in the emitter is compensated when 5 electrons emit from the emitter. | ఎమిటర్ లోని 5 రంధ్రాల లోపం 5 ఎలక్ట్రాన్లు ఎమిటర్ నుండి విడుదలైనప్పుడు భర్తీ చేయబడుతుంది. | te | technical | complex |
One out of five holes which reach the base combine with one electron entering from the base. | బేస్కు చేరుకునే ఐదు రంధ్రాలలో ఒకటి బేస్ నుండి ప్రవేశించే ఒక ఎలక్ట్రాన్తో కలుస్తుంది. | te | technical | complex |
Rest four holes enter the collector and move towards its terminal. | మిగిలిన నాలుగు రంధ్రాలు కలెక్టర్లోకి ప్రవేశించి దాని టెర్మినల్ వైపు కదులుతాయి. | te | technical | moderate |
On the other hand, 5 electrons which leave the emitter come to the base, emitter and collector junctions. | మరోవైపు, ఎమిటర్ నుండి బయలుదేరే 5 ఎలక్ట్రాన్లు బేస్, ఎమిటర్ మరియు కలెక్టర్ జంక్షన్లకు వస్తాయి. | te | technical | complex |
These four electrons give rise to i c (the collector current) and combine with the four holes coming from the base. | ఈ నాలుగు ఎలక్ట్రాన్లు i c (కలెక్టర్ కరెంట్) కు దారి తీస్తాయి మరియు బేస్ నుండి వచ్చే నాలుగు రంధ్రాలతో కలుస్తాయి. | te | technical | complex |
From the figure, we can see that, iii ecb =+. | చిత్రం నుండి, మనం చూడవచ్చు, iii ecb =+. | te | technical | simple |
The common base amplifier circuit using a p-n-p transistor is shown in the figure. | p-n-p ట్రాన్సిస్టర్ను ఉపయోగించి సాధారణ బేస్ యాంప్లిఫైయర్ సర్క్యూట్ చిత్రంలో చూపబడింది. | te | technical | moderate |
The emitter base input circuit is forward biased by a low voltage battery. | ఎమిటర్ బేస్ ఇన్పుట్ సర్క్యూట్ తక్కువ వోల్టేజ్ బ్యాటరీ ద్వారా ఫార్వర్డ్ బయాస్ చేయబడింది. | te | technical | moderate |
The weak input AC voltage signal is superimposed on V EB and the amplified output signal is obtained across collector-base circuit. | బలహీనమైన ఇన్పుట్ AC వోల్టేజ్ సిగ్నల్ V EB పై అతివ్యాప్తి చెందుతుంది మరియు యాంప్లిఫైడ్ అవుట్పుట్ సిగ్నల్ కలెక్టర్-బేస్ సర్క్యూట్ అంతటా పొందబడుతుంది. | te | technical | complex |
IC is the heart of all computer systems. | IC అనేది అన్ని కంప్యూటర్ సిస్టమ్లకు గుండెకాయ. | te | technical | simple |
It is used in almost all electronic devices like cell phones, televisions, cars etc. | ఇది సెల్ ఫోన్లు, టెలివిజన్లు, కార్లు మొదలైన దాదాపు అన్ని ఎలక్ట్రానిక్ పరికరాలలో ఉపయోగించబడుతుంది. | te | technical | simple |
Growth of semiconductor industry is very fast. | అర్ధవాహక పరిశ్రమ వృద్ధి చాలా వేగంగా ఉంది. | te | technical | moderate |
From current trends it is expected that by 2020 computers will operate at 40 GHz. | ప్రస్తుత ధోరణుల ప్రకారం, 2020 నాటికి కంప్యూటర్లు 40 GHz వద్ద పనిచేస్తాయని భావిస్తున్నారు. | te | technical | moderate |
In an oscillator, we get AC output without any external input signal. | ఆసిలేటర్లో, మనం ఎలాంటి బాహ్య ఇన్పుట్ సిగ్నల్ లేకుండా AC అవుట్పుట్ను పొందుతాము. | te | technical | moderate |
A portion of the output power is returned back (feedback) to the input (in phase) with the starting power. | అవుట్పుట్ పవర్ కొంత భాగాన్ని ప్రారంభ శక్తితో ఇన్పుట్కు (దశలో) తిరిగి పంపుతారు (ఫీడ్బ్యాక్). | te | technical | complex |
In transistors, the base region is narrow and lightly doped. | ట్రాన్సిస్టర్లలో, బేస్ ప్రాంతం ఇరుకైనది మరియు తక్కువగా డోప్ చేయబడింది. | te | technical | moderate |
Why? Solution It all depends on energy gap between valence band and conduction band. | ఎందుకు? పరిష్కారం: ఇదంతా వ్యాలెన్స్ బ్యాండ్ మరియు కండక్షన్ బ్యాండ్ మధ్య శక్తి అంతరంపై ఆధారపడి ఉంటుంది. | te | technical | complex |
Which one will be able to detect light of wavelength 6000A o ? | ఏది 6000A o తరంగదైర్ఘ్యం కలిగిన కాంతిని గుర్తించగలదు? | te | technical | moderate |
For insulators E g >3 eV, for semiconductors, E g =0 2. eV to 3eV while for conductors (or metals) E g =0 . | అవాహకాల కోసం E g >3 eV, సెమీకండక్టర్ల కోసం, E g =0 2. eV నుండి 3eV వరకు, అయితే వాహకాల కోసం (లేదా లోహాలు) E g =0. | te | technical | complex |
Intrinsic as well as extrinsic semiconductors are electrically neutral. | అంతర్గత మరియు బాహ్య అర్ధవాహకాలు రెండూ విద్యుత్ పరంగా తటస్థంగా ఉంటాయి. | te | technical | moderate |
At 0K number of holes (or number of free electrons) in an intrinsic semiconductor become zero. | 0K వద్ద అంతర్గత సెమీకండక్టర్లో రంధ్రాల సంఖ్య (లేదా ఉచిత ఎలక్ట్రాన్ల సంఖ్య) సున్నా అవుతుంది. | te | technical | complex |
The extra power required for amplified output is obtained from the DC source. | విస్తరించిన అవుట్పుట్ కోసం అవసరమైన అదనపు శక్తి DC మూలం నుండి పొందబడుతుంది. | te | technical | moderate |
With decrease in temperature resistance of a conductor decreases and that of semiconductor increases. | ఉష్ణోగ్రత తగ్గడంతో ఒక వాహకం యొక్క నిరోధకత తగ్గుతుంది మరియు సెమీకండక్టర్ యొక్క నిరోధకత పెరుగుతుంది. | te | technical | complex |
The order of increasing doping levels is base > collector > emitter. | డోపింగ్ స్థాయిల పెరుగుతున్న క్రమం బేస్ > కలెక్టర్ > ఎమిటర్. | te | technical | moderate |
Subsets and Splits
No community queries yet
The top public SQL queries from the community will appear here once available.