en stringlengths 4 1.48k | translation stringlengths 3 1.77k | target_lang stringclasses 11
values | domain stringclasses 42
values | complexity stringclasses 3
values |
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The alpha particle produced in the above process is found to move in a circular track. | उपरोक्त प्रक्रिया में उत्पन्न अल्फा कण एक वृत्ताकार पथ में घूमता हुआ पाया जाता है। | hi | technical | moderate |
Find the energy (in MeV) released during the process. | प्रक्रिया के दौरान जारी ऊर्जा (MeV में) ज्ञात कीजिए। | hi | technical | moderate |
It is proposed to use the nuclear fusion reaction in a nuclear reactor. | यह एक परमाणु रिएक्टर में परमाणु संलयन प्रतिक्रिया का उपयोग करने का प्रस्ताव है। | hi | technical | moderate |
If the energy from the above reaction is used with a 25 per cent efficiency in the reactor. | यदि उपरोक्त प्रतिक्रिया से प्राप्त ऊर्जा का उपयोग रिएक्टर में 25 प्रतिशत दक्षता के साथ किया जाता है। | hi | technical | complex |
How many grams of deuterium fuel will be needed per day? | प्रति दिन कितने ग्राम ड्यूटेरियम ईंधन की आवश्यकता होगी? | hi | technical | moderate |
Find the minimum kinetic energy of an a -particle to cause the reaction. | प्रतिक्रिया उत्पन्न करने के लिए एक α-कण की न्यूनतम गतिज ऊर्जा ज्ञात कीजिए। | hi | technical | moderate |
Neon- 23 decays in the following way. | नियॉन-23 निम्नलिखित तरीके से क्षय होता है। | hi | technical | simple |
Find the minimum and maximum kinetic energy that the beta particle can have. | न्यूनतम और अधिकतम गतिज ऊर्जा ज्ञात कीजिए जो बीटा कण में हो सकती है। | hi | technical | moderate |
The mean lives of an unstable nucleus in two different decay processes are 1620 yr and 405 yr, respectively. | दो अलग-अलग क्षय प्रक्रियाओं में एक अस्थिर नाभिक का औसत जीवनकाल क्रमशः 1620 वर्ष और 405 वर्ष है। | hi | technical | complex |
Find out the time during which three-fourth of a sample will decay. | वह समय ज्ञात कीजिए जिसके दौरान एक नमूने का तीन-चौथाई भाग क्षय हो जाएगा। | hi | technical | moderate |
In the chemical analysis of a rock the mass ratio of two radioactive isotopes is found to be 100:1. | एक चट्टान के रासायनिक विश्लेषण में दो रेडियोधर्मी समस्थानिकों का द्रव्यमान अनुपात 100:1 पाया जाता है। | hi | technical | complex |
Complete the following reactions. | निम्नलिखित प्रतिक्रियाओं को पूरा करें। | hi | technical | simple |
Consider two decay reactions. | दो क्षय प्रतिक्रियाओं पर विचार करें। | hi | technical | moderate |
Obtain the binding energy of a nitrogen nucleus from the following data. | निम्नलिखित डेटा से नाइट्रोजन नाभिक की बंधन ऊर्जा प्राप्त करें। | hi | technical | complex |
Give your answer in units of MeV. | अपना उत्तर MeV की इकाइयों में दें। | hi | technical | simple |
How much energy will be released if we form 8 16 O nucleus? | यदि हम 8 16 O नाभिक बनाते हैं तो कितनी ऊर्जा मुक्त होगी? | hi | technical | moderate |
Assuming the splitting of U 235 nucleus liberates 200 MeV energy, find (a) the energy liberated in the fission of 1 kg of U 235 and (b) the mass of the coal with calorific value of 30 kJ/g which is equivalent to 1 kg of U 235 . | यह मानते हुए कि U 235 नाभिक के विभाजन से 200 MeV ऊर्जा निकलती है, (a) 1 किलो U 235 के विखंडन में मुक्त ऊर्जा और (b) 30 kJ/g के कैलोरी मान वाले कोयले का द्रव्यमान ज्ञात कीजिए जो 1 किलो U 235 के बराबर है। | hi | technical | complex |
Calculate the kinetic energy of Ti recoil atoms. | Ti प्रतिक्षेप परमाणुओं की गतिज ऊर्जा की गणना करें। | hi | technical | moderate |
If 92 235 U reactor is continuously operating it at a power level of 100 MW power, how long will it take for 1 kg of uranium to be consumed in this reactor? | यदि 92 235 U रिएक्टर लगातार 100 मेगावाट बिजली के स्तर पर काम कर रहा है, तो इस रिएक्टर में 1 किलो यूरेनियम का उपभोग करने में कितना समय लगेगा? | hi | technical | complex |
Calculate the Q-values of the following fusion reactions. | निम्नलिखित संलयन प्रतिक्रियाओं के Q-मानों की गणना करें। | hi | technical | moderate |
Is such a fusion energetically favourable? | क्या ऐसा संलयन ऊर्जा की दृष्टि से अनुकूल है? | hi | technical | simple |
When fission occurs, several neutrons are released and the fission fragments are beta radioactive, why? | जब विखंडन होता है, तो कई न्यूट्रॉन निकलते हैं और विखंडन टुकड़े बीटा रेडियोधर्मी होते हैं, क्यों? | hi | technical | moderate |
The count rate observed from a radioactive source at t second was N 0 and at 4t second it was N 0 16 . | एक रेडियोधर्मी स्रोत से t सेकंड पर देखी गई गणना दर N 0 थी और 4t सेकंड पर यह N 0 16 थी। | hi | technical | complex |
The half-lives of a radioactive sample are 30 years and 60 years for two decay processes. | एक रेडियोधर्मी नमूने के दो क्षय प्रक्रियाओं के लिए अर्ध-जीवन 30 वर्ष और 60 वर्ष हैं। | hi | technical | moderate |
Consider the nuclear fission reaction WXY® + . | नाभिकीय विखंडन प्रतिक्रिया WXY® + पर विचार करें। | hi | technical | simple |
What is the Q-value (energy released) of the reaction? | प्रतिक्रिया का Q-मान (मुक्त ऊर्जा) क्या है? | hi | technical | simple |
If the binding energy per nucleon forX,Aand B are 7.4 MeV, 8.2 MeV and 8.2 MeV respectively, the energy released will be | यदि X, A और B के लिए प्रति न्यूक्लियॉन बंधन ऊर्जा क्रमशः 7.4 MeV, 8.2 MeV और 8.2 MeV है, तो मुक्त ऊर्जा होगी | hi | technical | complex |
The energy released by the fission of a single uranium nucleus is 200 MeV. | एकल यूरेनियम नाभिक के विखंडन से मुक्त ऊर्जा 200 MeV है। | hi | technical | moderate |
A radioactive isotope is being produced at a constant rate A . | एक रेडियोधर्मी समस्थानिक एक स्थिर दर A पर उत्पादित किया जा रहा है। | hi | technical | moderate |
Calculate the time that has elapsed since the death of the living one. | उस समय की गणना करें जो जीवित व्यक्ति की मृत्यु के बाद से बीत चुका है। | hi | technical | moderate |
If Pis older thanQ, then the difference in their age is | यदि P, Q से बड़ा है, तो उनकी आयु में अंतर है | hi | technical | moderate |
The emitter-base junction is forward biased. | उत्सर्जक-आधार जंक्शन अग्र अभिनत है। | hi | technical | simple |
Electrons will diffuse from the emitter to the base. | इलेक्ट्रॉन उत्सर्जक से आधार की ओर विसरित होंगे। | hi | technical | simple |
A transistor can be operated in three different modes. | एक ट्रांजिस्टर को तीन अलग-अलग मोड में संचालित किया जा सकता है। | hi | technical | simple |
In common emitter mode, the emitter is kept at zero potential. | कॉमन एमिटर मोड में, एमिटर को शून्य विभव पर रखा जाता है। | hi | technical | moderate |
Let us consider the working of a p-n-p transistor in common base mode. | आइए कॉमन बेस मोड में एक p-n-p ट्रांजिस्टर के कार्य पर विचार करें। | hi | technical | moderate |
Holes move toward the base because the emitter-base is forward biased. | छिद्र आधार की ओर बढ़ते हैं क्योंकि एमिटर-बेस अग्र अभिनत है। | hi | technical | moderate |
Few of them combine with electrons in the base. | उनमें से कुछ आधार में इलेक्ट्रॉनों के साथ जुड़ जाते हैं। | hi | technical | simple |
Since base-collector is reverse biased, holes move toward the collector terminal. | चूंकि बेस-कलेक्टर पश्च अभिनत है, इसलिए छिद्र कलेक्टर टर्मिनल की ओर बढ़ते हैं। | hi | technical | moderate |
Suppose 5 holes enter from emitter to base. | मान लीजिए कि 5 छिद्र उत्सर्जक से आधार में प्रवेश करते हैं। | hi | technical | moderate |
This deficiency of 5 holes in emitter is compensated when 5 electrons emit from emitter. | उत्सर्जक में 5 छिद्रों की यह कमी तब पूरी हो जाती है जब उत्सर्जक से 5 इलेक्ट्रॉन उत्सर्जित होते हैं। | hi | technical | complex |
The common base amplifier circuit using a p-n-p transistor is shown in the figure. | एक p-n-p ट्रांजिस्टर का उपयोग करके कॉमन बेस एम्पलीफायर सर्किट चित्र में दिखाया गया है। | hi | technical | complex |
The input signal is applied across the emitter and the base. | इनपुट सिग्नल एमिटर और बेस पर लागू किया जाता है। | hi | technical | moderate |
The amplified output signal is taken across the collector and the base. | प्रवर्धित आउटपुट सिग्नल कलेक्टर और बेस पर लिया जाता है। | hi | technical | moderate |
This circuit provides a very low input resistance. | यह सर्किट बहुत कम इनपुट प्रतिरोध प्रदान करता है। | hi | technical | moderate |
There is no phase difference between input and output signals. | इनपुट और आउटपुट सिग्नल के बीच कोई चरण अंतर नहीं है। | hi | technical | moderate |
The emitter base input circuit is forward biased by a low voltage battery. | एमिटर बेस इनपुट सर्किट को कम वोल्टेज बैटरी द्वारा अग्र अभिनत किया जाता है। | hi | technical | complex |
The collector base output circuit is reversed biased by means of a high voltage battery. | कलेक्टर बेस आउटपुट सर्किट को उच्च वोल्टेज बैटरी के माध्यम से पश्च अभिनत किया जाता है। | hi | technical | complex |
The weak input AC voltage signal is superimposed on V EB. | कमजोर इनपुट एसी वोल्टेज सिग्नल को V EB पर अध्यारोपित किया जाता है। | hi | technical | complex |
The input AC voltage signal changes the net value of V EB. | इनपुट एसी वोल्टेज सिग्नल V EB के शुद्ध मान को बदलता है। | hi | technical | complex |
The output voltage signal is in phase with the input voltage signal. | आउटपुट वोल्टेज सिग्नल इनपुट वोल्टेज सिग्नल के साथ चरण में है। | hi | technical | moderate |
IC is the heart of all computer systems. | आईसी सभी कंप्यूटर सिस्टम का दिल है। | hi | technical | simple |
It is used in almost all electronic devices like, cell phones, televisions, cars etc. | इसका उपयोग लगभग सभी इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों जैसे सेल फोन, टेलीविजन, कारों आदि में किया जाता है। | hi | technical | simple |
Growth of semiconductor industry is very fast. | सेमीकंडक्टर उद्योग की वृद्धि बहुत तेजी से हो रही है। | hi | technical | moderate |
From current trends it is expected that by 2020 computers will operate at 40 GHz and would be much smaller, more efficient and less expensive than present day computers. | वर्तमान रुझानों से यह उम्मीद है कि 2020 तक कंप्यूटर 40 GHz पर काम करेंगे और आज के कंप्यूटरों की तुलना में बहुत छोटे, अधिक कुशल और कम खर्चीले होंगे। | hi | technical | complex |
In an amplifier, a sinusoidal input is given which gets amplified as an output. | एक एम्पलीफायर में, एक साइनसोइडल इनपुट दिया जाता है जो आउटपुट के रूप में एम्पलीफाई हो जाता है। | hi | technical | moderate |
Hence, an external input is necessary to sustain AC signal in the output. | इसलिए, आउटपुट में एसी सिग्नल को बनाए रखने के लिए एक बाहरी इनपुट आवश्यक है। | hi | technical | moderate |
In an oscillator, we get AC output without any external input signal. | एक ऑसिलेटर में, हमें बिना किसी बाहरी इनपुट सिग्नल के एसी आउटपुट मिलता है। | hi | technical | moderate |
A portion of the output power is returned back (feedback) to the input (in phase) with the starting power. | आउटपुट पावर का एक हिस्सा शुरुआती पावर के साथ इनपुट (इन-फेज) पर वापस लौटा दिया जाता है (फीडबैक)। | hi | technical | complex |
In other words, the output in an oscillator is self sustained. | दूसरे शब्दों में, एक ऑसिलेटर में आउटपुट स्वयं टिकाऊ होता है। | hi | technical | moderate |
In transistors, the base region is narrow and lightly doped, otherwise the electrons or holes coming from the input side (say emitter in CE-configuration) will not be able to reach the collector. | ट्रांजिस्टर में, बेस क्षेत्र संकीर्ण और हल्के से डोप किया जाता है, अन्यथा इनपुट साइड से आने वाले इलेक्ट्रॉन या छेद (उदाहरण के लिए सीई-कॉन्फ़िगरेशन में एमिटर) कलेक्टर तक पहुंचने में सक्षम नहीं होंगे। | hi | technical | complex |
Yet, Sn is a conductor, C is an insulator while Si and Ge are semiconductors. | फिर भी, Sn एक कंडक्टर है, C एक इन्सुलेटर है जबकि Si और Ge अर्धचालक हैं। | hi | technical | moderate |
It all depends on energy gap between valence band and conduction band. | यह सब वैलेंस बैंड और कंडक्शन बैंड के बीच ऊर्जा अंतराल पर निर्भर करता है। | hi | technical | moderate |
Which one will be able to detect light of wavelength 6000A o ? | कौन सा 6000A o तरंग दैर्ध्य की रोशनी का पता लगाने में सक्षम होगा? | hi | technical | moderate |
For the incident radiation to be detected by the photodiode energy of incident radiation should be greater than the band gap. | आपतित विकिरण को फोटोडायोड द्वारा पता लगाने के लिए आपतित विकिरण की ऊर्जा बैंड गैप से अधिक होनी चाहिए। | hi | technical | complex |
What is the range of energy gap ()E g in insulators, semiconductors and conductors? | इंसुलेटर, सेमीकंडक्टर और कंडक्टर में ऊर्जा अंतराल ()E g की सीमा क्या है? | hi | technical | moderate |
Intrinsic as well as extrinsic semiconductors are electrically neutral. | आंतरिक और बाहरी दोनों अर्धचालक विद्युत रूप से उदासीन होते हैं। | hi | technical | moderate |
At 0K number of holes (or number of free electrons) in an intrinsic semiconductor become zero. | 0K पर एक आंतरिक अर्धचालक में छेदों की संख्या (या मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या) शून्य हो जाती है। | hi | technical | complex |
The extra power required for amplified output is obtained from the DC source. | प्रवर्धित आउटपुट के लिए आवश्यक अतिरिक्त शक्ति डीसी स्रोत से प्राप्त की जाती है। | hi | technical | moderate |
With decrease in temperature resistance of a conductor decreases and that of semiconductor increases. | तापमान में कमी के साथ एक कंडक्टर का प्रतिरोध घटता है और अर्धचालक का बढ़ता है। | hi | technical | moderate |
The order of increasing doping levels is base > collector > emitter. | बढ़ते डोपिंग स्तर का क्रम बेस > कलेक्टर > एमिटर है। | hi | technical | moderate |
The energy band gap of silicon is 1.1 eV and of germanium is about 0.7 eV. | सिलिकॉन का ऊर्जा बैंड अंतराल 1.1 eV है और जर्मेनियम का लगभग 0.7 eV है। | hi | technical | simple |
In a good conductor, conduction band overlaps with the valence band. Therefore, the energy gap between them is zero. | एक अच्छे कंडक्टर में, चालन बैंड वैलेंस बैंड के साथ ओवरलैप होता है। इसलिए, उनके बीच ऊर्जा अंतराल शून्य है। | hi | technical | moderate |
At room temperature, however a few of the covalent bonds are broken due to thermal agitation and thus some of the valence electrons become free. | हालांकि, कमरे के तापमान पर, तापीय विक्षोभ के कारण कुछ सहसंयोजक बंध टूट जाते हैं और इस प्रकार कुछ वैलेंस इलेक्ट्रॉन मुक्त हो जाते हैं। | hi | technical | moderate |
The conductivity of an intrinsic semiconductor is very poor unless the temperature is very high. | एक आंतरिक अर्धचालक की चालकता बहुत कम होती है जब तक कि तापमान बहुत अधिक न हो। | hi | technical | moderate |
Extrinsic semiconductors are again of two types: p-type and n-type. | बाह्य अर्धचालक फिर से दो प्रकार के होते हैं: p-प्रकार और n-प्रकार। | hi | technical | simple |
Holes are the majority charge carriers and electrons are minority charge carriers in case of p-type semiconductors. | p-प्रकार के अर्धचालकों के मामले में छेद बहुसंख्यक आवेश वाहक होते हैं और इलेक्ट्रॉन अल्पसंख्यक आवेश वाहक होते हैं। | hi | technical | moderate |
When a pentavalent impurity atom is added to a Ge or Si crystal it replaces a Ge or Si atom. | जब एक पंचसंयोजक अशुद्धता परमाणु को Ge या Si क्रिस्टल में जोड़ा जाता है तो यह एक Ge या Si परमाणु को प्रतिस्थापित करता है। | hi | technical | moderate |
Electrons are the majority charge carriers and holes are minority or number of electrons are much greater than the number of holes. | इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक आवेश वाहक होते हैं और छेद अल्पसंख्यक होते हैं या इलेक्ट्रॉनों की संख्या छेदों की संख्या से बहुत अधिक होती है। | hi | technical | complex |
When a battery is connected across a semiconductor a potential difference is developed across its ends. | जब एक बैटरी को एक अर्धचालक से जोड़ा जाता है तो इसके सिरों पर एक संभावित अंतर विकसित होता है। | hi | technical | moderate |
Electrons move in opposite direction of electric field while holes move in the same direction. | इलेक्ट्रॉन विद्युत क्षेत्र की विपरीत दिशा में चलते हैं जबकि छेद उसी दिशा में चलते हैं। | hi | technical | moderate |
The energy gap between conduction band and valence band is least for Ge, followed by Si and highest for C. | चालन बैंड और वैलेंस बैंड के बीच ऊर्जा अंतराल Ge के लिए सबसे कम है, इसके बाद Si और C के लिए सबसे अधिक है। | hi | technical | moderate |
Holes are minority charge carriers and pentavalent atoms are the dopants in an n- type silicon. | n-प्रकार के सिलिकॉन में छेद अल्पसंख्यक आवेश वाहक होते हैं और पंचसंयोजक परमाणु डोपेंट होते हैं। | hi | technical | moderate |
Holes are majority carriers and trivalent atoms are the dopants in an p- type semiconductors. | p-प्रकार के अर्धचालकों में छेद बहुसंख्यक वाहक होते हैं और त्रिसंयोजक परमाणु डोपेंट होते हैं। | hi | technical | moderate |
A p-type or n-type silicon crystal can be made by adding appropriate impurity. | उपयुक्त अशुद्धता मिलाकर p-प्रकार या n-प्रकार का सिलिकॉन क्रिस्टल बनाया जा सकता है। | hi | technical | moderate |
The junction region has a very low density of either p or n-type carriers, because of inter diffusion. | अंतःप्रसार के कारण जंक्शन क्षेत्र में या तो p या n-प्रकार के वाहकों का घनत्व बहुत कम होता है। | hi | technical | complex |
This is called forward biasing. The depletion layer effectively becomes smaller. | इसे अग्र अभिनति कहा जाता है। रिक्तीकरण परत प्रभावी रूप से छोटी हो जाती है। | hi | technical | moderate |
A rectifier is a device which converts an alternating current into a direct current. | एक दिष्टकारी एक ऐसा उपकरण है जो एक प्रत्यावर्ती धारा को एक दिष्ट धारा में परिवर्तित करता है। | hi | technical | simple |
A p-n junction diode can work as an excellent rectifier. | एक p-n जंक्शन डायोड एक उत्कृष्ट दिष्टकारी के रूप में काम कर सकता है। | hi | technical | simple |
A simple rectifier circuit called the half-wave rectifier, using only one diode is shown in figure. | एक साधारण दिष्टकारी सर्किट जिसे अर्ध-तरंग दिष्टकारी कहा जाता है, जिसमें केवल एक डायोड का उपयोग किया जाता है, चित्र में दिखाया गया है। | hi | technical | moderate |
A diode meant to operate under reverse bias in the breakdown region is called a zener diode. | एक डायोड जो भंजन क्षेत्र में रिवर्स बायस के तहत संचालित होने के लिए होता है, उसे ज़ेनर डायोड कहा जाता है। | hi | technical | moderate |
The radio waves which progress along the surface of the earth are called ground waves or surface waves. | पृथ्वी की सतह के साथ आगे बढ़ने वाली रेडियो तरंगों को भू-तरंगें या सतह तरंगें कहा जाता है। | hi | technical | moderate |
These waves are vertically polarised in order to prevent short-circuiting of the electric component. | विद्युत घटक के शॉर्ट-सर्किटिंग को रोकने के लिए ये तरंगें लंबवत ध्रुवीकृत होती हैं। | hi | technical | moderate |
As the wave travels, the induced charges in the earth also travel along it. | जैसे-जैसे तरंग यात्रा करती है, पृथ्वी में प्रेरित आवेश भी इसके साथ यात्रा करते हैं। | hi | technical | simple |
Due to these losses, the ground waves are not suited for very long range communication. | इन नुकसानों के कारण, भू-तरंगें बहुत लंबी दूरी के संचार के लिए उपयुक्त नहीं हैं। | hi | technical | moderate |
Hence, ground wave propagation can be sustained only at low frequencies (500 kHz to 1500 kHz). | इसलिए, भू-तरंग प्रसार को केवल कम आवृत्तियों (500 kHz से 1500 kHz) पर बनाए रखा जा सकता है। | hi | technical | moderate |
Television signal (80 MHz to 200 MHz) waves neither follow the curvature of the earth nor get reflected by ionosphere. | टेलीविजन सिग्नल (80 मेगाहर्ट्ज से 200 मेगाहर्ट्ज) तरंगें न तो पृथ्वी की वक्रता का अनुसरण करती हैं और न ही आयनमंडल से परावर्तित होती हैं। | hi | technical | complex |
Television signals can be reflected from geostationary satellite or tall receiver antennas. | टेलीविजन संकेतों को भू-स्थिर उपग्रह या लंबी रिसीवर एंटेना से परावर्तित किया जा सकता है। | hi | technical | moderate |
The transmitted waves, travelling in a straight line, directly reach the receiver end and are then picked up by the receiving antenna. | सीधी रेखा में यात्रा करने वाली प्रेषित तरंगें सीधे रिसीवर के अंत तक पहुँचती हैं और फिर उन्हें रिसीविंग एंटीना द्वारा उठाया जाता है। | hi | technical | moderate |
Due to finite curvature of the earth, such waves cannot be seen beyond the tangent points. | पृथ्वी की सीमित वक्रता के कारण, ऐसी तरंगें स्पर्शरेखा बिंदुओं से आगे नहीं देखी जा सकती हैं। | hi | technical | moderate |
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