en stringlengths 4 1.48k | translation stringlengths 3 1.77k | target_lang stringclasses 11
values | domain stringclasses 42
values | complexity stringclasses 3
values |
|---|---|---|---|---|
The economic forecast predicts a period of slow growth. | பொருளாதார முன்னறிவிப்பு மெதுவான வளர்ச்சியின் காலகட்டத்தை முன்னறிவிக்கிறது. | ta | news | moderate |
The intricate design required careful attention to detail. | சிக்கலான வடிவமைப்பிற்கு விவரங்களில் கவனமாக கவனம் செலுத்த வேண்டும். | ta | technical | complex |
The negotiations reached a stalemate after several rounds of talks. | பல சுற்று பேச்சுவார்த்தைகளுக்குப் பிறகு பேச்சுவார்த்தைகள் முட்டுக்கட்டையில் முடிந்தன. | ta | news | complex |
The company is committed to sustainable practices. | நிறுவனம் நிலையான நடைமுறைகளுக்கு உறுதியளிக்கிறது. | ta | general | moderate |
The scientific community is constantly seeking new discoveries. | அறிவியல் சமூகம் தொடர்ந்து புதிய கண்டுபிடிப்புகளைத் தேடுகிறது. | ta | technical | moderate |
The conduction band allows electrons to move freely. | கடத்து பட்டையானது எலக்ட்ரான்கள் சுதந்திரமாக நகர அனுமதிக்கிறது. | ta | technical | simple |
Semiconductors become slightly conductive at room temperature. | அரை கடத்திகள் அறை வெப்பநிலையில் சிறிது கடத்தும் தன்மையை அடைகின்றன. | ta | technical | moderate |
Unlike conductors, the resistance of semiconductors decreases with increasing temperature. | கடத்திகளைப் போலல்லாமல், அரை கடத்திகளின் எதிர்ப்பு வெப்பநிலை அதிகரிக்கும் போது குறைகிறது. | ta | technical | moderate |
The energy band gap of silicon is 1.1 eV. | சிலிக்கானின் ஆற்றல் இடைவெளி 1.1 eV ஆகும். | ta | technical | simple |
In a good conductor, the conduction band overlaps with the valence band. | ஒரு நல்ல கடத்தியில், கடத்து பட்டை இணைதிறன் பட்டையுடன் ஒன்றுடன் ஒன்று மேற்பொருந்துகிறது. | ta | technical | moderate |
Intrinsic semiconductors are pure semiconductors. | உள்ளார்ந்த அரை கடத்திகள் தூய அரை கடத்திகள் ஆகும். | ta | technical | simple |
At room temperature, some covalent bonds break due to thermal agitation. | அறை வெப்பநிலையில், சில சக பிணைப்புகள் வெப்ப இயக்கத்தால் உடைக்கப்படுகின்றன. | ta | technical | moderate |
Extrinsic semiconductors have impurities added to them. | புற அரை கடத்திகளில் அசுத்தங்கள் சேர்க்கப்படுகின்றன. | ta | technical | simple |
P-type semiconductors have holes as majority charge carriers. | பி-வகை அரை கடத்திகள் பெரும்பான்மையான மின்னூட்ட carriers ஆக துளைகளைக் கொண்டுள்ளன. | ta | technical | moderate |
N-type semiconductors have electrons as majority charge carriers. | என்-வகை அரை கடத்திகள் பெரும்பான்மையான மின்னூட்ட carriers ஆக எலக்ட்ரான்களைக் கொண்டுள்ளன. | ta | technical | moderate |
The conductivity of a semiconductor is increased by doping. | ஒரு அரை கடத்தியின் கடத்துத்திறன் டோப்பிங் மூலம் அதிகரிக்கப்படுகிறது. | ta | technical | moderate |
Electrons move in the opposite direction of the electric field. | எலக்ட்ரான்கள் மின் புலத்திற்கு எதிர் திசையில் நகர்கின்றன. | ta | technical | simple |
Holes move in the same direction as the electric field. | துளைகள் மின் புலத்தின் அதே திசையில் நகர்கின்றன. | ta | technical | simple |
The energy gap is least for germanium. | ஜெர்மானியத்திற்கு ஆற்றல் இடைவெளி மிகக் குறைவு. | ta | technical | simple |
In an n-type silicon, electrons are the majority carriers. | என்-வகை சிலிக்கானில், எலக்ட்ரான்கள் பெரும்பான்மையான carriers ஆகும். | ta | technical | moderate |
A p-n junction is formed by placing a p-type semiconductor next to an n-type semiconductor. | பி-வகை அரை கடத்தியை என்-வகை அரை கடத்திக்கு அருகில் வைப்பதன் மூலம் பி-என் சந்திப்பு உருவாகிறது. | ta | technical | moderate |
The depletion region has a very low density of charge carriers. | தேய்வுப் பகுதியில் மின்னூட்ட carriers களின் அடர்த்தி மிகக் குறைவாக உள்ளது. | ta | technical | moderate |
Forward biasing reduces the potential barrier. | நேர் சார்பு மின்னழுத்தத் தடையைக் குறைக்கிறது. | ta | technical | simple |
Reverse biasing increases the potential barrier. | எதிர் சார்பு மின்னழுத்தத் தடையை அதிகரிக்கிறது. | ta | technical | simple |
A p-n junction diode can act as a rectifier. | பி-என் சந்திப்பு டையோடு ஒரு திருத்தியாக செயல்பட முடியும். | ta | technical | moderate |
Complete the following reactions. | கீழ்க்காணும் வினைகளை நிறைவு செய்க. | ta | technical | simple |
Consider two decay reactions. | இரண்டு சிதைவு எதிர்வினைகளைக் கவனியுங்கள். | ta | technical | moderate |
Obtain the binding energy of a nitrogen nucleus from the following data. | கீழ்க்காணும் தரவுகளிலிருந்து நைட்ரஜன் உட்கருவின் பிணைப்பு ஆற்றலைப் பெறவும். | ta | technical | complex |
Give your answer in units of MeV. | உங்கள் பதிலை MeV அலகுகளில் கொடுங்கள். | ta | technical | simple |
How much energy will be released if we form 8 16 O nucleus? | 8 16 O உட்கருவை உருவாக்கினால் எவ்வளவு ஆற்றல் வெளியிடப்படும்? | ta | technical | moderate |
Assuming the splitting of U 235 nucleus liberates 200 MeV energy, find (a) the energy liberated in the fission of 1 kg of U 235 and (b) the mass of the coal with calorific value of 30 kJ/g which is equivalent to 1 kg of U 235 . | U 235 உட்கரு பிளவுபடும் போது 200 MeV ஆற்றல் வெளியிடப்படுகிறது என்று கருதி, (a) 1 கிலோ U 235 பிளவுபடுவதில் வெளியிடப்படும் ஆற்றலைக் கண்டறியவும், (b) 1 கிலோ U 235 க்கு சமமான 30 kJ/g கலோரி மதிப்பைக் கொண்ட நிலக்கரியின் நிறை என்ன? | ta | technical | complex |
Calculate the kinetic energy of Ti recoil atoms. | Ti பின்வாங்கும் அணுக்களின் இயக்க ஆற்றலைக் கணக்கிடுங்கள். | ta | technical | moderate |
If 92 235 U reactor is continuously operating it at a power level of 100 MW power, how long will it take for 1 kg of uranium to be consumed in this reactor? | 92 235 U உலை தொடர்ந்து 100 MW மின்சக்தியில் இயங்கினால், இந்த உலையில் 1 கிலோ யுரேனியம் பயன்படுத்த எவ்வளவு நேரம் ஆகும்? | ta | technical | complex |
Calculate the Q-values of the following fusion reactions. | கீழ்க்காணும் இணைவு வினைகளின் Q-மதிப்புகளைக் கணக்கிடுங்கள். | ta | technical | moderate |
Is such a fusion energetically favourable? | அத்தகைய இணைவு ஆற்றல் ரீதியாக சாதகமானதா? | ta | technical | moderate |
When fission occurs, several neutrons are released and the fission fragments are beta radioactive, why? | பிளவு ஏற்படும்போது, பல நியூட்ரான்கள் வெளியிடப்படுகின்றன, மேலும் பிளவு துண்டுகள் பீட்டா கதிரியக்கத்தன்மை கொண்டவை, ஏன்? | ta | technical | complex |
The count rate observed from a radioactive source at t second was N 0 and at 4t second it was N 0 16 . | t வினாடியில் கதிரியக்க மூலத்திலிருந்து பெறப்பட்ட எண்ணிக்கை N 0 ஆகவும், 4t வினாடியில் N 0 16 ஆகவும் இருந்தது. | ta | technical | complex |
The half-lives of a radioactive sample are 30 years and 60 years for two decay processes. | ஒரு கதிரியக்க மாதிரியின் அரை ஆயுள் இரண்டு சிதைவு செயல்முறைகளுக்கு 30 ஆண்டுகள் மற்றும் 60 ஆண்டுகள் ஆகும். | ta | technical | moderate |
Consider the nuclear fission reaction WXY® + . | WXY® + என்ற அணுக்கரு பிளவு வினையை கருத்தில் கொள்ளவும். | ta | technical | moderate |
What is the Q-value (energy released) of the reaction? | வினையின் Q-மதிப்பு (வெளியிடப்படும் ஆற்றல்) என்ன? | ta | technical | moderate |
If the binding energy per nucleon forX,Aand B are 7.4 MeV, 8.2 MeV and 8.2 MeV respectively, the energy released will be | X, A மற்றும் B ஆகியவற்றின் ஒரு நியூக்ளியோனுக்கான பிணைப்பு ஆற்றல் முறையே 7.4 MeV, 8.2 MeV மற்றும் 8.2 MeV எனில், வெளியிடப்படும் ஆற்றல் | ta | technical | complex |
The energy released by the fission of a single uranium nucleus is 200 MeV. | ஒரு தனி யுரேனியம் உட்கருவின் பிளவு மூலம் வெளியிடப்படும் ஆற்றல் 200 MeV ஆகும். | ta | technical | moderate |
A radioactive isotope is being produced at a constant rate A . | ஒரு கதிரியக்க ஐசோடோப் ஒரு நிலையான விகிதத்தில் A தயாரிக்கப்படுகிறது. | ta | technical | moderate |
Calculate the time that has elapsed since the death of the living one. | உயிருடன் இருந்தவர் இறந்ததிலிருந்து எவ்வளவு காலம் கடந்துவிட்டது என்பதைக் கணக்கிடுங்கள். | ta | technical | moderate |
If Pis older thanQ, then the difference in their age is | P, Q ஐ விடப் பழமையானதாக இருந்தால், அவற்றின் வயதில் உள்ள வித்தியாசம் | ta | technical | moderate |
The reactor produces 1000 MW power or 10^9 J/s. | உலை 1000 MW சக்தியை அல்லது 10^9 J/s ஐ உருவாக்குகிறது. | ta | technical | moderate |
If the reactor is to function for 10 yr, find the total mass of uranium required. | உலை 10 ஆண்டுகள் செயல்பட வேண்டுமானால், தேவையான மொத்த யுரேனியம் நிறையை கண்டறியவும். | ta | technical | moderate |
One uranium atom liberates 200 MeV of energy. | ஒரு யுரேனியம் அணு 200 MeV ஆற்றலை வெளியிடுகிறது. | ta | technical | simple |
The reactor is to function for 10 yr. Therefore, total energy which the reactor will supply in 10 yr is E= (power) (time). | உலை 10 ஆண்டுகள் செயல்பட வேண்டும். எனவே, 10 ஆண்டுகளில் உலை வழங்கும் மொத்த ஆற்றல் E= (சக்தி) (நேரம்). | ta | technical | moderate |
The element curium 96 248 Cm has a mean life of 10^13 s. | கியூரியம் 96 248 Cm என்ற தனிமம் 10^13 வினாடிகள் சராசரி வாழ்நாளைக் கொண்டுள்ளது. | ta | technical | moderate |
Calculate the power output from a sample of 10^20 Cm atoms. | 10^20 Cm அணுக்களின் மாதிரியிலிருந்து வெளியாகும் சக்தியைக் கணக்கிடவும். | ta | technical | moderate |
The reaction involved in a -decay is 96 248 Cm ® 94 244 Pu + 2 4 He. | α-சிதைவில் ஈடுபடும் எதிர்வினை 96 248 Cm ® 94 244 Pu + 2 4 He ஆகும். | ta | technical | complex |
Find the values of A and Z in the above process. | மேலே உள்ள செயல்முறையில் A மற்றும் Z இன் மதிப்புகளைக் கண்டறியவும். | ta | technical | moderate |
The alpha particle produced in the above process is found to move in a circular track of radius 0.11m in a uniform magnetic field of 3T. | மேற்கூறிய செயல்முறையில் உருவாக்கப்பட்ட ஆல்பா துகள் 3T சீரான காந்தப்புலத்தில் 0.11 மீ ஆரம் கொண்ட வட்டப் பாதையில் நகர்கிறது. | ta | technical | complex |
From the conservation of momentum, p_Y = p_a or 22K_Y = K_a. | உந்தத்தின் பாதுகாப்பிலிருந்து, p_Y = p_a அல்லது 22K_Y = K_a. | ta | technical | complex |
It is proposed to use the nuclear fusion reaction, 1 2 H + 1 2 H -> 2 4 He in a nuclear reactor. | அணு உலை ஒன்றில் 1 2 H + 1 2 H -> 2 4 He என்ற அணுக்கரு இணைவு எதிர்வினையைப் பயன்படுத்த முன்மொழியப்பட்டுள்ளது. | ta | technical | complex |
If the energy from the above reaction is used with a 25 per cent efficiency in the reactor, how many grams of deuterium fuel will be needed per day? | மேற்கூறிய எதிர்வினையிலிருந்து கிடைக்கும் ஆற்றல் உலையில் 25 சதவிகித செயல்திறனுடன் பயன்படுத்தப்பட்டால், ஒரு நாளைக்கு எத்தனை கிராம் டியூட்டீரியம் எரிபொருள் தேவைப்படும்? | ta | technical | complex |
Mass defect in the given nuclear reaction, Dm = -2 (mass of deuterium - mass of helium). | கொடுக்கப்பட்ட அணுக்கரு எதிர்வினையில் நிறை குறைபாடு, Dm = -2 (டியூட்டீரியத்தின் நிறை - ஹீலியத்தின் நிறை). | ta | technical | complex |
Find the minimum kinetic energy of an a -particle to cause the reaction 14 N(n, a) 11 B. | 14 N(n, a) 11 B என்ற எதிர்வினைக்குக் காரணமான α துகளின் குறைந்தபட்ச இயக்க ஆற்றலைக் கண்டறியவும். | ta | technical | complex |
Since, the masses are given in atomic mass units, it is easiest to proceed by finding the mass difference. | அணு நிறை அலகுகளில் நிறைகள் கொடுக்கப்பட்டுள்ளதால், நிறை வித்தியாசத்தைக் கண்டறிவதன் மூலம் தொடங்குவது எளிது. | ta | technical | moderate |
Neon- 23 decays in the following way, 10 23 Ne -> 11 23 Na + -1 0 e. | நியோன்- 23 பின்வருமாறு சிதைகிறது, 10 23 Ne -> 11 23 Na + -1 0 e. | ta | technical | moderate |
Find the minimum and maximum kinetic energy that the beta particle (-1 0 e) can have. | பீட்டா துகள் (-1 0 e) பெறக்கூடிய குறைந்தபட்ச மற்றும் அதிகபட்ச இயக்க ஆற்றலைக் கண்டறியவும். | ta | technical | moderate |
The mean lives of an unstable nucleus in two different decay processes are 1620 yr and 405 yr, respectively. | இரண்டு வெவ்வேறு சிதைவு செயல்முறைகளில் ஒரு நிலையற்ற கருவின் சராசரி வாழ்நாள் முறையே 1620 ஆண்டுகள் மற்றும் 405 ஆண்டுகள் ஆகும். | ta | technical | moderate |
Find out the time during which three-fourth of a sample will decay. | ஒரு மாதிரியில் நான்கில் மூன்று பங்கு சிதைவடையும் நேரத்தைக் கண்டறியவும். | ta | technical | moderate |
In the chemical analysis of a rock the mass ratio of two radioactive isotopes is found to be 100:1. | ஒரு பாறையின் வேதியியல் பகுப்பாய்வில் இரண்டு கதிரியக்க ஐசோடோப்புகளின் நிறை விகிதம் 100:1 என கண்டறியப்பட்டது. | ta | technical | complex |
The emitter-base junction is forward biased. | உமிழ்ப்பான்-அடிப்படை சந்திப்பு முன்னோக்கி சார்புடையதாக உள்ளது. | ta | technical | simple |
Electrons will diffuse from the emitter to the base. | எலக்ட்ரான்கள் உமிழ்ப்பானிலிருந்து அடிப்பகுதிக்கு பரவும். | ta | technical | simple |
A transistor can be operated in three different modes. | ஒரு டிரான்சிஸ்டரை மூன்று வெவ்வேறு முறைகளில் இயக்க முடியும். | ta | technical | simple |
In common emitter mode, the emitter is kept at zero potential. | பொது உமிழ்ப்பான் முறையில், உமிழ்ப்பான் பூஜ்ஜிய மின்னழுத்தத்தில் வைக்கப்படுகிறது. | ta | technical | moderate |
Let us consider the working of a p-n-p transistor in common base mode. | ஒரு p-n-p டிரான்சிஸ்டரின் செயல்பாட்டை பொதுவான அடிப்படை முறையில் கருத்தில் கொள்வோம். | ta | technical | moderate |
Holes move toward the base because the emitter-base is forward biased. | உமிழ்ப்பான்-அடிப்படை முன்னோக்கி சார்புடையதாக இருப்பதால் துளைகள் அடிப்பகுதியை நோக்கி நகரும். | ta | technical | moderate |
Few of them combine with electrons in the base. | அவற்றில் சில அடிப்பகுதியில் உள்ள எலக்ட்ரான்களுடன் இணைகின்றன. | ta | technical | moderate |
Since the base-collector is reverse biased, holes move toward the collector. | அடிப்படை-சேகரிப்பான் தலைகீழ் சார்புடையதாக இருப்பதால், துளைகள் சேகரிப்பானை நோக்கி நகரும். | ta | technical | moderate |
Suppose 5 holes enter from emitter to base. | உமிழ்ப்பானிலிருந்து அடிப்பகுதிக்கு 5 துளைகள் நுழைகின்றன என்று வைத்துக்கொள்வோம். | ta | technical | moderate |
This deficiency of 5 holes in emitter is compensated. | உமிழ்ப்பானில் உள்ள 5 துளைகளின் இந்த குறைபாடு ஈடுசெய்யப்படுகிறது. | ta | technical | moderate |
One out of five holes which reach the base combine with one electron. | அடிப்பகுதியை அடையும் ஐந்து துளைகளில் ஒன்று ஒரு எலக்ட்ரானுடன் இணைகிறது. | ta | technical | complex |
Rest four holes enter the collector and move towards its terminal. | மீதமுள்ள நான்கு துளைகள் சேகரிப்பானில் நுழைந்து அதன் முனையத்தை நோக்கி நகர்கின்றன. | ta | technical | complex |
Electrons coming from base and from collector meet at junction O. | அடிப்பகுதி மற்றும் சேகரிப்பானிலிருந்து வரும் எலக்ட்ரான்கள் சந்திப்பு O இல் சந்திக்கின்றன. | ta | technical | complex |
The working principle of p-n-p and n-p-n transistors are similar. | p-n-p மற்றும் n-p-n டிரான்சிஸ்டர்களின் வேலை செய்யும் கொள்கை ஒன்றுக்கொன்று ஒத்திருக்கிறது. | ta | technical | complex |
Mobility of electrons are however more than the mobility of holes. | எலக்ட்ரான்களின் இயக்கம் துளைகளின் இயக்கத்தை விட அதிகமாக உள்ளது. | ta | technical | complex |
Therefore n-p-n transistors are used in high frequency circuits. | எனவே n-p-n டிரான்சிஸ்டர்கள் உயர் அதிர்வெண் சுற்றுகளில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. | ta | technical | complex |
A transistor can be used for amplifying a weak signal. | ஒரு டிரான்சிஸ்டரை பலவீனமான சமிக்ஞையை பெருக்க பயன்படுத்தலாம். | ta | technical | moderate |
The emitter-base junction is always forward biased. | உமிழ்ப்பான்-அடிப்படை சந்திப்பு எப்போதும் முன்னோக்கி சார்புடையதாக இருக்கும். | ta | technical | moderate |
The amplified output signal is taken across the collector and the base. | பெருக்கப்பட்ட வெளியீட்டு சமிக்ஞை சேகரிப்பான் மற்றும் அடிப்பகுதியில் எடுக்கப்படுகிறது. | ta | technical | moderate |
This circuit provides a very low input resistance. | இந்த சுற்று மிகவும் குறைந்த உள்ளீட்டு எதிர்ப்பை வழங்குகிறது. | ta | technical | moderate |
IC is the heart of all computer systems. | ஐசி அனைத்து கணினி அமைப்புகளின் மையமாக உள்ளது. | ta | technical | simple |
It is used in almost all electronic devices like cell phones, televisions, cars etc. | இது செல்பேசி, தொலைக்காட்சி, கார்கள் போன்ற கிட்டத்தட்ட அனைத்து மின்னணு சாதனங்களிலும் பயன்படுத்தப்படுகிறது. | ta | technical | simple |
Growth of semiconductor industry is very fast. | அரை கடத்தித் துறையின் வளர்ச்சி மிக வேகமாக உள்ளது. | ta | technical | moderate |
From current trends it is expected that by 2020 computers will operate at 40 GHz. | தற்போதைய போக்குகளின்படி, 2020 ஆம் ஆண்டளவில் கணினிகள் 40 GHz இல் இயங்கும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது. | ta | technical | moderate |
In an oscillator, we get AC output without any external input signal. | ஒரு அதிர்வியலில், எந்தவொரு வெளிப்புற உள்ளீட்டு சமிக்ஞையும் இல்லாமல் ஏசி வெளியீட்டைப் பெறுகிறோம். | ta | technical | moderate |
A portion of the output power is returned back (feedback) to the input (in phase) with the starting power. | வெளியீட்டு சக்தியின் ஒரு பகுதி ஆரம்ப சக்தியுடன் உள்ளீட்டிற்கு (நிலையில்) மீண்டும் அனுப்பப்படுகிறது (பின்னூட்டம்). | ta | technical | complex |
In transistors, the base region is narrow and lightly doped. | டிரான்சிஸ்டர்களில், அடிப்படை பகுதி குறுகியதாகவும், லேசாக டோப் செய்யப்பட்டதாகவும் இருக்கும். | ta | technical | moderate |
Why ? Solution It all depends on energy gap between valence band and conduction band. | ஏன்? தீர்வு: இது இணைதிறன் பட்டை மற்றும் கடத்துதல் பட்டைக்கு இடையிலான ஆற்றல் இடைவெளியைப் பொறுத்தது. | ta | technical | complex |
Which one will be able to detect light of wavelength 6000A o ? | எது 6000A o அலைநீளத்தின் ஒளியைக் கண்டறிய முடியும்? | ta | technical | moderate |
For insulators E g >3 eV, for semiconductors, E g =0 2. eV to 3eV while for conductors (or metals) E g =0 . | காப்புப்பொருள்களுக்கு E g >3 eV, குறைக்கடத்திகளுக்கு, E g =0 2. eV முதல் 3eV வரை, கடத்திகளுக்கு (அல்லது உலோகங்கள்) E g =0. | ta | technical | complex |
Intrinsic as well as extrinsic semiconductors are electrically neutral. | உள் மற்றும் வெளிப்புற குறைக்கடத்திகள் இரண்டும் மின்சார ரீதியாக நடுநிலையானவை. | ta | technical | moderate |
At 0K number of holes (or number of free electrons) in an intrinsic semiconductor become zero. | 0K இல் ஒரு உள்ளார்ந்த குறைக்கடத்தியில் உள்ள துளைகளின் எண்ணிக்கை (அல்லது இலவச எலக்ட்ரான்களின் எண்ணிக்கை) பூஜ்ஜியமாகிறது. | ta | technical | complex |
The extra power required for amplified output is obtained from the DC source. | பெருக்கப்பட்ட வெளியீட்டிற்குத் தேவையான கூடுதல் சக்தி DC மூலத்திலிருந்து பெறப்படுகிறது. | ta | technical | moderate |
With decrease in temperature resistance of a conductor decreases and that of semiconductor increases. | வெப்பநிலை குறையும் போது ஒரு கடத்தியின் எதிர்ப்பு குறைகிறது மற்றும் குறைக்கடத்தியின் எதிர்ப்பு அதிகரிக்கிறது. | ta | technical | complex |
Arrange them in order of increasing doping levels. | அவற்றை டோப்பிங் அளவை அதிகரிக்கும் வரிசையில் ஒழுங்கமைக்கவும். | ta | technical | simple |
Subsets and Splits
No community queries yet
The top public SQL queries from the community will appear here once available.